JPS5990632A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS5990632A JPS5990632A JP20077082A JP20077082A JPS5990632A JP S5990632 A JPS5990632 A JP S5990632A JP 20077082 A JP20077082 A JP 20077082A JP 20077082 A JP20077082 A JP 20077082A JP S5990632 A JPS5990632 A JP S5990632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- electrode
- base material
- gap
- discharge electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガス放出口を有し、一部に間隙をもつ放電電極
が暴利を囲む形状を成したプラズマＣＶＤ装置に七いて
、放電電極の間隙と排気口との間にガス流阻止板をおく
ξとによシ、成膜速度を上げ、膜厚の均一性をよくした
プラズマＣＶＤ装置に関する。
が暴利を囲む形状を成したプラズマＣＶＤ装置に七いて
、放電電極の間隙と排気口との間にガス流阻止板をおく
ξとによシ、成膜速度を上げ、膜厚の均一性をよくした
プラズマＣＶＤ装置に関する。
近年アモルファスシリコン（以下で）；ｊ ａ −Ｓ
ｉと曹＜）を中心とし、ブヲズマＣＶＤ法による薄膜デ
バイスの研究が盛んである。その中でとくに複写機用感
光体は注目されているデバイスの一つである。
ｉと曹＜）を中心とし、ブヲズマＣＶＤ法による薄膜デ
バイスの研究が盛んである。その中でとくに複写機用感
光体は注目されているデバイスの一つである。
第】図は従来のα−ａ４感光体製造装置の１例で、放電
電極、感光ドラム基月および刊気口との関係を示した図
であり、感光ドラムの中心軸と垂直に交わる面で切断し
た場合の断面をも示している。
電極、感光ドラム基月および刊気口との関係を示した図
であり、感光ドラムの中心軸と垂直に交わる面で切断し
た場合の断面をも示している。
同図において１０１は感光ドラム基材、ｌＯ２は放電電
極、１０３は放電電極の中空部分、１０４はガス放出口
、１０５ｉｄガス導入管、１０６は排気口、１０７は排
気用のパイプである。
極、１０３は放電電極の中空部分、１０４はガス放出口
、１０５ｉｄガス導入管、１０６は排気口、１０７は排
気用のパイプである。
鵜空チャンバー内に配置されたこのような系でガス導入
管１０５からａ−Ｂｉ作製に必要なガス、すなわち水素
、アルゴン、モノシラン、メタンそしてジボラン等の混
合ガスを放電電極の空間部分１０３へと導入する。この
ガス＆−１多数の放出１」１０４がら感光ドラム基材へ
と放出される。とのとき、放電電極１０２と感光ドラム
基材１０１との間で高周波放電をおとすと、モノシラン
、メタン、ジボランガスが分解され、水素、炭素、ホウ
素を含むα−８ｉ膜がドラム基材１０１の表面上に堆積
する。
管１０５からａ−Ｂｉ作製に必要なガス、すなわち水素
、アルゴン、モノシラン、メタンそしてジボラン等の混
合ガスを放電電極の空間部分１０３へと導入する。この
ガス＆−１多数の放出１」１０４がら感光ドラム基材へ
と放出される。とのとき、放電電極１０２と感光ドラム
基材１０１との間で高周波放電をおとすと、モノシラン
、メタン、ジボランガスが分解され、水素、炭素、ホウ
素を含むα−８ｉ膜がドラム基材１０１の表面上に堆積
する。
このとき、ドラム暴利を回転させなから膜厚の均一性を
はかる。残υのガスは抽気口１０６．および川伝用パイ
プ１０７を通してポンプで排気される。
はかる。残υのガスは抽気口１０６．および川伝用パイ
プ１０７を通してポンプで排気される。
このような装置で多数の感光ドラムを製造する場合、二
つの欠点を有している。その一つは成膜速度が遅いこと
、もう一つは膜厚の均一性が悪いことである。
つの欠点を有している。その一つは成膜速度が遅いこと
、もう一つは膜厚の均一性が悪いことである。
その原因は、ガスの吹き出し口１０４から、排気口１０
６までの経路がガス流に対してインピーダンスが低すぎ
るため、放出されたガスが短時間でドラム基材１０１の
近傍を通電してしまい、十分に分解されないままに排気
さオしてしまう。したかって成膜の効率を低下させてい
る。才だガスの流速が大きいためガス流の均一性ｆ：得
ることが難しく、その為に得らり、たａ−８ｉ膜の膜厚
もドラム間、およびドラム内でばらつきを生ずる。
６までの経路がガス流に対してインピーダンスが低すぎ
るため、放出されたガスが短時間でドラム基材１０１の
近傍を通電してしまい、十分に分解されないままに排気
さオしてしまう。したかって成膜の効率を低下させてい
る。才だガスの流速が大きいためガス流の均一性ｆ：得
ることが難しく、その為に得らり、たａ−８ｉ膜の膜厚
もドラム間、およびドラム内でばらつきを生ずる。
本発明はかかる欠点を除去したものであって、その目的
とするところは、ＣＶＤ膜の成膜速度を上げることにあ
る。そして他の目的は膜厚の均一性をよくすることにあ
る。
とするところは、ＣＶＤ膜の成膜速度を上げることにあ
る。そして他の目的は膜厚の均一性をよくすることにあ
る。
とノＬらの目的を達するために、本発明ではガス放出口
を備えた電極でドラム基材を囲む形状とし、電極の一部
に間隙を設け、その間隙からガスが排気口に向って流れ
る構造とした、しかも電極の間隙と排気口との間にガス
流阻止板を置き、ガス流の急激な流れを妨げ、ある程度
感光ドラム基材の近傍にガスを停滞させたものである。
を備えた電極でドラム基材を囲む形状とし、電極の一部
に間隙を設け、その間隙からガスが排気口に向って流れ
る構造とした、しかも電極の間隙と排気口との間にガス
流阻止板を置き、ガス流の急激な流れを妨げ、ある程度
感光ドラム基材の近傍にガスを停滞させたものである。
第２図は本発明の感光体製造装置における放電電極、感
光ドラム暴利、ガス流用ＩＥ板および排気［二１の関係
を示した図である。同図に訃いて、２０１は感光ドラム
暴利、２０２は放電電極、２０３は真空チャンバ、２０
４はガス放出口、２０５はガス導入管、２０６は排気口
、２０７は排気用のパイプ、２０８は放電電極の間隙、
そして２０９はガス流阻止板である。
光ドラム暴利、ガス流用ＩＥ板および排気［二１の関係
を示した図である。同図に訃いて、２０１は感光ドラム
暴利、２０２は放電電極、２０３は真空チャンバ、２０
４はガス放出口、２０５はガス導入管、２０６は排気口
、２０７は排気用のパイプ、２０８は放電電極の間隙、
そして２０９はガス流阻止板である。
この装置において、モノシラン、ジボラン、メタン、水
素、そしてアルゴンの渭、合ガスをガス導入管２０５を
通して放電電極２０２に導入する。
素、そしてアルゴンの渭、合ガスをガス導入管２０５を
通して放電電極２０２に導入する。
放電電極２０２は２枚の金属板によって中空部分が作ら
れている。この中空部分に導入された混合ガスは電極の
内側面に設けられたガス放出口２０４からドラム基材２
０１に向って放出される。
れている。この中空部分に導入された混合ガスは電極の
内側面に設けられたガス放出口２０４からドラム基材２
０１に向って放出される。
さらにこのガスは放電電極の間隙２０８を通って排気口
２０６から排気される。本発明では放電電極の間隙２０
８と排気口２０Ｇとの間に、非常に重要な役割をもつガ
ス流阻止板を配置している。
２０６から排気される。本発明では放電電極の間隙２０
８と排気口２０Ｇとの間に、非常に重要な役割をもつガ
ス流阻止板を配置している。
このガス流阻止板を置くことにより、ガス放出口２０４
から放出されたガスが感光ドラム基材２０１の近傍に長
く停滞するようになυ、プラズマによる分解が十分性な
われ、成膜速度が上昇する。
から放出されたガスが感光ドラム基材２０１の近傍に長
く停滞するようになυ、プラズマによる分解が十分性な
われ、成膜速度が上昇する。
捷だガス流のスピードが遅い為、感光ドラム基材にガス
が均一に接し、膜厚分布もよくなる。
が均一に接し、膜厚分布もよくなる。
この装置を用い、混合ガスの流量を各電極毎に２００
ＣＣ／ｍｉｎとし、各電極において、５００Ｗのパワー
で約４時間高周波放電させた。得られた感光ドラムのａ
−８ｉ層の膜厚は５本の平均値が２３゜１μｍであった
。第１図に示した従来の方式でｌよ４時間のデポジショ
ンで９μｍであったのに対し約２．５倍の成膜速度が得
られた。
ＣＣ／ｍｉｎとし、各電極において、５００Ｗのパワー
で約４時間高周波放電させた。得られた感光ドラムのａ
−８ｉ層の膜厚は５本の平均値が２３゜１μｍであった
。第１図に示した従来の方式でｌよ４時間のデポジショ
ンで９μｍであったのに対し約２．５倍の成膜速度が得
られた。
膜厚の均一性についてみると１本の感光ドラム内での膜
厚のばらつきを比較した場合、従来の方式では平均値に
対して±７〜８％のばらつきを有するのに対し、本発明
の装置で作製した場合には５〜６％であｐ膜厚の均一性
が非常に改善されていることがわかった。
厚のばらつきを比較した場合、従来の方式では平均値に
対して±７〜８％のばらつきを有するのに対し、本発明
の装置で作製した場合には５〜６％であｐ膜厚の均一性
が非常に改善されていることがわかった。
本発明で用いたガス流阻止板はその材質によっても感光
ドラムの特性が影響を受けやすい。金属を用いた場合に
は、放電電極の間隙の部分で異状放電を起こしやすい。
ドラムの特性が影響を受けやすい。金属を用いた場合に
は、放電電極の間隙の部分で異状放電を起こしやすい。
異状放電が生じると、放電電極とドラム基材との間の通
常の放電が弱くなり成力４速度は急激に遅くなる。
常の放電が弱くなり成力４速度は急激に遅くなる。
このような理由から、ガス流阻止板は絶縁物でしかも不
純物汚染の少ない石英でより結果が得られている。
純物汚染の少ない石英でより結果が得られている。
以上の説明かられかるように、本発明はブヲズマｅＶＤ
装置において、成膜速度を従来の２倍以上に上げ、膜厚
の均一性をよくしたものであり、量産装置として非常に
有効なものである。
装置において、成膜速度を従来の２倍以上に上げ、膜厚
の均一性をよくしたものであり、量産装置として非常に
有効なものである。
また上述の説明ではα−ｓ７感光体について説明してき
たが、本発明の価値ｔｉｔ必ずしも（１−Ｓ Ｚ感光体
に限るものではなく、例えば、ＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４膜
のような絶縁性簿膜の製造にも利用できるものであり、
本発明の応用範囲は十分広い。
たが、本発明の価値ｔｉｔ必ずしも（１−Ｓ Ｚ感光体
に限るものではなく、例えば、ＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４膜
のような絶縁性簿膜の製造にも利用できるものであり、
本発明の応用範囲は十分広い。
第１図は従来のａ−８ｓ悪感光製造装置、第２図は本発
明の感光体製造装置における放電電極、感光ドラム基材
、ガス流阻止板、および排気口の関係を示した図である
。 ２０１・・・感光ドラム基材 ２０２・・・放電電極 ２０３・参争真空チャンバ ２０４畳・・ガス放出口 ２０５・・令ガス導入管 ２０Ｇ・・ｅ用伝口 ２０７・・・Ｕ１″気用のパイプ ２０８・・・放１Ｅ電極の間隙 ２０９・・・ガス流阻止板 以 」二 出願人 株式会社諏訪精工舎
明の感光体製造装置における放電電極、感光ドラム基材
、ガス流阻止板、および排気口の関係を示した図である
。 ２０１・・・感光ドラム基材 ２０２・・・放電電極 ２０３・参争真空チャンバ ２０４畳・・ガス放出口 ２０５・・令ガス導入管 ２０Ｇ・・ｅ用伝口 ２０７・・・Ｕ１″気用のパイプ ２０８・・・放１Ｅ電極の間隙 ２０９・・・ガス流阻止板 以 」二 出願人 株式会社諏訪精工舎
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１真空排気系内におかれた放電電極、ガス導入系、
排気口、薄膜を形成するための基材、を有するプヲズマ
ＣＶ−Ｄ装置において、ガス放出口を有する電極が基材
を囲み、電極の一部は間隙を有し、該間隙と胡°気口と
の間にガス流阻止板を配置したことを特徴とするブヲズ
マＣＶＤ装置。 １２１ガス流阻止板が石英から成ることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のブヲズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20077082A JPS5990632A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20077082A JPS5990632A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990632A true JPS5990632A (ja) | 1984-05-25 |
Family
ID=16429880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20077082A Pending JPS5990632A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990632A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4926793A (en) * | 1986-12-15 | 1990-05-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of forming thin film and apparatus therefor |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP20077082A patent/JPS5990632A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4926793A (en) * | 1986-12-15 | 1990-05-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of forming thin film and apparatus therefor |
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