JPS599497B2 - 光学ガラスの製造方法 - Google Patents
光学ガラスの製造方法Info
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- JPS599497B2 JPS599497B2 JP5548580A JP5548580A JPS599497B2 JP S599497 B2 JPS599497 B2 JP S599497B2 JP 5548580 A JP5548580 A JP 5548580A JP 5548580 A JP5548580 A JP 5548580A JP S599497 B2 JPS599497 B2 JP S599497B2
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- Japan
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- silica gel
- atmosphere
- glass
- gel
- optical glass
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/12—Other methods of shaping glass by liquid-phase reaction processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シリカゲルから高シリカ系の、特に光学ガラ
スを製造する方法に関するものである。
スを製造する方法に関するものである。
従来、光学ガラス用の高シリカ系の塊状ガラスの製造方
法としては、(1)珪砂を原料として種々の添加物を加
え、坩堝内で一度高温にして熔融する、いわゆる溶融法
;(ii)酸水素炎やプラズマ炎の中に珪砂粉末を入れ
、ベルヌーイ法による単結晶育成のようにガラス塊を作
る方法、011) SiCl4やSiH4を火炎中に通
し、一種のCVD(ChemicalVaporDep
osition)反応でガラス煤をターゲット上に堆積
させ、この堆積物を適当な雰囲気中で焼結することによ
つてガラス塊を得る方法;Gψ ある特定の組成のソー
ダガラスを700〜900℃の温度範囲で分相処理し、
得られたガラスブロックを酸処理して多孔質の高シリカ
ガラスを焼結してガラス塊とする方法;などが知られて
いる。
法としては、(1)珪砂を原料として種々の添加物を加
え、坩堝内で一度高温にして熔融する、いわゆる溶融法
;(ii)酸水素炎やプラズマ炎の中に珪砂粉末を入れ
、ベルヌーイ法による単結晶育成のようにガラス塊を作
る方法、011) SiCl4やSiH4を火炎中に通
し、一種のCVD(ChemicalVaporDep
osition)反応でガラス煤をターゲット上に堆積
させ、この堆積物を適当な雰囲気中で焼結することによ
つてガラス塊を得る方法;Gψ ある特定の組成のソー
ダガラスを700〜900℃の温度範囲で分相処理し、
得られたガラスブロックを酸処理して多孔質の高シリカ
ガラスを焼結してガラス塊とする方法;などが知られて
いる。
これらの製造方法中、(1)の方法は坩堝を使用するた
め、不純物混入の機会が多く、かつ高温プロセスである
ため添加物を加えることが難かしい。
め、不純物混入の機会が多く、かつ高温プロセスである
ため添加物を加えることが難かしい。
(1;)の方法は、同じく高温プロセスであるため、添
加物を加えることが難しく、原料となる粉末の純度を上
げることが難かしい。011)(7)方法は純度につい
ては問題はないが、CVD反応であるため、原料として
はガス化できるもの、という制約があり、原料の選択範
囲が狭い、(IV)の方法は分相できるガラス組成が限
られている、など、それぞれ欠点を有するものであつた
。
加物を加えることが難しく、原料となる粉末の純度を上
げることが難かしい。011)(7)方法は純度につい
ては問題はないが、CVD反応であるため、原料として
はガス化できるもの、という制約があり、原料の選択範
囲が狭い、(IV)の方法は分相できるガラス組成が限
られている、など、それぞれ欠点を有するものであつた
。
これらの欠点を補なう製法として、Siのアルコキシド
を加水分解し、得られる活性なシリカゲルを融点よりか
なり低い温度で焼結する、いわゆる非溶融のガラスの製
造方法が知られている。
を加水分解し、得られる活性なシリカゲルを融点よりか
なり低い温度で焼結する、いわゆる非溶融のガラスの製
造方法が知られている。
この方法は、デイスリツヒによつてNaを含有したいわ
ゆる多成分ガラスの報告がなされていて(特公昭48−
6604号参照)、非溶融ガラスの特性が従来の溶融ガ
ラスと同等の特性をもつことが確認されている。非溶融
法の出発原料であるアルコキシドは、大方の金属元素に
対して存在するので、原料の選択範囲が広く、再結晶法
や蒸溜法等によつて原料の純化が容易である等の製法上
の利点を有している。また、この方法で得られたゲルを
ガラス化するに要する加熱温度は、従来法におけるより
も100℃以上低くできるなどの長所をも有するもので
ある。上記のシリカゲルによる非溶融ガラスの製造方法
は、このような利点を有しているにもかかわらず、これ
までに非溶融ガラスで実用化された製法は少ない。
ゆる多成分ガラスの報告がなされていて(特公昭48−
6604号参照)、非溶融ガラスの特性が従来の溶融ガ
ラスと同等の特性をもつことが確認されている。非溶融
法の出発原料であるアルコキシドは、大方の金属元素に
対して存在するので、原料の選択範囲が広く、再結晶法
や蒸溜法等によつて原料の純化が容易である等の製法上
の利点を有している。また、この方法で得られたゲルを
ガラス化するに要する加熱温度は、従来法におけるより
も100℃以上低くできるなどの長所をも有するもので
ある。上記のシリカゲルによる非溶融ガラスの製造方法
は、このような利点を有しているにもかかわらず、これ
までに非溶融ガラスで実用化された製法は少ない。
その理由は、得られたシリカゲルが往往にして加熱工程
で亀裂を生じた破裂して破損するため、目的とするガラ
ス塊が得られ難い故である。本発明は、シリカゲルによ
る方法におけるこの欠点を改善するためになされたもの
で、加熱処理で破損を生じない、いわゆる易焼結なシリ
カゲルを生成せしめて、これを用いて目的とする光学用
に適するガラス塊を高い歩留りで製造する方法を提供せ
んとするものである。
で亀裂を生じた破裂して破損するため、目的とするガラ
ス塊が得られ難い故である。本発明は、シリカゲルによ
る方法におけるこの欠点を改善するためになされたもの
で、加熱処理で破損を生じない、いわゆる易焼結なシリ
カゲルを生成せしめて、これを用いて目的とする光学用
に適するガラス塊を高い歩留りで製造する方法を提供せ
んとするものである。
本発明における光学用ガラスの製造方法の特徴とすると
ころは、Si(0CH3)4を加水分解して得られた多
孔体のシリカゲルを高温に加熱してガラス化させる工程
において、PHを9.5〜11.5の範囲、好ましくは
10〜11の範囲に調整したアンモニア水により加水分
解を行うことにある。
ころは、Si(0CH3)4を加水分解して得られた多
孔体のシリカゲルを高温に加熱してガラス化させる工程
において、PHを9.5〜11.5の範囲、好ましくは
10〜11の範囲に調整したアンモニア水により加水分
解を行うことにある。
このようにして得られたシリカゲルは酸化性ガス雰囲気
中、塩素含有雰囲気中、および真空またはHe雰囲気中
で加熱処理することによりガラス化することができるも
のである。上記のSi(0CH3)4に添加物としてG
e,P,B,Al,Sb,Ti,Zrなどの元素よりな
る群中より選択された少なくとも1種の元素の化合物を
添加することにより得られたガラスにそれらの元素を添
加することができるものである。上記の本発明は、本発
明者等がシリカゲルによる方法におけるシリカゲルが加
熱過程で破損を起こす原因について詳細な検討を行い多
数の実験を重ねた結果、破損は主として加熱過程で放出
される水に関係したことであることを突きとめ、この水
を容易に放出できるような易焼結ゲルの作成条件を見出
したことによるものである。
中、塩素含有雰囲気中、および真空またはHe雰囲気中
で加熱処理することによりガラス化することができるも
のである。上記のSi(0CH3)4に添加物としてG
e,P,B,Al,Sb,Ti,Zrなどの元素よりな
る群中より選択された少なくとも1種の元素の化合物を
添加することにより得られたガラスにそれらの元素を添
加することができるものである。上記の本発明は、本発
明者等がシリカゲルによる方法におけるシリカゲルが加
熱過程で破損を起こす原因について詳細な検討を行い多
数の実験を重ねた結果、破損は主として加熱過程で放出
される水に関係したことであることを突きとめ、この水
を容易に放出できるような易焼結ゲルの作成条件を見出
したことによるものである。
すなわち、Si(0CH3:)4を加水分解するのに用
いるアンモニア水のPHを9.5〜11.5、好ましく
は10〜11の範囲に調整することによつて、得られる
シリカゲルを易焼結ゲルとすることができることを見出
したことによるものである。この際、シリカゲル主原料
はSl(0CH3)4の場合は常に上記の条件は有効で
あるが、他のSiのアルコキシドの場合は必ずしも効果
をもつものではないものである。また、添加物を添加す
る際には、アルコキシドの形で添加し、Sl(0CH3
)4と同時に加水分解処理以降の処理工程を行うことに
より容易に達成できることを確認したのである。Slの
アルコキシドの加水分解により生成されるゲル状態のシ
リカ(添加物を添加されたものを含む)は含水したSi
O2からなり立ち、極めて小なる細孔(数λから数μm
のもの)が多数に存在する多孔体である。
いるアンモニア水のPHを9.5〜11.5、好ましく
は10〜11の範囲に調整することによつて、得られる
シリカゲルを易焼結ゲルとすることができることを見出
したことによるものである。この際、シリカゲル主原料
はSl(0CH3)4の場合は常に上記の条件は有効で
あるが、他のSiのアルコキシドの場合は必ずしも効果
をもつものではないものである。また、添加物を添加す
る際には、アルコキシドの形で添加し、Sl(0CH3
)4と同時に加水分解処理以降の処理工程を行うことに
より容易に達成できることを確認したのである。Slの
アルコキシドの加水分解により生成されるゲル状態のシ
リカ(添加物を添加されたものを含む)は含水したSi
O2からなり立ち、極めて小なる細孔(数λから数μm
のもの)が多数に存在する多孔体である。
これを加熱すると、含有水分は細孔内に遊離し、細孔内
を拡散して系外に排出される。このため、水分が充分に
系外に排出されるまで細孔が開孔状態を保つている必要
がある。加熱によりゲルの細孔の焼結が起こるとき、時
として含有水分が排出されない前に閉孔状態が出現する
ことがある。このような状態になつた時、さらに加熱を
続けると細孔内の遊離水分が増えると同時に、温度上昇
のために閉孔内のガス圧が上昇し、ゲルが破裂したり、
亀裂が起こつたりする。易焼結ゲルは、加熱により容易
には閉孔状態にならない径の大きな細孔を有するゲルの
ことであり、本発明において生成せしめられるゲルもこ
のような大細孔を有するものよりなる易焼結ゲルである
。シリカゲルの細孔状態は、ゲルの生成条件に著しく依
存し、この条件を種々調整することによつて目的とする
易焼結ゲルが得られるものにして、本発明者等によつて
見出された条件は、シリカゲルの主原料としてSi(0
CH3)4を用い、加水分解に使用するアンモニア水の
PHを9.5〜11.5、好ましくは10〜11の範囲
に調整することであつた。このようにして得られた易焼
結ゲルを焼結するための加熱処理は、酸化雰囲気中の加
熱処理、塩素含有雰囲気中の加熱処理、および真空また
はHe雰囲気中の加熱処理により容易に達成できるもの
である。
を拡散して系外に排出される。このため、水分が充分に
系外に排出されるまで細孔が開孔状態を保つている必要
がある。加熱によりゲルの細孔の焼結が起こるとき、時
として含有水分が排出されない前に閉孔状態が出現する
ことがある。このような状態になつた時、さらに加熱を
続けると細孔内の遊離水分が増えると同時に、温度上昇
のために閉孔内のガス圧が上昇し、ゲルが破裂したり、
亀裂が起こつたりする。易焼結ゲルは、加熱により容易
には閉孔状態にならない径の大きな細孔を有するゲルの
ことであり、本発明において生成せしめられるゲルもこ
のような大細孔を有するものよりなる易焼結ゲルである
。シリカゲルの細孔状態は、ゲルの生成条件に著しく依
存し、この条件を種々調整することによつて目的とする
易焼結ゲルが得られるものにして、本発明者等によつて
見出された条件は、シリカゲルの主原料としてSi(0
CH3)4を用い、加水分解に使用するアンモニア水の
PHを9.5〜11.5、好ましくは10〜11の範囲
に調整することであつた。このようにして得られた易焼
結ゲルを焼結するための加熱処理は、酸化雰囲気中の加
熱処理、塩素含有雰囲気中の加熱処理、および真空また
はHe雰囲気中の加熱処理により容易に達成できるもの
である。
以下に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例 1
1モルのSi(0CH3)4に、4モルのCH3OHを
加え、マグネチツクスターラでよく混合した。
加え、マグネチツクスターラでよく混合した。
このSl(0CH3)4を加水分解するためにアンモニ
アを用いて、そのPHを所定の値になるように調整した
水の4モルを、上記の混合物に徐々に加えさらに充分混
合し、得られた加水分解生成物含有ゾル液を、内径10
m7!Lφ、長さ150mmの円筒形容器に8割程度の
容積となるように入れた。容器の上部をアルミ箔の蓋で
密閉し、70℃の温度で放置してゲル化した。ゲルの生
成は用いた水のPH値に応じて5分から4時間余でなさ
れた。なお、PHll以上のアンモニア水を使用した場
合は、加水分解が瞬時に終了して固化が始まるので、そ
の後の取り扱いが困難となり、実際的でなかつた。上記
の状態のゲルは、水、アルコールを多量に内部に包含し
た状態のものであるので、次にゲル内から水、アルコー
ルを極めて徐々に例えば0.5wt%/Hrの重量減少
になるように除去した。その除去方法は、例えば密閉し
た上部のアルミ箔の蓋に直径1m7!Lのピンホールを
数個乃至十数個穿設し、70℃の温度に保持することに
よつて可能であつた。このようにして脱水、脱アルコー
ルすることによつてゲルは次第に収縮し、初期重量の約
18〜20%になつたところで乾燥工程を終了した。こ
の乾燥に要した時間は7日間であつた。これを乾燥ゲル
と称する。この乾燥ゲルの密度および気孔状態は使用し
たアンモニア水のPH値により異なるものであつた。そ
の様子を示したのが第1図および第2図のグラフである
。第1図は乾燥ゲルの嵩密度と使用したアンモニア水の
PHとの関係を示したもの、第2図は乾燥ゲルに存在す
る細孔のうち、半径100Å以上の全細孔容積と使用し
たアンモニア水のPH値との関係を示したものである。
これらの2つの図から、加水分解に使用するアンモニア
水のPH値によつて得られる乾燥ゲルの多孔状態が著し
く左右されることがわかる。このようにして製した乾燥
ゲルを容器から取り出し、電気炉に入れ酸素雰囲気中で
700℃まで、ゆるやかに約1000C/Hrの昇温速
度で昇温加熱し、その後同じ昇温速度でHe雰囲気中で
1200℃まで加熱して無孔化処理を行つた。
アを用いて、そのPHを所定の値になるように調整した
水の4モルを、上記の混合物に徐々に加えさらに充分混
合し、得られた加水分解生成物含有ゾル液を、内径10
m7!Lφ、長さ150mmの円筒形容器に8割程度の
容積となるように入れた。容器の上部をアルミ箔の蓋で
密閉し、70℃の温度で放置してゲル化した。ゲルの生
成は用いた水のPH値に応じて5分から4時間余でなさ
れた。なお、PHll以上のアンモニア水を使用した場
合は、加水分解が瞬時に終了して固化が始まるので、そ
の後の取り扱いが困難となり、実際的でなかつた。上記
の状態のゲルは、水、アルコールを多量に内部に包含し
た状態のものであるので、次にゲル内から水、アルコー
ルを極めて徐々に例えば0.5wt%/Hrの重量減少
になるように除去した。その除去方法は、例えば密閉し
た上部のアルミ箔の蓋に直径1m7!Lのピンホールを
数個乃至十数個穿設し、70℃の温度に保持することに
よつて可能であつた。このようにして脱水、脱アルコー
ルすることによつてゲルは次第に収縮し、初期重量の約
18〜20%になつたところで乾燥工程を終了した。こ
の乾燥に要した時間は7日間であつた。これを乾燥ゲル
と称する。この乾燥ゲルの密度および気孔状態は使用し
たアンモニア水のPH値により異なるものであつた。そ
の様子を示したのが第1図および第2図のグラフである
。第1図は乾燥ゲルの嵩密度と使用したアンモニア水の
PHとの関係を示したもの、第2図は乾燥ゲルに存在す
る細孔のうち、半径100Å以上の全細孔容積と使用し
たアンモニア水のPH値との関係を示したものである。
これらの2つの図から、加水分解に使用するアンモニア
水のPH値によつて得られる乾燥ゲルの多孔状態が著し
く左右されることがわかる。このようにして製した乾燥
ゲルを容器から取り出し、電気炉に入れ酸素雰囲気中で
700℃まで、ゆるやかに約1000C/Hrの昇温速
度で昇温加熱し、その後同じ昇温速度でHe雰囲気中で
1200℃まで加熱して無孔化処理を行つた。
以上の加熱処理の後、電気炉の通電を中止し、Heを流
しながら炉冷した。
しながら炉冷した。
このような加熱工程により得られた焼結シリカガラスに
おいて、第1図、第2図に示したゲルの内、加水分解に
用いたアンモニア水のPH値が9.2以下であつたもの
は、上記の加熱処理における温度が1150℃に達する
以前に亀裂を生じた。
おいて、第1図、第2図に示したゲルの内、加水分解に
用いたアンモニア水のPH値が9.2以下であつたもの
は、上記の加熱処理における温度が1150℃に達する
以前に亀裂を生じた。
方、PH値が9.5以上11.5以下の範囲であつたも
のは、最終的に1200℃以上の温度で無孔化し、亀裂
のない純シリカガラスが作成できた。得られたシリカガ
ラスは市販の光学用ガラスと同様に使用できるもので、
その密度、屈折率、硬度、熱膨張係数時の特性は市販の
溶融シリカガラスとほとんど差がなく、それぞれ2.2
0gr/CTitll.459,78Okg/Md,5
.5×10−7であつた。PH値が10.6以下で作成
したゲルについてのものは温度1200℃で無孔化が完
了し、既述の如く他の方法で作成した純シリカガラスと
同等なものとなるが、この本実施例における温度は、上
記した従来方法の内の010の製法、すなわちSlCl
4やSiH4を火炎中に通し、一種のCVD反応ガラス
煤をターゲツト上に堆積させ、その堆積物を焼結してガ
ラス塊とする方法の場合の焼結温度よりも200℃近く
低い温度で焼結できるので、本方法は光学シリカガラス
を作成するのに極めて有利であることがわかる。上記に
おいて、加水分解に用いたアンモニア水の量は1モルの
Si(0CH3)4に対して4モルであつたが、アンモ
ニア水の量を2〜10モルとした場合も同様の結果が得
られた。
のは、最終的に1200℃以上の温度で無孔化し、亀裂
のない純シリカガラスが作成できた。得られたシリカガ
ラスは市販の光学用ガラスと同様に使用できるもので、
その密度、屈折率、硬度、熱膨張係数時の特性は市販の
溶融シリカガラスとほとんど差がなく、それぞれ2.2
0gr/CTitll.459,78Okg/Md,5
.5×10−7であつた。PH値が10.6以下で作成
したゲルについてのものは温度1200℃で無孔化が完
了し、既述の如く他の方法で作成した純シリカガラスと
同等なものとなるが、この本実施例における温度は、上
記した従来方法の内の010の製法、すなわちSlCl
4やSiH4を火炎中に通し、一種のCVD反応ガラス
煤をターゲツト上に堆積させ、その堆積物を焼結してガ
ラス塊とする方法の場合の焼結温度よりも200℃近く
低い温度で焼結できるので、本方法は光学シリカガラス
を作成するのに極めて有利であることがわかる。上記に
おいて、加水分解に用いたアンモニア水の量は1モルの
Si(0CH3)4に対して4モルであつたが、アンモ
ニア水の量を2〜10モルとした場合も同様の結果が得
られた。
また、上記の加熱処理中、700℃までの加熱において
酸素雰囲気中の代りに、酸素を含むN2等不活性ガス雰
囲気中としたもの、最後の1200℃以上の温度にまで
の加熱において、真空中の代りにHe雰囲気中としたも
のは、いずれも上記と同様の結果が得られた。
酸素雰囲気中の代りに、酸素を含むN2等不活性ガス雰
囲気中としたもの、最後の1200℃以上の温度にまで
の加熱において、真空中の代りにHe雰囲気中としたも
のは、いずれも上記と同様の結果が得られた。
実施例 2
加水分解に用いた水のPH値をアンモニアで9.5〜1
1、の範囲の一定値に調整して、それぞれにつき実施例
1の場合と同様に乾燥ゲルを作成した。
1、の範囲の一定値に調整して、それぞれにつき実施例
1の場合と同様に乾燥ゲルを作成した。
このような乾燥ゲルを電気炉に入れ酸素雰囲気中で70
0℃まで、ゆるやかに約100℃/Hrの昇温速度で昇
温加熱し、その後塩素を含むHe雰囲気中で700℃か
ら1000℃の温度範囲で1〜20時間処理した。その
後、酸素雰囲気中で1200℃まで、ゆるやかに約50
℃/Hrの昇温速度で昇温加熱して無孔化焼結シリカを
作成した。得られた焼結シリカガラスは、いずれも0H
の含有量が1ppm以下の無水のシリカガラスで、従来
の市販の光学ガラスに劣ることのない品質のもので、充
分光学用ガラスに使用できるものであり、製作工程にお
いて亀裂等を発生することのないものであるので、.製
作上極めて有利なものである。さらに、上記における1
200℃まで昇温して焼結シリカを作成する工程におい
て、上記の酸素雰囲気の代りに酸素含有Heガス雰囲気
、およびHeガス雰囲気において同様に処理したものは
いずれも同様の結果であつた。以上の実施例は純シリカ
ガラスを作成する実施例であるが、上記におけるSi(
0CH3)4にGe,P,Al,B,Sb,Ti,Zr
等のアルコキシド(メチル)を添加することにより、そ
れらの元素を含む光学用高シリカガラスについても同様
に効果的に作成できることが確認された。
0℃まで、ゆるやかに約100℃/Hrの昇温速度で昇
温加熱し、その後塩素を含むHe雰囲気中で700℃か
ら1000℃の温度範囲で1〜20時間処理した。その
後、酸素雰囲気中で1200℃まで、ゆるやかに約50
℃/Hrの昇温速度で昇温加熱して無孔化焼結シリカを
作成した。得られた焼結シリカガラスは、いずれも0H
の含有量が1ppm以下の無水のシリカガラスで、従来
の市販の光学ガラスに劣ることのない品質のもので、充
分光学用ガラスに使用できるものであり、製作工程にお
いて亀裂等を発生することのないものであるので、.製
作上極めて有利なものである。さらに、上記における1
200℃まで昇温して焼結シリカを作成する工程におい
て、上記の酸素雰囲気の代りに酸素含有Heガス雰囲気
、およびHeガス雰囲気において同様に処理したものは
いずれも同様の結果であつた。以上の実施例は純シリカ
ガラスを作成する実施例であるが、上記におけるSi(
0CH3)4にGe,P,Al,B,Sb,Ti,Zr
等のアルコキシド(メチル)を添加することにより、そ
れらの元素を含む光学用高シリカガラスについても同様
に効果的に作成できることが確認された。
以上の説明から解るように、本発明の光学ガラスの製造
方法は著しい効果を有するものである。
方法は著しい効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図はSl(0CH3)4の加水分解に使用したアン
モニアで調整した、水のPH値と得られた乾燥シリカゲ
ルの嵩密度との関係を示すグラフ、第2図はSi(0C
H3)4の加水分解に使用した水のPH(アンモニア調
整)値と得られた乾燥シリカゲルの細孔のうち、半径1
00八以上の細孔容積との関係を示すグラフである。
モニアで調整した、水のPH値と得られた乾燥シリカゲ
ルの嵩密度との関係を示すグラフ、第2図はSi(0C
H3)4の加水分解に使用した水のPH(アンモニア調
整)値と得られた乾燥シリカゲルの細孔のうち、半径1
00八以上の細孔容積との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 pHを9.5〜11.5の範囲に調整したアンモニ
ア水を用いてSi(OCH_3)_4を加水分解して得
られた多孔体のシリカゲルを高温に加熱してガラス化さ
せる工程を含んでなることを特徴とする光学ガラスの製
造方法。 2 該pHの範囲が10〜11である特許請求の範囲第
1項記載の光学ガラスの製造方法。 3 該Si(OCH_3)_4は添加物としてGe、P
、B、Al、Sb、Ti、Zrなどの元素よりなる群中
の少なくとも1種の元素の化合物を添加されてなるもの
にして、それにより製せられたガラスは該添加物の元素
を含んでなるものである特許請求の範囲第1項または第
2項記載の光学ガラスの製造方法。 4 該多孔体のシリカゲルを高温に加熱してガラス化さ
せる工程は、シリカゲルを酸素または酸素を含む雰囲気
中で加熱処理の後、真空またはHe雰囲気中で加熱処理
するものである特許請求の範囲第1項、第2項または第
3項記載の光学ガラスの製造方法。 5 該多孔体のシリカゲルを高温に加熱してガラス化す
る工程は、シリカゲルを酸素または酸素を含む雰囲気中
で加熱処理の後、塩素または塩素を含む雰囲気中で加熱
処理し、さらにその後に酸素または酸素を含む雰囲気中
またはHe雰囲気中で加熱処理するものである特許請求
の範囲第1項、第2項または第3項記載の光学ガラスの
製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5548580A JPS599497B2 (ja) | 1980-04-28 | 1980-04-28 | 光学ガラスの製造方法 |
GB8112800A GB2075003B (en) | 1980-04-28 | 1981-04-24 | Method for producing optical glass |
DE19813116883 DE3116883C2 (de) | 1980-04-28 | 1981-04-28 | Verfahren zur Herstellung von optischem Glas durch Sintern eines Kieselgels |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5548580A JPS599497B2 (ja) | 1980-04-28 | 1980-04-28 | 光学ガラスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56155028A JPS56155028A (en) | 1981-12-01 |
JPS599497B2 true JPS599497B2 (ja) | 1984-03-02 |
Family
ID=12999918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP5548580A Expired JPS599497B2 (ja) | 1980-04-28 | 1980-04-28 | 光学ガラスの製造方法 |
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JP (1) | JPS599497B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6416867U (ja) * | 1987-07-20 | 1989-01-27 | ||
WO2003008332A1 (fr) * | 2001-07-19 | 2003-01-30 | Mitsubishi Chemical Corporation | Poudre de quartz de grande purete, procede de fabrication et article obtenu a partir de cette poudre |
Families Citing this family (2)
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JPS58110414A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-07-01 | Tokuyama Soda Co Ltd | 無機酸化物及びその製造方法 |
JPS59156935A (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-06 | Osaka Suiso Kogyo Kk | シリカガラスの製造方法 |
-
1980
- 1980-04-28 JP JP5548580A patent/JPS599497B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6416867U (ja) * | 1987-07-20 | 1989-01-27 | ||
WO2003008332A1 (fr) * | 2001-07-19 | 2003-01-30 | Mitsubishi Chemical Corporation | Poudre de quartz de grande purete, procede de fabrication et article obtenu a partir de cette poudre |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS56155028A (en) | 1981-12-01 |
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