JPS59952A - 車両用半導体装置 - Google Patents

車両用半導体装置

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JPS59952A
JPS59952A JP57108383A JP10838382A JPS59952A JP S59952 A JPS59952 A JP S59952A JP 57108383 A JP57108383 A JP 57108383A JP 10838382 A JP10838382 A JP 10838382A JP S59952 A JPS59952 A JP S59952A
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JP
Japan
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stack
semiconductor
box frame
stack assembly
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP57108383A
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English (en)
Inventor
Kiyoshi Saito
清 斉藤
Hiroshi Itahana
板鼻 博
Teiji Kobayashi
小林 悌二
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS59952A publication Critical patent/JPS59952A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/117Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本′発明は、車両制御用のチョッパ装置、インバータ装
置などの半導体装置に関する。
半導体技術の進歩に伴なって、車両の推進用電動機の制
御にもチョッパ装置、インバータ装置など種々の半導体
装置が多用されるようになってきた。
第1図ないし第5図にこのような半導体装置の一例を示
す。なお、第1図は回路図、第2図はユニットの正面図
、第3図は同じく側面図、第4図は全体の正面図、第5
図は各ユニットのスタックの配列と配線の状態を示す説
明図である。   −これらの図において、1は土台、
2は下台、3はサイリスタなどの半導体素子、4は放熱
フィン、5は絶縁体、6はスタッドボルト、7はスタッ
ク、8はサイリスク駆動回路装置、9は保護回路装置、
10は付属品板、11は平座金、12は取付ボルト、1
3は半導体ユニット、14は平座金、15は取付ボルト
、16は箱枠、17は電動送風機、18はゲート制御装
置、19は制御回路の配線である。
半導体素子3は放熱フィン4と一緒に所要数だけ積重ね
られ、上下に絶縁体5を介して上台1と下台2の間に挟
まれた上でスタッドボルト6で組立てられてスタック7
を構成する。従って、これら上台1、下台2、スタッド
ボルト6などがスタック組立部材となる。
付属品板10はサイリスタなどの半導体素子3を動作さ
せる駆動回路装置8と、コンデンサや抵抗などからなる
保護回路装置9を取付けて組立てられ、スタック7の上
台1と下台2に平座金11と取付ボルト12によって取
付けられ、スタック7と共に半導体ユニット13を構成
する。
こうして構成された半導体ユニット13は所要のユニッ
ト数づつ一緒にして箱枠16の中に取付ボルト15と平
座金14によって取付けられ、第4図に示すように電動
送風機17及びゲート制御装置18と組合わされて半導
体装置が構成される。
このとき、それぞれのスタック7に対する制御回路配線
19は第5図に示すようにして設ゆられており、上台1
と下台2はスタック7と配線19の間の静電しゃへいの
役目もはたすようになつ兎いる。
ところで、このような車両の制御用に用いられる半導体
装置、特にチョッパ装置、インバータ装置等は高電圧、
高周波で転流を繰返すために、主回路と制御回路の相互
インダクタンスによる電磁誘導あるいは主回路と制御百
′路の相互キャパシタンスまたは空間電位による静電誘
導によって制御回路配線19に過大な電圧が誘起され誤
動作になることがある。
特に半導体ユニットの駆動回路に雑音電圧が誘起した場
合は転流失敗に至ることが多い。
従って、このような半導体装置yおいては、制御回路配
線19などに雑音電圧が誘起するのを極力防止するよう
にしなければならない。
しかして、上記した従来の半導体装置では、各ユニット
13のスタック7に用いられている上台1と下台2が第
5図に示すように静電しゃ/\いの役目をするため、静
電誘導などによる誤動作は充分に防止されていたものと
考えられていた。
しかしながら、このような半導体装置では、各。
部材に塗装が施こされた上で組立てられるのが通例であ
り、そのため、スタック7の下台2も全面塗装であり、
第3図におしする取付ボルト15が挿通される取付孔A
の内面にも塗装が施こされた状態になっている。同様に
、箱枠16もその床面Bやスタック下台取付面Cを含め
て全回塗装されている。
そのため、従来の半導体装置では、取付ボルト15でス
タック7を箱枠16に取付けても、スタック7の組立部
材である上台1、下台2、それにスタッドボルト6など
は完全に接地された状態にはならず、接地電位から不完
全に浮いた状態になってしまう場合が多い。
そこで、この状態で使用され、半導体素子3及び放熱フ
ィン4に高電圧が印加されると、上台1、下台2などか
らなるスタック組立部材に電荷が誘起されてかなりの電
圧に充電されてしまう。そして、この充電された電圧が
高くなり、下台2と箱枠16との間の嵯位差が第3図の
部勺A、  B、 Cなどに存在する塗膜の絶縁耐力よ
り大きくなると放電を生じ、制御回路配線19(第5図
)に大きな雑音電圧を誘起させることがある。
従って、上記した従来の半導体装置では、サイ   □
リスタなどの半導体素子が誤点弧して転流失敗などを生
じ易いという欠点があった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除き、雑音
電圧の誘起原因となるスタック組立部材の充電が完全に
防止できるようにした車両用半導体装置を提供するKあ
る。
この目的を達成するため、本発明は、スタックの箱枠に
対する取付手段と独立に、或いはそれと共用してスタッ
ク組立部材を接地電位に保つための接地電路形成手段を
設けるようにした点を特徴  □とする。
以下、本発明による車両用半導体装置の実施例を図面に
ついて説明する。
第6図及び第7図は本発明の一実施例で、20は本発明
による半導体wxフット表わし、21は2孔の平座金で
あり、その他は第1図ないし第5図で示した従来例と同
じである。
2孔の平座金21は例えば鉄などの金属板で作られ、そ
の光漏の導電性を良好に保つために例えばメッキ処理な
どを施こしてあり、スタック7に対する付属品板10の
取付ボルト12が挿入される部分と、スタック7の下台
2を箱枠16に取付けるための取付はボルト15が挿入
される部分のそれぞれに対応して2個の孔が設けられて
いるものであり、その形状は例えば第8図(a)、 (
bL (C)に示すようになっている。
そして、この2孔の平座金21は第2図及び第3図の従
来例における平座金11.14の代りにそれぞれのポル
)12.15に対して共通に設けられ、その結果、この
実施例においては、それぞれのポル)12.15を締付
けたあとは、他の部材の塗装状態や組立状態と無関係に
、これらボルト12と15の間は電気的に完全に接続さ
れた状態となる 一方、取付ボルト12はスタック70下台2に設けられ
ている雌ネジ穴に螺合して締付けるものであり、同様に
、取付ボルト15は箱枠16に設。
けら′れている雌ネジ大に螺合して締付けられるもので
あるから、結局、これらのボルトによる取付けが完了し
たあとでは、取付ボルト12は下台2に対して電気的に
完全に接続され、同様に取付ボルト15は箱枠16に電
気的に完全に接続されることになり、これらの状態は部
分A、B、C(第3図)に塗膜が存在してい【も何の影
響も受けない。
従って、この実施例によれば、どのようなときでもスタ
ック70下台2は取付ボルト12かも2孔の平座金21
と取付ボルト15を介して箱枠16に完全に接続される
ことになるから、上台1、スタッドボルト6、下台2な
どからなるスタック組立部材に電荷が誘起してもこれら
の電位が上昇する虞れは全くなく、それによる静電しや
へい効果と相いまって半導体素子の誤動作の発生を充分
に防止することができる。
そして、この実施例によれば、従来例における平座金に
代えて2孔の平座金を2本のボルトに共通に用いるだけ
で目的が達せられるから、その実施は極めて容易であり
、コストアップの鷹れもほとんどない、。
次に、第9図は本発明の他の実施例で、可撓性の導′1
線23の一端をボルトなどによりスタック7の下台2に
取付け、この導電線23の他端を箱枠16の適当な部分
や車両の金属部材などに取付けることにより下台2を含
むスタック組立部材を接地電位に保つようにしたもので
ある。
この実施例は付属品板10の取付ボルト12と15の間
に特別な構造体22などが存在し、第6図、第7図にお
けるような2孔の平座金21を用いるのが困難なときに
適したものであり、この実施例によっても上記の第6図
、第7図で示した実1布例ど同様に本発明の目的が充分
に達成されるほか、下台2をα気的に接続すべき部分が
箱枠16に限らず車両の任意の部分とすることができる
という利点が得られる。
以上説明したように、本発明によれば、どのような内含
にもスタック組立部材の1位を完全に接地電位に保つこ
とができるから、従来技術の欠点を除°き、雑音電圧の
発生をなくして常に確実に制御が行われ、一点弧による
転流失敗などを生ずる虞れのない車両用半導体装置をほ
とんどコストアップを伴わずに提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は車両用半導体装置の一例を示す回路図、第2図
は車両用半導体装置の従来例を示す正面図、第3図は同
じ〈従来例の側面図、第4図は同じく全体構成図、第5
図は半導体スタックに対する制御回路配線の状態を示す
説明図、第6図は本発明の一実施例を示す正面図、第7
図は同じく一実施例の側面図、第8図(a)〜(C)は
それぞれ本発明における2孔千座金の実施例を示す正面
図、第9図は本発明の他の一実施例の説明図である。 1・・・・・・上台、2・・・・・・下台、3・・−・
・半導体素子、4°・・・°゛放熱フィン、5・・・・
・・絶縁体、6・・−・・スタッドボルト、7・・・・
・・スタック、1o・・・・・・付属品板、12.15
・・・・・・取付ボルト、20・・・・・・半導体ユニ
ット、21・・・・・・2孔平座金、23・・・・・・
可撓性の導電線。 第1図 第2図      第3図 第4図 115図 9

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 半導体スタックを、そのスタック組立部材を介し
    て箱枠内に取付けるようにした東向用半導体装置におい
    て、上記スタック組立部材に対する接地電路形成部材を
    設け、上記箱枠に対する一ヒ記半導体スタックの取付は
    状態と無関係に上記スタック組体部材を接地電位に保つ
    ように構成したことを特徴とする車両用半導体装置1. 2、特許請求の範囲第1項において、上記接地電路形成
    部材を、上記箱枠に対する上記半導体スタックの取付ボ
    ルトと上記スタック組体部材に螺合した締付ボルトとの
    間に設けた共通の座金により構成したことを特徴とする
    車両用半導体装置。 3、特許請求の範囲第1項において、上記接地電路形成
    部材を、上記スタック組体部材と車両の接地電位に保た
    れている部材との間に設けた可撓性導体で構成したこと
    を特徴とする車両用半導体装置。
JP57108383A 1982-06-25 1982-06-25 車両用半導体装置 Pending JPS59952A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4896205A (en) * 1987-07-14 1990-01-23 Rockwell International Corporation Compact reduced parasitic resonant frequency pulsed power source at microwave frequencies
JPH0364882A (ja) * 1989-07-31 1991-03-20 Nippondenso Co Ltd スパークプラグの火花間隙創成装置
US5741963A (en) * 1994-11-29 1998-04-21 Nippondenso Co., Ltd. Adjustment method for spark plug and apparatus therefor

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5543877A (en) * 1978-09-22 1980-03-27 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
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