JPS5999779A - 大面積太陽電池 - Google Patents

大面積太陽電池

Info

Publication number
JPS5999779A
JPS5999779A JP58209769A JP20976983A JPS5999779A JP S5999779 A JPS5999779 A JP S5999779A JP 58209769 A JP58209769 A JP 58209769A JP 20976983 A JP20976983 A JP 20976983A JP S5999779 A JPS5999779 A JP S5999779A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
area
battery
cell
electrically
large area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58209769A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0554276B2 (ja
Inventor
マサツグ・イズ
プレ−ム・ナス
ア−サ−・ホ−ランド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Energy Conversion Devices Inc
Original Assignee
Energy Conversion Devices Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Energy Conversion Devices Inc filed Critical Energy Conversion Devices Inc
Publication of JPS5999779A publication Critical patent/JPS5999779A/ja
Publication of JPH0554276B2 publication Critical patent/JPH0554276B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、概して大面積の光電池に係わり、特に（１）
電気的に相互接続される大面積の光電池、並びに（２）
隣接し合い、電気的に相互接続される大・面積の光電池
Ｑで係わる。また氷見１明では、このような電気的に接
続される、及び電気的に相互接続される大面積の光電池
の製造方法も開示される。
本明細香では、個々の、電気的に内部接続される（　ｅ
、１ａＣｔｒ−ｉｃａｉｌｙ　−１ｎｔｒａｃｏ加ｅｃ
ｔｅｄ　）大面積の光電池、並１びに隣接し合い、電気
的に相互接続される大面積の光電池について説明する。
・また本発明の主要な特徴として、電気的に相互接続さ
れることＣ・？′□訳って電気的に有用な大面積の太陽
電池を実現する電気的に結縁された複数個の小面積セグ
メントから大面積の光電池を製造することも検討する。
本発明の別の主要な特徴は、個々の大面積光電池を複数
個用いて隣接し合い、電ｆｉｔ的に相互接続される版数
側の大面積太陽電池を製造することである。
結晶シリコンデバイスは大型半導体１苗の基盤であるが
、結晶シリコンから成るデバイスは、所望のとおりに変
更できない固定的なパラメータを有し、多量の材料を要
し、比較的小面積にしか製造され得す、かつ製造に費用
も時間も掛かる。アモ、ルファンスシリコンに基づくデ
バイスは、結晶シリコンのこれらの欠点を排除し得ろ。
アモルファスシリコンはダイレクトギャップ半導体と同
様の特性を兵えた光卆吸収端を有し、厚み５０ミクロン
の結晶質シリコンが吸収するのと同量の日光を吸収する
のに１ミクロン乃至それ以下の材料厚みしか必要でない
。その上アモルファスシリコンは、結晶質シリコンより
も速くかつ容易に大面積に製作され得ろ。
従ってこれまで、どちちも所望であればデポジット設備
の大きさによってしか制限されずに比較的大面積を有し
得るアモルファス半導体合金または薄膜であって、これ
らの合金または薄膜から、これらが結晶質である場合に
もたらされるものに等しいｐ−ｎ接合デバイスが製造さ
れるべき時に容易にドープされてｎ形及びｎ形の材料を
構成し得るようなアモルファス半導体合金または薄膜を
容易にデポジットする方法の開発に多大の努力が払われ
てきた。
エネルギギャップ印のキー局在状態の密度が著しく低下
された、高質の電子的特性を有する大幅に改善されたア
モルファスシリコン合金が、１９８０！？１０月７日に
発行されたスタンフォードＲ，オグシンスキー及びアル
７・マダン（５ｔａｎｆｏｒｄ　Ｒ。
０ｖｓｈｉｎｓｋｙ　ａｎｄ　Ａｒｕｎ　Ｍａｄａｎ　
）の米国特許第４．２２６，８９８号「結晶質半導体と
等価のアモルファス半導体」に完全に記載されたグロー
放電デポジションと、１９８０年８月１２日に前記特許
と同じ標題の下に発行されたメタンフォードＲ，オヴシ
ンスキー及びマサラグ拳イズ（ＭａｓａｔｓｕｇｕＩｚ
ｕ）の米国特許第４，２１７，３７４号に完全に記載さ
れた蒸着とによって製作された。本明細書中に参考とし
て含まれろこれらの特許に開示さ、れているところでは
、アモルファスシリコン半導体へ、この半導体の局在状
態の密度を実質的に低下させるためにフッ素が導入され
る。フッ素原子は寸法が小さく、アモルファス体へ容易
に導入され得るために、活性化されたフッ素は特に容易
に拡散してアモルファス体のアモルファスシリコンと結
合し、アモルファス体に局在する欠陥状態の密度を実質
的に低下すると思われる。フッ素はシリコンのダングリ
ングボンドと結合して、フレキシブルな結合角を具えた
部分的にイオン性の安定的な結合と思われるものを形成
し、その結果補償乃至変更は、水素及び他の補償乃至変
更剤による形成の場合よりも安定しかつ、有効となる。
フッ素は極度に小型で、反応度か高（、化学的結合にお
いて特異的であり、かつ非常に電気陰性度が高いので、
単独でまたは水素と共に用いられる場合水素よりも有効
な補償乃至変更元素であると考えられる。
光起電デバイスの効率は電池を積重ねることによって高
められ得ることが今や知られている。光起電デバイスの
効率を高めるのに多数の電池を使用するというこの概念
は、遅くとも１９５５年にＥ、Ｄ、　　ジャテクソン（
Ｅ、Ｄ、Ｊａｃｋｓｏｎ、　）　　により、１９６０年
８月１６日付で発行さ昨ホ米国特許第２．９４９，４９
８号において検討された。この特許で検討された多数の
電池による構造には、ｐ−ｎ接合の結晶質半導体デバイ
スが使用された。この概念は本質的に、太陽スペクトル
の様々な部分をより有効に集めかつ開回路電圧（ｖｏｅ
、）を増大するのに異なるバンドギャップのデバイスを
使用する方向にある。クンデム電池デバイ、スは２個ま
たはそれ以上の電池を有し、光は各電池を連続的に透過
し、これらの電池はまずバンドギャップの大きい材料の
ものが配向□され、その次に第一の電池乃至薄膜を透過
した光を吸収するべ（より小さいバンドギャップの材料
のものが配向される。各電池から発生される電流を実質
的に整合することによって各電池の総合開回路電圧は増
大され得、それによって、入射光によって生成されるエ
ネルギを完全に利用するデバイスが製造□される。
光電池を大量生産し得ることは、商業的に明らかに重要
である。太陽電□池の製造に関しバッチ処理によって制
限される結晶質シ／リコンとは異なり。
アモルファスシリコン合金は大型の連続的な処理システ
ムにおいて太陽電甑を構成するべく、比較的太面積の基
板全面にわたって多数の層状にデポジットされ得る。上
記のような連続処理システムは例えば−目下出願中の米
国特許出願、即ち１９８０年５月１９日付出願の出願番
号第１５１，３０１号［ｐ形にドープされ・たシリコン
薄膜の製造方法及び該薄膜から成るデバイスＪ、１９８
１年３月１６日付出願の出願番号第２４４，３８６号「
アモルファス半導体材料の連続デポジットシステム」、
１９８１年３月１６日付出願の出願番号第２４０，４９
３号「連続的なアモルファス太陽電池製造システム」、
１９８１年９月２８日伺゛出願の出願番号第３０６，１
４６号「多数チャンバ式のデポジション及び絶縁のシス
テム及び方法」、及び１９８２年３月１９日付出願力出
願参号第３５９，８２５号「タンデム形光電池を連続的
に製造する方法及び装置」に開示されている。“これら
の出願の開示によれば、基板は連続する３個一組のデポ
ジションチャンバを連続的に通され得、その際各チャン
バでは特別の材料が専らデポジットされる。ｐ−１，−
ｎ形の形態の太陽電池の製造において、各３個組チャン
バの餉−のチャンバはｐ形のアモルファス半導体材料の
デポジションに、第二のチャンバは真性半導体材料のデ
ポジションに、第三のチキレバはｎ形のアモルファス半
導体材料のデポジションに用いられろ。
上記グロー放電デボジジｉン枝術での大量生産によって
製造される大面積の光電ｉ？１．ロールの形態で得られ
、このロールは、上−半導体層が連続的にデポジットさ
れた基板め組換６ストリツプから成る。半導体層のデポ
ジションに続いて、有用な半導体デバイスを完壁に製造
伊旭ためのステップが更に実施されるべきモ鼠ることは
よ（知られている。このステップにおい上半導体ボディ
の上面に、高い光透過率及び高（・導憾率を特徴とする
透明な導電性コーティングがケ余ジットされる。
その後上記の光起電材社のストリジブロールは。
このロールから直列かまたは並列の電気的相互接続に適
した複数個の大面積光電池を形成するべ（処理される。
本発明は、大面積の光電池内部の電気的接続並びに大面
積の・光電池同士の電気的相互接続に係わる。本発明は
また、大面積の太陽電池を構成し得る電気的に絶縁され
た複数個の小面積セグメントを電気的□に相互接続する
方法にも係わり、特に組立ライン生産に適した相互接続
技術を提供する。
更に、本発明の別の概念は隣接し合う大面積の光起電デ
バイスを電気的に相互接続する方法に係わり、この方法
も特□に流れ作業生産に適している。
これらの方法は先行技術の電気的接続技術に比較して、
作業の単純さ、材料の節約及び製造時間の短縮・を特徴
とする。上記におい□てフッ素を含むアキルラアス半導
体ボディな有する光電池について説明したが、本発明は
特別の処理ガスから製作されるア牟ルフブス□半導体に
限定されないことに留意されたい。その上水出願は、（
１）アモルファスであっても、結晶質であっても、多晶
質であっても、あるいは（２）フッ素を含んでいようと
いまいと、あらゆる組成の光電池における使用に等しく
適する。
「組成的に加減されろ材料及び材料の合成方法」という
標題の下に１９８２年９月２３日付で出願され、本特許
出願と同一の譲受人に権利譲渡された米国ｆ［″ｆ許出
願は、以前に試みられて放棄された材料あるいは合成さ
れ定新材刺から光起電特性レスポンスを得ろための基礎
を提供する。
標題「改良された太陽電池及び該電池の製法」の下にプ
レム番ナス（Ｐｒｅｍ　Ｎａｔｈ　）によって１９８２
年２月１１日付で出願された米国特許出願第３４７，７
７９号は、大面積の光電池を電気的に絶縁された複数個
の小面積セグメントに細分する方法を開示１−ており、
該セグメントは、改良された高効率の大面積光電池をも
たらすべ（電気的゛に相互接続されろ。本出願は特に、
上記の小面積セグメントを、大面積の光電池を構成する
べ（経済的かつ効率的に相互接続する改良された方法、
並びに前記大面積電池を電気的に相互接続して、隣接し
合い、電気的に相互接続された大面積電池を構成する方
法である。このように製造される電気的に相互接続され
た大面積光電池は、家庭でまたは商チ；！的に消費され
ろ電力の供給に使用され得る。更に、本文に開示された
電気的接続及び相互接続は、特別の消費者の電力需要に
応じるべく電池の細長いストリップから切取られろ一連
の予備接続された電池にも用いられる。
本発明の多（の目的及び利点は、添付図面、本発明の詳
細な説明及び前掲の特許請求の範囲から明らかである。
本発明の好ましい一具体例は、電気的相互接舷用の大面
積の光電池の提供に係わり、該電池は共通の基板を分有
する電気的に絶縁された複数個の小面積セグメントに分
割される。各小面積セグメントは、共通の基板の一つの
表面上に形成される複数個の半導体層と半導体層の最上
面に施される透明な導電性コーティングとを含む。互い
に離隔した複数本の導電母線が、複数個の小面積セグメ
ントに電気的に接続される。各母線は大面積電池表面の
同一部分上に達しており、該部分は母線がその下方に位
置する基板と短絡されるのを防止するために電気的に絶
縁されている。細長い導電性のストリップが、互いに離
隔した複数本の母線各々を電気的に相互接続する。基板
−＼の電気的アクセス乃至接触（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ
　ａｃｃｅｓｓ　）が大面積電池の上側積層表面の方か
ら設けられ、それによって、基板への接融が犬面枦の光
電池の第一の電極を具現し、金属ストリップが大面積の
光電池の第二の電極を具現する。基板への電気的接触は
１個または複数個の導電性のリベットか、または基板の
、上に半導体層を有する表面の１個または複数個の露出
箇所によって実現される。実現される電気的接触の方式
に係わり無（、基板は大面積電池が直列または並列に接
続されるのを可能にするほど十分に接触可能となる。最
後に、電池は上側及び下側の保証カバーによって、電池
の電極との接続のみが前記カバーから伸長するようにし
て被覆され得ろ。
本明細書ではまた、瞬接し合い、電気的に相互接続され
る大面積の光電池も検討されかつ特許請求の範囲に記載
されており、前記電池は各々、共通の基板を分有する電
気的に絶縁された複数個の小面積セグメントに分割され
る。互いに離隔した複数本の導電母線が、個々の大面積
電池の小面積セグメントを電気的に相互接続する。各小
面積セグメントは、共通の基板の一つの表面上に形成さ
れる複数個の半導体層と、半導体層の最上面に施される
透明な導電性コーティングとを含む。各大面積電池の各
母線はその大面積電池の表面の同一部分上に達しており
、該部分は母線から基板への短絡を防止するため電気的
に絶縁されている。細長（７辱電性の今風ヌトリップが
、個々の大面積電池すれそれの母線を電気的（相互接続
する。各人面積ち池の共通基板への電気的接触はその電
池の上側積層表面の方から設げうれ、それによって隣接
し合う大面積電池の接触可能基板及び細長り金属ス）　
ＩＪツブは電気的に相互接続され、その結果これらの大
面積電池は電気的に相互接続され歪。
個々の大面積電池それぞれの母線は、当該する電池の周
縁部内に達している。基板への電気的接触は電池σ）周
縁部内に打込゛よれた導電性のリベットか、または周縁
部内の基板露出箇所によって実現され得る。いずれの場
合も、基板は、隣接し含う大面積電池の直列または並列
の電気的相互接続に用ν、）られろのに十分なほど接触
可能となる。
更に本出願では、個々の大面積光電池への及び個々の大
面積光電池からの電気的接続を実現する方、法も説明さ
れる。前記電池は（１）共通の基板を分有する霜、気的
に絶縁された複数個の小面積セグメント、基板の一つの
表面上に形成される複数個の半導体層蒸び半導体層の最
上面咳施される透明な導電性コーティング；並びＶＣ（
２）小面積セグメントに電気的（接続される互いに離隔
した複数本の導電母線を會む。こ「の方法は、（１）各
母線を大面積電準９同一部分内に到達させるステップ；
（２）大面積電池の母線到達部分を短、紹防専のため電
気的に絶縁するステップ；（３）大面積電池の積層表面
から共通基板への電気的接触を電気的接触手段によって
閃現する。ステップ；及び（４）大面積電池の母線を細
長い導電性の金属ストリップによ２て、基板への電気的
接触が大面積の光電池の第一の電極を具現し、金属ヌ）
　ＩＪラック大面積の光電池の第二の電極な具現するよ
うにして電気的に相互接続するステップを含む。基板へ
の接触を１個まには複数個の導電性の、リベットか、ま
たは基板の、上に半導体層を有する上側表面の１個また
は複数個の露出箇所によって実現することが付加的なス
テップに′ニジ を電気的に相互接続する方法が開：示されてお、す、前
記電池は各々、・共通の基板を分有する電気的に絶′縁
された複数個の小面積セグメント並びに基板の〒つの表
面上に形成される複数個の半導体層及び半導体層の最上
面に施される透明な導電性コーティングを含む。互いに
離隔した複数本の導電母線が、小面積セグメントに電気
的に接続される。この方法は、（１）個々の大面積電池
それぞれの各母線を当該する大面積電池の同一部分内に
到達さぐるステップ；（２ン各犬面潰電池の母線到達部
分を短絡防・止のため電気的に絶縁するステップ；（３
）各本面積電池の積層表面からその大面積・電池の共通
基板へ９電気的接触を設けるステップ；（４）個々の大
面積電池それぞれの母線を細長い導・電性の金属ストリ
ップによって電気的に相互接続、するステップ°；及び
（５）隣接し合う大面積電池の金属ストリップ及び接触
可能基板を電気的に相互接続して、これらの大面積光電
池を電気的に相互接続′１−るステップを含む。この方
法でも先に述べた製造部及び方法と同様に１．基板への
電気的接、続は基板の１箇所または！数箇、所を露出す
ることによってか、あるいは基板に１個または複数個、
の導電性のリベットを打込むこと、によって実現され得
る。いずれの場合も、リベット乃至基板の、露出箇所の
数は直列接続が所望かあ、るいは並列蝙続が所望かに依
存する。
添付の、図面、と（に第１図を参照すれば、各々の層が
ア、モルファス半導体合金よりなる透明な導電性コーテ
ィングを含、む連続するｐ−１−ｎ層により形成される
積重ねたタンデム形ないしカスケード形の、光電池は符
号１０で全体的に示されている。本明細書中に説明する
方法は積層形ｐ−１−ｎ光電池の製造にのみ限定される
ものではなく、改良形ショットキータイプないし改良形
Ｍ工Ｓ（金属−絶縁一半導体）タイプの電池の製造また
は単に改良形半導体デバイスの製造にも係る。
電池の形式とは無関係に本明細書に説明した大電積電池
とその製造技術は、半導体材料の層とこの半導体層の上
面にデポジットした透明な導電層により形成される光電
池に有効である。
さらに特定的には、第１図は複数のｐ−１−ｎ太陽電池
１２ａ、１２ｂ及び１２ｃを示す。いちばん下側の電池
１．２　ａの下に透明導電層であるか又は金属表面箔に
より形成される基板１１がある。
ある種の適用例では薄い酸化物層及び／又は半導体材料
の適用に先立ち一連のベース接点が要求されうるが、本
発明においては基板という用語は可撓性薄膜のみに限ら
ず前処理によりここに付加されるすべてのエレメントを
も含むものとする。さらに一般的には、基板１１はステ
ンレススチール、アルミニウム、タンタル、モリブデン
又はクロームよりなることもできる。但しその他の材料
、特に導電層を付着させたガラス製絶縁ベースを含む材
料を用いることもできる。
体側では少くとも１個のシリコン合金を含む半導体ボデ
ィな含む。各々の合金ボディは、ｎ形導電形導電性半導
体すなわち層１６ａ、１６ｂ及び１６ｃを含んでいる。
図示の如く、電池１２ｙは中間電池であり、第１図に示
す如（追加の中間電池を図示の電池の上に積層すること
も本発明の範囲を逸脱することなく可能である。ところ
が実際は、本発明の好ましい具体例ではフッ素を含むア
モルファス半導体合金が電池１２の各々の層を形成する
１こめに用いられ、さらにこれらの層はフッ素を添加し
た又は添加しない結晶性又は多結晶性材料で形成するこ
ともできる。本明細書中に開示した発明要項は材質又は
結晶化の程度にかかわらず光電池に適用可能である。
光吸収率が低く、導電率の高い層である。真性半導体層
１８　ａ　、　１８　ｂ　、　１８　Ｃは太陽光応答に
調整した波長しきい値、高い光吸収率、低い暗導電性及
び高い光導電率を特徴とし、さらに特定の電池を適用す
るためバンドギャップを最適化するために充分な量の単
数又は複数のバンドギャップ調整部材を含む。好ましく
は真性層は、最低）くンドギャップを有する電池１２圧
、最高バンドギャップを有する電池１２ｃ及び他の２つ
のギャップの間のバンドギャップを有する電池１２ｂを
提供すべく調整されたバンドギャップである。ｎ形層２
０ａ、２０ｂ及び２０ｃは低い光吸収率と高い導電性合
金材料とを特徴とする。ｎ形層の厚さは好ｉシ＜ｖｓｉ
、；よそ２５乃至１００オングストロームの範囲内にあ
る。バンドギャップを調整したアモルファス真性合金層
の厚さは好ましくはおよそ２，０００オングストローム
から３，０００オングストロームの間に含まれる。ｐ形
層の厚さは好ましくは５０乃至５σＯオングストロ一ム
間にある。
正孔の拡散距離が短かいため、ｐ形層を１一般に可能な
かぎり薄くされるであろう。さらにいちばん外側の層、
ここではｐ形層２０ｃだが、光の吸収を防ぐため可能な
かぎり薄くされ、まにノくンドギャップを調節する単数
又は複数の部材を含む必要にない。
次に理慣すべきことは、半導体層のデポジションに続い
て、次のデポジション工程がおこなわれるという点であ
る。この工程では、高導電率及び甚光透過率を有する連
続又は不連続透明導電層２２がｎ形層２０ｃ上に付加さ
れる。この透明な導電層２２は例えば、インジウムすず
酸化物（ＩＴＯ）すず酸カドミウム（Ｃｄ２ａＳｎＯ４
ｕ）又はドープされた酸化すず（３１１１０２ｔｔ）の
５００オングストロームの薄膜であり得る。グリッドパ
ターン２４は充分に小面私の太陽電池を含む適用の場合
、透明な導電性材料に一般に付加されるが、透明の導電
性薄膜２２はふつう充分な′導電性な示すから、グリッ
ドパターン２４は必要としない。しかしながら大面積（
１平方フート）の太陽電池が製造される本発明のような
適用では、グリッドパターン２４にはその上面にキャリ
ヤバスを短縮するための導電層２２を付着させ、その導
電効率を富める必要がある。この透明な導電層２２は半
導体層の上に直接的に付着され、底面電極として働く導
電性基板１１と共に光起電デバイス１０のための頭。
部電極として機能する。透明導電層２２は好ましい実施
例では下側の半導体層と電気的に接続するから、半導体
層と透明導電層２２間の比較的厚い絶縁層の適用は後に
説明する理由で大面積（１平方７−ト）の太陽電池を複
数個の（１８０個）小面積セグメントに分割するために
用いられ得る。
この電気絶縁法はグレムやナス（ＰｒＢｍ　Ｎａｔｈ　
）及びアサッグーイズ（％ａ、ｓａｔｓｕｇｕ、　Ｉｚ
ｕ　）両人により発明され２本特許の田願人に移譲され
、本出願と同時出願の「光起電デバイスのための絶縁層
及びこの絶縁層を製造するための方法」と題する分割出
願の対象である。この絶縁法につき１本出願に開示する
内容を完全に理解するために必要な範囲内で以下、にさ
らに詳しく説明する。
この絶縁法は半導体層の面積な絶縁材料の複数の行と列
に分割すべく適用されろ。透明導電層２２が、半導体層
の表面に引続きデポジットされる時、絶縁材料に覆われ
ないセグメントだけと電気的に結合が可能である。従っ
て半導体材料の電気的に分離、され且つ電気的に絶縁さ
れπ部分が製造され得る。
■グリッドパターン及び大面積太陽電池の絶縁セグメン
トの電気的接続 ｕ！　２　ａ図は、太陽電池１００半導体層上面、に付
着させた透明導電コーティング２２の上面の部分図であ
る。本図から明瞭に判断しうる如（、太陽電池材料１０
０半導体層の面積は、以下に説明するいずれの方法にお
いても、電気的に絶縁した複数のセグメント２６に分割
されうる。太陽電池１０の絶縁されたセグメント２６の
正確な数と配置は変化しうるが、好ましい具体例では１
５個の絶縁セグメントを１２本の平行な列に並べたもの
（全体で１８０個のサブ電池）が個々の大面積（１平方
フート）太陽電、池を構成する。ここで用いる「絶縁セ
グメ、ント」という用語は大面積太陽電池の他のセグメ
ントから電気的に絶縁されており、但しこれらの他のセ
グメントと共通の基板なり電極なりを分は持つ、大面積
太陽電池中の小面積セグメントを意味している。
絶縁セグメント２６は、好ましい具体例でｔ朱、太陽電
池劇料１０の半導体層上に、デ４ポジットされた透明導
電性コーティング２２の個別細分により形成される。各
々の絶縁セグメント２６はホトリングラフィ及び化学エ
ッチのような他の公知の方法によって透明導電性コーテ
ィング２２により形成してもよい。例えばホトレジスト
溶液を透明導電性コーオイング２２Ｖｒ−塗布し、予熱
により溶剤を乾燥して、残留物として薄膜を外す。以下
にその１可能型を説明するが、１グリツドパターン２４
は残ｆＢ、薄膜上にかぶさり、このパターンに覆われな
い部分はスペクトルの紫外線領域に典型的な電磁放射も
しくは適当なエネルギの電子ビームを照射して薄膜をひ
ろげる。伝統的な化学又はプラズマ法を用いるフィルム
の展開過程で、露出部分（ポジティブ・レジスト）又は
非露出部分（ネガティブレジスト）と、下側の透明導電
性コーティング２２が除去される。残貿ホトレジスト薄
膜は溶剤で洗滌し、透明導電性コーティング２２０表面
から除去する。グリッドパターン２４は透明導電コーテ
ィング”ｚ　’？の今や絶縁永れているセフ辷ノド２６
の表面に付着される。　　□　　″：″ｍ　２　ｂ１シ
Ｆの具体例では、太陽電池材料］ｏｔ６給縁セ夛ンント
２６は二透萌導□電コ□−ティジグ１′２をグ：リツド
バレニンを付着させずに、複□数の面別□セフ　メント
’２２ａ−２２’Ｍ’に分割□するこ：ｉｋよって珍成
するどとができ机本明薙ｉ中では二打１２１６はグリッ
ｐパｉ−シを合着′Ｌ／′ソ有する透明１電性コーテイ
シグの柄ｉセグメントを示し□、持合・２２”ａ　−２
２’ｉｉぽグリッドしくｊ−ンの付層されていない透明
１電性コーテイシグ２ンの絶縁セグメ□ントを示等。商
別セグメレト２２”ｉ””−’　２”’２””’ｕ”＆
工□、初めに透明導電性ニーティ１ング２□２を：先−
説明し□た絶縦材料の付着によって不連続的に′デボジ
レト・す為示、あるいは連続透明導電性ゴー□ティ：ツ
タ−２２をデポジットし、前述のホトリソグラ′７：□
イ、及び”エラ儂技示”Ｋ７’って中間部分な゛削除ず
することによって形成してもよい。電気的に絶縁された
材料はスクリーン印刷又はその：他の・公知接台を用い
て半導体層上′に付着きれうる□１ことｖｃ會：意すべ
きであ□る。　　　　　　　　　　　：′　−・′　　
：　　・各々め船縁セグメントは□透明１電性コーテイ
シグが連続：性であるｂ）不連続゛□性セあ□ろかにか
がわらず、グリッドパターン２４′を付着されている。
個々のグリ□ッドンぐターン２４０幅寸□法は複数の実
質的に等間隔に１間された在幀的薄い、□平行な導電　
　　　　　　　１性線路３□０になり限定され、該線路
□３□０は、グリッ：ドバタ□−ジ２４の長さ寸法な限
僻する、□テ―バの：伺いた□比較的厚いし導電性お一
母線結合線路□３２の両側から□垂直に出てい：る７各
左の絶島セグメント２６の全幅はおはぞ□′１書ンチの
４分の３であり：、各々のへ縁セグ□ノ゛ント２６の全
長はお“よ□そ１イレチである□。グリッドパターン２
４は太陽・電池材料から集め：られる電流を最大化ニジ
：、“また太陽電池材料への入射を妨げられた光の量を
最小化すべく□形成されている。・絶縁毎グメント２６
の１．置、クリツドバタニシ２４及び絶縁セグメ）トゑ
□６の長さ及び幅め寸法、平行線路３ｏの数、絶縁セグ
メジ斗２６の平行列め数、大面積太陽電池上に形成され
た絶縁セグメント２６の数Ｊ□及び太陽電池の寸法及び
形状、等々□は氷見□明の範囲を逸脱することなく変化
させ得るととは当業者に自明であろう。′どのようなｕ
？Ｗが選ばれた′にせよ、グリッドパターン２４ば、□
例えばスクリーン印刷の如き公知技清によって、銀ペー
ストのような導電性材料によって透明め電性セグメント
２６上にプリ□ントし得る。　　　・　・　　　　　　
　　□　・　　−・太陽電池材料の絶縁セグメント２６
を形成する以上の２つの方法以外にも、絶縁セグメジト
を□「線刻する」公知法も本発明の範囲をカバーする。
とこで用いる「線刻する」という用ｔｆＪ　ｕ透明導電
性５−ティレグ企２な除去するあらゆぷ方法を包含して
おり、これらめ方法は、面化学エジチ、：’（ｂｉブレ
□ズマエツチ、□＋ｃ、＋各廁レニザ技し、””　ｋｌ
ｌ　氷ジェット技術、１　ｆ６１透明導電性コ１」テ□
イン夛を□マスキングしヤ明確な不連続セグメントな珍
成す本技術、等々□を非限定的に□含んでい□る。　　
・　　　□必要ならば、太陽電池□材：料１６の各々：
の□絶縁セグメントハ、電気的出力が＃１セグメントを
「電気的に動作可能」ｒするために充分であるかどうか
を判定′するため□に個別的にナストしう□る。本明細
書で用□いられている「電気的・：に動作可能な絶縁セ
グメヅト」という用語は充分な電気的出方を提供する太
：陽電池材料の絶縁セグメント２６を指示し・て（ミる
。太陽電池］、Ｑの絶縁セグメント２６の電□気的結合
で電気的出力が不充分な場合は、太陽電池材斜め全体的
効率を低下させる、さらに大面積太陽電池の晶セグメン
ト２６は輸列接続であ・どから：、非常・に低い出力を
提供する大面積太陽電池上での分離セグメント２６’（
７）’電気・的結合は、大面積太陽電池１０全体の電気
的出力を著しく減少させることがで剖：た。　　□・・
： 短絡又はその他の不良があるためＪ大面積電池を小面私
セグメントに分割することが一般に必要であり、これら
の不良は作動可能のセグメントに電気的に接続された場
合電池全体の効率を傷つけ又は破戒する恐れがあるが、
特に最近の「短絡防止（５ｈｏｒｔ−ｈｅａｌ土ｎｇ）
技術」な考えれば、是正・の可能性がある。さらにある
種の適用では（気力計ｎ１ｂ）、大面積電池の寸法は小
さめのセグメントに分割され得るほど充分でない。従っ
て本発明の電気的接続は大面積太陽電池に限らず、非分
割大面積電池についても用いられ得る。
複数の細長の、銅製導電母線３４は、半導体層の表面に
電気絶縁性のシリコン接着剤を用いて添着されうろ。シ
リコン接着剤は、母線３４が太陽電池材料の個別セグメ
ント２６の交互の列間に位欣決めされなければならない
ため、非常に薄い層として付着される。云いかえれば、
母線３４が太１い電池材料１０に添着された後にもなお
、横方向遊隙は透明導電性コーティング２６の隣接する
個別セグメント２６間に残存するはずである。好ましい
具体例で、は、′１２列の個別セグメント２６が備わり
、幅１Ｃ分の′１インチ、厚さ１００分の３インチの６
本の導電母線３４が使用されている。
太陽電池材料の各々の電気的に動作可能の絶縁セグメン
ト２６から出る母線結合線路３２は銀ペーストのような
導電性材料の点３５を用いて隣接する母線３４に電気的
に結・合される。電気的出方が選定された最小の充分水
・準以下に落下するこれらの絶縁セグメント２６は、絶
縁性シリコン接着剤により導電性銅製母線３４から電気
的に絶縁された状態を保つ。
前述の工程は保留してもよい。実際に、ひとたび電気的
に動作可能の分離セグメント２６の入射が所定の水準を
超えれば、試験工程は省略しうムこのような場合、この
工程を保留し、グリッドパターン２４を絶縁セグメント
２６に印刷するに先立って、銅製母線３４を透明導電性
コーティング２２０表面に粘若式に固定することが目下
のところ望ましい。この保留工程は、グリッドパターン
２４と銅製を線３４への該パターンの電気的結合とが同
時に完成しうる°ことから好ましい。この工程は動作面
からは取るべきものはないが、１工程を削除すれば大き
な経済的利得になり得る組立面からすれば有意義である
。
■母線の宵、気的相互結合 第３ａ図乃至第５ｂ図シ゛工隣接する大面積光電池１０
の上面をあられす。特に該大面積光電池が本発明の開示
に従って電気的に相互結合される方法を示す部分図であ
る。特に例えば１０ａ及び１０ｂの如き電気的に相互結
合された大面積光電池の部分が図示されており、第５ａ
図及び第５ｂ図の場合は電池１［７Ｃの部分が図示され
ている。
図にはこれらの大面積電池を結合￥るさまざまな方法が
示されているが、各具体例に共通する部材には同一符号
を付しである。各々の光電池１ｏは。
全体として符号２６で示される複数の電気的に絶縁され
に小面沙セグメントにより形成されるのが好ましい・個
々の電気的に分離されたセグメント２６は他のいずれの
セグメント２６からも独立し几光起電デバイスとして機
能しうるとはいえ、本発明・では、個々ＱＩＡ−離セグ
メント２６の出力の総和である大面積太陽電池１０から
の全電力を得るため、にはこれらの電気的に分離された
セグメント２６を電気的・（相互結合しく１）、１０ａ
及び１０ｂの如き個々の電気的に相互結合された大面積
電池の出力の総和である電力を、得ろ１こめＫは例えば
１０、ａ及び１０との如き隣接する大面積太陽電池を電
気的に相互結合する（２）、ことを求めている。
第３．、−図では、大面積光電池の等気的に機能しない
セグメン）１０ａ−及び１ｏｂは母線３４ａ。
３４と及び３４吾に結合されず、むしろ電気的に分離Ｌ
ｒｓま＼残される。特定的には、電池１０ｂでは、セグ
メント２６ａ及び２６ｂは電気的に機能せず、従って母
１３４ｃＫ結合されていない。
留意すべきなのは、第３二図乃至４ｂ図は大面私大［０
電池１０　ａの電気的に分離されたセグメント２６を結
合する２本の母線３４ａ及び３４ｂのみを図示している
が、これは単に本明樋７Ｆの理Ｔと紙面の節約に利する
ためＫｉぎない。本発明の実施においては、電池１０ａ
は母線３４の数をさらにふやして（６本）、連結する電
気的に分離したセグメントの数を多く−ｒる（１８０個
）ことになろう。これらの６本の母線３４ａ−，３４ｆ
は第５ａ図及び第５ｂ図の具体例に示されている。
第３二図乃至第５と図の各／Ｊ　Ｋ示した好ましい具体
例から判るように、個々の銅製母線３４の端部は、個々
の大面積光電池のイ１効面積の周縁部を超えて伸延し、
上部周縁部３６上で終結する。本明細書で稈「有効面積
」という用語は電気的に接続する基板、半ζｉ７体及び
透明導電被覆層を含む犬面潰光電池、１００部分を示し
、大面積電池１ｏの「同一部分」とは、形状ないし寸法
にかかわりなく、電池の表面の任意の連続セグメントを
示す。
公知型の電気的絶縁層は周縁部３６上の母線３４の下側
に付着されなければならず、それによって該部分２６が
電気的に「不活性」であり、母線３４が基板１１に電気
的に接続せず、従って短絡電流が生じないという結果を
得る。電気的絶縁層は、例えば個別の大面積電池１０の
電気的に分離された小面績セグメントを形成する電気的
絶縁材料を付着するのと同時に絶縁コーティングをデポ
ジットするような公知技術によって付着することが可能
である。
電気的に作動可能の電気的に分離された大面積光電池１
０ａ及び１０ｂのセグメント２６をそれぞれ母線３４ａ
、３４ｂ及び３４二に電気的に相互接続し、さらに電池
１０ａ及び１０１）の電気的に絶縁された周縁部３６上
でこれらの母線を基板１１から電気的に絶縁した後、単
一電極を提供するため各々の大面積電池の母線を電気的
に相互結合づ−る必要がある。例えば１０ａ及び１０ｂ
のような個々の大面積光電池の下面側電極は共通基板１
１ｖｃより提供される。
さらに特定的には、大面積電池１０ａの電気的に分離さ
れたセグメント２６は共通底部電極即ち基板１１を共宵
する。電気的相互結合及び商業的製造の便宜のため、第
３ａ図乃至第４ｂ図に描かれた第−及び第二の好ましい
具体例では、大面積光電池１０ａの上部周縁部３６の左
上の角の部分１１ａが露出され、従って共通基板１１へ
の電気的接触を提供丁べ（適合される。第３ｂ図及び第
４ｂ図では、周縁部３６の両端部１１ａが共通基板１１
への電気的接触を得るため露出されている。
これらの１，２．出させた基板部分１１ａは、あらかじ
めデポジットさせた半導体層をバニシ仕上することによ
り形成してもよく、あるいは半導体層のデポジションの
過程で主要周縁部をマスキングし、これらの半導体層を
基板からエッチ処理し、あるいは他の一般的技術を用い
て形成することができる。留意すべきことは、基板への
電気的接触は第５ａ図及び第５ｂ図ではメッキした銅製
リベット４８によって得られる点である、これらの銅製
リベットは好ましくは基板１１との良好な電気的接触を
おこなうためのワッシャを含む。このようなリベット４
８が第５ａ図の直列接続の場合は個別の大面積電池１０
ａ、１０ｂ及び１０ｃに１個固定され、第５ｂ図の並列
接続の場合は大面積電池１０ａ、１０ｂ及び１０ｃに２
個のリベット４８が固定されている。
−の１体例では、電気的に絶縁された導電金属ストリッ
プ３８を用いておこなわれる。最も好ましい具体例では
、このス）　Ｉ）ツブは、ガラス繊維入りのテフロン、
ポリ塩化ビニル、酢酸ビニル、又は他の同様な可撓性誘
電体のような電気的に絶縁され覆いにより保唖された、
ニッケルメッキ鏑のような導電材料で作られた内部金廊
心を含む。絶縁覆いの利点は、それが短絡に対する追加
的防眼力となりうる点である。
第３ａ図及び第；う５図では導電ストリップ３８が長さ
方向にこのヌ）　ＩＪツブを数個所で穴明けすることに
より母線３４に・電気的に結合される。これらの穴明４
個所は大面積電池１０ａの周縁部３６の上側にストリッ
プが付着されるとき、各々の母線３４ａ及び３４ｂに対
するス）　ＩＪツブの金属心となり５る６言い換えれば
、導電ストリップ３８中の穴は個々の大面積電池１０の
各々の母線３４の上に直接的に横たわるべく形成されて
いる。
従ってストリップ３８は、例えば１０ａの如き大面招電
池上の各々の母線３４ａ及び３゜４ｂＫ対し、を工んだ
接続４０を用いて確実に電気的に結合される。同じ方法
で、大面積電池１ｏｂの３４ｃの如き母線はストリップ
３８の長さ方向に電気的に結合される。１変形例では、
各々の母線上に直接的に横たわるヌ）　ＩＪツブ３８の
絶Ｒ覆い部分は取り除かれ；例えばはんだ付けによって
、その露出した導電心を母線に対し直接的に固定する。
次に第３ｂ図の具体例では、金属ストリップ３８の導電
心の露出方法がどのようなものであれ、棉電金８線４２
は、例えば４４において、これらのストリップ３８の各
端に溶接されるが、これらの先端で導電心は最初から露
出されている、同様に、金属線４２は例えばはんだ接続
４５によって、基板工１Ｉ７）露出個所１１ａ’に電気
的に接続されうる。このようにして、第３ｂ図に示した
隣接する大面積電池１１　ａ及び１０ｂは並列接続に適
用されろ。この並列接続については後節に（わしく説明
する。
Ｂ導電ストリップと露出基鈑 しい具体例では、大面積太陽電池１０ａの母線３’４ａ
及び３４ｂ１７）電気的相互接続は絶縁されていない導
電性金廓ストリップ３８を用いておこなわれる。このス
トリップ３８ははんだ接合により母線３４ａ及び３４ｂ
に簡単に結合されるが、導電ス）　ＩＪツブ３８の絶縁
されていない面が基板１１ＪＣ短絡しないように、薄い
絶縁テープ４６が先ず主要周縁部３６に配置されなけれ
ばならない。
第３ｂ図の具体例の場合の如（、第４と図はストリップ
３８の各端に例えば４４において、はんだ付けされた導
電性金目ワイヤ４２を示す。同様に全屈ワイヤ４２は基
板１１の露出個所１１ユに溶接される。このようにして
第４ｂ図に示した隣接する大面積光電池１０ユ及び１０
’Ｅ）は並列接続に適用されゐ。この並列接続について
は後節にくわしく説明する。
Ｃ絶縁テープとリベットを打ち込んだ基板別の具体例を
示す。この具体例では、大面積太陽電池ＬＯ，ａの母線
３４ａ乃至３４　ｆの電気的相互接続を工電気的に絶縁
された導電性金九ス）　ＩＪッグ３８な用いておこなわ
れる。このストリップ３８は、第３ａ図及び第３ｂ図の
具体例について先に説明しに通り、テフロンその他のよ
うな絶縁覆いにＪ−り保護された例えば銅のような導電
材料により作られた金属心を含む・しかしながら、第３
ａ図及び第３ｂ図の具体例とは異なり、基板１１への電
気的接触は１個々の大面積電池１０１ｃ周縁部３６内で
打ち込まれた少くとも１個の銅メッキされたリベット４
８によっておこなわれる。隣接する大面積電池１０を直
列接続する場合は唯１本のリベット４８をこの電池１０
に打込めばよく、電池を並列接続する場合は２本のリベ
ットを打込む。
導電ストリップ３８は、これに穴明けすることにより大
面積電池１０ａの母線３４ａ乃至３４ｆＫ電気的に結合
される。さらに特定的には、これらの穴は、ス）　ＩＪ
ツブが大面積電池１０ａの周縁部３６の上側に貼殖され
た時、前記の母線３４ａ−３４ｆへのストリップの金属
石となりうろような位置にあけられろ。従ってストリッ
プ３８は、はんだ接合４４を用いて母線に電気的に確実
に結合される。同様にして、隣接する大面積電池ｉｏｂ
及び１０ｃの母線３４は導電ストリップ３８により長さ
方向に電気的に相互結合される。別の具体例では、各母
線上に直接的に横１こわろストリップ３８の絶縁覆い部
分は取り除かれ、導電心は母線に直接に溶接されろ。
隣接する大面積電池１０ａ、１０ｂ及び１０ユ間の並列
接続η・おこなうため、導電性の金属ワイヤ４２を導電
ストリップ３８の各端、例えば４４ｖＣ溶接することが
できる。この場合導電性金属石に始めからこれらの端部
で露出されている。同様に、金属ワイヤ４２は反対側の
銅メツキリベットに電気的に結合されへる（第５ｂ図参
照）。
これらのリベット４８は、図に示してはいないが、本発
明の範囲を逸脱せずに金属ワイヤ４２を溶接しうろ基板
１１の露出個所１１ａ−によって置き換えることもでき
ることは明瞭である。
従って、電気的に相互接続された大面積光電池１０は、
（１）１個所以上の基板１１の露出部分１１ａ又は１本
以上の導ｆ　ｌ）ベット４８の形での第一の電極及び（
２）個々の大面積電池１０の復数の個別小面積セグメン
ト２６を電気的に結合する複数の銅製母線３４を電気的
に相互接続する導電テープ３８により形成される第二の
電極を具備する。
■雷、気的相互接続をおこなう隣接する大面積光電池 降接する大面積光電池を電気的に相互結合するため、該
隣接電池から伸びる電極を電気的に相互接続することが
必要である。この相互結合は上述の２３電ストリツプ３
８の細長の部品を用（１れ（ヅ有利におこなうことがで
きよう。ストリップ゛３Ｂが個別の大面積電池を相互接
続する場合、不可欠的にというわけではないが、これら
の隣接する大面積電池１０間でス）　ＩＪツブ３８が端
部４２を横切る際に短路な防ぐため、ス）　ＩＪツブを
電気的に絶縁しておくことが好ましい。
Ａ直列相互接続 第３ａ図、第４ａ図及び第５−図の具体例によれば、よ
り特定的に、１個の大面積光電池１０ａの、隣接する大
面積光電池１０ｂへ（第５ｂ図では電池１０ｃへも）の
電２的相互接続を１、前記の大面積電池１０ユの母線３
４ユ及び３４ｂを電気的に相互接続する導電スト１ノツ
プ３８ａを隣接する大面積電池１０との基板電極に留め
つけることによって直夕；ｊ接続式におこ１．ｃうこと
か望ましい。基板電極（１第３ａ図及び第４ａ図の具体
例のように、基板１１の露出個所１１ａか、あるいは第
５ａ図の具体例のようにメッキされたリベット４８かで
ある。基板がステンレススチールで形成されており、露
出基板方式が採用されている場合、導電ストリップ３８
は露出個所１１ａに点溶接されなければならない。
しかし留意すべきなのは、基板がメッキされる場合は溶
接法が用いられうる点である。導電ストリップ３８は、
光電池が過度に乱用されるような場合は、メッキされた
りベラｒ−４８＊用いて基板１１に留めつけられる。勿
論、メツキリベットが使用される場合は、露出された頂
部はやすり仕上又は紙やすり磨きにより水平にならされ
、なめらかな外観を示し、さらに他には封入成形工程中
に生じや１−い気泡及び応力形成を防ぐ。
Ｂ並列相互接続 第３ｂ図、第４ｂ図、及び第５ｂ図の具体例によれば、
１個の大面積光電池１０ａの、隣接する大面積光電池１
０ｂへの並列相互接続が開示１０ｂ及び１０旦に電気的
に並列に相互接続されている。
第３ｂ図、第４ｂ図及び第５ａ図の具体例の並列相互接
続は実質的に：同一であ・る。相違点け５、（１）第４
ｂ図の具体例では電気絶縁層が、絶縁されない導電スト
リップ３８を母線３４に電気的に結合する前に、各々の
大面積電池１０の主要周縁部３６に沿って貼５ｉｇす、
ること及び（２Ｉ金属リード線４２が第５ｂ図の具体例
では第３ｂ図及び第４ｂ図の具体例の基板ＩＪの露出個
所に対してよりもむしろ銅メツキリベット４８に固定さ
れることである。導電ストリップ３８と金鵜リード線４
２が個別の大面積電池１０にπも気的に結合されれば。
これらの隣接電池、の並列電気相互接続は具体例の別と
は四りなく同一である。
さらに特定的には、並列相互接続は、基板から金邑リー
ド線４２へ、さらに１犬面積電池、例えば１〇二の導電
スリ・リップ、３８からリード線４２へ基、板から及び
例えば１０ｂのような隣接大面積電池の導電ストリップ
３８から金楓リード、［９４２へ、（工んだ又９工はん
だ無し接続によって電気的接続をおこなうことによって
おこなわれる。留意すべ錠こと（ち大面積電池１ｏが隣
接する大面積電、池との電気的相互結合に先立って封入
成形されている場合には、この電池ｉｏの両側から伸び
る２本のリード線４２を使用する必要があるという点で
ある。大面積電池が電気的相互結合後に保１）カバーに
より封入成形されるような場合には、隣接大面積電池１
０は各々が２本の必要なリード線４２のうちの１本を備
えるだけでよい。さらに特定的に第３ｂ図では、大面積
電池＋ｏａ＆工導電ストリップ３８に結合されたリード
線４２を備えることができ、さらに大面積電池ｉ０ｂは
基板１】の露出個所、１１ａに結合されたリード線４２
な備えることができる０゛太面積電池１０ａ及び１０ｂ
の電気的相互接続は、（１）電池］、　Ｏａの導電スト
リップから伸びイ）リード線な導電ストリップ１０ｂに
はんだ刊げすることによって、及び（２）電池１０１）
の露出基板個所１１ａから伸びるリード線？電池１０ａ
の露出基板個所１１ａに溶接することによっておこなわ
れる。次に隣接する電気的相互接続大面積電池１０ａ及
び１０ｂは封入成形に付されることができる。
留意すべき゛こと（工、リード線４２は隣接大面積電池
１００肘接導電ストリップ３８とに示されているが、隣
接大面積電池１０の母線３４間の゛重２的オ目互接続は
単一の細長の導電ストリップ３８を用いて１本発明の範
囲を逸脱することなくおこなうことができるという点で
ある。
■パ　ネ　ル 上に説明した技術な利用して、電気的に相互接続された
光起電パネル５０を複数の分離した電気的に相互接絶・
された大面積光電池より構成することができる。典型的
には、この種のパネル５゜ば長さ４フー□ト×＠２フー
トの電気的に相互接続された太陽電池のマ）　ＩＪソッ
クス含む。
勿論、どれ程の数の大面積光電池１ｏであれ。
パネル５０′ｔｈ形成するために電気的に相互接続され
得る。用いられる大面積電池１０の数は□使用者の求め
る電力に左右される。あらかじめ定められた数の光電池
１０が、所定の電力量を供給すべく適合された光８電パ
ネル５ｏを形成するため電気的に相互楼門された後、パ
ネル全体を保護ラミネーション中に封入成形すること松
゛できる。この保脆ラミネーションは部材の保護と同時
に耐久性と取扱い易さを提供するであろう。好ましい具
体例において、本明細書中に開示した電気的接続技術を
用いる軽量で間隔のあいた電気的に相互接続された大面
積太陽電池の積層ストリップを製造するための技術は、
「大面積太陽電池の積層ストリップとその製造法」と題
する米国特許出願の対象であり、この米国特許出願は本
件出願人に移譲されている。どのような封入成形法がと
られるにせよ、大面積５：池１旧工辱電ストリップ３８
によって直列接続され、ストリップの両端３９にパネル
５０から伸びる電極を備えることが望ましい。これらの
電極は他のパネル５０への電気的接続のため、あるいは
使用者用電源に接続するために利用できる。
本発明は図示の具体例の細部構造に限定されないことは
勿論である。好ましい具体例に関する以上の説明は本発
明を限定するためではなく説明を目的としたものである
。
【図面の簡単な説明】
第１図に各贋が好ましくはアモルファス半導体合金によ
り形成される、ｐ−ｉ　−ｎ形電池な複数個含む光電池
の拡大部分断面図、第２ａ図は複数の小面積セグメント
をその上に形成したグリッドパターンにａ気的に相互接
続して電気結合形の大面積光電池を提供する先行技術に
よる工具体側の部分上面図、第２ｂ図はグリッドパター
ンを適用する以前の、電気的に絶縁させた小面積セグメ
ントの部分上面図、第３ａ図は直列接続された隣接する
大面積光電池を絶縁金属ストリップが電気的に相互接続
している本発明の第一の具体例の部分上面図、第３ｂ図
は第３ａ図の本発明の具体例を大面積電池を並列接続に
変更した例の部分上面図、第４ａ図は直列接続された隣
接する大面積光電池を非絶縁金属ス）　ＩＪツブが電気
的に相互接続している本発明の第二の具体例をあられす
部分上面図、第４ｂ図は第４ａ図の本発明の具体例を大
面積電池を並列接続した例の部分上面図、第５ａ図は直
列接続された隣接する大面積光電池を絶縁全屈ストリッ
プとリベットが電気的に相互接続している本発明の第三
の具体例の部分上面図、第５ｂ図は第５ａ図の本発明の
具体例を大面積電池を並列接続に変更した例をあられす
部分上面図、第６図はびＬ接する大面積光電池を電気的
に相互接続することによって形成する光電池パネルの上
面図である。 １０・・・光電池、　　　　　　１１・・・基板、１２
ａ、１２ｂ、１２ｃｍｐ−１−ｎ太陽電池。 ２４・・・グリッドパターン、 ２２・・・コーティング、　　　２６・・・セグメント
、３４・・・母線、　　　　　　　３８・・・ストリッ
プ。 図面の浄書（内容に変四なし） Ｆ／Ｇ３ｂ Ｆ／Ｇ４Ｑ Ｆ／Ｇ、６゜ 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示　　　昭和５８年特許願第２０９７６９
号２、発明の名称　　　電気的に接続される大面積の光
電池及Ｏ・電気的に相互接続される大面積の光電池並び
にこれらの電池の製造方法 ３．７山正をり−る者 事件との関係　　特ｙｒＦ出願人 名　称　　　　エナージー・コンバージョン・デバイロ
ス・インコーホレーデラド ４、代　］ｉＪ　　人　　　東京都新宿区新宿１丁目１
番１４号　山ｌ］ビル５、補正命令の日イｑ　　　自　
発 委任状 ８、補正の内容 （１）願書中、出願人の代表者を別紙の通り補充する。 （２）正式図面を別紙の通り補充する。 （内容に変更なし） （３）委任状及び同訳文を別紙の通り補充する。 尚、同日付にて優先権主張証明店差出書を提出致しまし
た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）共通の基板を含有する電気的に給線された複数個
    の小面櫃セグメントに分割される大稟積の光電池であっ
    て、各小面積セグンント（チ共通の基板の一つの表面上
    に形成される複数個の半導体層を含み、これらの半導庄
    層？最上面には透明な導電性コーティングが施され、互
    いに離隔した複数本の導電母線が前記複数個の小面積セ
    グメントに電気的に接讐されてなる光電池であり、 大面積電池表面の同一部分上に痒（て、い：る各母線、 母線と大面枯電池の母線到達部分との間に短絡防止のｋ
    めに設ゆられる電気的絶縁層、互いに離隔した複数本の
    母線各々を電気的に相互接続する第一接続手段、及び 大面積電池の積層、表面から共通基板への電　。 気的アクセスを、第一接続手段が大面積の光電池の・第
    一の電極を具現し、アクセス手段が大面積の光電池の第
    二の電極を具現するようにしてもたらす手段。 を有する光電池。 （２）共通基板と、共通基板の一つの表面上に形成され
    る複数個の半導体層と、半導体層の最上面に施される透
    明な導電性コーティングと、導電性コーティング上に互
    いに離隔して位置する複数本の導電母線とを含む大面積
    の光電。 部であって、　　　　。 界面積霊地表面や同一部分上に達している骨母線、 母線、と大面積電池の母線到達部分との間に短終防止の
    定めに設けられる電気的絶縁層、互いに離隔した複数本
    の母線各々を電気的に相互接続する第一接続手段、及び 大面積電池の接層表面から共通基板への電気的アクセス
    を、第一接続手段が大面積の光電池の第一の電極を具現
    し、アクセス手段が大面積の光電池の第二の電極を具現
    するよう（（シてもたらす手段 を有する光電池。 （３）上に半導体層を有する基板表面の少な（とも１個
    の露出箇所が、大面積の光電池の両電極がこの電池の上
    表面上に設けられるようにして第二の電極を具現するこ
    とを特徴とする特許Ｍｉ１求の範囲第１項または第２項
    に記載の電池。 （４）少なくとも１個の導電性のリベットが大面積電池
    に打込まれて基板と電気的に連絡することを特徴とする
    特許請求の範囲第１項または第２項に記載の電池。 （５）母線が大面積の光電池の周縁部内に達しているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に記
    載の電池。 （６）基板の少な（とも１箇所が大面積電池の上記周縁
    部に沿って露出され、この少なくとも１個の箇所は基板
    アクセス手段を具現することを特徴とする特許請求の範
    囲第５項に記載の電池。 （７）少なくとも１個の導電性のリベットが大面積電池
    の周縁部に打込まれ、この少なくとも１個のリベットは
    基板アクセス手段を具現することを特徴とする特許請求
    の範囲第５項に記載の電池。 （８）第一接続手段が母線を電気的に相互接続する単一
    の細長い金属ストリップであることを特徴とする特許請
    求の範囲第５項に記載の電池・ （９）　　各電気的アクセス手段と電気的に接続される
    金属ワイヤを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の
    電池。 ａｌ　　大面積の光電池及びこの電池の雷気的内部接続
    が上側及び下側の保護カバーによって破口され、該電池
    の電極との接続のみが保護カバーから伸長していること
    を特徴とする特許請求の範囲第９項に記載の電池。 （ＩＤ　　Ｅ、気的に相互接続されろ大面積の光電池で
    あって、各電池は共通の基板をケ有する電気的に絶縁さ
    れた複数個の小面積セグメントに分割され、互いに離隔
    した複数本の導電母線が個々の大面伊電池の小面積セグ
    メントに電気的に接続されており、更に各小面積セグメ
    ントは共通の基板の一つの表面上に形成される松数個の
    半導体層と半導体層の最上面に施される透明な導電性コ
    ーティングとを含み、当該する大面積電池の表面の同一
    部分上に達している各大面積電池の各母線、 各大面ｆｒ「電池の母線到達部分に短絡防止のために設
    けられる電気的絶縁層、 個々の大面積電池それぞれの母線を電気的に相互接続す
    る第一接続手段、及び 各大面積電池の積層表面から各大面積電池を相互接猾す
    るために隣接し合う大面積電池の前記電気的アクセス手
    段及び前記第−接続手段は電気的に相互接続されること
    を特徴とする′：ｉ°気的に相互接続される光電池。 ０２　　電気的に相互接続される大面積の光電池であっ
    て、各電池は共通基板と、共通基板の一つの表面上に形
    成される複数個の半導体層と、半導体層の最上面に施さ
    れる透明な導電性コーティングと、導電性コーティング
    上に互いに離隔して位置する複数本の導電母線とを含み
    、 当該する大面積電池の表面の同一部分に達している各大
    面積電池□の各：毎：線、各大面積電池の□母線□と母
    □線’ｍｌＪ達部分との間に短絡防止のため□に設けら
    れも電気的絶縁層、個々の大面積電池それぞれの母線を
    電気的に相互接続する第一接続手段、及び 各人面積電池の積層表面からその大面積電を相互接続す
    るために障ｉし合う大面□積電池の前記電気的アクセス
    手段及び箭記第−接萩手段□は電気的に相互接続１され
    ることを特徴とす番電気的に相互接続さｈ慝光電□池。 ６３）個々の大面格電池それぞれの母線が当該電池の周
    縁部内に達してい暮どとを特徴とする特許請求の範囲第
    １１項または第１２項に記載の相互接□続される電池□
    。　□　　　□部　各大面積電池の電気的ナクセス手段
    がその大面積電池の周縁部内に妙げられることを特徴と
    する特許請求の範囲１ｔｌｊ項に記載の相互接続される
    電池。　　　′　　　　□（１，５）　　各大面積電池
    の電気的アクセス手段がその電池の周縁□部に打込ま□
    れ木少なくとも１個の導電性のリベットを含むことを特
    徴とする特許請求の範囲第１４項に艷載の相互接続され
    る電池。　　　　　パ　　　　□ （ＩＱ　　各人面積電池の電気的アクセス手段が、上に
    半導体層を有する基板表面の少なくとも１個の露出箇所
    を含み、こめ露出箇所は当該す：る矢面積電池の周縁部
    内に位置することを特徴とする特許請求の範囲第１４項
    に記載の相互接続される電池。′ αη　各大面積電池の第−接続乎投がその鋼、池の母線
    にはんだ付けされて大面積電池の第一の電極を具現する
    ととを特徴とする特許請求の範囲第１４頂に記載の相耳
    接、続される電池。 賭　各大、面積電池の第一接続手段が単一の細長い金属
    ストリツ、プを含むと、とを特徴とする特許請求の範囲
    第１７項に記載の相互接続される電池、・ ０１　　大面積の光電池への及び内面積の光電池からの
    電気的接続を実現４する５Ｊｉａ：であって、該電池は
    （１）共通の基板を含有する電気的に絶縁された複数個
    の小面積セグメント、基板の一つの表面上に形成さ些る
    ―、数個の半導体層及、び半導、体層の最上面に施され
    る透明な導電性コーティング、苅びに（２）小面積セグ
    メントに電気的に接続される互いに離隔した複数本の導
    電母線を含み。 各母線を大面積電池の同＝、、部分内に到達させるステ
    ップ、 大面積電池の前記母線到達、部分を短路防止のため電気
    的に絶縁するおテップ、 大面積電池の積層表面から共通基板への電気的アクセス
    を定見的アクセス手段によって実現するステップ、及び 大面積電池の母線を第一接続手段、にょって、第一接続
    手段が大面積の、光電池の第一の電極を具現し、電気的
    アクセス手段が大面績の光電池の第二の電極を具現する
    ようにして電気的に相互接続するステップ を特徴とする方法。 ←α　大面積の光電池への及び大面積の光電池からの電
    気的接続を実現する方法であって、該電池は共通基板と
    、基板の１一つの表面上に形成される複数個の半導体層
    ・と、半導体層の最上□面に施される透明な導電性コー
    ティングと、導電性コーティング上、に離隔して位置す
    る複数本の導電母線とを含み、 各母線を大面積電池の同一部分内に到達さぜるステップ
    、　　　　　　□ 大面積電池の母線と前記母線到達部分とを短絡防止のた
    め電気的に絶縁するステップ、大面積電池の積層表面か
    ら共通基板への電気的アクセスを電気的アクセス手段に
    よって実現するステップ、及び 大面積電池の母線を第一接続手段によって、第一接続手
    段が大面積の光電池の第一の電極を具現し、雷５気的ア
    クセス手段が大面積の光電池の第二の電極を具現するよ
    うにして電気的に相互接続するステップ を特徴とする方法。 ＱＤ　　母線が大面積電池の周縁部内に達することを特
    徴とする特許請求の範囲第１９項または第２０項に記載
    の方法。 （２）　電気的アクセスを実現するステップが、少なく
    とも１個の導電性のリベットを大面積の太陽電池の周縁
    部に打込むことを含むことを特徴とする特許請求の範囲
    第２１項に記載の（ハ）　２個のリベットが打込まれ、
    大面積電池は並列接続用に構成されることを特徴とする
    特許請求の範囲第２２項に記載の方法。 Ｑ４）１個のリベットが打込まれ、大面積電池は直列接
    続用に構成されることを特徴とする特許請求の範囲第２
    ２項に記載の方法。 （ハ）電気的接触を実現するステップが、大面積電池の
    周縁部内で上に半導体層を頁する基板表面の少なくとも
    １箇所を露出することを含むことを特徴とする特許請求
    の範囲第２１項に記載の方法。 （イ）基板の２箇所が露出され、大面積電池は並列接続
    用に構成されることを特徴とする特許請求の範囲第２５
    項に記載の方法。 ｃ１７１　　基板の１箇所が露出され、大面積電池は直
    列接続用に構成されることを特徴とする特許請求の範囲
    第２５項に記載の方法。 （ハ）母線を電気的に相互接続するステップが、導電性
    の金属ス）　ＩＪツブを各母線にはんだ付けするステッ
    プを含むことを特徴とする特許請求の範囲第２１項に記
    載の方法。 翰　電気的に相互接続された大面積の光電池を上側及び
    下ａ１１］の保護カバーによって、電極との接続のみが
    保護カバーから伸長するようにして被覆する付加的なス
    テップを特徴とする特許請求の範囲第２８項に記載の方
    法。 ！３１　　ｉ接し合う大面積の光電池を電気的に相互接
    続する方法であって、各電池は（１）共通の基される複
    舷個の半導体層及び半導体層の最上面に施されろ透明な
    導電性コーティング、並びに（２）小面債セグメントｖ
    ｃ、電気的に接続される互いに離隔した複数本の感電母
    線を含み。 個々の大面積電池の各母線を描該する大面積電池の同一
    部分内に到達させるステップ、各大面積電池の前記母線
    到達部分を短絡防止のため電気的に絶縁するステップ、 各大面積電池の積層表面からその大面積電池の共通基板
    への電気的アクセスを電気的アクセス手段によって実現
    するステップ、個々の大面積゛旨１池それぞれの母線を
    第一接続手段によって電気的に相互接続するステップ、
    及び 隣接し合う大面積電池の第−接続手段及び涌１気的アク
    セス手段を電気的に相互接続して、これらのＶ４接し合
    う大面積光電池を電気的に相互接続するステップ を特徴とする方法。 Ｇυ　隣接し合う大面積の光電池を電気的に相互接続す
    る方法であって、各電池は共通基板と、基板の一つの表
    面上に形成される複数個の半導体層と、半導体層の最上
    面に施される透明な導電性コーティングと５．導電性；
    −ティング上に互いに離隔して位置する複数本の導電母
    線とを含み、 個々の大面積電池の各母線を当該する大面積電池の同一
    部分内に到達させるステップ、各大面積電池の母線と前
    記母線到達部分とを短絡防止のため電気的に絶縁するス
    テップ、各大面積電池の積層表面から七や大面積電池の
    共通基板への電気的アクセスを電気的アクセス手段によ
    ２て実現するステップ、個々の大面積電池それぞれの母
    線を第一接続手段によって電気的に相互接続するステッ
    プ、及び 隣接し合５大面積電池の第−接続手段及び電気的アクセ
    ス手段を電気的に相互Ｗ続して、これらの隣接し合う太
    面債亦電池を電気的に相互接続するステップ を特徴とする方法。 ０功　各大面積電池の母線がその電池の周縁部内に達し
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第、３０項また
    は第３１項に記載の方法。 （至）各大面積電池に電気的アクセス手段を股げるステ
    ップが、−前記アクセス手段を当該する電池の周縁部内
    に設けることを含むことを特徴とする特許請求の範囲第
    ３２項に記載の方法。 ０４）各大面積電池の電気的アクセス手段が、その電池
    の周縁部内に打込まれる少なくとも１個の導電性のリベ
    ットを含むことを特徴とする特許請求の範囲第３３項に
    記載の方法。 （ハ）各大面積電池に２個のリベットが、隣接し合う大
    面積電池が電気的に並列に相互接続され不ように打込ま
    れることを特徴とする特許請求の範囲第３４項に記載の
    方法。 ００　　各大面積電池に１個のリベットが、隣接し合う
    大面積電池が電気的に直列に相互接続されるように打込
    まれることを特徴とする特許請求の範囲第３４項に記載
    の方法。 Ｇ７）、各大面積電池の電気的アクセス手段が、上に半
    導体層を有する基板表面の少な（とも１個の露出箇所を
    含み、この露出箇所は当該する電池の周縁部内に位置す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第３３項に記載の方
    法、　　。 ００　基板の２箇所が、隣接し合う大面積電池が電気的
    に並列に相互接続されるように外出されることを特徴と
    する特許請求の範囲第３７項に記載の方法。 ０１　　基板の１箇所が、＠接し合う大面積電池が電気
    的に直列に相互接続されるように露出されることを特徴
    とする特許請求の範囲第３７項に記載の方法。 ＜［各大面積太陽電池の母線を電気的に相互接続するス
    テップが、各大面積電池の母線に導電性の金目ストリッ
    プをはんだ付んするステップを含むことを特徴とする特
    許請求の範囲第３０項または第３１項に記載の方法。・
    （４Ｉ）電気的に相互接続された大面積の光電池を上側
    及び下側の保獲カバーによって被覆する付加的なステッ
    プを特徴とする特許請求の範囲第４０項に記載の方法。
JP58209769A 1982-11-09 1983-11-08 大面積太陽電池 Granted JPS5999779A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US440385 1982-11-09
US06/440,385 US4443652A (en) 1982-11-09 1982-11-09 Electrically interconnected large area photovoltaic cells and method of producing said cells

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5999779A true JPS5999779A (ja) 1984-06-08
JPH0554276B2 JPH0554276B2 (ja) 1993-08-12

Family

ID=23748552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58209769A Granted JPS5999779A (ja) 1982-11-09 1983-11-08 大面積太陽電池

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4443652A (ja)
EP (1) EP0112028B1 (ja)
JP (1) JPS5999779A (ja)
KR (1) KR910006676B1 (ja)
CA (1) CA1192292A (ja)
DE (1) DE3381035D1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62203386A (ja) * 1986-03-04 1987-09-08 Mitsubishi Electric Corp 非晶質光発電素子モジユ−ルの製造方法
JPH01146558U (ja) * 1988-03-31 1989-10-09
JP2012222046A (ja) * 2011-04-05 2012-11-12 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 有機デバイス用電極シート、有機デバイスモジュールおよびその製造方法

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6080272A (ja) * 1983-10-07 1985-05-08 Canon Inc 電荷転送素子
US4514583A (en) * 1983-11-07 1985-04-30 Energy Conversion Devices, Inc. Substrate for photovoltaic devices
US4590327A (en) * 1984-09-24 1986-05-20 Energy Conversion Devices, Inc. Photovoltaic device and method
US4574160A (en) * 1984-09-28 1986-03-04 The Standard Oil Company Flexible, rollable photovoltaic cell module
GB2177254B (en) * 1985-07-05 1988-09-01 Stc Plc Testing integrated circuits
US4773944A (en) * 1987-09-08 1988-09-27 Energy Conversion Devices, Inc. Large area, low voltage, high current photovoltaic modules and method of fabricating same
CA2024662A1 (en) * 1989-09-08 1991-03-09 Robert Oswald Monolithic series and parallel connected photovoltaic module
US5164020A (en) * 1991-05-24 1992-11-17 Solarex Corporation Solar panel
WO1994022172A1 (en) * 1993-03-24 1994-09-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Solar panels and process for manufacture thereof
US5863354A (en) * 1993-09-28 1999-01-26 Fuji Electric Co., Ltd. Flexible photoelectric conversion module
JP3099604B2 (ja) * 1993-09-28 2000-10-16 富士電機株式会社 可撓性光電変換モジュール、その接続方法およびその製造装置
DE69534582T2 (de) * 1994-05-19 2006-07-20 Canon K.K. Photovoltaisches Bauelement, Elektrodenstruktur desselben und Herstellungsverfahren
US5457057A (en) * 1994-06-28 1995-10-10 United Solar Systems Corporation Photovoltaic module fabrication process
US5517956A (en) * 1994-08-11 1996-05-21 Del West Engineering, Inc. Titanium engine valve
JP3352252B2 (ja) * 1994-11-04 2002-12-03 キヤノン株式会社 太陽電池素子群並びに太陽電池モジュール及びその製造方法
US7075002B1 (en) * 1995-03-27 2006-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. Thin-film photoelectric conversion device and a method of manufacturing the same
DE19617220A1 (de) * 1996-04-30 1997-11-06 Julian Dipl Ing Schueren Solargenerator
DE19711319C1 (de) * 1997-03-18 1998-03-12 Daimler Benz Aerospace Ag Solarmodul und Verfahren zu seiner Herstellung
US8664030B2 (en) 1999-03-30 2014-03-04 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US20090293941A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-03 Daniel Luch Photovoltaic power farm structure and installation
DE10020784A1 (de) * 2000-04-28 2001-11-08 Ist Inst Fuer Solartechnologie Photovoltaikmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4526223B2 (ja) * 2001-06-29 2010-08-18 シャープ株式会社 配線部材ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法
AU2003902270A0 (en) * 2003-05-09 2003-05-29 Origin Energy Solar Pty Ltd Separating and assembling semiconductor strips
DE102004021570B4 (de) * 2003-06-25 2013-10-10 Hts - Hoch Technologie Systeme Gmbh Anordnung zur Befestigung und/oder Kontaktierung von flexiblen Solarzellen auf Leiterplatten
JP4368151B2 (ja) * 2003-06-27 2009-11-18 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
DE602004023875D1 (de) * 2003-12-15 2009-12-10 Geneohm Sciences Inc Kohlenstoffelektrodenoberfläche zur bindung von dna- und proteinmolekülen daran
US20050224109A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Posbic Jean P Enhanced function photovoltaic modules
JP2007222907A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Denso Corp 配線部材のレーザー照射式半田接合方法
US8729385B2 (en) 2006-04-13 2014-05-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9236512B2 (en) 2006-04-13 2016-01-12 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9865758B2 (en) 2006-04-13 2018-01-09 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8884155B2 (en) 2006-04-13 2014-11-11 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9006563B2 (en) 2006-04-13 2015-04-14 Solannex, Inc. Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8822810B2 (en) 2006-04-13 2014-09-02 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US20080011347A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Hitachi Cable, Ltd. Connecting lead wire for a solar battery module, method for fabricating same, and solar battery module using the connecting lead wire
WO2008080160A1 (en) * 2006-12-22 2008-07-03 Advent Solar, Inc. Interconnect technologies for back contact solar cells and modules
WO2008093126A1 (en) * 2007-02-02 2008-08-07 G24 Innovations Limited Web processing
US20090102502A1 (en) * 2007-10-22 2009-04-23 Michel Ranjit Frei Process testers and testing methodology for thin-film photovoltaic devices
US20090104342A1 (en) * 2007-10-22 2009-04-23 Applied Materials, Inc. Photovoltaic fabrication process monitoring and control using diagnostic devices
JP2010103510A (ja) * 2008-09-29 2010-05-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置及びその作製方法
FR2945670B1 (fr) * 2009-05-15 2011-07-15 Total Sa Dispositif photovoltaique et procede de fabrication
WO2011055634A1 (ja) * 2009-11-05 2011-05-12 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法
US20110240337A1 (en) * 2010-04-05 2011-10-06 John Montello Interconnects for photovoltaic panels
US8846417B2 (en) * 2011-08-31 2014-09-30 Alta Devices, Inc. Device and method for individual finger isolation in an optoelectronic device
US9698284B2 (en) * 2011-08-31 2017-07-04 Alta Devices, Inc. Individual finger isolation through spot application of a dielectric in an optoelectronic device
US20140299180A1 (en) * 2011-11-30 2014-10-09 Corning Incorporated Multi-junction photovoltaic modules incorporating ultra-thin flexible glass
US20140069479A1 (en) * 2012-09-11 2014-03-13 Samsung Sdi Co., Ltd. Photoelectric Device Module and Manufacturing Method Thereof
US8936709B2 (en) 2013-03-13 2015-01-20 Gtat Corporation Adaptable free-standing metallic article for semiconductors
US8916038B2 (en) 2013-03-13 2014-12-23 Gtat Corporation Free-standing metallic article for semiconductors
US10186628B2 (en) * 2014-06-20 2019-01-22 Vismunda Srl Apparatus for the automatic horizontal assembly of photovoltaic panels
JP2016039198A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 セイコーエプソン株式会社 太陽電池、電子機器および太陽電池の製造方法
USD896747S1 (en) * 2014-10-15 2020-09-22 Sunpower Corporation Solar panel
US10941612B2 (en) * 2015-02-24 2021-03-09 Lutron Technology Company Llc Photovoltaic cells arranged in a pattern
JP7292254B2 (ja) * 2017-07-14 2023-06-16 コモンウェルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガナイゼーション 光起電装置および方法
DE102018116466B3 (de) * 2018-07-06 2019-06-19 Solibro Hi-Tech Gmbh Dünnschichtsolarmodul und Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsolarmoduls
US10822503B2 (en) * 2018-08-31 2020-11-03 Shanghai Vekan Precision Industry Co., Ltd Processing technology of busbar for new energy automobile
US10892461B2 (en) * 2018-08-31 2021-01-12 Shanghai Vekan Precision Industry Co., Ltd. Busbar with insulation coating for new energy automobile
DE102019122213A1 (de) * 2019-08-19 2021-02-25 Heliatek Gmbh Verfahren zur elektrisch leitenden Kontaktierung eines mindestens eine Schutzschicht aufweisenden optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement mit einer solchen Kontaktierung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5669873A (en) * 1979-11-13 1981-06-11 Fuji Electric Co Ltd Manufacture of solar cell
JPS5685875A (en) * 1979-12-14 1981-07-13 Fuji Electric Co Ltd Solar battery

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2820841A (en) * 1956-05-10 1958-01-21 Clevite Corp Photovoltaic cells and methods of fabricating same
US4140545A (en) * 1975-12-18 1979-02-20 Sharp Kabushiki Kaisha Plural solar cell arrangement including transparent interconnectors
US4089576A (en) * 1976-12-20 1978-05-16 General Electric Company Insulated connection of photovoltaic devices
DE2944185A1 (de) * 1979-11-02 1981-05-07 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Solarzelle
US4400409A (en) * 1980-05-19 1983-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making p-doped silicon films
US4419530A (en) * 1982-02-11 1983-12-06 Energy Conversion Devices, Inc. Solar cell and method for producing same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5669873A (en) * 1979-11-13 1981-06-11 Fuji Electric Co Ltd Manufacture of solar cell
JPS5685875A (en) * 1979-12-14 1981-07-13 Fuji Electric Co Ltd Solar battery

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62203386A (ja) * 1986-03-04 1987-09-08 Mitsubishi Electric Corp 非晶質光発電素子モジユ−ルの製造方法
JPH01146558U (ja) * 1988-03-31 1989-10-09
JP2012222046A (ja) * 2011-04-05 2012-11-12 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 有機デバイス用電極シート、有機デバイスモジュールおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0112028B1 (en) 1989-12-27
EP0112028A3 (en) 1985-08-07
KR850003481A (ko) 1985-06-17
EP0112028A2 (en) 1984-06-27
JPH0554276B2 (ja) 1993-08-12
DE3381035D1 (de) 1990-02-01
CA1192292A (en) 1985-08-20
KR910006676B1 (ko) 1991-08-30
US4443652A (en) 1984-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5999779A (ja) 大面積太陽電池
US7759158B2 (en) Scalable photovoltaic cell and solar panel manufacturing with improved wiring
EP1727211B1 (en) Method of fabricating a thin-film solar cell, and thin-film solar cell
US6288325B1 (en) Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts
KR100334595B1 (ko) 광기전력소자의제조방법
WO1993023880A1 (en) Monolithic, parallel connected photovoltaic array and method for its manufacture
JPS5999780A (ja) 大面積太陽電池
US11646387B2 (en) Laser assisted metallization process for solar cell circuit formation
JP3243232B2 (ja) 薄膜太陽電池モジュール
JP2000150944A (ja) 太陽電池モジュール
JP2000049369A (ja) 薄膜太陽電池モジュール
JP2670472B2 (ja) 太陽電池及び太陽電池の設置方法
JPH05251723A (ja) 集積型太陽電池モジュール
JP2014135343A (ja) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
JP3243229B2 (ja) 太陽電池モジュール
JP2002280580A (ja) 集積型光起電力装置及びその製造方法
JP6013198B2 (ja) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
JPS63276278A (ja) 埋込み配線付き透明電極
JP3243227B2 (ja) 太陽電池モジュール
JPS6357952B2 (ja)
JP2001085720A (ja) 薄膜光電変換モジュール及びその製造方法
JP2004260013A (ja) 光電変換装置及びその製造方法
JP2001111079A (ja) 光電変換装置の製造方法
JP2005191584A (ja) 集積化薄膜太陽電池
JPS61234574A (ja) 光電池装置およびその製造方法