JPS599640A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS599640A JPS599640A JP57118588A JP11858882A JPS599640A JP S599640 A JPS599640 A JP S599640A JP 57118588 A JP57118588 A JP 57118588A JP 11858882 A JP11858882 A JP 11858882A JP S599640 A JPS599640 A JP S599640A
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- liquid crystal
- film
- crystal display
- display element
- films
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高イぎ軸性、篩表示品質で、しがも藺時分割
島周波数駆動に適したツイストネマチック（’１″Ｎ）
形液晶表示素子に関する。
島周波数駆動に適したツイストネマチック（’１″Ｎ）
形液晶表示素子に関する。
第１図は従来の液晶表示素子の例を示し、１゜１ａは偏
向軸が互いに直交する偏光板、２はガラス基板、３はＳ
ｉｎ、膜、４，４ａは配向方向がそれぞ４偏光板１，１
ａの偏光軸に平行な配向膜、５はネマチック液晶、６は
電極用透明導電膜でｋ）る。配向制御法が斜方蒸着法の
場合には、配向膜材はＳ ｒ Ｏ又は８１０２が主流で
あったが、斜方蒸着法は生産性が低いため、現在では配
向膜拐ζして配向性良好なポリイミド等の有機物を用い
、これに配向制御処理とし℃ラビング（布等で配向膜面
上を一方向にこする）を施して配向させるのが通常とな
った。しかし第１図に示した従来の液晶表示素子では、
有機配向膜の厚さにより下記の様な影響を受ける。すな
わち膜厚を厚くすると有機配向膜の材質によっては無表
示時の透明導電膜６のパターンが目につき離くなり、表
示品質は良くなるが、時分割特性は悪くなる。逆に膜厚
を薄くすると時分割特性は向上するが透明導電膜６の電
極パターンが非常に目につきゃイ（なり、がっ配向ｊ模
の絶縁性が低−トして、十下′東極間の短絡不良が増加
し、通電前ｍｌも劣化する。以Ｍｆ＋の如く配向膜材が
８１□又はＳ ｉ Ｏ，の様な無機物の揚台は、時分割
特性および絶縁特性を良好に保てるが、配向１く良が発
生しゃずく配向の安定性に問題があり、透明導′喧膜の
電極バタ＝−ンが目につきゃ孝くなる欠点もでる。この
場合、透明導電膜の厚さを例えば３００ Ａ以下にすれ
ば、電極パターンは比較的目立たなくなるが、電極の電
気抵抗が増大し、茜時分割、Ｉ！］周波数で駆動する際
ｐｃは時分割特性が劣化することになる。いずれにし７
ても第１図に示すような従来の液晶表示系子では、時分
割特性、配向の安定性等を良好に保持しながら、同時に
上下基板電極間の絶縁性の向上や電極パターンを目にっ
き難くすることは不ｉＪ能だった。
向軸が互いに直交する偏光板、２はガラス基板、３はＳ
ｉｎ、膜、４，４ａは配向方向がそれぞ４偏光板１，１
ａの偏光軸に平行な配向膜、５はネマチック液晶、６は
電極用透明導電膜でｋ）る。配向制御法が斜方蒸着法の
場合には、配向膜材はＳ ｒ Ｏ又は８１０２が主流で
あったが、斜方蒸着法は生産性が低いため、現在では配
向膜拐ζして配向性良好なポリイミド等の有機物を用い
、これに配向制御処理とし℃ラビング（布等で配向膜面
上を一方向にこする）を施して配向させるのが通常とな
った。しかし第１図に示した従来の液晶表示素子では、
有機配向膜の厚さにより下記の様な影響を受ける。すな
わち膜厚を厚くすると有機配向膜の材質によっては無表
示時の透明導電膜６のパターンが目につき離くなり、表
示品質は良くなるが、時分割特性は悪くなる。逆に膜厚
を薄くすると時分割特性は向上するが透明導電膜６の電
極パターンが非常に目につきゃイ（なり、がっ配向ｊ模
の絶縁性が低−トして、十下′東極間の短絡不良が増加
し、通電前ｍｌも劣化する。以Ｍｆ＋の如く配向膜材が
８１□又はＳ ｉ Ｏ，の様な無機物の揚台は、時分割
特性および絶縁特性を良好に保てるが、配向１く良が発
生しゃずく配向の安定性に問題があり、透明導′喧膜の
電極バタ＝−ンが目につきゃ孝くなる欠点もでる。この
場合、透明導電膜の厚さを例えば３００ Ａ以下にすれ
ば、電極パターンは比較的目立たなくなるが、電極の電
気抵抗が増大し、茜時分割、Ｉ！］周波数で駆動する際
ｐｃは時分割特性が劣化することになる。いずれにし７
ても第１図に示すような従来の液晶表示系子では、時分
割特性、配向の安定性等を良好に保持しながら、同時に
上下基板電極間の絶縁性の向上や電極パターンを目にっ
き難くすることは不ｉＪ能だった。
本発明の目的は、時分割特性、配向の安定性を良好に保
持し、しかも上下基板電極間の絶縁性良好で、かつ透明
導電膜電極パターンも目立たないようにした液晶表示素
子を提供することにある。
持し、しかも上下基板電極間の絶縁性良好で、かつ透明
導電膜電極パターンも目立たないようにした液晶表示素
子を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、ガラス基
板内面（液晶側）に、順次、電極用透明導′ば、膜、所
定配合比のＴＩとＳｉの酸化物またはＳｉのみの酸化物
よりなる絶縁膜、薄い有機配向膜を設けた。有機配向膜
は生産性良好で良好な配向の安定性が得られ、その膜厚
が薄ければ時分割特性も良好である。有機配向膜の膜厚
を薄くしたために、上下基＆電極間の絶縁を、もし２こ
の膜だけに依存していたとすれば絶縁性不良で短絡不良
が生じたりしたであろうが、Ｔｉ＋ｓｉの酸化物からな
る絶縁膜を設けであるから、その様な不良の生ずる恐れ
はない。しかも、この絶縁膜を、所定混合比範囲内の′
１゛ｉとＳｊの酸化物で形成すれば、透明導電膜電極パ
ターンの有無による局部的な反射率、屈折率の差の影響
が緩和されて、例えば７セグメントＩＭ極パターンイ１
トよりなる数字などが無表示状態ではほとんどその存在
が視認できないようになる利点が得られる。ただし表示
面全域にわたって９細なドツトマトリクス万式表示電極
を設けた、いわゆるフルマトリクスの場合などは、仮に
電極の存在が視認されても、無表示状態では電極パター
ンか微細すぎて薄い一様な灰色にみえるようにな４．。
板内面（液晶側）に、順次、電極用透明導′ば、膜、所
定配合比のＴＩとＳｉの酸化物またはＳｉのみの酸化物
よりなる絶縁膜、薄い有機配向膜を設けた。有機配向膜
は生産性良好で良好な配向の安定性が得られ、その膜厚
が薄ければ時分割特性も良好である。有機配向膜の膜厚
を薄くしたために、上下基＆電極間の絶縁を、もし２こ
の膜だけに依存していたとすれば絶縁性不良で短絡不良
が生じたりしたであろうが、Ｔｉ＋ｓｉの酸化物からな
る絶縁膜を設けであるから、その様な不良の生ずる恐れ
はない。しかも、この絶縁膜を、所定混合比範囲内の′
１゛ｉとＳｊの酸化物で形成すれば、透明導電膜電極パ
ターンの有無による局部的な反射率、屈折率の差の影響
が緩和されて、例えば７セグメントＩＭ極パターンイ１
トよりなる数字などが無表示状態ではほとんどその存在
が視認できないようになる利点が得られる。ただし表示
面全域にわたって９細なドツトマトリクス万式表示電極
を設けた、いわゆるフルマトリクスの場合などは、仮に
電極の存在が視認されても、無表示状態では電極パター
ンか微細すぎて薄い一様な灰色にみえるようにな４．。
かかる場合には酸化物の配合比管埋不安な、Ｓｉ酸化物
のみよりなる絶縁膜を用いる万が生殖性は向上１°る。
のみよりなる絶縁膜を用いる万が生殖性は向上１°る。
第２図は本発明の一実施例を示し、図中、７はＩｌｌ
ｊと８１の酸化物筐たは８＋のみの鼓化物よりなり透明
導電膜６を覆い絶縁をイ１−保する絶線膜、８゜８ａは
薄く、配向方向がそれぞれ偏光板１．、ｌａの偏光軸に
平行な有機配向膜で、その他の符号は第１は１の場合と
同様で））る。有機配向膜材は極め・ て多種類おる
が一般的にはポリイミド禾尚分子材料が液晶の配向の安
定性において特に優れ−Ｃいる。
ｊと８１の酸化物筐たは８＋のみの鼓化物よりなり透明
導電膜６を覆い絶縁をイ１−保する絶線膜、８゜８ａは
薄く、配向方向がそれぞれ偏光板１．、ｌａの偏光軸に
平行な有機配向膜で、その他の符号は第１は１の場合と
同様で））る。有機配向膜材は極め・ て多種類おる
が一般的にはポリイミド禾尚分子材料が液晶の配向の安
定性において特に優れ−Ｃいる。
ポリイミド氷温分子材Ｈの原料成分は、ジアミンとして
例えば、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、ｐ−
フェニレンジアミン、口ｌ−フェニレンジアミン、４，
４′−メチレンジアニリン、４゜４′−スルホニルジア
ニリン、３． ３’−スルホニルジアニリン、３．３’
−カルボニルジアニリン、ビスＣ４−（ｐ−アミノフェ
ノキシ）フェニルコニ−デル、ビス［４−（ｐ−アミノ
フェノキシ）フェニルコメタン、ビスＣ４−（ｍ−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス（４−（ｐ
−−７ミノフエノキシ）フェニル〕スルポン、ビス〔４
−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパンが、ジ
カルボン酸無水物としてりｕえば、ピロメリット瞼二無
水物、ペンゾフエノンデトラカルボン酸二無水物、３．
３’、 ４． ４’−ジフェニルテトラカルボン酸
無水物、２． ２’、 ３． ３’−ジフェニルテト
ラカルボン酸無水物などが主成分として用いられる。
例えば、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、ｐ−
フェニレンジアミン、口ｌ−フェニレンジアミン、４，
４′−メチレンジアニリン、４゜４′−スルホニルジア
ニリン、３． ３’−スルホニルジアニリン、３．３’
−カルボニルジアニリン、ビスＣ４−（ｐ−アミノフェ
ノキシ）フェニルコニ−デル、ビス［４−（ｐ−アミノ
フェノキシ）フェニルコメタン、ビスＣ４−（ｍ−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス（４−（ｐ
−−７ミノフエノキシ）フェニル〕スルポン、ビス〔４
−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパンが、ジ
カルボン酸無水物としてりｕえば、ピロメリット瞼二無
水物、ペンゾフエノンデトラカルボン酸二無水物、３．
３’、 ４． ４’−ジフェニルテトラカルボン酸
無水物、２． ２’、 ３． ３’−ジフェニルテト
ラカルボン酸無水物などが主成分として用いられる。
次に有機配向膜の膜厚と時分割特性との関係について説
明する。液晶表示素子の電気光学物件は第３図に示す測
定系により測定する。図中、液晶表示素子９上に示され
た実線と破脚の矢印はそれぞれ土、下基板配向膜のフビ
ング方向で、視野角方向はｏ ｙ ／とｏｚとのなす角
内にｋ）す、ｎ７ｆ測定器ｌＯによる測定角度φは液晶
表示素子９の法線ｚｚ’と測定方向とかなづ角１ｉ −
Ｑ 、ｔ＋）る。
明する。液晶表示素子の電気光学物件は第３図に示す測
定系により測定する。図中、液晶表示素子９上に示され
た実線と破脚の矢印はそれぞれ土、下基板配向膜のフビ
ング方向で、視野角方向はｏ ｙ ／とｏｚとのなす角
内にｋ）す、ｎ７ｆ測定器ｌＯによる測定角度φは液晶
表示素子９の法線ｚｚ’と測定方向とかなづ角１ｉ −
Ｑ 、ｔ＋）る。
かかる測定系によって測定された共形的な電気光学特性
を第４図に示す。一般に液晶表示素子の時分割特性は１
０°〕〈φ蔓４０°の範囲で定義される１、第４図で、
φ−４０°の相対輝度が９０係になる電圧実効値をｖｌ
ｌｌ、φ＝１０゛の相対輝度が５０俤になる電圧実効値
な■ｓａｔ とした時、時分割特性βをβ”” ｖｔｈ
／ｖｓ ａ ｔで定義する４、ここでβが１に近付く
ほど時分割特性が艮い。
を第４図に示す。一般に液晶表示素子の時分割特性は１
０°〕〈φ蔓４０°の範囲で定義される１、第４図で、
φ−４０°の相対輝度が９０係になる電圧実効値をｖｌ
ｌｌ、φ＝１０゛の相対輝度が５０俤になる電圧実効値
な■ｓａｔ とした時、時分割特性βをβ”” ｖｔｈ
／ｖｓ ａ ｔで定義する４、ここでβが１に近付く
ほど時分割特性が艮い。
第２図に示した本発明実施しＩＩにおいて、有機配向膜
８，８ａの膜厚と時分割特性βとの間に極めて密接１工
関係があることを’＃Ｍにより見出した。
８，８ａの膜厚と時分割特性βとの間に極めて密接１工
関係があることを’＃Ｍにより見出した。
第５図はその実験結果な／ドすか、有機配向膜の膜厚が
小さくなるにつれ時分割時性βが大きく、−すなわち良
くなることがわかる。従って有機配向膜８．８ａ＜７）
膜厚ばｌ （１（ｌ Ａ以下にすることが時分割特性向
」＝のために必要でル、るが、ｊ１創皐１０Ａ以下にな
ると配向の安定性が失われるため、実用土１０〜１００
Ａの範囲が好゛ましい。
小さくなるにつれ時分割時性βが大きく、−すなわち良
くなることがわかる。従って有機配向膜８．８ａ＜７）
膜厚ばｌ （１（ｌ Ａ以下にすることが時分割特性向
」＝のために必要でル、るが、ｊ１創皐１０Ａ以下にな
ると配向の安定性が失われるため、実用土１０〜１００
Ａの範囲が好゛ましい。
有機配向膜にポリイミド系高分子材以外の有機材料を用
いた場合も、絶対値は多少異なるがほぼ同様な傾向を示
す。
いた場合も、絶対値は多少異なるがほぼ同様な傾向を示
す。
有機配向膜としてシランカップリング剤を用いると極め
て薄く塗布することが容易であり、配向の安定性は若干
低下するが時分割特性を向上させることができる。シラ
ンカップリング剤としては、゛例えば、一般式がＢ＋
（Ｒ” ）ｘＳｊ”ａ−ｘで、Ｘは（）、■又は２
、Ｒ１は少なくとも１１固のシアン基、エポキシ基、ア
ルコキシ基筒たは少なくとも２１固のフェニル基を含む
炭化水素基、１４’はＨｌＯＩ（、父は０２Ｈ，、■モ
３ばアルコキシ基、ハロゲン基、アミノ基、シリルアミ
ノ基であられされるものか、次に第２図実施例における
絶縁膜７の効果について説明する。前記の如く有機配向
％ ８ ＋ ８８を極く薄く形成することにより時分
割特性を向上させろことができるが、これを直接透明導
′邂膜上に形成すると、絶縁性が低下するために、導電
性異物が平圧電極間に存在した場合、十ド電極間短絡不
良が生じやすく、また通′ばによる液晶、電極の劣化が
著しくなる欠点がある。これに対し本発明により透明導
電膜なその中に埋めこむように絶縁膜を形成すれば上記
欠点を解消することかできる。
て薄く塗布することが容易であり、配向の安定性は若干
低下するが時分割特性を向上させることができる。シラ
ンカップリング剤としては、゛例えば、一般式がＢ＋
（Ｒ” ）ｘＳｊ”ａ−ｘで、Ｘは（）、■又は２
、Ｒ１は少なくとも１１固のシアン基、エポキシ基、ア
ルコキシ基筒たは少なくとも２１固のフェニル基を含む
炭化水素基、１４’はＨｌＯＩ（、父は０２Ｈ，、■モ
３ばアルコキシ基、ハロゲン基、アミノ基、シリルアミ
ノ基であられされるものか、次に第２図実施例における
絶縁膜７の効果について説明する。前記の如く有機配向
％ ８ ＋ ８８を極く薄く形成することにより時分
割特性を向上させろことができるが、これを直接透明導
′邂膜上に形成すると、絶縁性が低下するために、導電
性異物が平圧電極間に存在した場合、十ド電極間短絡不
良が生じやすく、また通′ばによる液晶、電極の劣化が
著しくなる欠点がある。これに対し本発明により透明導
電膜なその中に埋めこむように絶縁膜を形成すれば上記
欠点を解消することかできる。
先にこの絶縁膜を、適当な比率で混合した′ｌ″ｉ と
Ｓｉの酸化物で形成すれば、無表示状態でｔ他パターン
を目立たなくできろことを述べた。この膜の屈折率が１
．６以下の時、屈折率１６以上でも膜厚が４００Ａ以下
または２．１） ００ Ａ以上の場合、膜厚が４００〜
２，０ＯＯＡの範囲内でも屈折率が２以１−の時は、電
極パターンに電圧を印加しない無表示状態でも、透明導
′成膜のある部分とない部分の反射率−または透過率の
左により電極パターンが目立ちやす（なり、表示品質な
著（，７く低ドさせることがわかった。実験の結果、絶
縁膜の屈折率が１．６〜１．９で、かつその膜厚が４０
０〜１，５００八であ才りば電極パターンかはとんど目
立たなくなることがわかった。実験に使用した絶縁膜は
有機チタンと有機シリコンの混合溶液をスピナ塗布゛ま
たはディップ塗布後３００〜５００℃で３０分間焼成し
て形成し、有機チタンと有機シリコンの配合比は焼成後
のチタン酸化物とシリコン酸化物との厘址比が１，５か
ら４：１になるよりに調整した。第６図はチタン及びシ
リコン混合酸化物中のチタン酸化物の割合と絶縁膜屈折
率との関係を示す。膜厚を２００〜２，０００〕へに変
えて液晶表示素子を試作し７た結果、チタン酸化物とシ
リコン酸化物の重量比が１：３から３：】の範囲内で、
かつ膜厚４００〜１．５０ＯＡの範囲のものが電極パタ
ーンがほとんど目立たなかった。％に［没化９勿重量比
２二３から３：２の範囲内で、かつ膜厚６００〜１．２
０ＯＡの範囲のものは電倫パターンの存在を視ればする
ことが困雌なはどでル）つた。実施例とは異なる方法で
絶縁膜を形成しても、屈折率が１．６〜１．９の範囲内
にあれば、材質または形成法が異なっ℃も同様な効果が
得られることはぎり−までもない。なお第２図に示した
実施例でガラス基板上に設けたＳ ｒ Ｏ□膜は、Ｉｗ
ｉ棉品湿下における１ｇ頼性向上の点で設けた万が好ま
しいが、必ずしも必要ではない。ＳｉＯ，ＪＩＡ形成に
は、例えば有機シリコン俗液（東別応化社１ｊＪ Ｏ、
（’）’、 ｌ） ＃’）をスピナ又はディップ塗布し
たのち３００〜６００°０で焼成する方法や、スパッタ
蒸眉、 （、） Ｖ ｌ）、電子ビーム蒸着など種々の
方法がある。
Ｓｉの酸化物で形成すれば、無表示状態でｔ他パターン
を目立たなくできろことを述べた。この膜の屈折率が１
．６以下の時、屈折率１６以上でも膜厚が４００Ａ以下
または２．１） ００ Ａ以上の場合、膜厚が４００〜
２，０ＯＯＡの範囲内でも屈折率が２以１−の時は、電
極パターンに電圧を印加しない無表示状態でも、透明導
′成膜のある部分とない部分の反射率−または透過率の
左により電極パターンが目立ちやす（なり、表示品質な
著（，７く低ドさせることがわかった。実験の結果、絶
縁膜の屈折率が１．６〜１．９で、かつその膜厚が４０
０〜１，５００八であ才りば電極パターンかはとんど目
立たなくなることがわかった。実験に使用した絶縁膜は
有機チタンと有機シリコンの混合溶液をスピナ塗布゛ま
たはディップ塗布後３００〜５００℃で３０分間焼成し
て形成し、有機チタンと有機シリコンの配合比は焼成後
のチタン酸化物とシリコン酸化物との厘址比が１，５か
ら４：１になるよりに調整した。第６図はチタン及びシ
リコン混合酸化物中のチタン酸化物の割合と絶縁膜屈折
率との関係を示す。膜厚を２００〜２，０００〕へに変
えて液晶表示素子を試作し７た結果、チタン酸化物とシ
リコン酸化物の重量比が１：３から３：】の範囲内で、
かつ膜厚４００〜１．５０ＯＡの範囲のものが電極パタ
ーンがほとんど目立たなかった。％に［没化９勿重量比
２二３から３：２の範囲内で、かつ膜厚６００〜１．２
０ＯＡの範囲のものは電倫パターンの存在を視ればする
ことが困雌なはどでル）つた。実施例とは異なる方法で
絶縁膜を形成しても、屈折率が１．６〜１．９の範囲内
にあれば、材質または形成法が異なっ℃も同様な効果が
得られることはぎり−までもない。なお第２図に示した
実施例でガラス基板上に設けたＳ ｒ Ｏ□膜は、Ｉｗ
ｉ棉品湿下における１ｇ頼性向上の点で設けた万が好ま
しいが、必ずしも必要ではない。ＳｉＯ，ＪＩＡ形成に
は、例えば有機シリコン俗液（東別応化社１ｊＪ Ｏ、
（’）’、 ｌ） ＃’）をスピナ又はディップ塗布し
たのち３００〜６００°０で焼成する方法や、スパッタ
蒸眉、 （、） Ｖ ｌ）、電子ビーム蒸着など種々の
方法がある。
以上説明したように本発明によれば、時分割特性および
配向の安ボ性に侵れ、高信頼性、尚表示品質の液晶表示
素子が得られる。
配向の安ボ性に侵れ、高信頼性、尚表示品質の液晶表示
素子が得られる。
第１図は従来の液晶表示素子列図、
第２図は本発明の一実施例図、
第３図は液晶表示素子の電気光学特性測定系の説明図、
第４図はＴ Ｎ形液晶表示素子の共形的な電気光学特性
を示す図、 第５図は有機配向膜の膜厚と時分割特性の関係を示す特
性図、 第６図は絶縁膜をなすチタン及びシリコン混合酸化物中
のチタン咳化物の割合と屈折率の関係を示す特性図であ
る。 １、ｌａ・・・偏光板、２・・・ガフス基似、３・・・
８ｉ０！膜、５・・・成品、６・・・透し！Ａ尋′鉦股
、７・・・絶縁膜、８，８ａ・・・１機配向膜、９・・
液晶表示系子、１ （） ・・・ｙ４ｍこ６１リシ１
器。 代理人 弁理士 博 １）利 辛 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 り 第 ４ 図 Ｃ２０）Ｑｉ斤（ｆ＾５）
を示す図、 第５図は有機配向膜の膜厚と時分割特性の関係を示す特
性図、 第６図は絶縁膜をなすチタン及びシリコン混合酸化物中
のチタン咳化物の割合と屈折率の関係を示す特性図であ
る。 １、ｌａ・・・偏光板、２・・・ガフス基似、３・・・
８ｉ０！膜、５・・・成品、６・・・透し！Ａ尋′鉦股
、７・・・絶縁膜、８，８ａ・・・１機配向膜、９・・
液晶表示系子、１ （） ・・・ｙ４ｍこ６１リシ１
器。 代理人 弁理士 博 １）利 辛 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 り 第 ４ 図 Ｃ２０）Ｑｉ斤（ｆ＾５）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、それぞれ、ガラス基板内面に、１臓次、所望形状の
電極用透明導電膜、所足配合比範囲内のＴｉとＳｉの酸
化物または８ｉのみの酸化物よりなる絶縁膜、有機配向
膜を設け、更にこの有機配向膜に配向処理を施した士、
下２枚の基板の間に、ネマチック液晶をはさんで１ｊる
ことな特徴とする液晶表示素子。 ２、 Ｔｉ とＳｉの激化物爪址比１：３１．ｃいし
３：１の絶縁膜を用いた特許請求の範囲第１項記載の液
晶表示素子。 ３、絶縁膜の厚さを４００〜１．５０ＣＩＡとした％Ｉ
ｆＦ−請求の範囲第１項記載の液晶表示素子。 ４、 ガラス基板と透明導電膜の間に５ｉｎ２膜を設け
た特Ｉ）′ｆｉ＋＃求の範囲第１槍記載の液晶表示素子
。 ５、有機配向膜の厚さを１００Ａ以下にした特許請求の
範囲第１項り己載の液晶表示素子。 ６、有機配向膜材質をポリイミド系−分子とじた特許請
求の範囲第１項ｄ己載の液晶表示素子。 ７、 有機配向膜材質をシランカップリング剤とした特
許請求の範囲第１項記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118588A JPS599640A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118588A JPS599640A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599640A true JPS599640A (ja) | 1984-01-19 |
Family
ID=14740295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57118588A Pending JPS599640A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599640A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179197A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-22 | 株式会社東芝 | 溶液中金属イオンの分離方法 |
| JPS61183624A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPS61206922U (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-27 | ||
| JPS62142027U (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-08 | ||
| JPS62234121A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶セルの形成方法 |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP57118588A patent/JPS599640A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179197A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-22 | 株式会社東芝 | 溶液中金属イオンの分離方法 |
| JPS61183624A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPS61206922U (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-27 | ||
| JPS62142027U (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-08 | ||
| JPS62234121A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶セルの形成方法 |
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