JPS5978942A - 光フアイバ母材製造系における排ガス処理方法 - Google Patents
光フアイバ母材製造系における排ガス処理方法Info
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- JPS5978942A JPS5978942A JP57185732A JP18573282A JPS5978942A JP S5978942 A JPS5978942 A JP S5978942A JP 57185732 A JP57185732 A JP 57185732A JP 18573282 A JP18573282 A JP 18573282A JP S5978942 A JPS5978942 A JP S5978942A
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- scrubbing
- waste liquor
- optical fiber
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/0144—Means for after-treatment or catching of worked reactant gases
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ファイバ母相製造系における排ガス処理方法
に関する。
に関する。
光フアイバ母材を製造するとき、火炎加水分解法、熱分
解法によるＣＶＤ法、ＶＡＤ法などがよく用いられてお
り、これらの方法では次式で例示するような反応が起こ
り、その排ガスとしてＨＣｌが発生する。
解法によるＣＶＤ法、ＶＡＤ法などがよく用いられてお
り、これらの方法では次式で例示するような反応が起こ
り、その排ガスとしてＨＣｌが発生する。
ｓ ｒ Ｃ４＋ ２ Ｈ２０→Ｓ ｉｏ２＋４ＨＣ１Ｇ
ｅＣ４＋２Ｈ２０−＋ Ｇｅｍ□＋４ＨＣ７通常、上
記のごときＨＣｌを含む排ガスは、これを大気中へ放出
する前、アルカリ性水溶液と接触させて中和番こよる清
シ矛化処理を行なっている。
ｅＣ４＋２Ｈ２０−＋ Ｇｅｍ□＋４ＨＣ７通常、上
記のごときＨＣｌを含む排ガスは、これを大気中へ放出
する前、アルカリ性水溶液と接触させて中和番こよる清
シ矛化処理を行なっている。
また、ＨＣｔが水番こ溶解することもよく知られヱいる
。
。
ところで、上記排ガスをアルカリ性水溶液で洗浄した場
合、未反応のＳ ｉ Ｃ１４、ＧｅＣ７４などが該ガス
中に微量含まれているため、そのアルカリ洗浄廃液中番
こは沈澱や濾過しにくい固体が生成されてしまい、当該
廃液の処理が困難となっている。
合、未反応のＳ ｉ Ｃ１４、ＧｅＣ７４などが該ガス
中に微量含まれているため、そのアルカリ洗浄廃液中番
こは沈澱や濾過しにくい固体が生成されてしまい、当該
廃液の処理が困難となっている。
もちろん上記排ガスを水洗しただけでは、ＨＣｌの除去
が不充分となる。
が不充分となる。
そのため上記１フ１ガヌを水洗した後、さらにアルカリ
性水溶液で洗浄を行な９方法が提案され、この方法によ
るときは、かなりの排ガス処理効果が得られている。
性水溶液で洗浄を行な９方法が提案され、この方法によ
るときは、かなりの排ガス処理効果が得られている。
しかしこの提案例でも、アルカリ洗浄廃液の中和処理中
、周囲（こ異臭を放つといった悪臭公害の問題があり、
その他（こも、固体分を含む上記廃液の固液分離とか、
廃液輸送など、これらに関する取り扱いについて種々指
摘されている。
、周囲（こ異臭を放つといった悪臭公害の問題があり、
その他（こも、固体分を含む上記廃液の固液分離とか、
廃液輸送など、これらに関する取り扱いについて種々指
摘されている。
本発明は上記の問題点に鑑み、先の提案例をさｒ−）（
こ改善したもので、以下その具体的方法を図示のブロッ
クダイヤグラムにより説明する。
こ改善したもので、以下その具体的方法を図示のブロッ
クダイヤグラムにより説明する。
本発明が前提としている光フアイバ母材製造系（１）で
は、５ＩＣｔ４、ＧｅＣｔ４、ＰＯＣｌ３、ＢＢｒ３な
どのハロゲン化合物をこれの反応工程へと供給し、該反
応工程番こおいて酸水素炎（こよりハロゲン化合物を火
炎加水分解するとか、あるいは０２の存在下においてそ
のハロゲン化合物を熱分解するのであり、これ（こより
得られた酸化物粉末を所定箇所へ堆積させて光フアイバ
用の多孔質母材等をつくる。
は、５ＩＣｔ４、ＧｅＣｔ４、ＰＯＣｌ３、ＢＢｒ３な
どのハロゲン化合物をこれの反応工程へと供給し、該反
応工程番こおいて酸水素炎（こよりハロゲン化合物を火
炎加水分解するとか、あるいは０２の存在下においてそ
のハロゲン化合物を熱分解するのであり、これ（こより
得られた酸化物粉末を所定箇所へ堆積させて光フアイバ
用の多孔質母材等をつくる。
上記の反応に際しては既述の通り、塩素化合物含有の排
ガスが発生するのであり、この排ガスは排ガス処理系（
２）へ送りこまれる。
ガスが発生するのであり、この排ガスは排ガス処理系（
２）へ送りこまれる。
υ［ガス処理系（２）では、はじめ上記排ガスが水洗工
程にかけられる。
程にかけられる。
この水洗工程では、スクラツバ（５ｃｒｕｂｂｅｒ）の
ごとき充填材入りの塔を介して排ガスと洗浄水とを気液
接触させるのであり、その洗浄水により排ガス中の固体
微粒子（Ｓ ｉ ０２ 、Ｇｅ ０２など）を捕捉する
。
ごとき充填材入りの塔を介して排ガスと洗浄水とを気液
接触させるのであり、その洗浄水により排ガス中の固体
微粒子（Ｓ ｉ ０２ 、Ｇｅ ０２など）を捕捉する
。
こうして１次処理した排ガスは、つぎのアルカリ洗浄工
程で洗浄するのであり、このアルカリ洗浄工程でも、前
記のごときヌクラツノくによる１次処理排ガスとアルカ
リ性水溶液（ＮａＯＨ。
程で洗浄するのであり、このアルカリ洗浄工程でも、前
記のごときヌクラツノくによる１次処理排ガスとアルカ
リ性水溶液（ＮａＯＨ。
Ｃａ（ＯＩ４）２などの洗浄液）との気液接触を行ない
、該アルカリ洗浄液により１次処理排ガス中の塩素化合
物を抽促し、捕集する。
、該アルカリ洗浄液により１次処理排ガス中の塩素化合
物を抽促し、捕集する。
かくて２次処理までを終えた排ガスすなわち清浄化ガス
は所定の排気系を経由させて大気中などへ放出する。
は所定の排気系を経由させて大気中などへ放出する。
一方、上記面洗浄」−程により生じた水洗廃液、アルカ
リ洗浄廃液などはこれらを廃液処理系（３）へ導入して
下記の処理を行なう。
リ洗浄廃液などはこれらを廃液処理系（３）へ導入して
下記の処理を行なう。
まず、水洗工程からの水洗ｊ発液はこれを廃液処理系（
３）の中和槽へと導入するが、アルカリ洗浄廃液はこれ
を−たん反応槽へ導入し、該反応槽内（こおいてチオ硫
酸ソーダと混合することにより所定の処理を行なわせた
後、前記水洗廃液と同じく中和槽へ導入する。
３）の中和槽へと導入するが、アルカリ洗浄廃液はこれ
を−たん反応槽へ導入し、該反応槽内（こおいてチオ硫
酸ソーダと混合することにより所定の処理を行なわせた
後、前記水洗廃液と同じく中和槽へ導入する。
この中和槽では水洗廃液との混合状態においてアルカリ
洗浄ＩＪｅ ｉ／＆の中和が完了するのであり、この際
該中和槽には必要に応して酸性とかアルカリ性などのＰ
Ｈ調整液が潅注され、中和された当該処理廃液は固液
分離工程にかけられる。
洗浄ＩＪｅ ｉ／＆の中和が完了するのであり、この際
該中和槽には必要に応して酸性とかアルカリ性などのＰ
Ｈ調整液が潅注され、中和された当該処理廃液は固液
分離工程にかけられる。
そして固液分離工程後の処理廃液は問題のない処理水と
して下水道、河川などへ放流されることとなり、一方、
当該分離工程により分離した固体はケーキ状に成形され
焼却処理などが施される。
して下水道、河川などへ放流されることとなり、一方、
当該分離工程により分離した固体はケーキ状に成形され
焼却処理などが施される。
なお、より具体的な実施例として、ＶＡＤ法による多孔
質母材の製造時、Ｓ ｉ Ｃｔ４ 、Ｇ ｅ Ｃｔ４、
ＰＯＣｌ３などのハロゲン化合物を酸水素炎により加水
分令反応させ、この際に発生した排ガス（流量＝ ０．
Ｉ ｎｌ ／ ｍｉｘ ）を充填塔により水洗した後
、５％Ｎ ａ ＯＨ水溶液で洗浄した。
質母材の製造時、Ｓ ｉ Ｃｔ４ 、Ｇ ｅ Ｃｔ４、
ＰＯＣｌ３などのハロゲン化合物を酸水素炎により加水
分令反応させ、この際に発生した排ガス（流量＝ ０．
Ｉ ｎｌ ／ ｍｉｘ ）を充填塔により水洗した後
、５％Ｎ ａ ＯＨ水溶液で洗浄した。
上記両洗浄後、大気中へ放出された清浄化ガスはＨＣｔ
（２ｐｐｍ、Ｃｔ２’ （０，２ｐｐｍ と高度番こ
浄化されていた。
（２ｐｐｍ、Ｃｔ２’ （０，２ｐｐｍ と高度番こ
浄化されていた。
一方、排ガス洗浄にともなって生じた水洗廃液、カルカ
リ洗浄廃液は１％チオ硫酸ソーダを介して容易に中和さ
れ、固液分離も沈澱法などにより簡単に実施できた。
リ洗浄廃液は１％チオ硫酸ソーダを介して容易に中和さ
れ、固液分離も沈澱法などにより簡単に実施できた。
固Ｃ夜分離後の処理水すなわち放流水はＰＨ７０であり
、中和処理中の異臭も殆どなかった。
、中和処理中の異臭も殆どなかった。
以上説明した通り、本発明は光フアイバ母材製造系にお
けるハロゲン化合物の反応工程で生じた塩素化合物含有
の排ガスを処理する方法（こおいて、上記排ガスははじ
め水で洗浄し、つぎ（こアルカリ性水溶液で洗浄し、当
該両洗浄処理後のｔＪＩガスはこれの排気系へ送気し、
上記両洗浄番こより生じた洗浄廃液のうち、アルカリ洗
浄廃液はチオ１ｉｎｔ酸ソーダと反応させた後、水洗廃
液とともに中和処理することを特徴としているから、実
施例でも例証した通り、この種のυト気ガヌを高度に浄
化することができるとともに洗浄後の廃液もほぼ完全（
こ中和でき、さらに異臭の発生も解消できることとなっ
た。
けるハロゲン化合物の反応工程で生じた塩素化合物含有
の排ガスを処理する方法（こおいて、上記排ガスははじ
め水で洗浄し、つぎ（こアルカリ性水溶液で洗浄し、当
該両洗浄処理後のｔＪＩガスはこれの排気系へ送気し、
上記両洗浄番こより生じた洗浄廃液のうち、アルカリ洗
浄廃液はチオ１ｉｎｔ酸ソーダと反応させた後、水洗廃
液とともに中和処理することを特徴としているから、実
施例でも例証した通り、この種のυト気ガヌを高度に浄
化することができるとともに洗浄後の廃液もほぼ完全（
こ中和でき、さらに異臭の発生も解消できることとなっ
た。
特にアルカリ洗浄廃液はチオ硫酸ソーダ番こよる反応後
、水洗廃液とともに中和処理するから、固液分離が簡単
で分離後の固体、液体の取り扱いが容易となり、べとつ
きなどが生じないから処理設備周辺を汚染することも少
ない。
、水洗廃液とともに中和処理するから、固液分離が簡単
で分離後の固体、液体の取り扱いが容易となり、べとつ
きなどが生じないから処理設備周辺を汚染することも少
ない。
図面は本発明方法の１実施例を示したブロックダイヤグ
ラムである。 （１）・・・・・光フアイバ母材製造系（２）・・・・
・排ガス処理系 （３）・・・・・廃液処理系、
ラムである。 （１）・・・・・光フアイバ母材製造系（２）・・・・
・排ガス処理系 （３）・・・・・廃液処理系、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光フアイバ母材製造系におけるハロゲン化合物の反応工
程で生じた塩素化合物含有のυＦガスを処理する方法に
おいて、上記刊ガスははじめ水で洗浄処理し、つぎにア
ルカリ性水溶液で洗浄し、当該両洗浄後のυ［ガスはこ
れの排気系へ送気し、上記両洗浄【こより生じた洗浄廃
液のうち、アルカリ洗浄Ｐｊｅｔｊ、はチオ硫酸ソーダ
と反応させた後、水洗廃液とともに中和処理することを
特徴とした光フアイバ母材製造系における排ガス処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57185732A JPS5978942A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 光フアイバ母材製造系における排ガス処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57185732A JPS5978942A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 光フアイバ母材製造系における排ガス処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5978942A true JPS5978942A (ja) | 1984-05-08 |
Family
ID=16175885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57185732A Pending JPS5978942A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 光フアイバ母材製造系における排ガス処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5978942A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187921A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
| JPS62186924A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-15 | スタンダ−ド・エレクトリツク・ロ−レンツ・アクチエンゲゼルシヤフト | 排ガスからダストおよびガス汚染物質を除去するための方法および装置 |
| JP2005211878A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Takuma Co Ltd | 排ガス中の炭酸ガス除去方法及び排ガス中の炭酸ガス除去装置 |
| WO2006027889A1 (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 無害化方法およびその実施に用いる設備 |
| CN101810991A (zh) * | 2010-04-14 | 2010-08-25 | 太原理工大学 | 一种氯气捕消粉的制备方法 |
| CN105377392A (zh) * | 2013-04-09 | 2016-03-02 | 瓦克化学股份公司 | 用于处理包含氯硅烷的液体的装置和方法 |
| CN108211756A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-06-29 | 重庆熵臻科技有限公司 | 一种四氯化锗提纯用防堵塞型可应急操作的碱液喷淋塔 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5299966A (en) * | 1976-02-17 | 1977-08-22 | Fujikura Ltd | Treatment for removing halogen gas |
| JPS53147679A (en) * | 1977-05-31 | 1978-12-22 | Nippon Solid Co Ltd | Deodorization method |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP57185732A patent/JPS5978942A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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