JPS5986153A - マイクロ波無電極光源装置 - Google Patents

マイクロ波無電極光源装置

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JPS5986153A
JPS5986153A JP58090140A JP9014083A JPS5986153A JP S5986153 A JPS5986153 A JP S5986153A JP 58090140 A JP58090140 A JP 58090140A JP 9014083 A JP9014083 A JP 9014083A JP S5986153 A JPS5986153 A JP S5986153A
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lamp
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microwave
spherical
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J65/04Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
    • H01J65/042Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
    • H01J65/044Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by a separate microwave unit

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  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
  • Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なマイクロ波発生式電極なし光源(tn、
icrowave generated electr
odeNsslight 5ources ) 、特に
深紫外線フォトリトグラフィー(deep UV ph
otolit/r、ography)の実施に有用なか
かる光源に関する。
深紫外線フォトリトグラフィーにおける露光工程は非常
に輝度があシそしてスペクトルの深紫外部(190−2
60nm)において相対的に高い・ぐワー(power
 )を有する光源の使用を必要とする。現在量も広範に
使用されている光源は、ランプ被包体における2つの電
極間に起こるアーク放電により放射が与えられるキセノ
ン−水銀(xe−11g>アークラングである。
X e −11gランプ及び深紫外線フォトリトグラフ
ィーの実施に試みられた他のアークランプに関する第1
の問題は、深紫外線領域におけるそれらのスイクトルノ
ぞワーが余りにも低過ぎるということである。たとえば
、Xe−11gランプはそれに入力された電力の2%よ
多少ないものを深紫外における出力放射に転換する。
本発明の目的は、深紫外線における相対的により高いス
ペクトル成分を有する放射を出力するマイクロ波発生式
電極なし光源を提供すること及び深紫外線フォトリトグ
ラフィーの実施に必要とされる輝度水準のかかる放射を
提供することでおる。
マイクロ波発生式光源は先行技術では知られているが、
それらは典型的には、相対的に低い又は中程度の輝度で
あり、この場合に輝度は放射フラックスAワー/表面積
として定義され、それ故に、高い輝度が必要とされるフ
ォトリトグラフィー又は他の使用へ、の適用に対して適
当ではない。従来は、輝光源を得るのにマイクロ波エネ
ルギーを高いノクワー密度(power densit
y )で小さなランプ被包体にカップリングさせるだめ
のラング構造は知られていなかった。
故に、本発明の目的は、深紫外線フォトリトグラフィー
に使用するのに好適なマイクロ波発生式電極なしランプ
構造を提供することである。
本発明の他の目的は、相対的に高い輝度水準r(おいて
深紫外線領域における相対的に高いスペクトルパワーを
与える電極なしラング構造を提供することである。
本発明の他の目的は、プラズマ形成性媒体に対するカッ
プリングが相対的に効率が良くそして反射パ+7− (
reflected power )対吸収ノ母ワー(
abserbed power )  の比が相対的に
小さい光源を提供することである。
本発明の他の目的は相対的に高い・ぞワー密度で操作す
ることができる電極なしランプを提供することである。
本発明の他の目的は相対的に輝度の高い電極なしランプ
を提供することである。
本発明の他の目的は電極なしラングを冷却するための改
良された方法及び装置を提供することである。
本発明の他の目的は相対的に長い寿命を有する電極なし
ランプを提供することである。
本発明の他の目的は水中にランプを浸漬させることなく
電極なしランプを冷却することである。
本発明に従えば、上記目的は、マイクロ波チャンバと、
該チャンバ内に配置され、使用されるマイクロ波エネル
ギーの波長より実質的に小さい最大寸法を有するプラズ
マ形成性媒体含有ランプ被包体(envelope )
  とから成るマイクロ波発生式電極なしランプ構造体
を提供することによシ達成される。チャンバはマイクロ
波エネルギーを被包体にカップリングさせるためのスロ
ットを有する。所望の放射ノぐワーを与えるために、チ
ャン・9の内側は紫外線反射性材料で被覆され、そして
チャンバは、紫外線を実質的に通すがマイクロ波は実質
的に通さない金属網で被覆されている、紫外線放射が出
ることを許容するだめの開口を有する。
小さな被包体に対する所望のカップリングを与えるため
に、チャンバはマイクロ波エネルギーの単一波長におい
て共振近傍(near −resonant )である
ように構成されている。更に、被包体におけるプラズマ
形成性媒体は、1気圧4“d IKの相対的に低い圧力
で存在する水銀である。少なくともdi −が被包体如カップリングされると、放電の大部分が被
包体の外半径(0υter ?″ud百)に向けて起こ
るように小さな皮部深さく ski′ndepth)が
生じ、相対的に高い輝度水準の相対的に高い深紫外線出
力を生じる。
得られる電極なし光源は深紫外線フォトリトグラフィに
おける使用に好適であシ、そしてこの用途に対する現存
する光源よりすぐれている。故に、好ましい態様におい
ては本発明の光源は、それに入力された電気的エネルギ
ーの約8%を必要な輝度水準のスペクトルの深紫外線部
の出力に転換する。これに対して最も広範に使用されて
いる先行技術のコン/’?クトアークランプ源に対して
は2%しか転換されない。
本発明の他の観点に従えば、高いノソワー密度がカップ
リングされることを許容しそして過熱することなく高い
輝度が達成されそして相対的に長いパルプ寿命を生じる
独特な冷却技術が使用される。
この方法に従えばランプ被包体は1つ又はそれよシ多く
の冷却ガスの流れをそれに向けながら回転せしめられる
。被包体が回転するにつれて、その隣接表面部分は逐次
的に1つ又は複数のその流れの直接の通路に現われ、そ
の結果全表面積は十分に冷却される。この方法を使用し
2て、シリンダ状被包休の平均表面温度は慣用の冷却を
使用して850℃から約650℃に減じられた。
添付図面を参照し7て本発明を更にII情明する。
第1図を参照すると、マイクロ波発生式電極なしランプ
2が示されており、そ17てプヤンパ4及びチャンバ4
内に配置されているランプ被包体6から成ることがわか
る。ランプ被包体6は使用されるマイクロ波エネルギー
の波長より実質的に小さい最大寸法を有し、チャン・9
4はマイクロ波エネルギーを被包体に有効にカップリン
グさせるためのスロット8を有する。マイクロ波エネル
ギーは電源】2により活性化されるマグネlロア10に
よシ供給されそしてマグネトロンによシ発生されるマイ
クロ波エネルギーはマイクロ波チャンバにおける長方形
8を通して供給される。ランプがマイクロ波設計要件に
より指令されない形状の紫外線出力を有することが所望
される。この点において、チャンバ4は光学的用途の観
点から望ましい形状を有するように構成される。チャン
バの内側は紫外線反射材料で被覆され、チャンバはラン
プ被包体により放出される紫外線放射がチャンバから抜
は出ることを許容するための開口18を有する。開口は
紫外線放射を実質的に通すがチャンバ内のマイクロ波エ
ネルギーを実質的に通さない金属の網20で覆われてい
る。
本発明の他の特徴に従えば、マイクロ波エネルギーをラ
ンプ被包体に有効にカップリングさせるために、チャン
バそれ自体は共振近傍であるがランプが存在しない理想
的チャンバに対して計算される如き共振性(reson
ant )  ではないように構成される。共振近傍の
条件は小さな被包体6に最大カップリングをもたらし、
従ってそれから最大光線出力をもたらすことが見出され
た。更にカップリングを最大にするために、チャンバは
多数の波長よりはむしろ単一波長で共振近傍であシ、こ
れはマイクロ波エネルギーが有効に吸収されることを確
実にする。
第1図に示された本発明の好ましい態様においては、被
包体6はマイクロ波チャンバ4と同様に球形であり、そ
して被包体はチャンバの中心に位置づけられている。第
1図に示されたスロット8及び開口18の相対的位置づ
けは網20を通る相対的に均一な紫外線出力を与える。
これは重−要である。何故ならば紫外線フォトリトグラ
フィー及び他の用途は均一な放射を必要とするからであ
る。
深紫外線フォトリトグラフィーに必要な輝度水準を与え
るために、慣用の・切−密度水準よシ実質的に高い・ぞ
ワー密度を被包体にカップリングすることが必要である
。同時に、スペクトルの深紫外線部分において相対的に
高い出力を与えることが所望され、そしてこれを達成す
るために、放射が被包体6の内側に向けてよりはむしろ
被包体6の外半径(outer radii )におい
て放出されることが望ましいことが見出された。これに
対する理由は被包体の内側に向けて放出された放射は被
包体壁に達する前にプラズマにより吸収される傾向を有
するということであり、更に深紫外線波長は優先的に吸
収されると考えられる。
外半径において紫外線放射放出を引起こすために、プラ
ズマの皮部深さεは相対的に薄くせしめることが必要で
ある。しかしながら、皮部深さはより薄くなるにつれて
、エネルギーをプラズマにカップリングさせることはま
すます困難となる。
好ましい態様の場合においては水銀であるプラズマ形成
性媒体の圧力を相対的に低く、1気圧乃至2気圧の操作
範囲に調整することに1つ′C及びイクロ波エネルギー
をカッシリンダさせることにより、必要な輝度水準にお
ける高められた深紫外線スペクトル出力が得られること
が見出された。
第1図に示された本発明の好ましい態様においては、金
属チャンバ2は網20により覆われている2、8“円形
開口18を有する39″直径の球である。網20はワイ
ヤ中心間に0.033“の間隙を有する0、0017“
直径ワイヤの格子である。
球形ランプ被包体4は内径が 75 //でありそして
l1cl、アルゴンの如き貴ガス及びngct を充填
されている。水銀充填は相対的に低い圧力にあり、そし
2て枠作期間中HQは約1−2気圧であシ、アルゴンは
約100−200)ルである。適当なEgの操作圧力を
得るだめに、液体水銀約2×10−6m1の容量か製造
期間中パルプに挿入される。
マグネトロンlOはz45oJihzの周波数における
マイクロ波パワー約1500ワツトを与える。このノ七
ワーの大部分はプラズマにカップリンしる。得られる光
源は約8%のス被りトルの深紫外部における転化効率を
有し、そして約190該光源は、カップリングスロット
に入るパワーの大部分が吸収され、少量のみが反射され
るので非常に効率が良く、このことはマグネトロンに対
する好適に長い寿命をもたらす。
好ましい態様が球形被包体及び球形チャンバに関連して
示されだが、他の被包体及びチャンバ形状が本発明の精
神から逸脱することなく可能であることが理解されよう
。非限定的実施例として、第2図はシリンダ形状チャン
バにおいて球形ランプ被包体を使用する態様を示す。図
を参照すると、チャンバ30はその中におけるマイクロ
波カップリングスロット32と紫外線放射がチャンバか
ら出ることを許容するための、シリンダ形状表面に直径
方向にスロット32と対向した網で覆われた開口34を
有する。ラング被包体38は単一波長に対し、て共振近
傍であるように寸法づけられているシリンダの幾何学的
中心に位置づけられている。
種々の他の被包体形状が可能であり、そして他のチャン
バ形状の例は楕円体、双曲面、放物面、及び凹角球(r
e−entrant  5pheres )テある。
更に、マイクロ波チャンバは1つよシ多くのカッ表面を
非常に高温ならしめ、そしてもし十分な冷却が与えられ
ないならば、被包体は溶融しそして破断するであろう。
電極力しランプを冷却するだめの常用の方法は定置ラン
プ被包体上に空気を押しつけ又は引き離すことであり、
そして米国特許第4,042,850号に示された慣用
の正の強制式%式% tem)においては、圧縮機からの空気はランプ被包体
上にランプチャンバ内に押し込まれ、−力負ノモしくは
真空型システムにおいては、空気はチャンバからラング
被包体上から抜き取られる。
慣用の冷却システムの限界はヤサキヨシオ氏によシ特公
昭55−154097号に記載されており、制された空
気を使用する限界であること、それはよシ高い密度はラ
ング被包体を破断せしめそして輝度の高い光源を達成す
るために、ヤサキ氏はうンプ被包体が操作期間中水に浸
漬されているシステムを提唱している。
本発明に従えば、ラング被包体は、1つ又はそれより多
くの冷却ガスの流れを被包体に向けながら、被包体を通
過する軸線のまわシに回転せしめられる。被包体が回転
せしめられるにつれて、その隣接表面部分は逐次的に1
つ又はそれより多くの流れの直接の通路に現われ、それ
により全表面積が十分に冷却されるという結果と共に、
流れからの最大冷却効果を得る。冷却ガスの流J1が定
置ラングに向けられている先行技術システノ、に対して
非常に大きい改良をもたらす、。
第1図を参照すると、2ンプ被包体の心@#29を回転
さぜるためのモータ23が設けられている。
モータシャフト又はその延長部は、マイクロ波エネルギ
ーの逃けに対して有効にシールされているチャンバの開
口を通って延びている。。
網20は当業者には知られている機械的手段によってチ
ャンバ開口に取付けることができ、そして第1図におい
ては、網はチャンバに取付けられている綱取付はプレー
ト37に’if’;接される。
当業者に知られた種々の機械的手段がモータを心棒29
にカップリングさせるのに使用することができる。第1
図に示された態様において、その中にガスケット26を
有するフランツ21はチャンバ開口に配置されそして、
たとえば、1端でスクリーン旧刊はプレート37に、そ
してチャンバと並んでいる(αlonσ5ide )他
端において支持ロッド又はロッド60に取付けられるこ
とによって支持されることができる。心棒29はそのl
端にフェルール61を有し、フェルール61はシリンダ
形状カッシラー27にセメント接着する( cemen
ting )ことによって取付けられ、一方モータシャ
フト28は、たとえばカップラーの他端において止めね
じによって、取付けられている。
かくして、心棒29は実質的にはモータシャフト28の
延長部である。モータは7ランソ24に取付けられてお
り、これは取付はポスト22によって7ランソ21に数
句けられている。ばね25を設けることができ、そして
所vnの位11−Lに被包体6をねじ調節して位置づけ
る( 5crev)−adjv、5tedpositi
on )  ことができる、。
第3図は心棒29の長さ方向に垂直にチーヤンパ4の中
心を通って取られた第1図の断面図であり、そして示さ
れた特定態様における冷却ノズ2しの変位を示す。かく
して導管50.52及び54の末端であるノズル40,
42.及び44は・フィクロ波漏洩を防止するようにチ
ャンバ4の開【」の後ろに配置されそしてほぼチャンバ
の中心に向けられている。圧縮空気供給源38が設けら
れ、そして圧力下の空気が導管に供給されそして回転し
ている被包体6に向けてそれぞれのノズルを通して噴出
される。圧縮空気が説明の目的で記載されているが、窒
素又はヘリウムの如き他の冷却ガスを使用することがで
きる。
被包体が回転するにつれて、その隣接表面部分は冷却ガ
スの流れKよって直接打ち当たられそして全表面が十分
に冷却される。もし適当であるならば、4個より少ない
か又は多いノズルを使用することができる。第3図に示
された態様において1.75″直径の球形被包体を使用
して、ノズルのすべては球の中心を通過する面内に位置
づけられる。何故ならば、第1図に示された形状に関し
てはホットスポットがこの面において起こることが決定
されたからである。しかしながら、1,0”球形被包体
が使用されたときには、表面部分70及び第3図におい
てそれに直径方向に対向した表面部分においてよシ多く
の冷却が必要であることが見出された。故に、ノズル4
0はチャンバ中心面の1側に僅かにずれると共にノズル
42は他側にイ♂Δかにすれそしてノズル44及び46
に対して同様である。
か< 1.て深紫外放射に冨んでいる効率の良い輝光源
を与えるマイクロ波発生式電極なしランプのだめの種々
の構造が開示された。本発明は深紫外線フォトリトグラ
フィーに対する使用と関連して開示されだが、輝光源が
必要ないかなる場合にもその用途を見出すことができる
ことは認められるべきである。何故ならば充填物は深紫
外線を弱くしたり紫外線又は可視線を強めたりするよう
に変えることができるからである。更に、冷却システム
は球形以外のパルプを冷却するのに使用することができ
る。
従って、本発明の範囲内にある変更が当業者には行なわ
れ得ること及び本発明が’P:j il’l’ i?i
¥求の範囲及びその均等物によってのみ限定されること
は理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の具体例の図である。 第2図は本発明の第2の具体例の図である。 第3図は本発明の冷却システムの具体例の図である。 図において、2・・・マイクロ波発生式電極なしう/グ
、  4・・・チャンバ、  6・・・2ンプ被包体、
8・・・スロット、  IO・・・マグネトロン、  
12・・・電源、  18・・・開口、  20・・・
金属網、  23・・・モータ、  29・・・ ラン
グ被包体の心棒、30・・・チャンバ、  32・・・
マイクロ波カップリングスロット、  34・・・網で
覆われた開口、38・・・ラング被包体、 である。 特許庁長官 イ・T 杉和 夫  殿 3補正をする渚 名称  フュージヨン・システムス・コーポレーション
(氏 名) 4代 理 人〒107 、−ン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、実質的輝度で放射するマイクロ波発生式電極なしラ
    ングであって、 マイクロ波チャンバに特定周波数のマイクロ波エネルギ
    ーを入れるだめのスロットを有するマイクロ波チャンバ
    と、 プラズマ形成性媒体を含む該チャンバ内の被包体とを具
    備し、該被包体は該マイクロ波エネルギーの波長よシ実
    質的に小さい最大寸法を有し、該チャンバは該被包体に
    より放出される放射が出ることを許容するための開口を
    有し、そして該開口は該紫外線放射を実質的に通すが該
    マイクロ波エネルギーを実質的に通さない網によシ覆わ
    れている、上記ランプ。 λ その中に該被包体を持たない該マイクロ波チャンバ
    が共振近傍キャビティである特許請求の範囲第1項記載
    のランプ。 3、該マイクロ波チャンバが該マイクロ波エネルギーの
    単一の波長において共振近傍である特許請求の範囲第2
    項記載のランプ。 4、該特定の周波数におけるマイクロ波エネルギーを発
    生するだめの手段と、該発生したマイクロ波エネルギー
    を該スロットにカップリングするための手段とを更に含
    む特許請求の範囲第3項記載のランプ。 5 該プラズマ形成性媒体を入れる被包体が球形である
    特許請求の範囲第4項記載のランプ。 6、該マイクロ波チャンバが実質的に球形である特許請
    求の範囲第1項記載のランプ。 7、該マイクロ波チャンバが実質的に球形である特許請
    求の範囲第5項記載のランプ。 8. 該マイクロ波チャンバの内側が紫外線放射反射材
    料である特許請求の範囲第7項記載のランプ。 9、該被包体が該球形チャンバの中心に位置しダ ている時;τ′「請求の範囲第8項記載のランプ。 10、該スロット及び放射が出ることを許容する、該開
    口が該球形チャンバのまわりに900だけ相互に変位し
    ている特許請求の範囲p((41項記載のランプ。 lx、Hチャンバがシリンダ形状であわ、該シリンダの
    半径が共振近傍寸法である時1t’l’ ii+’l求
    の範囲第4項記載のラング。 12、被包体が該シリンダ形状チーVンバの幾何学的中
    心に位置している特許請求の範囲第11項記載のランプ
    。 13、Bスロット及び放射が出ることを許容する該開口
    がシリンダ形チャンバの曲がった壁に相互に直径方向に
    対向して位置しており、該被包体はその間に位置してい
    る特許請求の範囲第12項記載のランプ。 14、i紫外線出力に相対的に富んでおシ、該被包体が
    操作期間中はに’l、 を気圧乃至2気圧の圧力で水銀
    ケ含み、そして250ワツ) / crAを越える・ぐ
    ワー密度のマイクロ波エネルギーが該被包体にカンプリ
    ングされ、それによって該被包体の半径の半分より小さ
    い皮部深さが生じそして深紫外線放射は被包体の外半径
    において放出される特許請求の範囲第1項記載のランプ
    。 15 操作期間中非常に高温になるランプ被包体を有す
    る電極なしラング0を冷却する方法であって、 少なくとも1つの圧力下の冷却ガスの流れを与えること
    と、 該少なくとも1つの冷却ガスの流れを該ランプ被包体に
    向けることと、 該被包体を通過する軸線のまわシに該ランプ被包体を回
    転ぜしめて、該軸線のまわりの該被包体の表面部分が該
    少なくとも1つのガスの流れKよシ冷却されるようKす
    ることを含む方法。 16、該軸線は該被包体の中心を通過する特許請求の範
    囲第15項記載の方法。 17、  該少なくともガスのb1コれははtl:該被
    包体の中心に向けられている特許、i〜求の範囲第16
    項記載の方法。 ] 1(該電極なしランプはマイクロ波発式プラズマラ
    ンプより成る特許請求の範囲第15項記載の方法。 19、  操作期間中非常に高温になるう/プ被包休を
    有する電極なしランプを冷却するための装置であって、 少なくとも1つの圧力下の冷却ガスの流れを与える手段
    と、 該少なくとも1つの冷却ガスの流れを該被包体に向ける
    ための手段と、 該被包体を通過する軸線のまわりに該ランプ被包体を回
    転させて該軸線のまわりの該被包体の表面部分が該少な
    くとも1つのガスの流れにより冷却されるようにする手
    段とを具備する装置。 20、該軸線が該被包体の中心を通過する特許請求の範
    囲第19項記載の装置。 21、少なくとも1つの冷却ガスの流れを向けるだめの
    該手段が該少なくとも1つの流れを該被包体のは#コニ
    中心に向ける特許請求の範囲第20項記載の装置。 2z 該ランプはマイクロ波発生式グラズマラングより
    成る特許請求の範囲第18項記載の装置。 23、該ランプ被包体は伝導性チャンバ内に配随され、
    そして該少なくとも1つの冷却ガスの流れを向けるため
    の手段が該チャン・々の開口に配置されている少なくと
    も1つのノズル手段より成る特許請求の範囲第22項記
    載の装置。 24、該被包体中のプラズマの存在によシ被包体に操作
    期間中1つ又はそれよシ多くの高温スポットを発生せし
    め、そして該ノズル手段の該少なくとも1つは該被包体
    の回転期間中、該高温スポットがある区域に向けられる
    ように配置されている特許請求の範囲第23項記載の装
    置。 25 該ランプ被包体及び該チャンバが球形である特許
    請求の範囲第15又は22項記載の装置。 26、該球形チャンバはマイクロ波エネルギーをカップ
    リングするためのスロットを含み、該被包体は該スロッ
    トを通過する軸線の甘わシに回転せしめられ、該ノズル
    手段の少なくとも1つは該軸線に対[7て垂直で該被包
    体の中心を通過する面内に位置している特許請求の範囲
    第25項記載の装置。 27、該少なくとも1)のノズル手段は該面内に配置さ
    れそして該球形チャンバ上に実質的に相互に間隔を置い
    て配置された4個のノズル手段より成る特許請求の範囲
    第26項記載の装置。 28、該チャンバは該被包体により放出される紫外線放
    射が逃げることを許容するだめの開口を有し、そして核
    間は該開口の中心を通過する特許請求の範囲第27項記
    載の装置。 29 回転させるための該手段が電動機よシ成る特許請
    求の範囲第22項記載の装置。 30、  回転させるための該手段がシャフト並びにl
    端でモータシャフトに接続されそして他端でランプ被包
    体に接続された心棒を有する電動機より成る特許請求の
    範囲第28項記載の装置。 31、該モータシャフトは該カップリングスロットから
    該球形チャンバを直接横切って配置されている特許請求
    の範囲第30項記載の装置。
JP58090140A 1982-05-24 1983-05-24 マイクロ波無電極光源装置 Granted JPS5986153A (ja)

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