JPS5974728A - トランジスタの過電圧保護回路 - Google Patents
トランジスタの過電圧保護回路Info
- Publication number
- JPS5974728A JPS5974728A JP57185581A JP18558182A JPS5974728A JP S5974728 A JPS5974728 A JP S5974728A JP 57185581 A JP57185581 A JP 57185581A JP 18558182 A JP18558182 A JP 18558182A JP S5974728 A JPS5974728 A JP S5974728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- diode
- collector
- overvoltage
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0814—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
- H03K17/08146—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in bipolar transistor switches
Landscapes
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波インバータ回路に適用されるトランジス
タを過電圧から保護する回路に関する。
タを過電圧から保護する回路に関する。
第１図に示すパルス幅変調（ＰＷＭ）方式のトランジス
タインバータの動作波形を第２図に示す。
タインバータの動作波形を第２図に示す。
今、トランジスタ１１および１４がオフ、トランジスタ
１２がオン、トランジスタ１３がＰＷＭ動作を行ってい
るとすると、期間１＋では電流ｉｔ＋は電源１５→トラ
ンジスタ１２→電動機１６→トランジスタ１３→電源１
５の順に流れ、期間ｔ２では電流ｉｔｚが電動機１６→
ダイオ一ド２１→トランジスタ１２→電動機の順に流れ
る。次にｔ２が終わりｔ３に入ると、 ｔ２の間ダイオ
ード２１に順方向電流ｉｔｓが流れていたために、ダイ
オード２１に逆方向回復電流が流れる。この電流はトラ
ンジスタ１３のコレクタ電流に重畳されるため、トラン
ジスタのターンオン損失が増加する。俤ってターンオン
損失を減するために、ダイオード２１は高速ダイオード
であることが必要である。同様に他のダイオードも高速
ダイオードでなければならない。
１２がオン、トランジスタ１３がＰＷＭ動作を行ってい
るとすると、期間１＋では電流ｉｔ＋は電源１５→トラ
ンジスタ１２→電動機１６→トランジスタ１３→電源１
５の順に流れ、期間ｔ２では電流ｉｔｚが電動機１６→
ダイオ一ド２１→トランジスタ１２→電動機の順に流れ
る。次にｔ２が終わりｔ３に入ると、 ｔ２の間ダイオ
ード２１に順方向電流ｉｔｓが流れていたために、ダイ
オード２１に逆方向回復電流が流れる。この電流はトラ
ンジスタ１３のコレクタ電流に重畳されるため、トラン
ジスタのターンオン損失が増加する。俤ってターンオン
損失を減するために、ダイオード２１は高速ダイオード
であることが必要である。同様に他のダイオードも高速
ダイオードでなければならない。
一方、トランジスタをスイッチング回路に適用する際、
トランジスタがターンオフしようとすると、第３図に示
すように回路の浮遊インダクタンスによって△■ｃＥの
サージ電圧が印加される。一般的にスイッチング回路に
おいては、トランジスタノヘース・エミッタ間を逆バイ
アスしてターンオフさせることが多く、この場合△Ｖｃ
８のサージ電圧によって第４図に示すようｌこトランジ
スタの動作軌跡４１がトランジスタ自身の持つベース・
エミッタ間逆バイアス時の安全動作領域（ＲＪ３ＳＯＡ
）４２をはみ出してしまい、二次降伏による破壊へ至っ
てしまうという問題点がよく知られている。
トランジスタがターンオフしようとすると、第３図に示
すように回路の浮遊インダクタンスによって△■ｃＥの
サージ電圧が印加される。一般的にスイッチング回路に
おいては、トランジスタノヘース・エミッタ間を逆バイ
アスしてターンオフさせることが多く、この場合△Ｖｃ
８のサージ電圧によって第４図に示すようｌこトランジ
スタの動作軌跡４１がトランジスタ自身の持つベース・
エミッタ間逆バイアス時の安全動作領域（ＲＪ３ＳＯＡ
）４２をはみ出してしまい、二次降伏による破壊へ至っ
てしまうという問題点がよく知られている。
この破壊現象を防ぐため、最も簡単な回路としては、ト
ランジスタのコレクタ・エミッタ間にツェナダイオード
を接続する方法が知られている。
ランジスタのコレクタ・エミッタ間にツェナダイオード
を接続する方法が知られている。
このツェナダイオードのツェナ電圧は、電源電圧Ｖｃｃ
より高く、トランジスタのコレクタ耐圧より低く構成さ
れていなければならない。しかし例えば４００ｖ入カイ
ンバータでは、ツェナダイオードがこの条件を満たそう
とすれば、ツェナ電圧は少なくとも６００Ｖ以上に設定
しなければならないが、このときツェナダイオードの逆
回復時間ｔｒｒは１０μ鋼となり、前述のターンオン損
失の増大が問題となる。このためインバータ回路に適用
されるトランジスタにサージ電圧が加わるのを防ぐ方法
としてこのような逆並列ツェナダイオードを用いること
ができず、例えばスナバのような回路構成上複雑なもの
を用いざるを得ないという欠点がある。
より高く、トランジスタのコレクタ耐圧より低く構成さ
れていなければならない。しかし例えば４００ｖ入カイ
ンバータでは、ツェナダイオードがこの条件を満たそう
とすれば、ツェナ電圧は少なくとも６００Ｖ以上に設定
しなければならないが、このときツェナダイオードの逆
回復時間ｔｒｒは１０μ鋼となり、前述のターンオン損
失の増大が問題となる。このためインバータ回路に適用
されるトランジスタにサージ電圧が加わるのを防ぐ方法
としてこのような逆並列ツェナダイオードを用いること
ができず、例えばスナバのような回路構成上複雑なもの
を用いざるを得ないという欠点がある。
本発明は、上述の欠点を除去して高周波インバータ回路
を構成するトランジスタのより簡単な過電圧保護回路を
提供することを目的とする。
を構成するトランジスタのより簡単な過電圧保護回路を
提供することを目的とする。
この目的はトランジスタのコレクタ・エミッタ間に逆並
列にｔｒｒ ａμ就以下のツェナダイオードを接続する
ことによって達成される。
列にｔｒｒ ａμ就以下のツェナダイオードを接続する
ことによって達成される。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
５図においてトランジスタ１のコレクタ２とエミッタ３
の間に、逆並列、に例えばライフタイムキラーによって
高速化されたツェナダイオード４が接続されている。こ
のツェナダイオード４のツェナ電圧は、使用される回路
においてトランジスタ１に定常的に印加される電圧（例
えば電源電圧）より高く、トランジスタ１のコレクタ耐
圧より低くなるように設定されている。またこのツェナ
ダイオード４のｔｒｒは３μ冠以下にあることを要し、
例えば１μ（６）のものを用いる。
５図においてトランジスタ１のコレクタ２とエミッタ３
の間に、逆並列、に例えばライフタイムキラーによって
高速化されたツェナダイオード４が接続されている。こ
のツェナダイオード４のツェナ電圧は、使用される回路
においてトランジスタ１に定常的に印加される電圧（例
えば電源電圧）より高く、トランジスタ１のコレクタ耐
圧より低くなるように設定されている。またこのツェナ
ダイオード４のｔｒｒは３μ冠以下にあることを要し、
例えば１μ（６）のものを用いる。
以上述べたように本発明によれば高周波インバータを構
成するトランジスタのコレクタ・エミッタ間に逆並列ダ
イオードとして高速のツェナダイオードを使用して過電
圧保護用ダイオードとフリーホイールダイオードの両方
の機能を持たせたため、過電圧保護回路を簡素に、かつ
安価に構成できる効果が得られる。
成するトランジスタのコレクタ・エミッタ間に逆並列ダ
イオードとして高速のツェナダイオードを使用して過電
圧保護用ダイオードとフリーホイールダイオードの両方
の機能を持たせたため、過電圧保護回路を簡素に、かつ
安価に構成できる効果が得られる。
第１図は従来のトランジスタインバータの出力部の回路
図、第２図はその表部の動作波形図、第３図はトランジ
スタのターンオフ波形図、第４図はトランジスタのター
ンオフ時の動作軌跡と諜へとの関係を示すＩＣ−■ｃハ
線図、第５図は本発明の一実施例を示す回路図である。 １・・・トランジスタ、２・・・高速ツェナダイオード
。 才１図 ｔＺ凹 ｆ３閃 一一トＶｃＥＸ ヤ４閃 ′ｉ５閃
図、第２図はその表部の動作波形図、第３図はトランジ
スタのターンオフ波形図、第４図はトランジスタのター
ンオフ時の動作軌跡と諜へとの関係を示すＩＣ−■ｃハ
線図、第５図は本発明の一実施例を示す回路図である。 １・・・トランジスタ、２・・・高速ツェナダイオード
。 才１図 ｔＺ凹 ｆ３閃 一一トＶｃＥＸ ヤ４閃 ′ｉ５閃
Claims (1)
- １）高周波インバータを構成するトランジスタのコレク
タ・エミッタ間に逆並列に逆回復時間ｔｒｒ３μ就以下
のツェナダイオードが接続さ゛れたことを特徴とするト
ランジスタの過電圧保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57185581A JPS5974728A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | トランジスタの過電圧保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57185581A JPS5974728A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | トランジスタの過電圧保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5974728A true JPS5974728A (ja) | 1984-04-27 |
Family
ID=16173306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57185581A Pending JPS5974728A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | トランジスタの過電圧保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5974728A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5349230A (en) * | 1990-12-28 | 1994-09-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Diode circuit for high speed switching transistor |
| EP0800273A2 (en) * | 1996-04-01 | 1997-10-08 | Motorola, Inc. | Inductive driver and method therefor |
| US5760619A (en) * | 1995-08-30 | 1998-06-02 | Nec Corporation | Piezoelectric transformer driver circuit |
| EP1441574A1 (en) * | 2001-11-01 | 2004-07-28 | Harison Toshiba Lighting Corporation | Discharging lamp apparatus |
| JP2008178174A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Diamond Electric Mfg Co Ltd | 制御モータ駆動装置 |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP57185581A patent/JPS5974728A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5349230A (en) * | 1990-12-28 | 1994-09-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Diode circuit for high speed switching transistor |
| US5469103A (en) * | 1990-12-28 | 1995-11-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Diode circuit for high speed switching transistor |
| US5760619A (en) * | 1995-08-30 | 1998-06-02 | Nec Corporation | Piezoelectric transformer driver circuit |
| EP0800273A2 (en) * | 1996-04-01 | 1997-10-08 | Motorola, Inc. | Inductive driver and method therefor |
| EP0800273A3 (en) * | 1996-04-01 | 1999-01-13 | Motorola, Inc. | Inductive driver and method therefor |
| EP1441574A1 (en) * | 2001-11-01 | 2004-07-28 | Harison Toshiba Lighting Corporation | Discharging lamp apparatus |
| EP1441574A4 (en) * | 2001-11-01 | 2007-05-09 | Harison Toshiba Lighting Corp | DISCHARGE LAMP APPARATUS |
| JP2008178174A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Diamond Electric Mfg Co Ltd | 制御モータ駆動装置 |
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