JPS59224098A - 薄膜発光素子 - Google Patents
薄膜発光素子Info
- Publication number
- JPS59224098A JPS59224098A JP58098343A JP9834383A JPS59224098A JP S59224098 A JPS59224098 A JP S59224098A JP 58098343 A JP58098343 A JP 58098343A JP 9834383 A JP9834383 A JP 9834383A JP S59224098 A JPS59224098 A JP S59224098A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- light emitting
- dielectric
- aluminum
- tantalum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電場発光をする薄膜発光素子に関し、特に、特
定の誘電体材料を使用することにより動作特性および信
頼性のよい薄膜発光素子に関する。
定の誘電体材料を使用することにより動作特性および信
頼性のよい薄膜発光素子に関する。
従来例の構成とその問題点
交流電界の印加により発光する薄膜ＥＬ（エレクトロル
ミネセンス）素子では、螢光体薄膜層の片面また両面に
誘電体薄膜層を設け、これを二つの電極層ではさむ構造
で高い輝度を得ている０誘電体薄膜層が一層の素子は、
構造が簡単で駆動電圧が低いという特徴がある。誘電体
薄膜層が二層の素子は、絶縁破壊を起こしにくく輝度が
特に高いという特徴がある。ここに用いる螢光体材料は
活性物質を添加したＺｎＳやＺｎ５ｅ 、ＺｎＦ２
などが知られている０ＺｎＳ ： Ｍｎ発光層等に代表
されるように、ＥＬ全発光得るための電界強度は１ｏ’
Ｖ／ｃＴＬ と高く、誘電体薄膜としては発光層に効
率よく電界を加えるためには、比誘電率の高い拐料がよ
い。
ミネセンス）素子では、螢光体薄膜層の片面また両面に
誘電体薄膜層を設け、これを二つの電極層ではさむ構造
で高い輝度を得ている０誘電体薄膜層が一層の素子は、
構造が簡単で駆動電圧が低いという特徴がある。誘電体
薄膜層が二層の素子は、絶縁破壊を起こしにくく輝度が
特に高いという特徴がある。ここに用いる螢光体材料は
活性物質を添加したＺｎＳやＺｎ５ｅ 、ＺｎＦ２
などが知られている０ＺｎＳ ： Ｍｎ発光層等に代表
されるように、ＥＬ全発光得るための電界強度は１ｏ’
Ｖ／ｃＴＬ と高く、誘電体薄膜としては発光層に効
率よく電界を加えるためには、比誘電率の高い拐料がよ
い。
また安定した動作を行なわせるためＫは、誘電体薄膜と
しては、絶縁耐圧が高く、漏れ電流が小さいことが望１
ｔＬる。他にも、透明度が高いこと、作製が容易である
ことなどが必要である。
しては、絶縁耐圧が高く、漏れ電流が小さいことが望１
ｔＬる。他にも、透明度が高いこと、作製が容易である
ことなどが必要である。
現在誘電体薄膜の材料としては、Ｙ２Ｏ３や、ＳｉＯ，
５ｉ０２，５ｉｓＮ４．Ａｌ２Ｏ３などが代表的なもの
であるが、こｎらの材料は比誘電率が４〜１０と低い。
５ｉ０２，５ｉｓＮ４．Ａｌ２Ｏ３などが代表的なもの
であるが、こｎらの材料は比誘電率が４〜１０と低い。
又流駆動する場合、素子に印加さｎた電圧はＺｎＳ層と
誘電体薄膜層とに分圧さｎ１前者に効率よく高電界を加
えることができないｏ駆動電圧が高いと、駆動回路のＩ
Ｃ（集積回８６）化や小形化が困難となり、特別な高耐
圧ＩＣを必要とするため、コストアップにもつながる０
駆動電圧を下げるために、ＴＩＬ２０５やＢａ Ｔｉ
Ｏｓなどの高誘電率材料を誘電体薄膜層に用いることが
提案されている。これらの薄膜は比誘電率（以下εｒと
記す）が２６〜１００と比較的高い反面、ピンホールが
多く、漏れ電流が太きいため螢光面の輝度が不均一 と
なり、湿気などが発光層中に浸入し、故障の原因となる
。また、絶縁破壊電界強度（以下Ｅｂ と記す）がｏ、
６×１０６〜１．６×１０６Ｖ／ｃｍと小さいので、従
来用いられて来た誘電体材料に比べて膜厚を太幅に厚く
しなければならない。このため透明度が悪くなり、ｘ−
ＹマトリックスＫＬ素子の場合クロストークなどの原因
となる０ 駆動電圧を下げかつ信頼性の向」二をはかるため、誘電
体薄膜層を二層構造にすることが提案さｎている。この
場合形成工程が余分に付加され、工程数が増す。１だ処
理条件の制御が複雑となり、量産に向かず、コストアッ
プにつながる〇発明の目的 本発明は、従来の薄膜発光素子における前記問題を解決
すべくなされたものであって、駆動電圧が低く、安定な
特性を有し、作製の容易な薄膜発光素子を提供すること
を目的とするものである。
誘電体薄膜層とに分圧さｎ１前者に効率よく高電界を加
えることができないｏ駆動電圧が高いと、駆動回路のＩ
Ｃ（集積回８６）化や小形化が困難となり、特別な高耐
圧ＩＣを必要とするため、コストアップにもつながる０
駆動電圧を下げるために、ＴＩＬ２０５やＢａ Ｔｉ
Ｏｓなどの高誘電率材料を誘電体薄膜層に用いることが
提案されている。これらの薄膜は比誘電率（以下εｒと
記す）が２６〜１００と比較的高い反面、ピンホールが
多く、漏れ電流が太きいため螢光面の輝度が不均一 と
なり、湿気などが発光層中に浸入し、故障の原因となる
。また、絶縁破壊電界強度（以下Ｅｂ と記す）がｏ、
６×１０６〜１．６×１０６Ｖ／ｃｍと小さいので、従
来用いられて来た誘電体材料に比べて膜厚を太幅に厚く
しなければならない。このため透明度が悪くなり、ｘ−
ＹマトリックスＫＬ素子の場合クロストークなどの原因
となる０ 駆動電圧を下げかつ信頼性の向」二をはかるため、誘電
体薄膜層を二層構造にすることが提案さｎている。この
場合形成工程が余分に付加され、工程数が増す。１だ処
理条件の制御が複雑となり、量産に向かず、コストアッ
プにつながる〇発明の目的 本発明は、従来の薄膜発光素子における前記問題を解決
すべくなされたものであって、駆動電圧が低く、安定な
特性を有し、作製の容易な薄膜発光素子を提供すること
を目的とするものである。
発明の構成
本発明は前記の目的を達成するため、薄膜発光
６素子の螢光体薄膜層の少なくとも一方の面上にタン
タルとアルミニウムとの複合酸化膜からなる誘電体薄膜
層を設けることを特徴とする。
６素子の螢光体薄膜層の少なくとも一方の面上にタン
タルとアルミニウムとの複合酸化膜からなる誘電体薄膜
層を設けることを特徴とする。
タンゲルとアルミニウムとの複合酸化膜は、たとえば、
第１図のようにメンタル板１の上に透孔を有するアルミ
ニウム板２を重ねた構造のターゲットを、アルゴンと酸
素との混合ガス中で反応性スパッタすることにより、得
られる。タンタルとアルミニウムとの複合酸化膜中の酸
化メンタルと酸化アルミニウムとの組成比は、第１図で
表面に露出しているタンタルの部分の面積を変えること
により容易に所望の値とすることができる。
第１図のようにメンタル板１の上に透孔を有するアルミ
ニウム板２を重ねた構造のターゲットを、アルゴンと酸
素との混合ガス中で反応性スパッタすることにより、得
られる。タンタルとアルミニウムとの複合酸化膜中の酸
化メンタルと酸化アルミニウムとの組成比は、第１図で
表面に露出しているタンタルの部分の面積を変えること
により容易に所望の値とすることができる。
前記複合酸化膜の効果をムｌ電極ではさんで測定した誘
電特性から説明する〇 第２図はタンタルとアルミニウムとの複合酸化膜中の酸
化タンタルの分子比率とεｒ、 ｔａｎδとの関係を示
す。第２図から明らかなように、εｒを７から２６まで
の範囲内で自由に選択することができる。分子比率を変
えることにより、εｒの高い材料を得ることができる。
電特性から説明する〇 第２図はタンタルとアルミニウムとの複合酸化膜中の酸
化タンタルの分子比率とεｒ、 ｔａｎδとの関係を示
す。第２図から明らかなように、εｒを７から２６まで
の範囲内で自由に選択することができる。分子比率を変
えることにより、εｒの高い材料を得ることができる。
一方ｔａｎδはほとんど変化せず、すぐ扛た誘電特性を
持つ。
持つ。
第３図は、分子比率を変えたときの、容量あた６ 。
りの漏れ電流と印加電圧との関係を示す。実線ａ。
ｂ、ｃ、ｄはそれぞれ酸化メンタルの分子比率が１００
％、８４％、３７％、０％のときの測定結果である。こ
の図より明らかなように、タンタルとアルミニウムの複
合酸化膜（ｂ、ｃ）はＴａ２０５のみ（ＩＬ）に比べて
容量あたりの謡れ電流が極端に小さく、たとえば酸化タ
ンタルが３７％である場合（Ｃ＋）には、印加電圧がｅ
ｏｖＢ下では、Ａ１２０３（ｄ）よりも容量あたりの漏
れ電流が小さくなっている。
％、８４％、３７％、０％のときの測定結果である。こ
の図より明らかなように、タンタルとアルミニウムの複
合酸化膜（ｂ、ｃ）はＴａ２０５のみ（ＩＬ）に比べて
容量あたりの謡れ電流が極端に小さく、たとえば酸化タ
ンタルが３７％である場合（Ｃ＋）には、印加電圧がｅ
ｏｖＢ下では、Ａ１２０３（ｄ）よりも容量あたりの漏
れ電流が小さくなっている。
これは、誘電体薄膜中のイオン伝導に寄与してい、た空
格子点がアルミニウム原子により埋められたためである
と考えられる。
格子点がアルミニウム原子により埋められたためである
と考えられる。
下表に酸化メンタルの分子比率とＥｂ との関係を示
す。
す。
７−
上表よりメンタルとアルミニウムとの複合酸化膜は、Ｔ
ＩＬ２０５ （１００％）よりもＥｂがずっと向上して
いることがわかる。
ＩＬ２０５ （１００％）よりもＥｂがずっと向上して
いることがわかる。
以上説明したように、本発明による薄膜発光素子は、誘
電体薄膜層として、εｒが大きく、漏れ電流が非常に小
さく、Ｅｂの大きいタンタルとアルミニウムとの複合酸
化膜を使用しているので、駆動電圧が低く安定な特性を
有している。また前記複合酸化膜は、電極材料（ＩＴＯ
，Ａｌなど）との結合性もよく耐水性にもぼれている。
電体薄膜層として、εｒが大きく、漏れ電流が非常に小
さく、Ｅｂの大きいタンタルとアルミニウムとの複合酸
化膜を使用しているので、駆動電圧が低く安定な特性を
有している。また前記複合酸化膜は、電極材料（ＩＴＯ
，Ａｌなど）との結合性もよく耐水性にもぼれている。
実施例の説明
本発明による薄膜発光素子の一実施例をならびにその比
較例について第４図を用いて説明する。
較例について第４図を用いて説明する。
ガラスからなる絶縁基板３上に１１００ｎ程度の膜厚を
有するＩＴＯ（インジウム錫酸化物）よりなる透明電極
４を、さらにその上にａｏｎｍ程度の膜厚を有するＹ２
Ｏ６膜６を電子ビーム蒸着法で順次蒸着した。この上に
２０ｏｎｍ程度の膜厚を有するＺｎＳ：Ｍｎの螢光体層
６をスパッタ法により形成した。その後、真空中におい
て６２０℃で１時間熱処理を行なった。この素子を三分
割し、そのうちの素子１および素子２は比較用の試料と
して、第４図（Ａ） 、 （Ｂ）に示すように、それぞ
れ３００ｎｍ程度の膜厚を有するＴａ２０５膜７および
Ａｌ２Ｏ３膜８をスパッタ法により形成した。−力木発
明の一実施例としての素子３には、第４図（Ｃ）に示す
ように、３ｏｏｎｍ程度の膜厚を有するＴａ２０５の分
子比率が６ｏ％であるメンタルとアルミニウムとの複合
酸化膜からなる誘電体薄膜層９をスパッタ法により形成
した。最後に１１００ｎ程度の膜厚を有する光反射用Ａ
Ｉ主電極０を真空蒸着した。
有するＩＴＯ（インジウム錫酸化物）よりなる透明電極
４を、さらにその上にａｏｎｍ程度の膜厚を有するＹ２
Ｏ６膜６を電子ビーム蒸着法で順次蒸着した。この上に
２０ｏｎｍ程度の膜厚を有するＺｎＳ：Ｍｎの螢光体層
６をスパッタ法により形成した。その後、真空中におい
て６２０℃で１時間熱処理を行なった。この素子を三分
割し、そのうちの素子１および素子２は比較用の試料と
して、第４図（Ａ） 、 （Ｂ）に示すように、それぞ
れ３００ｎｍ程度の膜厚を有するＴａ２０５膜７および
Ａｌ２Ｏ３膜８をスパッタ法により形成した。−力木発
明の一実施例としての素子３には、第４図（Ｃ）に示す
ように、３ｏｏｎｍ程度の膜厚を有するＴａ２０５の分
子比率が６ｏ％であるメンタルとアルミニウムとの複合
酸化膜からなる誘電体薄膜層９をスパッタ法により形成
した。最後に１１００ｎ程度の膜厚を有する光反射用Ａ
Ｉ主電極０を真空蒸着した。
以上の三素子について５ｋｌｌｚの正弦波電圧を印加し
て駆動したところ、発光輝度Ｂは第６図に示すようにな
った。図においてｅ＋ ｆ ＋ ｑはそれぞれ素子１．
素子２．素子３の発光輝度特性を示している。この図よ
り明らかなように、誘電体薄膜層がＴａ２０５である場
合（θ）には、漏れ電流が多いために高電界では発光輝
度Ｂは飽和状態となる。
て駆動したところ、発光輝度Ｂは第６図に示すようにな
った。図においてｅ＋ ｆ ＋ ｑはそれぞれ素子１．
素子２．素子３の発光輝度特性を示している。この図よ
り明らかなように、誘電体薄膜層がＴａ２０５である場
合（θ）には、漏れ電流が多いために高電界では発光輝
度Ｂは飽和状態となる。
一方、Ａｌ２Ｏ３の場合（ｆ）には、駆動電圧が高い。
これに対して、本発明の実施例素子３の場合（ｑ）に９
、− 駆動電圧がＡｌ２Ｏ３の場合に比べて大幅に低く、Ｔａ
ｚＯｓのみの場合より若干高い程度であり、絶縁耐圧も
向上しており高輝度が得られることがわかる０捷た、こ
の素子３は、経時変化も少なく、長寿命であることも確
認された。
、− 駆動電圧がＡｌ２Ｏ３の場合に比べて大幅に低く、Ｔａ
ｚＯｓのみの場合より若干高い程度であり、絶縁耐圧も
向上しており高輝度が得られることがわかる０捷た、こ
の素子３は、経時変化も少なく、長寿命であることも確
認された。
本実施例では、透明電極側の誘電体薄膜層をＹ２Ｏ３膜
としたが、これもタンタルとアルミニウムとの複合酸化
膜としてよいことは言うまでもないことである。
としたが、これもタンタルとアルミニウムとの複合酸化
膜としてよいことは言うまでもないことである。
発光活性物質としてはＭｎ１７外に、ｃｕ 、 Ａｇ
。
。
Ａｌ、Ｔｂ、ＤｙＪ：ｒ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｈｏ、Ｔｍ、
およびこれらのハロゲン化物からなるグループのなか
から選ばれた少なくとも１種を用いることにより、種々
の発光色の薄膜発光素子を構成することができた。
およびこれらのハロゲン化物からなるグループのなか
から選ばれた少なくとも１種を用いることにより、種々
の発光色の薄膜発光素子を構成することができた。
第６図は、タンタルとアルミニウムとの複合酸化膜にお
いて、’ｌ’ａ２０ｓの分子比率と印加電圧が２０Ｖの
ときの容量あたりの漏れ電流との関係を示している。測
定は前述と同様Ａｌ電極で挾んで行なった。この図から
れかるように、Ｔａ２０５の１０゜ 分子比率を２０％から７ｏ％までとしたとき、比較的漏
れ電流が小さく、εｒの高い誘電体薄膜層を得ることが
できる。
いて、’ｌ’ａ２０ｓの分子比率と印加電圧が２０Ｖの
ときの容量あたりの漏れ電流との関係を示している。測
定は前述と同様Ａｌ電極で挾んで行なった。この図から
れかるように、Ｔａ２０５の１０゜ 分子比率を２０％から７ｏ％までとしたとき、比較的漏
れ電流が小さく、εｒの高い誘電体薄膜層を得ることが
できる。
ガラス基板上の複数本のストライブ状透明電極と複数本
のストライプ状背面電極との間に螢光体薄膜層および誘
電体薄膜層を積層し、透明電極と背面電極が互いに交差
してマｌ−ＩＪソックス極となるような構造の薄膜発光
素子を作製したが、この場合にも前述と同様の効果が得
らｎた。
のストライプ状背面電極との間に螢光体薄膜層および誘
電体薄膜層を積層し、透明電極と背面電極が互いに交差
してマｌ−ＩＪソックス極となるような構造の薄膜発光
素子を作製したが、この場合にも前述と同様の効果が得
らｎた。
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電体薄膜層として、比
誘電率（εｒ）が大きく、漏れ電流が非常に小さく、絶
縁破壊電界強［（Ｅｂ）の大きいクンタルとアルミニウ
ムとの複合酸化膜を使用することにより、駆動電圧が低
く、安定な特性を有する薄膜発光素子を提供することが
できる。１だ、構造が簡単であるので、量産にも適し製
造コストを大幅に引き下げることができるため工業的価
値も高い。
誘電率（εｒ）が大きく、漏れ電流が非常に小さく、絶
縁破壊電界強［（Ｅｂ）の大きいクンタルとアルミニウ
ムとの複合酸化膜を使用することにより、駆動電圧が低
く、安定な特性を有する薄膜発光素子を提供することが
できる。１だ、構造が簡単であるので、量産にも適し製
造コストを大幅に引き下げることができるため工業的価
値も高い。
１１
第１図は本発明による複合酸化膜をスノクツタするため
のターゲットの構成図、第２図、第３図および第６図は
誘電体薄膜の特性説明図、第４図（Ａ）（Ｂ）は本発明
に対する比較例の、また同図（Ｃ）ｌ′ｉ本発明の薄膜
発光素子の一実施例の各構造を示す図、第６図はこの実
施例の特性を示す図である。 １・・・・・・’ｒａ 板、２・・・・・・Ａｌ板、９
・・・・・・タンタルとアルミニウムとの複合酸化膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 Ｔａ２ρ６め否３比津（％） 第３図 ９０υ鷹屋（Ｖ） 第４図 （Ａ） 第６図 範５図
のターゲットの構成図、第２図、第３図および第６図は
誘電体薄膜の特性説明図、第４図（Ａ）（Ｂ）は本発明
に対する比較例の、また同図（Ｃ）ｌ′ｉ本発明の薄膜
発光素子の一実施例の各構造を示す図、第６図はこの実
施例の特性を示す図である。 １・・・・・・’ｒａ 板、２・・・・・・Ａｌ板、９
・・・・・・タンタルとアルミニウムとの複合酸化膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 Ｔａ２ρ６め否３比津（％） 第３図 ９０υ鷹屋（Ｖ） 第４図 （Ａ） 第６図 範５図
Claims (4)
- （１）螢光体薄膜層の少なくとも一方の面上に、タンタ
ルとアルミニウムとの複合酸化膜からなる誘電体薄膜層
を設けたことを特徴とする薄膜発光素子。 - （２）螢光体薄膜層が発光活性物質を含む硫化亜鉛を主
成分とする発光体層であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の薄膜発光素子。 １ - （３）発光活性物質が、Ｍｎ 、 Ｃｕ 、 Ａｇ 、
＋＃、 Ｔｂ 、Ｄｙ。 Ｅｒ 、Ｐｒ 、Ｓｍ 、Ｈｏ 、Ｔｍおよびこれらノ
ハロゲン化物から成るグループのなかから選ばれた少な
くとも１種であることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の薄膜発光素子。 - （４）タンタルとアルミニウムとの複合酸化膜中の酸化
タンタルの分子比率が２０％から７０％捷でであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜発光素子
。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58098343A JPS59224098A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | 薄膜発光素子 |
| DE8484901397T DE3480243D1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-29 | Method of manufacturing thin-film integrated devices |
| PCT/JP1984/000145 WO1984003992A1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-29 | Thin-film integrated device |
| US06/678,547 US4602192A (en) | 1983-03-31 | 1984-03-29 | Thin film integrated device |
| EP84901397A EP0139764B1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-29 | Method of manufacturing thin-film integrated devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58098343A JPS59224098A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | 薄膜発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59224098A true JPS59224098A (ja) | 1984-12-15 |
| JPH046277B2 JPH046277B2 (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=14217256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58098343A Granted JPS59224098A (ja) | 1983-03-31 | 1983-06-02 | 薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59224098A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5027488A (ja) * | 1973-07-10 | 1975-03-20 | ||
| JPS58216391A (ja) * | 1982-06-10 | 1983-12-16 | 株式会社リコー | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1983
- 1983-06-02 JP JP58098343A patent/JPS59224098A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5027488A (ja) * | 1973-07-10 | 1975-03-20 | ||
| JPS58216391A (ja) * | 1982-06-10 | 1983-12-16 | 株式会社リコー | 薄膜ｅｌ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH046277B2 (ja) | 1992-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4482841A (en) | Composite dielectrics for low voltage electroluminescent displays | |
| EP0111568A1 (en) | Thin film electric field light-emitting device | |
| JPS5823191A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS61230296A (ja) | Ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JPH06310279A (ja) | エレクトロルミネセンスランプ | |
| JPS59224098A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| JP2818736B2 (ja) | 誘電体薄膜および誘電体薄膜を用いた薄膜発光素子 | |
| JPH03112089A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS5829880A (ja) | 電場発光素子 | |
| KR100283283B1 (ko) | 평탄한 계면을 갖는 전계발광 소자 및 제조방법 | |
| JPS6369193A (ja) | Ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JPS6315719B2 (ja) | ||
| JPH0516158B2 (ja) | ||
| JPS6344685A (ja) | 薄膜画像表示装置 | |
| JPS6345797A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| JPS62115694A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0632308B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 | |
| JPS6310493A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子 | |
| JP2813259B2 (ja) | 薄膜誘電体 | |
| JPS63264894A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH01255194A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS58175294A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| JPS62216194A (ja) | エレクトロルミネツセンスパネル | |
| JPS6151797A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH04363895A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 |