JPS5997516A - 半導体デバイス用シリコンの製造方法 - Google Patents
半導体デバイス用シリコンの製造方法Info
- Publication number
- JPS5997516A JPS5997516A JP58206858A JP20685883A JPS5997516A JP S5997516 A JPS5997516 A JP S5997516A JP 58206858 A JP58206858 A JP 58206858A JP 20685883 A JP20685883 A JP 20685883A JP S5997516 A JPS5997516 A JP S5997516A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- arc furnace
- graphite
- method described
- quartz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/023—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
- C01B33/025—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material with carbon or a solid carbonaceous material, i.e. carbo-thermal process
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、出発)l′A料として石英を使用し、これ
をアーク炉に入れて天産′吻をコークス化するか炭化1
〜で作った炭素を使用してシリコンに還元することによ
り半碑体デバイス、荷に太陽′6池の硬1′「に使用さ
nる。シリコンの製造方法に関するものである。
をアーク炉に入れて天産′吻をコークス化するか炭化1
〜で作った炭素を使用してシリコンに還元することによ
り半碑体デバイス、荷に太陽′6池の硬1′「に使用さ
nる。シリコンの製造方法に関するものである。
二酸化シリコンを還元炉に入れ炭素を含む還元?ilI
を1史用して還元することにまり太1場電?lJ2に適
しlこノリコンを製造する方法はl)gi独国特許出顕
公開)j↓3 (l ] 33 ] 9号により公知で
ある。二酸化シリコンの還元に使用される炭素含有還元
剤とじては活性[ヒ炭素又はカーボンブランクか使j月
されるが、そのホウ素含有鼠は10 npm以1〜、す
/含有耽も同じ(10−ppm以丁でなけれはならない
。出発1シ料として使用さ41ンそ二酸7リコ/につい
ても同様で、ホウ素含Tj’ Wkとリン含有11i、
(メユ共に1.OT)pmで沈けれ(はならない。炭素
含有還元i11は高純度の結合剤として列えは殿扮、砂
、藺骨を含む錠剤の形で使用される。
を1史用して還元することにまり太1場電?lJ2に適
しlこノリコンを製造する方法はl)gi独国特許出顕
公開)j↓3 (l ] 33 ] 9号により公知で
ある。二酸化シリコンの還元に使用される炭素含有還元
剤とじては活性[ヒ炭素又はカーボンブランクか使j月
されるが、そのホウ素含有鼠は10 npm以1〜、す
/含有耽も同じ(10−ppm以丁でなけれはならない
。出発1シ料として使用さ41ンそ二酸7リコ/につい
ても同様で、ホウ素含Tj’ Wkとリン含有11i、
(メユ共に1.OT)pmで沈けれ(はならない。炭素
含有還元i11は高純度の結合剤として列えは殿扮、砂
、藺骨を含む錠剤の形で使用される。
アルミニウム、クロム、鉄、チタン、・バナジウムお」
−びジルコニウムのような金属不純9勿は浴[盈に続く
純化過程、例えばチョクラルス、ヤー結晶引上げ(t(
おいて除去される。
−びジルコニウムのような金属不純9勿は浴[盈に続く
純化過程、例えばチョクラルス、ヤー結晶引上げ(t(
おいて除去される。
この公仰方法で作られたノリコンは多くの場合太陽ポ池
用として充分な軸度を示す。しかし使用さtした置元削
Vζよっては太陽1に池の製作に不適当であるか鳥肌な
再精製を必要とするチャージか頻発する。
用として充分な軸度を示す。しかし使用さtした置元削
Vζよっては太陽1に池の製作に不適当であるか鳥肌な
再精製を必要とするチャージか頻発する。
更(て太陽tU池の製作に通したシリコンの製造i/(
対しては製造費ができるだけで低廉であること、1’j
l iろ1]的1て丁1度、適合した純度が最低の費用
で達成されるよってすることが特に重要である。
対しては製造費ができるだけで低廉であること、1’j
l iろ1]的1て丁1度、適合した純度が最低の費用
で達成されるよってすることが特に重要である。
この発明の目的は、不11′+lli物のために使用不
能となるノリコンの発生がなく、製ゴ々費に関して最適
−衿件が満たされる′痔1て太陽電池シ′ζ適したンリ
コ/の製造方法を1%供することである。
能となるノリコンの発生がなく、製ゴ々費に関して最適
−衿件が満たされる′痔1て太陽電池シ′ζ適したンリ
コ/の製造方法を1%供することである。
この目的は冒頭に挙げた/リコ/製造法において、天産
物としてB、 P、 ()aおよびA4の含有社が
1氏ぐ、アーク炉で1乍られた/リコン溶1別1・1勿
か5 X 10+、7、、−3以■のB、 2 X
10””rM”以下のP、 5 X 1018cm−
”以下’7)Gaおよび5 X −1(,1’−”、、
711− ”以1・のAAを含むようになるものを使用
することによって達成される。
物としてB、 P、 ()aおよびA4の含有社が
1氏ぐ、アーク炉で1乍られた/リコン溶1別1・1勿
か5 X 10+、7、、−3以■のB、 2 X
10””rM”以下のP、 5 X 1018cm−
”以下’7)Gaおよび5 X −1(,1’−”、、
711− ”以1・のAAを含むようになるものを使用
することによって達成される。
この発明の方法においては還元用の炭素として(重用さ
れる天〕星物がBとPに関して特定の最高砒か決められ
ている外に、GaとAAに関してもl特定の最高(社)
か決められている。、経験によれ幻1、還元に除して使
用される炭素か充分な純度のものでないと、Bの外にO
aとALも還元に続く結晶用」=げ又は帯域浴融によっ
てノリコンから充分取り除くことができない。
れる天〕星物がBとPに関して特定の最高砒か決められ
ている外に、GaとAAに関してもl特定の最高(社)
か決められている。、経験によれ幻1、還元に除して使
用される炭素か充分な純度のものでないと、Bの外にO
aとALも還元に続く結晶用」=げ又は帯域浴融によっ
てノリコンから充分取り除くことができない。
)3. P、 GaおよびhlK対してF記の含有
1涙度が守られていると、引上げ、帯域、#融その他の
結晶jT/成法によって梢製されたノリコンに含−まれ
る不純′吻は次の最高値を超えないことが確認さnた。
1涙度が守られていると、引上げ、帯域、#融その他の
結晶jT/成法によって梢製されたノリコンに含−まれ
る不純′吻は次の最高値を超えないことが確認さnた。
Δp : ](J ppma Fe : 0
.05 ppmaCu :JOrr Cr
: Q、02Ni:Q、5 W Mn :
Qυ2Al :0.5 u V :
Q、1JIJLl:3 rrP : ]、Q
rr Ti : O,LJOO3rrCO’
QU5 rr B : 2.Oppma−
原子ppm:Si原子]、 06jJm’r I)の不
f□li物原子数 Ag、Cu、Ni、Co、Fe、Or、Mn。
.05 ppmaCu :JOrr Cr
: Q、02Ni:Q、5 W Mn :
Qυ2Al :0.5 u V :
Q、1JIJLl:3 rrP : ]、Q
rr Ti : O,LJOO3rrCO’
QU5 rr B : 2.Oppma−
原子ppm:Si原子]、 06jJm’r I)の不
f□li物原子数 Ag、Cu、Ni、Co、Fe、Or、Mn。
■およびTILに関しては結晶引上げ又は帯域、@、軸
!、・こ際してこれらの不純9勿が1容i?I!I!S
iから相当最」戊除かれるので、自動的に上記の含有
1砂の値かf仔らン゛しる。
!、・こ際してこれらの不純9勿が1容i?I!I!S
iから相当最」戊除かれるので、自動的に上記の含有
1砂の値かf仔らン゛しる。
不r、lI! ’吻:、、t ・iよホウ素の場合(1
,2ppma以」二にならず、 リンの場合0. ’1
. ppma以−日こならないよう←′C4−るのか目
的((かなっている、、BとPについてこの小、1.’
l!物量が守1っれてbると、太陽電池の効率か上yi
する。
,2ppma以」二にならず、 リンの場合0. ’1
. ppma以−日こならないよう←′C4−るのか目
的((かなっている、、BとPについてこの小、1.’
l!物量が守1っれてbると、太陽電池の効率か上yi
する。
ノリコンの精製(′C際して無転位単、l清晶として引
1−げると、IiJ l二〈太1安電池の効率か上昇す
るので有利である。
1−げると、IiJ l二〈太1安電池の効率か上昇す
るので有利である。
アーク炉から出だ、容融S1は1勿体例7もげ水に人、
1″)、てイail ;l※とすることができる。この
細粒(はチョクラルスA′−法によって棒の形に引上げ
る。7−1’炉か1っ出プこ溶融81をその寸ま型に流
し込むかガスを吹き込んで古紳化することも可11ヒで
ある。
1″)、てイail ;l※とすることができる。この
細粒(はチョクラルスA′−法によって棒の形に引上げ
る。7−1’炉か1っ出プこ溶融81をその寸ま型に流
し込むかガスを吹き込んで古紳化することも可11ヒで
ある。
ア・−り炉内の溶融S1の流し出しは]1!1常対電極
((土る河11旧化の(G ];i’J!ノ、彩rjy
、K Lるが、/リコ7(Dh独・、’、j iて加熱
することができる′#を1Iiiシて取り出す(−とも
イ]利である。
((土る河11旧化の(G ];i’J!ノ、彩rjy
、K Lるが、/リコ7(Dh独・、’、j iて加熱
することができる′#を1Iiiシて取り出す(−とも
イ]利である。
この発・41」の展1.旧こよれは、ノリコンの再1律
化の/とめスラッグ形成剤を加えて不、1′、11!物
を捕捉した後この形成剤を取り1余ぐ。この方法によっ
てアーク炉から流れ出る溶#i’li iE iの特に
41効/X、呵錆製か実施される。
化の/とめスラッグ形成剤を加えて不、1′、11!物
を捕捉した後この形成剤を取り1余ぐ。この方法によっ
てアーク炉から流れ出る溶#i’li iE iの特に
41効/X、呵錆製か実施される。
アーク炉から流れ出7ケンリコンを、多重分割され温度
勾配をもって加熱される鋳型に直接流して棒の形Qこ方
向つけて凝固させることも石」能である。
勾配をもって加熱される鋳型に直接流して棒の形Qこ方
向つけて凝固させることも石」能である。
鋳型に作られ、化Si俸fdその表面の不純1含・付層
を削り取つヲζ後結晶引上は工程(・こ移ず。
を削り取つヲζ後結晶引上は工程(・こ移ず。
純化されるかY!1粒化されたノリコンを続いて(凋′
犬の支持物上で凝固させることも可能である。
犬の支持物上で凝固させることも可能である。
出発□::)J料の石英としては高A度の天然ト1日砂
塵有利であるが、場合によっては合成二酸化ノリコンも
使用可能である。
塵有利であるが、場合によっては合成二酸化ノリコンも
使用可能である。
アーク炉の溶融シリコンに接触する部分考に電1傘、f
の内張りおよび流出路ti最高純度のグラファイトで作
ると好都合である。このよう、ケグラファイトとしては
再圧縮されたグラファイトか使用される。
の内張りおよび流出路ti最高純度のグラファイトで作
ると好都合である。このよう、ケグラファイトとしては
再圧縮されたグラファイトか使用される。
j、;さ来を作るだめの天産物としてはl涛に木炭が適
1〜でいるが、木炭類1以の拐料に変えることができる
1痣での大産物の使用も町?rにである。石英と炭素製
品はそのま寸あるいは練炭形として使用する。
1〜でいるが、木炭類1以の拐料に変えることができる
1痣での大産物の使用も町?rにである。石英と炭素製
品はそのま寸あるいは練炭形として使用する。
この発明による方法の工程系統を示す図面シでついてこ
の発明を更に詳、前に説明する。
の発明を更に詳、前に説明する。
Cd、、Ti、Mg、V、Cr、Fe、Co、Zn。
Mn、 Lr、Au、Ag、Pl′11 Ni、
T4 ]:n。
T4 ]:n。
Cu、BjのS](#ζ対する分子1ピ系nltよ10
以下Z)小さいイ1(’4.であるから、これらの不
純物は化成浴i;lljある(/′1は結晶引上げに際
して充分シリコンから除ズ)1れる。
以下Z)小さいイ1(’4.であるから、これらの不
純物は化成浴i;lljある(/′1は結晶引上げに際
して充分シリコンから除ズ)1れる。
太喝市池の効率に太き7を影響を及ぼすものは特i’C
IJ、 P、 (E aおよびΔlであることか実
’tj+Lさ九゛Cいる1、これらの不、1411′吻
を帯域冶融又l−j:結晶引−ヒげ(こまって光分・:
呈度−r(除去し得るためには出光側5別中&’Cち・
いてそれらかある最高限度を超えてぃな(、)仁とが必
要となる。
IJ、 P、 (E aおよびΔlであることか実
’tj+Lさ九゛Cいる1、これらの不、1411′吻
を帯域冶融又l−j:結晶引−ヒげ(こまって光分・:
呈度−r(除去し得るためには出光側5別中&’Cち・
いてそれらかある最高限度を超えてぃな(、)仁とが必
要となる。
史にO,C:b−よび1りも高い濃1゛支で/リコンに
含−+、hていると妨げになる。そのためガスの吹き込
みの外に溶融物に特殊の添加物を加え発生したスランプ
をそれに結合された不純物と共に取り除くといつ内線化
処理が実施されろ。
含−+、hていると妨げになる。そのためガスの吹き込
みの外に溶融物に特殊の添加物を加え発生したスランプ
をそれに結合された不純物と共に取り除くといつ内線化
処理が実施されろ。
図はアーク炉からDシリコン(DSl)の形て流れ出し
だS1融体(工程段1)の処理[桿系統図である。この
S〕融体は水に人′Iして細粒Vこ変えるか(工程段2
)、あるいはガスの吹き込み(工程j役3)によって純
化する。あるいは多重分割をれ温間勾配をもって加熱さ
nた鋳4四に入れて棒の形(C方向つけして凝固させる
(王権J役イ)。
だS1融体(工程段1)の処理[桿系統図である。この
S〕融体は水に人′Iして細粒Vこ変えるか(工程段2
)、あるいはガスの吹き込み(工程j役3)によって純
化する。あるいは多重分割をれ温間勾配をもって加熱さ
nた鋳4四に入れて棒の形(C方向つけして凝固させる
(王権J役イ)。
細粒化(工程段2)の後に細粒を純化する(工程段;3
)か棒の1杉に鋳造載る(工程段4)ことも可能であり
、史にアーク炉から流れ出した後V桿段3で純化したシ
リコンを直接俸・つ形eこ鋳造′J−る(−JニイV段
・1)こともE丁fi巨である。
)か棒の1杉に鋳造載る(工程段4)ことも可能であり
、史にアーク炉から流れ出した後V桿段3で純化したシ
リコンを直接俸・つ形eこ鋳造′J−る(−JニイV段
・1)こともE丁fi巨である。
純化されたか細粒化され;ケ/リコ/はチョクラルスキ
一工程(CZ)に移し、鋳造され/こ/リコンは化成溶
融工程(FZ)に移す。場合によってjrよ了−り炉か
ら出ンそ/リコンを知1粒化と純化を行/lつことなく
直ちにチョクラルスキ一工程において史(で純化するこ
とも可能である。
一工程(CZ)に移し、鋳造され/こ/リコンは化成溶
融工程(FZ)に移す。場合によってjrよ了−り炉か
ら出ンそ/リコンを知1粒化と純化を行/lつことなく
直ちにチョクラルスキ一工程において史(で純化するこ
とも可能である。
iW:l!Il!溶2151ijあるいはチョクラルス
キー結晶引上け(Cよって純化され>”icシリコンは
最後(・て工程段7においてりi枡し、工程段8又は9
に1史用されるチョクラルスキーウェーハ(CZ−ウェ
ー・・) 又VL 帯bR(a融つェーハ(FZ−ウェ
ー・・)とする。
キー結晶引上け(Cよって純化され>”icシリコンは
最後(・て工程段7においてりi枡し、工程段8又は9
に1史用されるチョクラルスキーウェーハ(CZ−ウェ
ー・・) 又VL 帯bR(a融つェーハ(FZ−ウェ
ー・・)とする。
この外に工程段3において純1ヒされた/リコンをメイ
繍!11物としてS −Wel ’と呼はれているイ1
す(,414と接触さげ(工程段]0)、続いて、疑同
させることも可11ヒである。このようにして得1りれ
た/リコンは、り冷当に分割する(工程段11 )。
繍!11物としてS −Wel ’と呼はれているイ1
す(,414と接触さげ(工程段]0)、続いて、疑同
させることも可11ヒである。このようにして得1りれ
た/リコンは、り冷当に分割する(工程段11 )。
4、図& Lv節Q−;i SQ 明
図14罰よこの究明によるN遣方法のアーク炉溶融イ5
(の工程系統を示す。
(の工程系統を示す。
[
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)出発IA判として石英を使用し、これをアーク炉に
入れて天産物をコークス化するか炭化(7て作った炭素
を使用してシリコ/に還元することによQ半導体デバイ
ス用のシリコンをぜ造丈る方法におりて、 B、
P、 Gaおよび/l’の含有;社か少なく、アーク
炉内で作られ、’l S 1溶1”独体i+C含まれる
量が5 X ] O”on−3’d F’0) B、
2 X ]、 018>−3以トノP I 1) ×
]、 01821n’−以トの4)aおよび5 X 1
.018tフn−3以下のAtとなる天ノ狛物が使用さ
れることを特徴とする半導体デバイス用シリコンの改造
方法。 2)アーク炉内で還元して作られたシリコンをるつぼを
使ハイする引上は法、帯域、@融法あるいはその他の結
晶形成法によって不純物を除き1.)−1+?製された
シリコンに含まれる不++、lt!!吻の喰が次の最高
値(原子npm ) : A+7 : 10 P : ]、、OMn
: U、020u : 10 Co :
0.05 V : 0.00(J3Ni:Q、5
’Fθ : 005 Ti : 0.0υO;
3AA:0.5Cr:0.f)2B:2υを超えないよ
う1ですることを特ず救とする・′特許請求のlα囲2
g1項記載の方法。 3)不1ア計1勿としてBを()、2原子ppm以−1
−1および、・/ある藝はPを(上1原子p’pm以上
含まないようにすることを特徴とする特許請求の範囲第
2項記載の方法。 4)シリコンの精製に際して・特に転位の・1い単結晶
とすることを特徴とする特許請求のQ曲筆1項乃至第3
項の一つ(て記、或の方法。 5)アーク炉から出たSi溶融体を液体内1で専ぐこと
によりBj細粒に変えることを特徴とする特許 にdピ桟の方法。 6)液体として水を使用することを%徴とする特許請求
の範囲第5項記載の方法。 7)アーク炉から流れ出たシリコンを結晶化に先立って
再精製することを4¥−徴とする特許請求の範囲第1項
乃至第6頃の一つに記載の方lと。 8)シリコンの再精製のためガス流を吹き込むことを特
徴とする特許請求の範囲第7項記載の方法。 1J)Siの再精製のためスラング形成剤を加え、不純
物を浦捉した後これを除去することを特徴とする特許請
求の範囲第7項記載の方法。 10)アーク炉の溶融ノリコンをシリコンの融点まで直
接又は間接に7JO熱可能の管を通して流1−出すこと
をη、+f徴とする特許jl’J求の範囲第1項乃−I
5.第9頃の一つに記載の方法。 11)アーク炉から流れ出したシリコンを多重分割され
温間勾配を示ずように〃1」熱さ九た鋳型に人11 、
棒状に方向つけして礎iI1.Iさぜることを’1Lf
f倣とする特許請求の範1ノドれ1項乃仝第]0頃の一
つに記載の方法1. 12)鋳型で鋳造された棒の不純物を含む表面層を削り
J収ることを特徴とする・侍ゴ午3青求のd匝1用第1
J項記載の方法。 13)石英として合成二酸化シリコンを使用することを
特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第12項の一つに
記載の方法。 14) 溶融シリコンに接触するアーク炉部分が最純グ
ラファイトで作られていることを特徴とする特許請求の
範囲第1j口乃至第13項の一つに吉α戦の方法。 J−5) アーク炉の電極と内張りと流出路が最純グ
ラファイトで作られていることをノ特徴とする・1庁d
′1請求の範囲第141記載の方法。 10) 最純グラファイトか再圧縮されたグラファイ
トであることを特徴とする特許請求の範囲第15項記載
の方法。 17)炭化された大産物が木炭ある(/1ζす木炭類イ
υ製品であることを特徴とする特許請求の範1tfl第
1頃乃全第1(3項の−っに記載の方法。 18)石英と大産物が練炭の)1<で使用されることを
+!j徴とする・特許請求の範囲第1項乃至第17項の
一つに記載の方法。 19) +Ir昂”製されたシリコンを網状の支持体
上で・旋回させることを特徴とする特許請求の範囲第1
項乃−f5.第!、1頃の一つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE32413661 | 1982-11-09 | ||
DE19823241366 DE3241366A1 (de) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | Verfahren zum herstellen von fuer halbleiterbauelemente, insbesondere solarzellen, verwendbarem silicium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5997516A true JPS5997516A (ja) | 1984-06-05 |
Family
ID=6177655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58206858A Pending JPS5997516A (ja) | 1982-11-09 | 1983-11-02 | 半導体デバイス用シリコンの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5997516A (ja) |
DE (1) | DE3241366A1 (ja) |
IT (1) | IT1169662B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011500495A (ja) * | 2007-10-17 | 2011-01-06 | マイ ヤン−フィリプ | ケイ素を製造する方法及び装置 |
JP5178939B1 (ja) * | 2012-07-11 | 2013-04-10 | 和宏 永田 | マイクロ波によるシリコンの製造方法及びマイクロ波還元炉 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0796820B1 (en) | 1996-03-19 | 2000-07-19 | Kawasaki Steel Corporation | Process and apparatus for refining silicon |
CA2232777C (en) * | 1997-03-24 | 2001-05-15 | Hiroyuki Baba | Method for producing silicon for use in solar cells |
ITMI20081085A1 (it) * | 2008-06-16 | 2009-12-17 | N E D Silicon S P A | Metodo per la preparazione di silicio di grado metallurgico di elevata purezza. |
-
1982
- 1982-11-09 DE DE19823241366 patent/DE3241366A1/de not_active Withdrawn
-
1983
- 1983-11-02 JP JP58206858A patent/JPS5997516A/ja active Pending
- 1983-11-04 IT IT8323583A patent/IT1169662B/it active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011500495A (ja) * | 2007-10-17 | 2011-01-06 | マイ ヤン−フィリプ | ケイ素を製造する方法及び装置 |
JP5178939B1 (ja) * | 2012-07-11 | 2013-04-10 | 和宏 永田 | マイクロ波によるシリコンの製造方法及びマイクロ波還元炉 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT8323583A0 (it) | 1983-11-04 |
DE3241366A1 (de) | 1984-05-10 |
IT1169662B (it) | 1987-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7682585B2 (en) | Silicon refining process | |
JP3325900B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法及び装置、並びに太陽電池用シリコン基板の製造方法 | |
US3857705A (en) | Small grain promoting aluminum-titanium-boron mother alloy | |
Fujiwara et al. | Growth mechanism of Si-faceted dendrites | |
JPS59146920A (ja) | 純粋な金属珪素の製造方法 | |
JP2010538952A (ja) | 冶金グレードシリコンから中純度および高純度シリコンを製造するためのプロセス | |
CN102464319A (zh) | 硅的冶金化学提纯方法 | |
JP2010215485A (ja) | 高純度シリコン材料の製造方法 | |
CN102464320A (zh) | 硅的冶金化学精制方法 | |
He et al. | A review of the process on the purification of metallurgical grade silicon by solvent refining | |
JP2013521214A (ja) | アルミニウム含有シリコンの精製方法 | |
JPS5997516A (ja) | 半導体デバイス用シリコンの製造方法 | |
JPWO2008149985A1 (ja) | 金属珪素の凝固方法 | |
JPH0476925B2 (ja) | ||
JP2962795B2 (ja) | アルミナ系高融点酸化物単結晶の製造方法 | |
JPH0137458B2 (ja) | ||
JPS6311628A (ja) | 希土類金属の製造法 | |
JP2008081394A (ja) | 金属シリコンとその製造方法 | |
WO1997003922A1 (fr) | Procede pour produire du silicium tres pur | |
WO2011113338A1 (zh) | 一种提纯硅的方法 | |
US20110120365A1 (en) | Process for removal of contaminants from a melt of non-ferrous metals and apparatus for growing high purity silicon crystals | |
JPH10251008A (ja) | 金属シリコンの凝固精製方法 | |
JP3264508B2 (ja) | マグネシア単結晶の製造方法 | |
JP2000327488A (ja) | 太陽電池用シリコン基板の製造方法 | |
JP2003293051A (ja) | 低融点金属および高融点金属を含有するTi合金の製造方法 |