JPS601018U - 基準電圧回路 - Google Patents

基準電圧回路

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JPS601018U
JPS601018U JP7114784U JP7114784U JPS601018U JP S601018 U JPS601018 U JP S601018U JP 7114784 U JP7114784 U JP 7114784U JP 7114784 U JP7114784 U JP 7114784U JP S601018 U JPS601018 U JP S601018U
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JP
Japan
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mos transistor
transistor
transistors
mos
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JP7114784U
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JPS6228088Y2 (ja
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浅川　辰司
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Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図、第２図、第３図、第４図、第５図、第６図、第
７図、第８図、第９図、第１０図、第１１図は本考案の
基準電圧回路。 １、　２．　３．　４．　５．　７．　１０．　１２．
　１４゜１５．１７，１９．２１，２３，２５，２７゜
２Ｂ、２９，３０，３１，３２．３３はＮチャネルトラ
ンジスタ、６．　８．　９．　１１．　１３．　１６゜
１８．２０，２２，２４．２６はＰチャネルトランジス
タ、ＶＤＤはプラス電源電圧、ＶＳＳはマイナス電源電
圧、ＧＮＤ或いはＶｇは接地或いは内部接地電圧、■□
、　Ｖ２．　Ｖ３．　Ｖｌ、　Ｖ５．　Ｖ６．　Ｖ’　
１．　ｙ’　２＋　Ｖ’　３＋　Ｖ’　４＊　Ｖ’　５
＋　Ｖ’　６１　”Ｖ□＋　　ｎｖ、。 ｎｖ２．　”Ｖｌ、　　ｎＶ’　１．　　ｎＶ’　２ハ
基準電圧。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳ　トランジス
    タが第１と第２の電源間に直列接続され、第３のＭＯＳ
    トランジスタと第４のＭＯＳトランジスタが前記第１と
    第２の電源間に直列接続され、前記第１のＭＯＳトラン
    ジスタと前記第３のＭＯＳド　　ランジスタは同じチャ
    ンネルタイプのトランジスタであり、第２のＭＯＳ　）
    ランジスタと第４のＭＯＳ）ランジスタは同じチャンネ
    ルタイプのトランジスタであり、前記第１のＭＯＳトラ
    ンジスタと前記第２のＭＯＳ　トランジスタの接続点は
    、前記第４のＭＯＳ）ランジスタのゲートに入力され、
    前記第２及び第３のＭＯＳ）ランジスタはゲートとドレ
    インがそれぞれ短絡され、前記第１のＭＯＳトランジス
    タのゲートには前記第１と第２の電源の中間の電位であ
    る第３の電源電位が印加され、前記第３のＭＯＳ）ラン
    ジスタの閾値と前記第４のＭＯＳ　トランジスタの閾値
    を異ならせ、前記第３と第４のＭＯＳ　トランジスタの
    接続点より前記第３と第４のＭＯＳ）ランジスタの閾値
    電圧の差を前記第３の電源電圧からの基準電圧として出
    力させることを特徴とする基準電圧回路。
JP7114784U 1984-05-16 1984-05-16 基準電圧回路 Granted JPS601018U (ja)

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JPS601018U true JPS601018U (ja) 1985-01-07
JPS6228088Y2 JPS6228088Y2 (ja) 1987-07-18

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