JPS5974729A - 高周波スイツチング回路用トランジスタの過電圧保護回路 - Google Patents
高周波スイツチング回路用トランジスタの過電圧保護回路Info
- Publication number
- JPS5974729A JPS5974729A JP57185582A JP18558282A JPS5974729A JP S5974729 A JPS5974729 A JP S5974729A JP 57185582 A JP57185582 A JP 57185582A JP 18558282 A JP18558282 A JP 18558282A JP S5974729 A JPS5974729 A JP S5974729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- collector
- diode
- circuit
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08126—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in bipolar transitor switches
Landscapes
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波スイッチング回路に用いられるトランジ
スタを過電圧よシ保膜する回路に関する。
スタを過電圧よシ保膜する回路に関する。
トランジスタのスイッチング特性を改善するために第１
図に示すようにトランジスタ１０ベース・コレクタ間に
コレクタ・キャッチャダイオード２、ベースに直列にベ
ースシリーズダイオード３とスピードアップダイオード
４との逆並列回路を接続することは知られている。コレ
クタΦキャッチャダイオードは過剰ベース電流をバイパ
スするためのもので、逆回後時間ｔｒｒの短いものを用
いなければならない。一方、このトランジスタ１を過電
圧から保護するために従来はＣ−Ｒスナノ（回路が用い
られていた。
図に示すようにトランジスタ１０ベース・コレクタ間に
コレクタ・キャッチャダイオード２、ベースに直列にベ
ースシリーズダイオード３とスピードアップダイオード
４との逆並列回路を接続することは知られている。コレ
クタΦキャッチャダイオードは過剰ベース電流をバイパ
スするためのもので、逆回後時間ｔｒｒの短いものを用
いなければならない。一方、このトランジスタ１を過電
圧から保護するために従来はＣ−Ｒスナノ（回路が用い
られていた。
本発明は高価であり、複雑な接続を必要とするＣ−Ｒツ
ナ２回路を用いないで、安価で簡単な高周波スイッチン
グ回路用トランジスタ過電圧保護回路を提供することを
目的とする。
ナ２回路を用いないで、安価で簡単な高周波スイッチン
グ回路用トランジスタ過電圧保護回路を提供することを
目的とする。
この目的は、トランジスタのベース・コレクタ間に順方
向をベース・コレクタ接合と同じ向きにして、ｔｒｒ
１μｓｅｃ 以下のツェナダイオードが接続されること
によって達成される。
向をベース・コレクタ接合と同じ向きにして、ｔｒｒ
１μｓｅｃ 以下のツェナダイオードが接続されること
によって達成される。
ベースやコレクタ間にツェナダイオードを接続してトラ
ンジスタを過電圧から保護することはよく知られている
。しかし、例えば３００ｖ級のツェナダイオードはｔｒ
ｒが数μ８ｔｌｅもあり・これを６−ス・コレクタ間に
接続すればトランジスタのスイッチング速度を遅くさせ
るため、高周波スイッチング回路用トランジスタには適
用することができない１、もしツェナダイオードによっ
て過電圧を保護しようとすれば、第２図に示すようにツ
エナダイオード５とダイオード６の逆直列回路をコレク
ターキャッチャダイオード２の回路と別にトランジスタ
１０ベース・コレクタ間に接続しなければならない。し
かるに本発明ではツェナダイオードとして、例えばライ
フタイムキラーによりｔｒｒを１μｓｅｃ以下に調整し
たものを用いることにより第３図に示すようにツェナダ
イオード７をコレクタ・キャッチャダイオードと兼用せ
しめることができる。
ンジスタを過電圧から保護することはよく知られている
。しかし、例えば３００ｖ級のツェナダイオードはｔｒ
ｒが数μ８ｔｌｅもあり・これを６−ス・コレクタ間に
接続すればトランジスタのスイッチング速度を遅くさせ
るため、高周波スイッチング回路用トランジスタには適
用することができない１、もしツェナダイオードによっ
て過電圧を保護しようとすれば、第２図に示すようにツ
エナダイオード５とダイオード６の逆直列回路をコレク
ターキャッチャダイオード２の回路と別にトランジスタ
１０ベース・コレクタ間に接続しなければならない。し
かるに本発明ではツェナダイオードとして、例えばライ
フタイムキラーによりｔｒｒを１μｓｅｃ以下に調整し
たものを用いることにより第３図に示すようにツェナダ
イオード７をコレクタ・キャッチャダイオードと兼用せ
しめることができる。
以上述べたように本発明は高周波ス・イツチング回路に
用いられるトランジスタのコレクタ番キャッチャダイオ
ードとしてｔｒｒが１．０μ１ｉｅｅ以下となるように
ライフタイム調整をされたツェナダイオードを用いるこ
とにより、複雑な回路構成なしにトランジスタの過電圧
保護を行うもので、特にインバータなどにおけるトラン
ジスタのようにターンオフ時に浮遊インダクタンスによ
ってＭ４図に示すようなサージ電圧△Ｖ（Ｊが印加され
、しかも高周波特性の要求されるトランジスタに対して
極めて有効に適用できる。
用いられるトランジスタのコレクタ番キャッチャダイオ
ードとしてｔｒｒが１．０μ１ｉｅｅ以下となるように
ライフタイム調整をされたツェナダイオードを用いるこ
とにより、複雑な回路構成なしにトランジスタの過電圧
保護を行うもので、特にインバータなどにおけるトラン
ジスタのようにターンオフ時に浮遊インダクタンスによ
ってＭ４図に示すようなサージ電圧△Ｖ（Ｊが印加され
、しかも高周波特性の要求されるトランジスタに対して
極めて有効に適用できる。
第１図はトランジスタのスイッチング特性改善のための
回路図、第２図は第１図のトランジスタを過電圧保護す
るための回路図、第３図は本発明の一実施例の回路図で
おる。 １・・・トランジスタ、７・・・高速ツェナダイオード
。 −ＵＦ４閃 ブ４閃 手続補正書（方式） 昭４図＾年 ３月２３日 特許庁 長官 若杉和夫殿 １、事件の表示 特願昭寸７−／δ（ぐδＺ３、補
正をする者 事件との関係 出願人 ４、代 理 人 僧ヂｄ（もｅＣ（を４田０４６σ呵入 ８、補正の内容 別紙の通り 補正の内容 明細書第４頁第５行目「図」の次に「、第４図は、トラ
ンジスタに加わり得るサージ電圧の波形を例示する線図
」を挿入します。
回路図、第２図は第１図のトランジスタを過電圧保護す
るための回路図、第３図は本発明の一実施例の回路図で
おる。 １・・・トランジスタ、７・・・高速ツェナダイオード
。 −ＵＦ４閃 ブ４閃 手続補正書（方式） 昭４図＾年 ３月２３日 特許庁 長官 若杉和夫殿 １、事件の表示 特願昭寸７−／δ（ぐδＺ３、補
正をする者 事件との関係 出願人 ４、代 理 人 僧ヂｄ（もｅＣ（を４田０４６σ呵入 ８、補正の内容 別紙の通り 補正の内容 明細書第４頁第５行目「図」の次に「、第４図は、トラ
ンジスタに加わり得るサージ電圧の波形を例示する線図
」を挿入します。
Claims (1)
- １） トランジスタのベース拳コレクタ間に順方向をベ
ース・コレクタ接合と同じ向きにしてｔｒｒ １μ８６
ｅ以下のツェナダイオードが接続されたことを特徴とす
る高周波スイッチング回路用トランジスタの過電圧保護
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57185582A JPS5974729A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 高周波スイツチング回路用トランジスタの過電圧保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57185582A JPS5974729A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 高周波スイツチング回路用トランジスタの過電圧保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5974729A true JPS5974729A (ja) | 1984-04-27 |
Family
ID=16173324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57185582A Pending JPS5974729A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 高周波スイツチング回路用トランジスタの過電圧保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5974729A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH024009A (ja) * | 1987-12-23 | 1990-01-09 | Lenze Gmbh & Co Kg Aerzen | 切換トランジスタの保護用回路装置 |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP57185582A patent/JPS5974729A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH024009A (ja) * | 1987-12-23 | 1990-01-09 | Lenze Gmbh & Co Kg Aerzen | 切換トランジスタの保護用回路装置 |
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