JPS5994395A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置の製造方法

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JPS5994395A
JPS5994395A JP57205223A JP20522382A JPS5994395A JP S5994395 A JPS5994395 A JP S5994395A JP 57205223 A JP57205223 A JP 57205223A JP 20522382 A JP20522382 A JP 20522382A JP S5994395 A JPS5994395 A JP S5994395A
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JP
Japan
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layer
light emitting
emitting device
electroluminescent
forming
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JP57205223A
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JPS6143838B2 (ja
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柿手　啓治
浩一 相澤
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は発光装置の製造方法に関するものである。
従来例を第１図に示す。すなわち、この発光装置は、ガ
ラス基板１に透明電極２を層成し、透明電極２に誘電膜
３を層成し、その上に螢光膜４゜誘電膜５．さらに金属
電極６を積層したもので、電極２，６間に交流電源７を
接続する。この発光装置は、絶縁層となる誘電Ｍ３，５
のピンホールによる絶縁不良によシ螢光膜４が破壊され
るのを防止するため、誘電膜３，５を誘電率の高い物質
（Ｙ２Ｏ３、ＢａＴｉＯ３等）で形成し、装置の寿命を
向上している。ところが、逆に絶縁が高くなるため駆動
電圧が高くなるという欠点があった。この欠点を補うた
め誘電膜３，５の誘電率を上げ、層を薄＜　（２００Ｏ
Ａ’程度）してなるべく誘電膜３，５にかかる電圧を低
くしているが充分とはいえない。
したがって、この発明の目的は、ピンホールによる絶縁
低下全防止でき、しかも低電圧駆動が実現できる発光装
置の製造方法を提供することである。
この発明の第１の実施例を第２図によシ説明する。すな
わち、この発光装置の製造方法は、ガラス基板１ａｉ約
４００℃に加熱し、ガラス基板１ａ上に酸化すず全含有
した酸化インジーラム、すなわちＩ　Ｏｍｏｌ　％　５
ｎ０２　＋Ｉｎ２Ｏ３（インシュウムティンオキサイド
（ＩＴＯ）、Ｓｎ：１０ｍｏ１％　）（Ｄ焼結ターゲラ
トラ用いて、不活性ガスのアルゴン（Ａｒ）に５チ以下
の酸素（０，）　全含有したガス圧３Ｘ１０”Ｔｏｒｒ
の雰囲気で層成する。その方法はスパッタリング蒸着、
活性化スパック、活性化蒸着、イオンブレーティング等
で行う。このように形成された透明導電層２ａの上に前
記と同じ物質を酸素ガスを１０％以上含むアルゴンガス
雰囲気中で前記と同方法により積層して絶縁層３°ａｆ
形成するっこれは透明導電層２ａの形成時め真空状態を
破らずに外部から電極部のみカバーしてパルプ操作によ
り雰囲気ガスの混合比だけを変えるよう−にする。
このようにすると良く知られているように非常に高抵抗
の絶縁層３３となる。その上にＺｎＳ　、　Ｚｎ５ｅ等
に不純物全ドープした電界発光層４ａ’ｌｚ形成し、さ
らにその上にアルミニウム金属電極層６ａｉ形成する。
その結果、ピンホールによる絶縁低下が防止でき、しか
も層厚の低下にょシ低電圧駆動ができることが確められ
た。しかし現時点ではこのような方法をとると何故絶縁
層３ａの耐圧が向上するのか不明であるが、ピンホール
の発生機構が下地の何らかの異常によって生じるとする
と、透明導電Ｎ２ａのピンホールと絶縁層３ａのピンホ
ールの位置が一致しているためではないかと考えられる
。
この発明の第２の実７殉例を第３図により説明する。す
なわち、第１の実施例の構造において、実施例１と同様
な操作によシアルミニウム金属電極層６ａと電界発光層
４ａの間に活性化（反応性）スパッタ、蒸着、イオンブ
レーティング等で電極金属の酸化物、すなわちアルミナ
（ＡＩ！２０３）絶縁層８を設けたものである。このよ
うにすると、駆動電圧は多少高くなるが高輝度を得るこ
とができる。
なお、従来構造にこの実施例全適用してもＹ、０３゜Ｂ
ａＴｉＯ２ｋ薄くでき、低電圧化が可能となる。
以上のように、この発明の発光装置の製造方法は、酸化
すずを含有する酸化インジーラムにより透明電極層を形
成し、その同物質を前者よシも酸素濃度の高い雰囲気で
層成して絶縁層全形成し、さらに電界発光層および金属
電極層を積層するようにしたため、低電圧駆動できると
−ともに電界発光層の絶縁破壊を防止でき、寿命向上に
なるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来装置の断面図−１第２図はこの発明の第１
の実施例の装置の断面図、第３図は第２の実施例の装置
の断面図である。 １ａ・・・ガラス基板、２ａ・・・透明導電層、３ａ・
・・絶縁層、４ａ・・・電界発光層、６ａ・・・金属電
極層８・・酸化物絶縁層 ４７４ 第１図 第２図 第３図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）所定温度に加熱されたガラス基板上に所定圧の不
    活性ガスの雰囲気で酸化すずを含有した酸化インジウム
    を被着する透明導電層形成工程と、前記不活性ガスに酸
    素ガスを約１０％以上混合した雰囲気で前記透明導電層
    上に前記と同物質を積層形成する絶縁層形成工程と、こ
    の工程により形成された絶縁層上に電界発光贋金層成す
    る工程と、この電界発光層上に金属電極贋金層成する工
    程とを含む発光装置の製造方法。
  2. （２）前記金属電極層の前記電界発光層側にその酸化物
    絶縁層が形成される特許請求の範囲第（１）項記載の発
    光装置の製造方法。
JP57205223A 1982-11-19 1982-11-19 発光装置の製造方法 Granted JPS5994395A (ja)

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JPS6143838B2 JPS6143838B2 (ja) 1986-09-30

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61161691A (ja) * 1985-01-09 1986-07-22 日東電工株式会社 電場発光灯

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS61161691A (ja) * 1985-01-09 1986-07-22 日東電工株式会社 電場発光灯

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