JPS5990973A - 半導体発光ダイオ−ド - Google Patents
半導体発光ダイオ−ドInfo
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- JPS5990973A JPS5990973A JP57200569A JP20056982A JPS5990973A JP S5990973 A JPS5990973 A JP S5990973A JP 57200569 A JP57200569 A JP 57200569A JP 20056982 A JP20056982 A JP 20056982A JP S5990973 A JPS5990973 A JP S5990973A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体発光ダイオード(以下LEDと呼ぶ)
Iと関するものであるo L E Dは、光通信システ
ムの光源として重要であり、研究開発か精力的に行なわ
れている0特に発光波長0.8μm帯のGaAs/AA
fGaAs系のL E Dは、既に実用に供せられてい
る。ところでL E Dの光通信用光源としての利点は
、安価であること、信頼性に優れていることの他に、電
流−光出力特性の直線性が優れているという利点があり
、特にアナログ変調方式の通信システムの光源として、
型費な役割を果している。さて、近年の光ファイバの低
損失化に伴ない波長1μm=1.7μ、といった長波長
帯か伝送損失最小の領域となった。これに伴ない、光源
としてもこの波長領域の光を出力するInGaAsP/
InP系のLEDの研究開発が進められている。
Iと関するものであるo L E Dは、光通信システ
ムの光源として重要であり、研究開発か精力的に行なわ
れている0特に発光波長0.8μm帯のGaAs/AA
fGaAs系のL E Dは、既に実用に供せられてい
る。ところでL E Dの光通信用光源としての利点は
、安価であること、信頼性に優れていることの他に、電
流−光出力特性の直線性が優れているという利点があり
、特にアナログ変調方式の通信システムの光源として、
型費な役割を果している。さて、近年の光ファイバの低
損失化に伴ない波長1μm=1.7μ、といった長波長
帯か伝送損失最小の領域となった。これに伴ない、光源
としてもこの波長領域の光を出力するInGaAsP/
InP系のLEDの研究開発が進められている。
しかしながら、従来のInGaAsP/lnP系の1m
では、電流の増加につれて、光出力が飽和するという飽
和現象がみられ、電流−光出力特性の直線性が極めて悪
かった0そのためにアナログ変調方式の通信システムに
適しているという、LOUDの大きな利点が損なわれて
いた。最近の研9じによりこの飽和現象は、オージー再
結合という材料固有の現象が主な原因であることが明ら
かになってきた。この様に原因がかなり本質的なことも
あって電流−光出力特性の飽和という問題に対し、実用
上有効な手段は、これまで得られていなかった〇本発明
はこのような欠点を除くためになされたもので、ファイ
バ結合パワーを大きく損なうことなく醒流−先出力特性
の直線性の著しく改善したLEDを提供するものである
。
では、電流の増加につれて、光出力が飽和するという飽
和現象がみられ、電流−光出力特性の直線性が極めて悪
かった0そのためにアナログ変調方式の通信システムに
適しているという、LOUDの大きな利点が損なわれて
いた。最近の研9じによりこの飽和現象は、オージー再
結合という材料固有の現象が主な原因であることが明ら
かになってきた。この様に原因がかなり本質的なことも
あって電流−光出力特性の飽和という問題に対し、実用
上有効な手段は、これまで得られていなかった〇本発明
はこのような欠点を除くためになされたもので、ファイ
バ結合パワーを大きく損なうことなく醒流−先出力特性
の直線性の著しく改善したLEDを提供するものである
。
即ち、本発明は、ダブルへテロ構造を有し、半導体基板
の主表面に対し、垂直方向に光を取出す平面発光型半導
体発光ダイオードにおいて、活性層内に、発光領域の中
心部の不純物キャリヤ濃度より高い不純物キャリヤ濃度
を有する領域を、発光領域の中心部を囲むようζこ形成
したことを特徴とする半導体発光ダイオードである。
の主表面に対し、垂直方向に光を取出す平面発光型半導
体発光ダイオードにおいて、活性層内に、発光領域の中
心部の不純物キャリヤ濃度より高い不純物キャリヤ濃度
を有する領域を、発光領域の中心部を囲むようζこ形成
したことを特徴とする半導体発光ダイオードである。
以下に図面を用いて本発明について、詳細に説明する。
第1図は、本発明の1. E Dの第1の実施例を示す
図であって、第1図(alはLEDの断面構造を、第1
図(b)は、活性層の不純物濃度分布をそれぞれ示して
いる。n型InP基板10の上に、nWInI’層11
(n mI X 10”C11i” 、厚さ1〜5μ
m)、 活性層となるn型In0aAsP/l 12
(n 〜3 XIOetn s厚さ1〜2μm)、p型
InP層13 (p 〜3X1(II7ご−厚さ 〜1
μm)コンタクト層となるp型InGaAsPM14(
p〜5 XIO”aa−3、J’J−さ〜1μm)を液
相エピタキシャル法、気相エピタキシャル法などにより
、順に形成する。次に、p型InGaAaP層14の表
面上1こ四極25μm の円形状にマスクを形成し・f
オン注入により選択的にn型不純物を注入し、活性層内
にn+領域15を形成する。
図であって、第1図(alはLEDの断面構造を、第1
図(b)は、活性層の不純物濃度分布をそれぞれ示して
いる。n型InP基板10の上に、nWInI’層11
(n mI X 10”C11i” 、厚さ1〜5μ
m)、 活性層となるn型In0aAsP/l 12
(n 〜3 XIOetn s厚さ1〜2μm)、p型
InP層13 (p 〜3X1(II7ご−厚さ 〜1
μm)コンタクト層となるp型InGaAsPM14(
p〜5 XIO”aa−3、J’J−さ〜1μm)を液
相エピタキシャル法、気相エピタキシャル法などにより
、順に形成する。次に、p型InGaAaP層14の表
面上1こ四極25μm の円形状にマスクを形成し・f
オン注入により選択的にn型不純物を注入し、活性層内
にn+領域15を形成する。
即ち活性層12の基板IOに水平方向の不純物濃度分布
は第1図(b)の様になる。次に、p型1nGaAsP
層14の表面にCVDにより8i0貴膜16を形成した
後フォトレジストによりパターンを形成し直径加μmの
円形状にSi Osを除去する〇この円形パターンは、
n十領域15のパターンと同心状にする。
は第1図(b)の様になる。次に、p型1nGaAsP
層14の表面にCVDにより8i0貴膜16を形成した
後フォトレジストによりパターンを形成し直径加μmの
円形状にSi Osを除去する〇この円形パターンは、
n十領域15のパターンと同心状にする。
p型InGaAsP14及び、S s Ot II 1
6の表面上に電子ビーム蒸着により1’ l P を膜
17を形成しH,又はN露 中で熱処理することによ
り、 11オーミツク電極18を形成する0続いてn型
InP基板lOを蛤磨して約100μmの厚さにした後
、 この表面にA u G e N i蒸−fMm19
を形成する68jOm 膜16の円形パターンに合き
て、AuGeN111E19上にフォトレジストにより
パターンを形成し直径1204mの円形状にAu0eN
i を除去し、光取出し窓加を形成する。
6の表面上に電子ビーム蒸着により1’ l P を膜
17を形成しH,又はN露 中で熱処理することによ
り、 11オーミツク電極18を形成する0続いてn型
InP基板lOを蛤磨して約100μmの厚さにした後
、 この表面にA u G e N i蒸−fMm19
を形成する68jOm 膜16の円形パターンに合き
て、AuGeN111E19上にフォトレジストにより
パターンを形成し直径1204mの円形状にAu0eN
i を除去し、光取出し窓加を形成する。
最後にHl又はNm中で熱処理することによりn型オー
ミックV、極19を形成する〇 仁のLEDに順方向電流を流すと、p型InGaAsP
N 14 及U p mI n P Wl 13 M
! ”i 流IJ1 拡がす、pfflオーミック叶極
18の径より広い領域に電流が流れる。この電流拡がり
は、低゛ル流稈大きく、電流を増4−につれて、中央へ
の電流集中が起る。ところで本実施例のLEDでは活性
層12のn型不純物濃度分布か、−流の流路の中央部に
対し、外側の濃度が、高くなっている0!1型不純物濃
度が高い根拠結合速度が太きいため、不純物濃度分布が
一様である場合に比べ、低電流域における周辺部を流れ
る11f、流の割合か大きくなる。高電流域では電流集
中のため、外111jに設りた高不純物畝度領域15の
影響は、小さくなる。さてT、 J’i I)の光をフ
ァイバー1こ結合さ亡ると、発光領域の中央部のみが、
有効にファイバに結合し、周辺部での発光は、ファイバ
結合パワーには、はとんど寄与しない0従って、周辺部
を流れる電流は、ファイバ結合には、寄与しないいわば
無効電流とみなせる。この無効電流の割合が、低電流域
では従来に比べ、大きくなっているのに対し、高電流域
では、同程度になる0従ってファイバー結合パワーは、
従来のLEDでは電流増加、とともに、著しく飽和する
のに対し、本実施例のLEDでは第2図に示した様に、
電流に対して極めて優れた直線性が得られた。
ミックV、極19を形成する〇 仁のLEDに順方向電流を流すと、p型InGaAsP
N 14 及U p mI n P Wl 13 M
! ”i 流IJ1 拡がす、pfflオーミック叶極
18の径より広い領域に電流が流れる。この電流拡がり
は、低゛ル流稈大きく、電流を増4−につれて、中央へ
の電流集中が起る。ところで本実施例のLEDでは活性
層12のn型不純物濃度分布か、−流の流路の中央部に
対し、外側の濃度が、高くなっている0!1型不純物濃
度が高い根拠結合速度が太きいため、不純物濃度分布が
一様である場合に比べ、低電流域における周辺部を流れ
る11f、流の割合か大きくなる。高電流域では電流集
中のため、外111jに設りた高不純物畝度領域15の
影響は、小さくなる。さてT、 J’i I)の光をフ
ァイバー1こ結合さ亡ると、発光領域の中央部のみが、
有効にファイバに結合し、周辺部での発光は、ファイバ
結合パワーには、はとんど寄与しない0従って、周辺部
を流れる電流は、ファイバ結合には、寄与しないいわば
無効電流とみなせる。この無効電流の割合が、低電流域
では従来に比べ、大きくなっているのに対し、高電流域
では、同程度になる0従ってファイバー結合パワーは、
従来のLEDでは電流増加、とともに、著しく飽和する
のに対し、本実施例のLEDでは第2図に示した様に、
電流に対して極めて優れた直線性が得られた。
本発明は、InGaAsP/Iy+P系のLEDに限ら
ず、他のI−V族化合物半導体材料を用いたLEDにつ
いても適用することができる。
ず、他のI−V族化合物半導体材料を用いたLEDにつ
いても適用することができる。
以上述べてきた様に、本発明によりファイバー結合パワ
ーを損なうことなく、電流−光出力特性の直線性の著し
く改善したLEDを得ることができた〇
ーを損なうことなく、電流−光出力特性の直線性の著し
く改善したLEDを得ることができた〇
第1図、第2図は、本発明の詳細な説明するだめの図で
、第1図(a)はLHD断面構造、第1図(b)は、不
純物キャリヤ崇度分布、第2図は特性をそれぞれ示して
いる。 図中 10.11はnfilnP、12は活性層、13
はp型InPs14はp型InGaAsP 、15は高
不純物キャリヤ#1度領域、16は8i0雪膜、17
、18.19は金属膜、加は光取出し窓をそれぞれ示す
〇(b) 第 l 図 、I 二 く t\ 0 50 100電
流 (mA) 抹2図
、第1図(a)はLHD断面構造、第1図(b)は、不
純物キャリヤ崇度分布、第2図は特性をそれぞれ示して
いる。 図中 10.11はnfilnP、12は活性層、13
はp型InPs14はp型InGaAsP 、15は高
不純物キャリヤ#1度領域、16は8i0雪膜、17
、18.19は金属膜、加は光取出し窓をそれぞれ示す
〇(b) 第 l 図 、I 二 く t\ 0 50 100電
流 (mA) 抹2図
Claims (1)
- ダブルへテロ構造を有し、半導体基板の主表面に刺し垂
直方向に光を取出す平向発光型半導体発光ダイオードに
ふいて、活性層内に、発光領域の中心部の不純物キャリ
ヤ織度より、高い不純物キャリヤ濃度を有する領域を発
光領域の中心部を囲むように形成したこ七を特徴とする
半導体発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57200569A JPS5990973A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 半導体発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57200569A JPS5990973A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 半導体発光ダイオ−ド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5990973A true JPS5990973A (ja) | 1984-05-25 |
Family
ID=16426501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57200569A Pending JPS5990973A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 半導体発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5990973A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6333878A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-13 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光ダイオ−ド構造物 |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP57200569A patent/JPS5990973A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6333878A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-13 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光ダイオ−ド構造物 |
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