JPS59112673A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS59112673A JPS59112673A JP22317082A JP22317082A JPS59112673A JP S59112673 A JPS59112673 A JP S59112673A JP 22317082 A JP22317082 A JP 22317082A JP 22317082 A JP22317082 A JP 22317082A JP S59112673 A JPS59112673 A JP S59112673A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は、インジウムガリウムヒ素リン（工ｎＧａＡｅ
Ｐ）／インノウムリン（工ｎＰ）系の半導体よりなりダ
ゾルヘテロ槽造（以下、ＤＨ構造という。）を有する半
導体発光％ ＋ｉｇに関する。特に、光軸に沿うストラ
イプ状領域以外の領域に設けられた電流制限部の電流制
限効果を向上し、発光効率を向上する改良に関する。
Ｐ）／インノウムリン（工ｎＰ）系の半導体よりなりダ
ゾルヘテロ槽造（以下、ＤＨ構造という。）を有する半
導体発光％ ＋ｉｇに関する。特に、光軸に沿うストラ
イプ状領域以外の領域に設けられた電流制限部の電流制
限効果を向上し、発光効率を向上する改良に関する。
（２） 技術の背景
ＤＨ構造の半導体レーザにおいては層方向に垂面な方向
、すなわち縦方向に対しては再結合領域を限定しやすく
、かつ、光閉じ込め効果も大きくなしやすい。
、すなわち縦方向に対しては再結合領域を限定しやすく
、かつ、光閉じ込め効果も大きくなしやすい。
一方、層方（ロ）に沿うイ黄方向に対し、ては、活性層
の刊１．方向の幅を制限１〜ることによって再結合領域
を限らｉまたり０域に限定し、更に屈折率の差を横方向
に設けて光閉じ込め効果を大きくするとよが望ましい。
の刊１．方向の幅を制限１〜ることによって再結合領域
を限らｉまたり０域に限定し、更に屈折率の差を横方向
に設けて光閉じ込め効果を大きくするとよが望ましい。
そのため、活性層の近傍に電画制限部を設けた構造のも
のがあり、具体的には、光軸に沿うストライプ領域を除
いて活性層を左右から挾む領域に、電流方向に対して逆
方向となるｐｎ 接合が形成されることか一般である。
のがあり、具体的には、光軸に沿うストライプ領域を除
いて活性層を左右から挾む領域に、電流方向に対して逆
方向となるｐｎ 接合が形成されることか一般である。
かかる構造にあって電流制限効果を大きくするためには
、この電流制限音ＩＳをなす層の不純物達度を高くし、
少数ギヤ１ツヤ０）拡肘長を短くすればよいことが知ら
オＩてオ６◆）、そのだめの努力がなされている。
、この電流制限音ＩＳをなす層の不純物達度を高くし、
少数ギヤ１ツヤ０）拡肘長を短くすればよいことが知ら
オＩてオ６◆）、そのだめの努力がなされている。
（３） 従来技術と間（頂点
第１図１・１、従来技術におけるインノウムガ１ノウム
ヒ素リン（工ｎＧａＡｓＰ）／インジウムリン（Ｉｎｋ
）系の＃＝薄導体０な）ＩＤＨＤＨ構造する半導体レー
ザの基本構造の一例を示す断面図である。こθ）ｊｏ＜
＋に造は、液相エピタキシャル成長法（以下、ＬＰＥ法
といろ。）を使用［１，て実現されることが一般である
。図において、１はｎ型インジウム１ノン（ｎＩｎＰ）
よ））なる基板であり、２．３はそれぞれｐ２リイン、
ノウムリン（’ｐＩｎＰ） 、ｎ型インジウムＩＪン（
ｎＩｎＰ）よりなる電流制限層下層及び上層であ０．３
トよｎ型インジウムリン（ｎＩｎＰ）よりなる下部クラ
ッド層であｌ）、４はアンドープのインジウムガ１ノウ
ムヒ累リン（ＩｎＧａＡｓＰ）よりなる活性層であ１）
、同一の半導体層４′が電流制限層下層３上にも形成さ
れる。
ヒ素リン（工ｎＧａＡｓＰ）／インジウムリン（Ｉｎｋ
）系の＃＝薄導体０な）ＩＤＨＤＨ構造する半導体レー
ザの基本構造の一例を示す断面図である。こθ）ｊｏ＜
＋に造は、液相エピタキシャル成長法（以下、ＬＰＥ法
といろ。）を使用［１，て実現されることが一般である
。図において、１はｎ型インジウム１ノン（ｎＩｎＰ）
よ））なる基板であり、２．３はそれぞれｐ２リイン、
ノウムリン（’ｐＩｎＰ） 、ｎ型インジウムＩＪン（
ｎＩｎＰ）よりなる電流制限層下層及び上層であ０．３
トよｎ型インジウムリン（ｎＩｎＰ）よりなる下部クラ
ッド層であｌ）、４はアンドープのインジウムガ１ノウ
ムヒ累リン（ＩｎＧａＡｓＰ）よりなる活性層であ１）
、同一の半導体層４′が電流制限層下層３上にも形成さ
れる。
５はｐ型インジウムリン（ｐＩｎＰ）よ番）なる上部ク
ラッド層であ（）、６はｐ型インジウムガリウムヒ素リ
ン（ｐＩｎＧａＡｓＰ）よりなるコンタクト層であ０．
７．８はそれぞれ正電極及び負電極である。
ラッド層であ（）、６はｐ型インジウムガリウムヒ素リ
ン（ｐＩｎＧａＡｓＰ）よりなるコンタクト層であ０．
７．８はそれぞれ正電極及び負電極である。
この構造において、活性層を挾む左右の領域はｐ型層４
２であＩ）、その上のｎ型層３との間（二重流方向に対
して逆方向の接合を形成し、活性層４以外の領域に流れ
込む電流を阻止する。した砂１つて、電流制限効果を高
めるためには、この層２のキャリヤ濃度、すなわち、ｐ
型不純物イ農度を高くすることが望ましい。ところが、
ｐ型不純物として通常用いられるカドミウム（ｃｄ）、
面鉛（’Ｚｎ）等は、ＬＰＥ法を使用した場合濃度を上
げることが困難〒あ０、また、成長完了後に同相拡散し
て他の領域にまで進出する傾向がある。すなわち、隣接
するｎ型層３のキャリヤ濃度を低下し、はなはだしい場
合には、導′峨型をｎ型からｐ型へ反転させるという不
利益が存在する。
２であＩ）、その上のｎ型層３との間（二重流方向に対
して逆方向の接合を形成し、活性層４以外の領域に流れ
込む電流を阻止する。した砂１つて、電流制限効果を高
めるためには、この層２のキャリヤ濃度、すなわち、ｐ
型不純物イ農度を高くすることが望ましい。ところが、
ｐ型不純物として通常用いられるカドミウム（ｃｄ）、
面鉛（’Ｚｎ）等は、ＬＰＥ法を使用した場合濃度を上
げることが困難〒あ０、また、成長完了後に同相拡散し
て他の領域にまで進出する傾向がある。すなわち、隣接
するｎ型層３のキャリヤ濃度を低下し、はなはだしい場
合には、導′峨型をｎ型からｐ型へ反転させるという不
利益が存在する。
この不利益を避けるために、ｐ型層２のキャリヤ濃度を
ある限度を越えて上げることは許されず、従来技術にお
いては、１．０１８Ｃｃｒｎ−３）程度にとどめられて
お＋１．当然のことながら、電流制限効果は十分とは扁
えず、結果として、特に高出力を発生させる場合１−Ｌ
特性が悪化し５発光効率η（ｍＷ／ｍＡ）の低下が辞は
帷い欠点を能っていた。
ある限度を越えて上げることは許されず、従来技術にお
いては、１．０１８Ｃｃｒｎ−３）程度にとどめられて
お＋１．当然のことながら、電流制限効果は十分とは扁
えず、結果として、特に高出力を発生させる場合１−Ｌ
特性が悪化し５発光効率η（ｍＷ／ｍＡ）の低下が辞は
帷い欠点を能っていた。
ψに、図よＩ）明らかなように、上部クラッド層５と申
：流制限層上層３と同じく下た；２とｎ型卸板１とをも
ってｐｎｐｎ接合が形成されてお【）、このｐｎｐｎ接
合はトリガー電流の供給を条件としてサイリスタとして
動作し、活性層４を・ζイ・ξスする導電路を構成する
ことになる。従来技術にあって、′電流制限効果が十分
でないため、ｐ型の上部クラッド層５からｐ型層２に向
って、図に矢印をもって示す？−Ｋ ｍｅ １ｉ１１ｊ
Ａ：入する可能性が高く、この電流は、上記ｃｎ−ｒイ
ＩＪスタのトリガー電流ので、軸動電流が大きくなり、
発光効率が低下するという欠点を伴うことが明らかにな
った。
：流制限層上層３と同じく下た；２とｎ型卸板１とをも
ってｐｎｐｎ接合が形成されてお【）、このｐｎｐｎ接
合はトリガー電流の供給を条件としてサイリスタとして
動作し、活性層４を・ζイ・ξスする導電路を構成する
ことになる。従来技術にあって、′電流制限効果が十分
でないため、ｐ型の上部クラッド層５からｐ型層２に向
って、図に矢印をもって示す？−Ｋ ｍｅ １ｉ１１ｊ
Ａ：入する可能性が高く、この電流は、上記ｃｎ−ｒイ
ＩＪスタのトリガー電流ので、軸動電流が大きくなり、
発光効率が低下するという欠点を伴うことが明らかにな
った。
（４）発明の目的
本発明の目的は、この欠点を解消することにあｌ）、イ
ンジウムガリウムヒ素リン（工ＨＧａＡｓＰ）／イン、
ジウムリン（ＩｎＰ）系の半導体よ（ｌなりＤＨ構造を
有する半、導体発光装置において、光軸に沿うストライ
プ状餉城以外の領域に設けら！Ｉた電流制限層の電流制
限効果を向上し、結果として、発光効率の高い半導体発
光％置を掃供することにある。
ンジウムガリウムヒ素リン（工ＨＧａＡｓＰ）／イン、
ジウムリン（ＩｎＰ）系の半導体よ（ｌなりＤＨ構造を
有する半、導体発光装置において、光軸に沿うストライ
プ状餉城以外の領域に設けら！Ｉた電流制限層の電流制
限効果を向上し、結果として、発光効率の高い半導体発
光％置を掃供することにある。
（５） 発明の構成
上記の目的は、（イ）インノウムガリウムヒ素すン系牛
棉体よりなる活性層を上下から挾んで互いに逆魯’Ｑ５
：九りのインジウムガリウムヒ素リン系半導体層が形成
されてなるダブルへテロ構造を有し、光軸に沿ろストラ
イプ状領域を除いて前記活性層を左右から挾む領域に、
ｅｉ 流方向に対し逆方向となるｐｎ接合を含む市６１
ｊ制限剖１を有する半導体発光装置々において、前記活
性層を左右から挾む領域の導電型は不純物とし２てセレ
ンを高濃度に含有するｎ型領域であることによって達１
戊される。また、（ロ）上記（イ）の構成において、前
記半導体発光装置は埋め込み型であることとなしても差
しつかえない。
棉体よりなる活性層を上下から挾んで互いに逆魯’Ｑ５
：九りのインジウムガリウムヒ素リン系半導体層が形成
されてなるダブルへテロ構造を有し、光軸に沿ろストラ
イプ状領域を除いて前記活性層を左右から挾む領域に、
ｅｉ 流方向に対し逆方向となるｐｎ接合を含む市６１
ｊ制限剖１を有する半導体発光装置々において、前記活
性層を左右から挾む領域の導電型は不純物とし２てセレ
ンを高濃度に含有するｎ型領域であることによって達１
戊される。また、（ロ）上記（イ）の構成において、前
記半導体発光装置は埋め込み型であることとなしても差
しつかえない。
ｎ型不純物として動作するセレン（Ｓｅ）は、高濃度に
ドープ・された場合も同相拡散しないという性質を拘す
るこ古は公知である。（Ｐ、 Ｍ、 Ｒａｃ、ｃａｈ。
ドープ・された場合も同相拡散しないという性質を拘す
るこ古は公知である。（Ｐ、 Ｍ、 Ｒａｃ、ｃａｈ。
Ｈ，Ｘ（ａｒ＋ｅｗｉ ａｎｄ Ｊ、 Ｚｅｈｎｄｅｒ
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ ＋ ３９（１９
８１）４９Ｇ ） 本発明は、上記の事実を利用し、て、活汀層を侠む左右
の領域、すなわち、串；流制限層下層を従来ｏ）ｐ型層
に代えて、セレン（Ｅｌｅ）を高票度に含有するｎ型層
と７’、ｉ−Ｌ、、それに伴って必然的に、活性層を除
くすべての層の導電型を従来８術におけるものと逆にし
た構造となしたものである。
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ ＋ ３９（１９
８１）４９Ｇ ） 本発明は、上記の事実を利用し、て、活汀層を侠む左右
の領域、すなわち、串；流制限層下層を従来ｏ）ｐ型層
に代えて、セレン（Ｅｌｅ）を高票度に含有するｎ型層
と７’、ｉ−Ｌ、、それに伴って必然的に、活性層を除
くすべての層の導電型を従来８術におけるものと逆にし
た構造となしたものである。
かかる構造となすことにより、活性層を法む左右の電ｉ
１ｃ ｆｌｉｌｌ限層のキギリャ濃題をｐ、１相１１／
Ｉｌ１敗笠の不オリ益を伴わず高く１−ることが可能で
あるため、電流制限効果は従来技術に比してはるかに良
好となり、結呆として、１丁７１い発光効率を実現でき
ることが硝睨された。
１ｃ ｆｌｉｌｌ限層のキギリャ濃題をｐ、１相１１／
Ｉｌ１敗笠の不オリ益を伴わず高く１−ることが可能で
あるため、電流制限効果は従来技術に比してはるかに良
好となり、結呆として、１丁７１い発光効率を実現でき
ることが硝睨された。
なお、上記の仲を成において、半導体発光装置寛の構造
は、例えばＶ＃等を有する埋め込み型であっても全く差
しつかえない。
は、例えばＶ＃等を有する埋め込み型であっても全く差
しつかえない。
（６） 発明の′４４栴例
以下図面を参照しつつ、本発明の一芙施世」に係る半導
体発光装置について駅間し、本発明の構成と特有の効果
とを明らかにする。
体発光装置について駅間し、本発明の構成と特有の効果
とを明らかにする。
一例として、インジウムガリウムヒ素リン（ＩｎＧａＡ
ｓＰ） ／インジウムリン（工ｎｋ）糸の■情理め込み
型半導体レーザ（ＶＳＢレーザ）の創造ニオｖについて
述べる。
ｓＰ） ／インジウムリン（工ｎｋ）糸の■情理め込み
型半導体レーザ（ＶＳＢレーザ）の創造ニオｖについて
述べる。
第２１参月６
第１回成長工程として、ｐ型イン・ノウムリン（ｐＩｎ
Ｐ）よりな（）埋さ３００ （μｍ）程度の基板１１上
に、ｒ、ｐｇｉを使用して、（イ）ｐ型不純物としてカ
ドミウム（ｃｄ）ヲ５〜１ｏ×１０１７〔Ｃｍす〕程度
含有するｐ靭インジウムリン（ｐＩｎＰ）よりなり坤さ
が５Ｃμｍ″Ｊ稈ｒ＜である下部クラッド層１２、及び
、（ロ）本発明の要旨であｔ）、ｎ型不純物と［、てセ
レン（Ｓｓ）を１×１０２０〔Ｃ：ｍ３〕程度含有する
ｎ型インジウムリン（ｎＩｎＰ）よりなり厚さが１．５
〜２．０ 〔ａｍ）程度の電流制限層下層となる層１３
′を１１−次形成する。
Ｐ）よりな（）埋さ３００ （μｍ）程度の基板１１上
に、ｒ、ｐｇｉを使用して、（イ）ｐ型不純物としてカ
ドミウム（ｃｄ）ヲ５〜１ｏ×１０１７〔Ｃｍす〕程度
含有するｐ靭インジウムリン（ｐＩｎＰ）よりなり坤さ
が５Ｃμｍ″Ｊ稈ｒ＜である下部クラッド層１２、及び
、（ロ）本発明の要旨であｔ）、ｎ型不純物と［、てセ
レン（Ｓｓ）を１×１０２０〔Ｃ：ｍ３〕程度含有する
ｎ型インジウムリン（ｎＩｎＰ）よりなり厚さが１．５
〜２．０ 〔ａｍ）程度の電流制限層下層となる層１３
′を１１−次形成する。
第３図参葬
続いて、通常のフォトリソグラフィー法２埠酸（Ｈ（Ｉ
りヲエソチャントとしてなすウェットエツチング法七を
縮み合わせて使用することにより、＜１３０＞方向で光
輛に沿う方向に発光部形成用のＶ溝２１を形成する。・
このｖ ％ ２１の先端は、下部クラノＦ：′層Ｊ２に
Ｊしており、またその上端の幅は４〔μｍ〕程度である
。
りヲエソチャントとしてなすウェットエツチング法七を
縮み合わせて使用することにより、＜１３０＞方向で光
輛に沿う方向に発光部形成用のＶ溝２１を形成する。・
このｖ ％ ２１の先端は、下部クラノＦ：′層Ｊ２に
Ｊしており、またその上端の幅は４〔μｍ〕程度である
。
第４図参押
第２回成長工程の前段として、再びＬＰＥｉを１重用し
て、層成長を続行し、上部のＶ溝内部及びその両側の層
上に、（ハ）ｐ型不紳物としてカドミウム（ｃａ ）を
５〜１０ Ｘ １０１７（α−３〕 程度含有するｐ型
インジウムリン（ｐＩｎＰ）よりなる層、に）発光波長
が１３Ｇμｍ）程度であるアンドープのインジウムガリ
ウムヒ素リン（ＩｎＧａＡｅＰ）よりなる層をｌ１ｌｌ
！１次形成する。このとき、ｐ型インノウムリン（ｐＩ
ｎＰ）よりなるツメはＶ溝内において０．３〜０．４（
ｌｚｍ）程度の厚さとなｌ）、下部クラッド層１４’と
なるが、その表面は図示せる如く下方に凸の弧状とｔ（
Ｕ、さらに中央部の理さは左右の厚さより大きくなる。
て、層成長を続行し、上部のＶ溝内部及びその両側の層
上に、（ハ）ｐ型不紳物としてカドミウム（ｃａ ）を
５〜１０ Ｘ １０１７（α−３〕 程度含有するｐ型
インジウムリン（ｐＩｎＰ）よりなる層、に）発光波長
が１３Ｇμｍ）程度であるアンドープのインジウムガリ
ウムヒ素リン（ＩｎＧａＡｅＰ）よりなる層をｌ１ｌｌ
！１次形成する。このとき、ｐ型インノウムリン（ｐＩ
ｎＰ）よりなるツメはＶ溝内において０．３〜０．４（
ｌｚｍ）程度の厚さとなｌ）、下部クラッド層１４’と
なるが、その表面は図示せる如く下方に凸の弧状とｔ（
Ｕ、さらに中央部の理さは左右の厚さより大きくなる。
一方、■溝外においては、ｐ型インジウムリン（ｐＩｎ
Ｐ）層は層１３上に平坦に形成され、卸さｏ、２〔μｍ
）程度の電流制限層上層１４となる。又、アンドープの
インジウムガリウムヒ素リン（工ｎＧａＡｓＰ）は、上
記のとおｊｌ 、Ｖ Ｑｉ内においては中央部がｊ９い
デルタ状の活性層１５′となり、その厚さはＯｌ［μｍ
）オζ！度である。一方、■溝外においては、理さ０．
０５（μｍ〕程度の平坦な層■５となる。
Ｐ）層は層１３上に平坦に形成され、卸さｏ、２〔μｍ
）程度の電流制限層上層１４となる。又、アンドープの
インジウムガリウムヒ素リン（工ｎＧａＡｓＰ）は、上
記のとおｊｌ 、Ｖ Ｑｉ内においては中央部がｊ９い
デルタ状の活性層１５′となり、その厚さはＯｌ［μｍ
）オζ！度である。一方、■溝外においては、理さ０．
０５（μｍ〕程度の平坦な層■５となる。
なお、この工程により、活性層１５′を左右から挾む領
域は、セレン（Ｓｅ）を高濃度に含有するｎ型層１３と
なるため、電流制限効果は従来に比して非常に良好きな
る。
域は、セレン（Ｓｅ）を高濃度に含有するｎ型層１３と
なるため、電流制限効果は従来に比して非常に良好きな
る。
第５図参照
上記の第２回成長工程の前段につづけて、第２回成長工
程の後段として、更にＬＰＥ法を続行することによ番）
、（７Ｉ９ ｎ型不純物としてスズ（Ｓｎ）を５〜１０
Ｘ １０１７（ｃｒｎ−３）含有するｎ型インジウム
リン（ｎＩｎＰ）よりなり平坦部における厚さ、すなわ
ち、平坦なインジウムガリウムヒ素リン（工ｎＧａＡｓ
ｐ）ｉ１５上の暦さが１〔μｍ〕程度の上部クラッド層
１６、（へ）ｎ型不純物としてスズ（Ｓｎ）を１〜５
Ｘ １０１８〔Ｃｍ−３〕 程度含有するｎ型インジウ
ムガリウムヒ素リン（ｎＩｎＧａＡθＰ）よりなり卸さ
ｌ〔μｍ］オリ度のコンタクト層１７を形成し、ＶＳＢ
レーザを］ｍ成する積層体を完成する。なお、このとき
ＬＰＥ法の特徴によｌ）、土部クラッド層１６の上面は
ほぼ平坦となり、また、最上層であるコンタクト層の表
面は平坦なｉｍとなる。
程の後段として、更にＬＰＥ法を続行することによ番）
、（７Ｉ９ ｎ型不純物としてスズ（Ｓｎ）を５〜１０
Ｘ １０１７（ｃｒｎ−３）含有するｎ型インジウム
リン（ｎＩｎＰ）よりなり平坦部における厚さ、すなわ
ち、平坦なインジウムガリウムヒ素リン（工ｎＧａＡｓ
ｐ）ｉ１５上の暦さが１〔μｍ〕程度の上部クラッド層
１６、（へ）ｎ型不純物としてスズ（Ｓｎ）を１〜５
Ｘ １０１８〔Ｃｍ−３〕 程度含有するｎ型インジウ
ムガリウムヒ素リン（ｎＩｎＧａＡθＰ）よりなり卸さ
ｌ〔μｍ］オリ度のコンタクト層１７を形成し、ＶＳＢ
レーザを］ｍ成する積層体を完成する。なお、このとき
ＬＰＥ法の特徴によｌ）、土部クラッド層１６の上面は
ほぼ平坦となり、また、最上層であるコンタクト層の表
面は平坦なｉｍとなる。
最徒に、公知の手法を使用［て、上面全面に金・スズ（
Ａｕ ′Ｓｎ）よりなる負電極１８、更に、ノ、Ｎ板１
１を裏面から１００〔μｍ）程度の犀さとなるまで研磨
［またのも、裏面全面に、金・亜鉛（Ａｕ−Ｚｎ ）よ
りなる正電極Ｉ９を′それぞれ形成する。
Ａｕ ′Ｓｎ）よりなる負電極１８、更に、ノ、Ｎ板１
１を裏面から１００〔μｍ）程度の犀さとなるまで研磨
［またのも、裏面全面に、金・亜鉛（Ａｕ−Ｚｎ ）よ
りなる正電極Ｉ９を′それぞれ形成する。
第６図は、不実施例によ番）完ｌＪｔされたＶＳＢレー
ザを室温において、ＣＷ軸動作せた時のＪ−Ｌ特性を、
従来技術におけるＶＳＢレーザ、すなわち、活性層を挾
む領域がｐ型層〒・あるＶＳＢレーザの特性と比較して
示した線図である。図において、実線は本実施例のＶＩ
９Ｂレーザの特性を示し、破線嫉従来技術におけるＶＳ
Ｂレーザの特性を示す。発光効率η（’ｍＷ／ｍＡ ：
］は、従来技術において０．１１（ｍＷ／ｍＡ）であっ
たのに対し、本実施例ではｏ、２ｏ（ｍｗ／ｍＡ）と大
幅に改善さねでいる。このことは、電流制限層下層なセ
レン（Ｓｅ）を高濃度に含有するｎ型層としたことによ
０、ストライプ領域周辺に発生す。
ザを室温において、ＣＷ軸動作せた時のＪ−Ｌ特性を、
従来技術におけるＶＳＢレーザ、すなわち、活性層を挾
む領域がｐ型層〒・あるＶＳＢレーザの特性と比較して
示した線図である。図において、実線は本実施例のＶＩ
９Ｂレーザの特性を示し、破線嫉従来技術におけるＶＳ
Ｂレーザの特性を示す。発光効率η（’ｍＷ／ｍＡ ：
］は、従来技術において０．１１（ｍＷ／ｍＡ）であっ
たのに対し、本実施例ではｏ、２ｏ（ｍｗ／ｍＡ）と大
幅に改善さねでいる。このことは、電流制限層下層なセ
レン（Ｓｅ）を高濃度に含有するｎ型層としたことによ
０、ストライプ領域周辺に発生す。
るリーク電流が低減されていることを示し、電流制限効
果が極めて良好であることを示す。
果が極めて良好であることを示す。
（７）発明の詳細
な説明せるとおり、本発明によれば、イン、ノウムガリ
ウムヒ素リン（工ｎＧａＡｓＰ）／インジウムリン（！
ｎＰ）系の半導体よりなりＤＨ構造を有する半導体発光
装置において、光軸に沿う、ストライプ状領域以例の領
域に設（１られた電、流制限層の゛電流制限効果を向上
し、結果とＬ７て、発光効率の高い半導体発光装置々を
提供することができる。
ウムヒ素リン（工ｎＧａＡｓＰ）／インジウムリン（！
ｎＰ）系の半導体よりなりＤＨ構造を有する半導体発光
装置において、光軸に沿う、ストライプ状領域以例の領
域に設（１られた電、流制限層の゛電流制限効果を向上
し、結果とＬ７て、発光効率の高い半導体発光装置々を
提供することができる。
第１図は、従来技術におけるＤＨ構造の半導体レーザの
梨本構造の一例を示す断面図であり、第２図乃至第５図
は、本実施例におけるＶＥＩＢレーザの製造工程におけ
る各主要工程完了後の基板断面図である。なお、第１図
乃至第５図は全て、光の放射方向から見た図である０又
、＄６図は、不実施例におけるＶＳＥレーザのＩ −Ｌ
ｌ＃ｆ４−を従来技術におけるＶＳＢレーザのＩ−Ｉ
、特性と比４シ［て示した線図である。 １・・・基イ＆ （ｎＩｎＰ） 、２−、 電流制限層
下層（ｐＩｎＰ）、３・・・電流制限層下層（ｎＩｎＰ
） 、３’・・・ＦγＸｊ、クラッド層（ｎＩｎＰ３．
４−活性層（アントゞ−プＩｎＧａＡ６Ｐ 層、４・・
・アンドープＩｎ（）ａＡｅＰ層、５・上部クラッド層
（ｐＩｎＰ） 、６−・−コンタクトノ峠（ｐ工ｎＧａ
ＡｓＰ） 、７．８ ” ＋Ｅ ｆｔひ狛電′４１ｊｔ
、１１ ・７ｉ！−４＆ （ｐＩｎＰ３．１２−・下部
クラッド層（ｐＩｎＰｌ 、１３’・・中、流山り１シ
艮ｊピ、・−ドＪ曽となる層（１’＋ Ｉ訂））、１３
・・本発明の要旨である商耀度ｎ型′…′流制限層下層
（ｎＩｎＰ） 、＋４・・・電流制限層下層（ｐＩｎＰ
） 、１．４’・−１下柑（クランド層（ｐＩｎＰ）
、１５−アンドープエｎＧａＡｓＰ Ｗｒ 、、 １５
’・・・活性層（アンドープエｎＧａＡｓＰ）、■６・
・・上部フラノｌ−４層（ｎＩｎＰ） 、１７ ・・コ
ンタクト層（ｎＩｎｃ）ａＡｅＰ） 、１８ ＝−負４
％ｉ （ＡＬＪ ・Ｓｎ）、＋９・・・正市槽１（Ａ
ｕ・Ｚｎ）、２１・・・発光剖形成用Ｖ溝。 ３５４ 第４囮
梨本構造の一例を示す断面図であり、第２図乃至第５図
は、本実施例におけるＶＥＩＢレーザの製造工程におけ
る各主要工程完了後の基板断面図である。なお、第１図
乃至第５図は全て、光の放射方向から見た図である０又
、＄６図は、不実施例におけるＶＳＥレーザのＩ −Ｌ
ｌ＃ｆ４−を従来技術におけるＶＳＢレーザのＩ−Ｉ
、特性と比４シ［て示した線図である。 １・・・基イ＆ （ｎＩｎＰ） 、２−、 電流制限層
下層（ｐＩｎＰ）、３・・・電流制限層下層（ｎＩｎＰ
） 、３’・・・ＦγＸｊ、クラッド層（ｎＩｎＰ３．
４−活性層（アントゞ−プＩｎＧａＡ６Ｐ 層、４・・
・アンドープＩｎ（）ａＡｅＰ層、５・上部クラッド層
（ｐＩｎＰ） 、６−・−コンタクトノ峠（ｐ工ｎＧａ
ＡｓＰ） 、７．８ ” ＋Ｅ ｆｔひ狛電′４１ｊｔ
、１１ ・７ｉ！−４＆ （ｐＩｎＰ３．１２−・下部
クラッド層（ｐＩｎＰｌ 、１３’・・中、流山り１シ
艮ｊピ、・−ドＪ曽となる層（１’＋ Ｉ訂））、１３
・・本発明の要旨である商耀度ｎ型′…′流制限層下層
（ｎＩｎＰ） 、＋４・・・電流制限層下層（ｐＩｎＰ
） 、１．４’・−１下柑（クランド層（ｐＩｎＰ）
、１５−アンドープエｎＧａＡｓＰ Ｗｒ 、、 １５
’・・・活性層（アンドープエｎＧａＡｓＰ）、■６・
・・上部フラノｌ−４層（ｎＩｎＰ） 、１７ ・・コ
ンタクト層（ｎＩｎｃ）ａＡｅＰ） 、１８ ＝−負４
％ｉ （ＡＬＪ ・Ｓｎ）、＋９・・・正市槽１（Ａ
ｕ・Ｚｎ）、２１・・・発光剖形成用Ｖ溝。 ３５４ 第４囮
Claims (1)
- （１）インジウムガリウムヒ素リン系半導体よりなる活
性層を上下から挾んで互いに逆導電形のインジウムガリ
ウムヒ素リン系半導体層が形成されてなるダブルへテロ
構造を有し、？＠に沿うストライプ状領域を除いて前記
活性層を左右からＩ火む領域に、′電流方向に対し逆方
向となるｐｎ援合を含む電流制限部を有する半導体発光
′Ｐ置において、前記活性層を左右から挾む翅域の導電
型は不純物としてセレンを高濃度に含有するｎ型領域で
あることを特徴とする、半導体発光装置計。 （２１前バｅ生導体発光装置は埋め込み型であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体発光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22317082A JPS59112673A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22317082A JPS59112673A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112673A true JPS59112673A (ja) | 1984-06-29 |
Family
ID=16793893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22317082A Pending JPS59112673A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112673A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4758535A (en) * | 1986-05-31 | 1988-07-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor laser |
| US4966863A (en) * | 1988-07-20 | 1990-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing a semiconductor laser device |
-
1982
- 1982-12-20 JP JP22317082A patent/JPS59112673A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4758535A (en) * | 1986-05-31 | 1988-07-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor laser |
| US4966863A (en) * | 1988-07-20 | 1990-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing a semiconductor laser device |
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