JP2522729Y2 - シームウェルド用ローラ電極 - Google Patents

シームウェルド用ローラ電極

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JP2522729Y2
JP2522729Y2 JP11632190U JP11632190U JP2522729Y2 JP 2522729 Y2 JP2522729 Y2 JP 2522729Y2 JP 11632190 U JP11632190 U JP 11632190U JP 11632190 U JP11632190 U JP 11632190U JP 2522729 Y2 JP2522729 Y2 JP 2522729Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はシームウェルド用ローラ電極に関し、特に半
導体装置のキャップシール用のローラ電極に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のシームウェルド用ローラ電極は、第5
図の斜視図に示すように、回転軸の一端にテーパ部7を
設けて円錐状に形成されている(例えば、特開昭54-429
78号公報)。材質はベリリウム銅(Be…0.4%,Co…1
%,Ni…1%,Cu…残部の合金)で、表面処理はしないで
そのまま使用していた。
〔考案が解決しようとする課題〕
この従来のシームウェルド用ローラ電極では、シーム
ウェルド時、高温のためローラ電極のベリリウム銅の一
部が金属キャップに付着し、赤銅色から経時変化して暗
黒色に変色するため半導体装置の外観を損うという問題
点があった。
この傾向は電極を新しい電極に交換した直後に著しく
発生し、半導体装置を数百個シームウェルドする間に、
次第に発生しなくなる傾向にあった。これはキャップ表
面のニッケルめっきによって、電極表面がニッケルによ
って覆われるためということが知られている。
〔課題を解決するための手段〕
本考案のシームウェルド用ローラ電極は、少なくとも
テーパ部にニッケルめっきが施されている。
〔実施例〕
次に本考案について図面を参照して説明する。
第1図は本考案の実施例1のローラ電極の斜視図、第
2図は実施例1のローラ電極を使って半導体装置をシー
ムウェルドする状態を示す説明図である。
実施例1において、ローラ電極1はベリリウム銅を使
用し、約8度のテーパ角度で円錐状に形成されている。
ローラ電極表面のテーパ部7にのみニッケルめっき2が
2〜3μmの厚さで施されている。
次に、第2図において半導体装置をシームウェルドす
る方法を説明すると、コバールに金めっきの施されたウ
ェルドリング4に、コバールにニッケルめっきの施され
たキャップ3を乗せた後、2個の対向するローラ電極1
間に通常400〜800アンペア程度の溶接電流を50〜60Hzの
商用周波数で断続的に流しながらケース本体5を回転さ
せると、ローラ電極1も追従しながら回転するので、キ
ャップ全周に渡ってシームウェルドすることが可能であ
る。
尚、ローラ電極1はテーパが設けられているので、ロ
ーラ電極1とキャップ3との接触部が、キャップ形に応
じて移動してもシームウェルドが可能である。即ち、キ
ャップが角型であっても、ローラ電極1とキャップ3と
の接触部がテーパ部の範囲内であれば可能である。ま
た、テーパ部にはニッケルめっきが施されているので、
新しいローラ電極に交換した直後であってもローラ電極
のベリリウム銅の一部がキャップに付着することはな
い。尚、ローラ電極のテーパ部にのみニッケルめっきを
施すことは、テーパ部以外を全てめっきレジストでマス
キングすることにより可能である。
第3図は本考案の実施例2の斜視図である。実施例1
と異なる点は、ニッケルめっき2が回転軸6も含めてロ
ーラ電極表面全体に施されている点である。こうするこ
とにより、ニッケルめっきを容易に行なうことが出来
る。
第4図は本考案の実施例3の斜視図である。実施例2
と異なる点は、ニッケルめっき2がローラ電極の回転軸
6のみ施されていない点である。こうすることにより、
回転軸の部分での熱伝導が良いため溶接電流による発熱
を防ぐことができ、尚かつ、ローラ電極のめっき時のマ
スキングが容易となる。
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案は、ローラ電極の少なくと
もテーパ部に、ニッケルめっきを施したことにより、新
しいローラ電極に交換した直後であってもローラ電極の
ベリリウム銅の一部がキャップに付着することがないと
いう効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例1のローラ電極の斜視図、第2
図は実施例1のローラ電極を使って半導体装置をシーム
ウェルドする状態を示す説明図、第3図は本考案の実施
例2のローラ電極の斜視図、第4図は本考案の実施例3
のローラ電極の斜視図、第5図は従来のローラ電極の斜
視図である。 1……ローラ電極、2……ニッケルめっき、3……キャ
ップ、4……ウェルドリング、5……ケース本体、6…
…回転軸、7……テーパ部。

Claims (4)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体装置用ケースにキャップをシームウ
    ェルドする際に使用し、回転軸及びテーパ部を有するシ
    ームウェルド用ローラ電極において、前記ローラ電極に
    ニッケルめっきを施したことを特徴とするシームウェル
    ド用ローラ電極。
  2. 【請求項2】前記ローラ電極全体にニッケルめっきが施
    されている請求項1記載のシームウェルド用ローラ電
    極。
  3. 【請求項3】前記ローラ電極のテーパ部にニッケルめっ
    きが施されている請求項1記載のシームウェルド用ロー
    ラ電極。
  4. 【請求項4】前記ローラ電極の回転軸を除く部分にニッ
    ケルめっきが施されている請求項1記載のシームウェル
    ド用ローラ電極。
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