JPS5992598A - 電子部品搭載用セラミック基体 - Google Patents
電子部品搭載用セラミック基体Info
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- JPS5992598A JPS5992598A JP20348782A JP20348782A JPS5992598A JP S5992598 A JPS5992598 A JP S5992598A JP 20348782 A JP20348782 A JP 20348782A JP 20348782 A JP20348782 A JP 20348782A JP S5992598 A JPS5992598 A JP S5992598A
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- Japan
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- nickel
- plating
- alloy
- layer
- ceramic substrate
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明に電子部品をハンダを用いて接着し塔載する場
合に用いられる電子部品搭載用セラミック基体に関する
ものである。
合に用いられる電子部品搭載用セラミック基体に関する
ものである。
従来電子部品、例えばリードレスパッケージ、ＩＣパッ
ケージ、ＬＳ■パッケージ、チップコンデンサ、チップ
抵抗等をハンダ付によって塔載するセラミック基体は第
１図に示すような構造のものであった。すなわちアルミ
ナ等のセラミック基板２の表面にタングステン、モリブ
デン、モリブデン・マンガン等の高融点金属または高融
点金属の合金のメタフイズ部３を施し、その上に電解ま
たは無電解メッキによってニッケルまたはニッケル・リ
ン合金からなる第１皮膜層４ａを形成したのち還元性雰
囲気中で熱処理し、かくして形成された第１皮膜の上に
電解または無電解メッキによってニッケ／Ｌ’またはニ
ッケル・リン合金からなる第２皮膜層４’ｂを形成し、
δらに該第２のニッケ／Ｌ／またはニラ扮ル・リン合金
皮膜層の上に電解メ 。
ケージ、ＬＳ■パッケージ、チップコンデンサ、チップ
抵抗等をハンダ付によって塔載するセラミック基体は第
１図に示すような構造のものであった。すなわちアルミ
ナ等のセラミック基板２の表面にタングステン、モリブ
デン、モリブデン・マンガン等の高融点金属または高融
点金属の合金のメタフイズ部３を施し、その上に電解ま
たは無電解メッキによってニッケルまたはニッケル・リ
ン合金からなる第１皮膜層４ａを形成したのち還元性雰
囲気中で熱処理し、かくして形成された第１皮膜の上に
電解または無電解メッキによってニッケ／Ｌ’またはニ
ッケル・リン合金からなる第２皮膜層４’ｂを形成し、
δらに該第２のニッケ／Ｌ／またはニラ扮ル・リン合金
皮膜層の上に電解メ 。
ツキ法又は無電解メッキ法によって形成された金メッキ
層５とから構成されるハンダ材用下地金属部を有してい
た。
層５とから構成されるハンダ材用下地金属部を有してい
た。
しかし、このような電子部品搭載用セラミック基体は、
第２の合金皮膜層４ｂの酸化を防止するため、その上に
高価な金を使って金メッキ層５を形成しなければならず
、製造コストが高くなると云う欠点をもっていた。
第２の合金皮膜層４ｂの酸化を防止するため、その上に
高価な金を使って金メッキ層５を形成しなければならず
、製造コストが高くなると云う欠点をもっていた。
そのため最近では金の使用量を減らして製造コストの低
減を図るために電子部品の製造においてニッケルーポロ
ン合金を無電解メッキ法によってメッキする方法が用い
られるようになってきつ−ある。
減を図るために電子部品の製造においてニッケルーポロ
ン合金を無電解メッキ法によってメッキする方法が用い
られるようになってきつ−ある。
゛ し力化電子部品搭載用セヲミツク基体のハンダ併用
下地金属部を無電解メッキ法によってメッキされたニッ
ケルーポロン合金で形成した場合、メッキされたニッケ
ルーポロン合金からなるハンダ併用下地金属部のハンダ
温性は良好な反面、メタライズ部との接着性が悪く、メ
タライズ部との接着性を良くするために熱処理すればハ
ンダ温性が悪くなってしまうという問題が生じた。
下地金属部を無電解メッキ法によってメッキされたニッ
ケルーポロン合金で形成した場合、メッキされたニッケ
ルーポロン合金からなるハンダ併用下地金属部のハンダ
温性は良好な反面、メタライズ部との接着性が悪く、メ
タライズ部との接着性を良くするために熱処理すればハ
ンダ温性が悪くなってしまうという問題が生じた。
本発明は上記の問題を解決してニッケルーポロン合金を
ハンダ併用下地金属として用いるべく種々試輸研究の結
果なされたものであり、安価で且つハンダ温性、接着性
ともに優れたハンダ併用下地金属部を有する電子部品搭
載用セラミック基体の提供を目的とし、セラミック基板
の表面に形成された高融点金属ま′たは高融点金属の合
金からなるメタライズ部上のニッケル基合金またはニッ
ケルの熱処理されたメッキ層からなる第１皮膜層と該第
１皮膜層の上のニッケルーポロン合金メッキ層からなる
第２皮膜層とより構成テれるノλンダ付用下地金属部を
有する電子部品搭載用セラミック基体を要旨とする。
ハンダ併用下地金属として用いるべく種々試輸研究の結
果なされたものであり、安価で且つハンダ温性、接着性
ともに優れたハンダ併用下地金属部を有する電子部品搭
載用セラミック基体の提供を目的とし、セラミック基板
の表面に形成された高融点金属ま′たは高融点金属の合
金からなるメタライズ部上のニッケル基合金またはニッ
ケルの熱処理されたメッキ層からなる第１皮膜層と該第
１皮膜層の上のニッケルーポロン合金メッキ層からなる
第２皮膜層とより構成テれるノλンダ付用下地金属部を
有する電子部品搭載用セラミック基体を要旨とする。
以下、図面を参照しつ＼本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明に係る電子′部品塔載用セラミック基体
の一例の断面を模型的に示した図で、電子部品搭載用基
体２１は、例えば９４％アルミナ等からなるセラミック
基板２２と該表面に形成されたタングステン、モリブデ
ン、モリブデン・マンガン等の高融点金属、またに高融
点金属の合金からなるメタライズ部２３と該メタライズ
部上のニッケル基合金またげニッケルの熱処理されたメ
ッキ層からなる第１皮膜層２４ａと該第１皮膜層の上の
ニッケルーポロン合金メッキ層からなる第２皮膜Ｎ ２
４ｂから構成される下地用金属部２４を有している。
の一例の断面を模型的に示した図で、電子部品搭載用基
体２１は、例えば９４％アルミナ等からなるセラミック
基板２２と該表面に形成されたタングステン、モリブデ
ン、モリブデン・マンガン等の高融点金属、またに高融
点金属の合金からなるメタライズ部２３と該メタライズ
部上のニッケル基合金またげニッケルの熱処理されたメ
ッキ層からなる第１皮膜層２４ａと該第１皮膜層の上の
ニッケルーポロン合金メッキ層からなる第２皮膜Ｎ ２
４ｂから構成される下地用金属部２４を有している。
次にこのような構成からなる電子部品搭載用セラミック
基体２１の製造方法例を説明する。
基体２１の製造方法例を説明する。
例えばＡ４２０３９４ｗｔ％、 ＭｇＯ、５ｉ０４ 、
ＣａＯ等の鉱化剤６ｗｔ％からなるアルミナ質セラミ
ック原料粉末に有機バインダー、可塑剤を配合してスラ
リー状となし、ドクターブレード法によって所望の厚み
をもつアルミナセラミック生テープを製造したのち、所
望の形状、大きさＴ／Ｃ，成形してアルミナセラミック
生基板とする。
ＣａＯ等の鉱化剤６ｗｔ％からなるアルミナ質セラミ
ック原料粉末に有機バインダー、可塑剤を配合してスラ
リー状となし、ドクターブレード法によって所望の厚み
をもつアルミナセラミック生テープを製造したのち、所
望の形状、大きさＴ／Ｃ，成形してアルミナセラミック
生基板とする。
次に該アルミナセラミック生基板の表面に例えばタング
ステン粉末を含むメタライズペーストをスクリーン印刷
法により所望の形状に印刷し、還元性雰囲気中１４５０
〜１６００℃で焼成してタングステンからなるメタライ
ズ部２８の形成されたアルミナからなるセラミック基板
２２がつくられる。
ステン粉末を含むメタライズペーストをスクリーン印刷
法により所望の形状に印刷し、還元性雰囲気中１４５０
〜１６００℃で焼成してタングステンからなるメタライ
ズ部２８の形成されたアルミナからなるセラミック基板
２２がつくられる。
次で上記セラミック基板２２を脱脂液中に浸漬して前記
メタライズ部２３を脱脂したのち酸洗浄を行ない、さら
にパラジウム触媒中に浸漬してメタライズ部２３の活性
化を行う。
メタライズ部２３を脱脂したのち酸洗浄を行ない、さら
にパラジウム触媒中に浸漬してメタライズ部２３の活性
化を行う。
次に例えば■、ニッケル化合物と次亜リン酸ナトリウム
ヲ含む無電解ニッケルメッキ１ｓ−７８０（商品名）を
用い、メッキ中のニッケル濃度４〜６Ｖｔ、ＰＨ値４〜
４．５．メッキ浴温度９０±５℃に保ちつつ無電解メッ
キ法によシ所望の厚みにニッケルーリン合金をメタライ
ズ部２３上にメッキしたのち、還元性雰囲気中７５０℃
で熱処理してニッケルーリン合金からなる第１の合金皮
膜層２４ａを形成するか、またば■、ニッケル化合物と
ジメチルアミンボラン還元剤を含む無電解メッキ液ＢＥ
Ｌ８０１ （商品名）を用いてメッキ中のニッケル濃度
５．５〜６．０ｇ／Ｚ、ＰＨ値６．３〜６．７．メッキ
浴温度６５±１℃に保ちつ一無電解メツキ法によシ所望
の厚みにニッケルーポロン合金をメタライズ部２３上に
メッキしたのち、還元性雰囲気中７５０℃で熱処理して
ニッケルーポロン合金からなる第１の合金皮膜層２４ａ
を形成するか、または■、ニッケル塩化物、塩酸を含む
市販メッキ液を用い、メッキ時のニッケル濃度を５０〜
１００ Ｖｔ。
ヲ含む無電解ニッケルメッキ１ｓ−７８０（商品名）を
用い、メッキ中のニッケル濃度４〜６Ｖｔ、ＰＨ値４〜
４．５．メッキ浴温度９０±５℃に保ちつつ無電解メッ
キ法によシ所望の厚みにニッケルーリン合金をメタライ
ズ部２３上にメッキしたのち、還元性雰囲気中７５０℃
で熱処理してニッケルーリン合金からなる第１の合金皮
膜層２４ａを形成するか、またば■、ニッケル化合物と
ジメチルアミンボラン還元剤を含む無電解メッキ液ＢＥ
Ｌ８０１ （商品名）を用いてメッキ中のニッケル濃度
５．５〜６．０ｇ／Ｚ、ＰＨ値６．３〜６．７．メッキ
浴温度６５±１℃に保ちつ一無電解メツキ法によシ所望
の厚みにニッケルーポロン合金をメタライズ部２３上に
メッキしたのち、還元性雰囲気中７５０℃で熱処理して
ニッケルーポロン合金からなる第１の合金皮膜層２４ａ
を形成するか、または■、ニッケル塩化物、塩酸を含む
市販メッキ液を用い、メッキ時のニッケル濃度を５０〜
１００ Ｖｔ。
メッキ浴湿度を４０〜５０℃に保ちつ一ニッケルストラ
イクメッキを行ない、さらにＰＨ緩衝剤、陽極活性剤を
含む市販のヌルファミン酸ニッケルメッキ液を用い、メ
ッキ時のニッケル濃度５０〜ｔｏｏｇ７ｚ、メッキ浴温
度４０〜５０℃に保ちつ＼電解ニッケルメッキを所望の
厚みにメタライズ部２３上に施したのち、還元性雰囲気
中７５０℃で熱処理してニッケルからなる第１の皮膜層
２４ａを形成する。
イクメッキを行ない、さらにＰＨ緩衝剤、陽極活性剤を
含む市販のヌルファミン酸ニッケルメッキ液を用い、メ
ッキ時のニッケル濃度５０〜ｔｏｏｇ７ｚ、メッキ浴温
度４０〜５０℃に保ちつ＼電解ニッケルメッキを所望の
厚みにメタライズ部２３上に施したのち、還元性雰囲気
中７５０℃で熱処理してニッケルからなる第１の皮膜層
２４ａを形成する。
次で熱処理てれた第１の皮膜層２４ａの上に前述のＢＥ
Ｌ８０１無電解ニッケルメッキ液を用い、メッキ中のニ
ッケル濃度５．５〜６．０ ｇ／ｚ、 ＰＨ値６．３〜
６．７．メッキ浴温度６５±１ｔＥに保ちっ装態電解メ
ッキ法により所望の厚みにニッケルーポロン合金をメッ
キして第２の皮膜層２４ｔｌを形成する。
Ｌ８０１無電解ニッケルメッキ液を用い、メッキ中のニ
ッケル濃度５．５〜６．０ ｇ／ｚ、 ＰＨ値６．３〜
６．７．メッキ浴温度６５±１ｔＥに保ちっ装態電解メ
ッキ法により所望の厚みにニッケルーポロン合金をメッ
キして第２の皮膜層２４ｔｌを形成する。
このようにして、セラミック基板２２の表面に形成され
たメタライズ部２３上にニッケル基合金またはニッケル
からなる熱処理された第１皮膜層２４ａとその上のニッ
ケルーポロン合金からなる第２皮膜８２４１）とで構成
されるハンダ併用下地金属部２４を有する電子部品搭載
用セラミック基体２１を製作することができる。
たメタライズ部２３上にニッケル基合金またはニッケル
からなる熱処理された第１皮膜層２４ａとその上のニッ
ケルーポロン合金からなる第２皮膜８２４１）とで構成
されるハンダ併用下地金属部２４を有する電子部品搭載
用セラミック基体２１を製作することができる。
上記の如くにして製作した本発明電子部品搭載用セラミ
ック基体の効果としてハンダ温性、接着性について試験
した結果を第１表に記載する。なお比較のため従来の金
メッキ層を有するものも同表に掲げた。
ック基体の効果としてハンダ温性、接着性について試験
した結果を第１表に記載する。なお比較のため従来の金
メッキ層を有するものも同表に掲げた。
同表中本発明品のＡは第１皮膜層２４ａを前記ののニッ
ケルーリン合金層としたもので厚で１寵、巾５ ｍ 、
長さ５０ｍの９４％アルミナセラミック基板に前述の如
くにしてタングステンからなるメタフイズ部を形成しそ
の上にニッケルーリン合金メッキの第１皮膜層を形成後
熱処理を施し第１皮膜層の上にニッケルーポロンのメッ
キ層からなる第２皮膜層２４′ｂを形成したもので第１
皮膜層厚２μ、第２皮膜層厚１μである。
ケルーリン合金層としたもので厚で１寵、巾５ ｍ 、
長さ５０ｍの９４％アルミナセラミック基板に前述の如
くにしてタングステンからなるメタフイズ部を形成しそ
の上にニッケルーリン合金メッキの第１皮膜層を形成後
熱処理を施し第１皮膜層の上にニッケルーポロンのメッ
キ層からなる第２皮膜層２４′ｂを形成したもので第１
皮膜層厚２μ、第２皮膜層厚１μである。
同表中、本発明品のＢは、第１皮膜＃ ２４ａを前記■
のニッケルーポロン合金層としたもので、その他は全て
上記Ａと同様でアシ第１皮膜層厚２Ｐｓ “第２皮
膜層厚１μでるる。
のニッケルーポロン合金層としたもので、その他は全て
上記Ａと同様でアシ第１皮膜層厚２Ｐｓ “第２皮
膜層厚１μでるる。
同表中、本発明品のＣば、第１皮膜層２４ａを前記■の
ニッケル層としたもので、その他は全て上記Ａ、Ｂと同
様であり第１皮膜層厚２μ、第２皮膜層厚１μである。
ニッケル層としたもので、その他は全て上記Ａ、Ｂと同
様であり第１皮膜層厚２μ、第２皮膜層厚１μである。
同表中、比較のために掲げた金メッキ層を有する従来品
は、厚さｌｓｎｗ、巾５龍、長５０龍の９４％アルミナ
セラミック基板にタングステンからなるメタフィズ部を
形成し、脱脂、洗浄し、パラジウム触媒液によって活性
化し、次いでニッケル化合物、次亜リン酸ナトリウムを
含む無電解ニッケルメッキ液Ｓ−７８０（商品名）を用
い、メッキ中のニッケル濃度４〜６ｇ／ｌ、ＰＨ値４〜
４，５．メッキ浴温度９０±５℃に保ちつ＼２μの厚に
ニッケルーリン合金をメッキしたのち、還元性雰囲気中
７５０℃で熱処理して第１のニッケルーリン合金Ｊｉｌ
形成し、次いで同じ無電解ニッケル液を用い同一のメッ
キ条件下で１μの厚にニッケ／Ｌ／−リン合金をメッキ
して第２のニッケルーリン合金層を形成し、さらに市販
の無電解金メッキ液、レフトロレス・プレツブ（商品名
）を用いメッキ中の金濃度３〜４ｇ／ｌ、ＰＥ（値３．
５〜７．メッキ浴温度９０±５℃に保ちつ−０，５μの
厚に金メッキしてハンダ併用下地金属部を形成したもの
である。
は、厚さｌｓｎｗ、巾５龍、長５０龍の９４％アルミナ
セラミック基板にタングステンからなるメタフィズ部を
形成し、脱脂、洗浄し、パラジウム触媒液によって活性
化し、次いでニッケル化合物、次亜リン酸ナトリウムを
含む無電解ニッケルメッキ液Ｓ−７８０（商品名）を用
い、メッキ中のニッケル濃度４〜６ｇ／ｌ、ＰＨ値４〜
４，５．メッキ浴温度９０±５℃に保ちつ＼２μの厚に
ニッケルーリン合金をメッキしたのち、還元性雰囲気中
７５０℃で熱処理して第１のニッケルーリン合金Ｊｉｌ
形成し、次いで同じ無電解ニッケル液を用い同一のメッ
キ条件下で１μの厚にニッケ／Ｌ／−リン合金をメッキ
して第２のニッケルーリン合金層を形成し、さらに市販
の無電解金メッキ液、レフトロレス・プレツブ（商品名
）を用いメッキ中の金濃度３〜４ｇ／ｌ、ＰＥ（値３．
５〜７．メッキ浴温度９０±５℃に保ちつ−０，５μの
厚に金メッキしてハンダ併用下地金属部を形成したもの
である。
第 １ 表
第１表中のＯ印はハンダに完全に濡れるとの判定でメジ
、△印は完全でにないが、ハンダ付に必要な程度に濡れ
るとの判定、Ｘ印にハンダに成る程度は濡れるがハンダ
付に充分な程でにないとの判定を示すものである。
、△印は完全でにないが、ハンダ付に必要な程度に濡れ
るとの判定、Ｘ印にハンダに成る程度は濡れるがハンダ
付に充分な程でにないとの判定を示すものである。
ハンダ温性の判定ハ、ロジン系フラックスＧＸ−７（商
品名）を塗布し、温度２３０℃のＨ６８Ａ（日本工業規
格）のハンダ浴中に深さ２ｆｉ、２０秒間浸漬をする条
件のメースコグラフ法によって行った。
品名）を塗布し、温度２３０℃のＨ６８Ａ（日本工業規
格）のハンダ浴中に深さ２ｆｉ、２０秒間浸漬をする条
件のメースコグラフ法によって行った。
また接着性の判定Ｈ２ｍ＋１１Ｘ２鰭のメタライズ部に
ハンダ併用下地金属部を施したパッド上にロジン系フラ
ックスＧ Ｘ −７を塗布して温度２３０℃のＨ６３Ａ
のハンダ浴中に４秒間浸漬したのち、該パッドに直ｔ”
ｆ−０，６”のスズメッキ銅線を垂直にハンダ付したの
ちプッシュプルゲージを用いて測定した。
ハンダ併用下地金属部を施したパッド上にロジン系フラ
ックスＧ Ｘ −７を塗布して温度２３０℃のＨ６３Ａ
のハンダ浴中に４秒間浸漬したのち、該パッドに直ｔ”
ｆ−０，６”のスズメッキ銅線を垂直にハンダ付したの
ちプッシュプルゲージを用いて測定した。
第１表から明かなように、評価の基準とした従来品、す
なわち第１のニッケルーリン合金層と第２のニッケルー
リン合金層および金メッキ層から溝成芒れるハンダ併用
下地金属部を有する試料に比較して、本発明に属する試
料Ａ、Ｂ、Ｃ［接着性の点において同等であり、シカも
ハンダ温性の点において優れるものである。
なわち第１のニッケルーリン合金層と第２のニッケルー
リン合金層および金メッキ層から溝成芒れるハンダ併用
下地金属部を有する試料に比較して、本発明に属する試
料Ａ、Ｂ、Ｃ［接着性の点において同等であり、シカも
ハンダ温性の点において優れるものである。
以上詳述したように、本発明に係る電子部品搭載用セラ
ミック基体は、高価な金を用いずして、金を用いた場合
と比較して遜色のないハンダ温性とメタライズ部との接
着性を具備するものでろるから、金の使用および金メツ
キ工程を省略し、製造コストの低減を可能とするもので
ある。
ミック基体は、高価な金を用いずして、金を用いた場合
と比較して遜色のないハンダ温性とメタライズ部との接
着性を具備するものでろるから、金の使用および金メツ
キ工程を省略し、製造コストの低減を可能とするもので
ある。
第１図は従来の電子部品搭載用セラミック基体の一部断
面図０第２図は本発明の電子部品搭載用セラミック基体
の一部断面図である。 Ｌ ２１ ：セラミック基体、２．２２ ：セラミック
基板、Ｌ ２３ ：メタライズ部、４ａ：第１のニッケ
ルまたはニッケルーリン層、４’ｔ）：第２のニッケ／
Ｌ／マたげニッケルーリン層、５：金メッキ層、２４：
ハンダ併用下地金属部、２４ａ：第１皮膜層、２４ｂ：
第２皮膜層にッケルーボロン合金層） 出願人 鳴海製陶株式会社
面図０第２図は本発明の電子部品搭載用セラミック基体
の一部断面図である。 Ｌ ２１ ：セラミック基体、２．２２ ：セラミック
基板、Ｌ ２３ ：メタライズ部、４ａ：第１のニッケ
ルまたはニッケルーリン層、４’ｔ）：第２のニッケ／
Ｌ／マたげニッケルーリン層、５：金メッキ層、２４：
ハンダ併用下地金属部、２４ａ：第１皮膜層、２４ｂ：
第２皮膜層にッケルーボロン合金層） 出願人 鳴海製陶株式会社
Claims (1)
- （１）セラミック板の表面に形成された高融点金属また
は高融点金属の合金からなるメタライズ部上のニッケル
基合金またげニッケルの熱処理されたメッキ層からなる
第１皮膜層と該第１皮膜層の上のニッケルーボロン合金
メッキ層からなる第２皮膜層とより構成されるハンダ材
用下地金属部を有することを特徴とする電子部品搭載用
セラミック基体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20348782A JPS5992598A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 電子部品搭載用セラミック基体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20348782A JPS5992598A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 電子部品搭載用セラミック基体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992598A true JPS5992598A (ja) | 1984-05-28 |
| JPS6314877B2 JPS6314877B2 (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=16474965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20348782A Granted JPS5992598A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 電子部品搭載用セラミック基体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5992598A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60236251A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パツケ−ジ |
| JPS6428927A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Stanley Electric Co Ltd | Metallized structure for chip-on glass mounting |
| JPS6483686A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Hitachi Ltd | Multilayer plating method |
| JPH01224288A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-07 | Toshiba Corp | めっきを施したセラミックス部品 |
| JPH0364985A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-03-20 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法 |
| JPH03229891A (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-11 | Seikosha Co Ltd | 金属の表面処理方法 |
-
1982
- 1982-11-18 JP JP20348782A patent/JPS5992598A/ja active Granted
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| JPS60236251A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パツケ−ジ |
| JPS6428927A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Stanley Electric Co Ltd | Metallized structure for chip-on glass mounting |
| JPS6483686A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Hitachi Ltd | Multilayer plating method |
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| JPH0364985A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-03-20 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法 |
| JPH03229891A (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-11 | Seikosha Co Ltd | 金属の表面処理方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| JPS6314877B2 (ja) | 1988-04-01 |
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