JPS5974703A - マイクロ波回路用基板 - Google Patents
マイクロ波回路用基板Info
- Publication number
- JPS5974703A JPS5974703A JP18560282A JP18560282A JPS5974703A JP S5974703 A JPS5974703 A JP S5974703A JP 18560282 A JP18560282 A JP 18560282A JP 18560282 A JP18560282 A JP 18560282A JP S5974703 A JPS5974703 A JP S5974703A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- hole
- ferrite
- glass
- taper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マイクロ波回路に用いられるサーキュレータ
、アイソレータ等の非可逆素子を設けられるマイクロ波
ＩＣ基板に関するものである。
、アイソレータ等の非可逆素子を設けられるマイクロ波
ＩＣ基板に関するものである。
近年、マイクロ波回路の増幅回路等の能動回路ではアル
ミナ基板等を用い千厚膜、薄膜による混成集積回路化が
進み小型化、無調整化と共に、高安定８低価格化が着実
に進んでいる。これに対し受動回路関係り集積化が進ま
ず旧態の大きい学一部品を使用している場合が多い、一
方、マイクロ波通信が人工衛星通信を初め多様化の方向
に進むに従いマイクロ波衛星通信装装置としても小形化
。
ミナ基板等を用い千厚膜、薄膜による混成集積回路化が
進み小型化、無調整化と共に、高安定８低価格化が着実
に進んでいる。これに対し受動回路関係り集積化が進ま
ず旧態の大きい学一部品を使用している場合が多い、一
方、マイクロ波通信が人工衛星通信を初め多様化の方向
に進むに従いマイクロ波衛星通信装装置としても小形化
。
１安定化、低価格化の要請が一段と大きくなってきてい
る。
る。
一方、非可逆素子のサーキュレータ、アイソレータなど
は１円板フェ２イトを用いた同軸型や導波管型が一般的
なため、マイクロ波回路内で大きな体積を占めている場
合が多い、しかし、能動回路の小型化と共にこれら非可
逆素子も小形化、低価格化の必要がありこれに伴い７エ
ライトを基板上に設けた非可逆素子のマイクロ波工Ｃ化
が要求さノ１ている。
は１円板フェ２イトを用いた同軸型や導波管型が一般的
なため、マイクロ波回路内で大きな体積を占めている場
合が多い、しかし、能動回路の小型化と共にこれら非可
逆素子も小形化、低価格化の必要がありこれに伴い７エ
ライトを基板上に設けた非可逆素子のマイクロ波工Ｃ化
が要求さノ１ている。
これら忙用いられるマイクロ波フェライトは使用周波数
により飽和磁化（４πＭｓ ）の大きさによりＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライト、Ｌｉ系フェライト、Ｙ−Ｆｅ系ガーネ
ット、Ｍｎ−Ｍｇ系７エライト、Ｃａ−Ｖ系フェライト
等が用いられてｈるが、これら円板。
により飽和磁化（４πＭｓ ）の大きさによりＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライト、Ｌｉ系フェライト、Ｙ−Ｆｅ系ガーネ
ット、Ｍｎ−Ｍｇ系７エライト、Ｃａ−Ｖ系フェライト
等が用いられてｈるが、これら円板。
基板は一般に乾式方法で製造され、金型に粉末を入れ加
圧成型後、焼成し研磨を行い平坦な基板を形成している
。
圧成型後、焼成し研磨を行い平坦な基板を形成している
。
従来はこの様にして得た７エフイトの単体部品を、他の
単体部品と組合せてサーキ轟レータの様な非可逆素子を
製造していたがこの様な方法では。
単体部品と組合せてサーキ轟レータの様な非可逆素子を
製造していたがこの様な方法では。
フェライトのみでは誘電損失（ｔａｎＪｇ）が大きく。
また接続点が多かった。す、小形化の要求を満足し々い
という欠点があった。
という欠点があった。
従来のマイクロ波ＩＣ基板の構造は、第１図（Ａ）。
の）に示した様に、アルミナ基板１に穴２をあけ。
その穴にフェライト４を埋込み、ガラス接着層３でフェ
ライト４をアルミナ基板１に固定するというものである
が、アルｉす基板１とフェライト４との接着層３にピン
ホールが発生したり、ガラス３がアルミナ１とフェライ
ト４との間隙がせまいためにまわりこみにくい等で不完
全な接着層となシ、このため薄膜技術により基板工の上
下面に導体回路を形、成した時、これら上下面の導体回
路がピンホールを介して短絡する場合もあるという欠点
があった。
ライト４をアルミナ基板１に固定するというものである
が、アルｉす基板１とフェライト４との接着層３にピン
ホールが発生したり、ガラス３がアルミナ１とフェライ
ト４との間隙がせまいためにまわりこみにくい等で不完
全な接着層となシ、このため薄膜技術により基板工の上
下面に導体回路を形、成した時、これら上下面の導体回
路がピンホールを介して短絡する場合もあるという欠点
があった。
本発明の目的は、このような欠点を除き、絶縁性が良好
でマイクロ波非可逆素子を構成できるマイクロ波回路用
基板を提供することにある。
でマイクロ波非可逆素子を構成できるマイクロ波回路用
基板を提供することにある。
本発明のマイクロ波回路用基板の構成は、少くとも一方
の端面にテーパーのある穴を設けた無機絶縁基板と、こ
の基板の前記穴に埋込まれたフェライト板とを含み、こ
れら基板とフェライト板との間をガラスで充填して接着
したことを特徴とする。
の端面にテーパーのある穴を設けた無機絶縁基板と、こ
の基板の前記穴に埋込まれたフェライト板とを含み、こ
れら基板とフェライト板との間をガラスで充填して接着
したことを特徴とする。
以下図面により本発明の詳細な説明する。
第２図（５）、＠は本発明の実施例の平面図および側面
図である。すなわち、アルミリ−基板１に穴２をあけ、
この穴２の一方の端面にテーパー２′を設け、Ｌｉフェ
ライト４を埋込み、ガラス３で接着した事を特徴とする
ものである。この構成によれば、ガラス３の接着層が大
きくなるので％基板１の上下面を貫通するピンホールが
なく々す、カラス３がアルミナｌとフェライト４との間
隙に良くまわフこみ、基板１の上下面に導体回路を形成
した時にも上下面の導体が短絡する事がなくなる。
図である。すなわち、アルミリ−基板１に穴２をあけ、
この穴２の一方の端面にテーパー２′を設け、Ｌｉフェ
ライト４を埋込み、ガラス３で接着した事を特徴とする
ものである。この構成によれば、ガラス３の接着層が大
きくなるので％基板１の上下面を貫通するピンホールが
なく々す、カラス３がアルミナｌとフェライト４との間
隙に良くまわフこみ、基板１の上下面に導体回路を形成
した時にも上下面の導体が短絡する事がなくなる。
第３図（４）、但）は本発明の他の実施例の平面図およ
び側面図であり、この場合はアルミ基板１０両面にテー
パー２′を設けたもので、第２図の場合よりもピンホー
ルが出来雉い特徴がある。
び側面図であり、この場合はアルミ基板１０両面にテー
パー２′を設けたもので、第２図の場合よりもピンホー
ルが出来雉い特徴がある。
次にこの発明の具体例について説明する。
この実施例のリチウムフェライト板は、Ｌｉ０．。
Ｆ ｅ ２．ａ Ｚ ｎ Ｏ，２Ｍ ｎ ｏ、１０４の
各成分に応じて各原料を秤量し、銅製ボールミルにて６
０時間混合し、乾燥粉砕後８５０°Ｃで４時間空気沖で
仮焼し、この粉末に酢酸ビニールを３チ加え造粒し、プ
レス圧２．５トン／ ｅＡの圧力で７φ×１０ｔの形状
にプレス成形し１１００’Ｃで５時間焼成して形成され
る。
各成分に応じて各原料を秤量し、銅製ボールミルにて６
０時間混合し、乾燥粉砕後８５０°Ｃで４時間空気沖で
仮焼し、この粉末に酢酸ビニールを３チ加え造粒し、プ
レス圧２．５トン／ ｅＡの圧力で７φ×１０ｔの形状
にプレス成形し１１００’Ｃで５時間焼成して形成され
る。
−万、無機絶縁基板ｉ−１’９９％の純度のアルξす基
板で、１５０Ｘ Ｏ，２５４ｍｍ ｔの大きさのものに
、２．００φの穴２をあけ、この穴２の片方の端面、又
は両端にテーパー２’？つけたものである。このアルミ
ナ基板ｌの穴２の中に１．９８φのＬｉフェライト４を
埋込み、ガラスペースト３ｆテーパー２′にぬってその
ガラスペーストを吸引させてしみこませ乾燥して接着す
る。
板で、１５０Ｘ Ｏ，２５４ｍｍ ｔの大きさのものに
、２．００φの穴２をあけ、この穴２の片方の端面、又
は両端にテーパー２’？つけたものである。このアルミ
ナ基板ｌの穴２の中に１．９８φのＬｉフェライト４を
埋込み、ガラスペースト３ｆテーパー２′にぬってその
ガラスペーストを吸引させてしみこませ乾燥して接着す
る。
なお本実施例に用いたガラスは、 ＳｔＯ□４０．９２
％。
％。
Ｂ２０３１４．０８％＃ ”２０８１．０％＃ Ｌｉ２
Ｏ０，５ｑ６． Ｎａ２００．５％、 Ｋ２Ｏ１，０％
、 Ｐｂ０３８．０％＋ Ｚｎ０１．０％＋ ＢａＯ２
，７％、 ５ｂ２０３０．３％の組成物である。このガ
ラスを乾燥した後これを７５（１℃で１ｏ分間焼付する
。
Ｏ０，５ｑ６． Ｎａ２００．５％、 Ｋ２Ｏ１，０％
、 Ｐｂ０３８．０％＋ Ｚｎ０１．０％＋ ＢａＯ２
，７％、 ５ｂ２０３０．３％の組成物である。このガ
ラスを乾燥した後これを７５（１℃で１ｏ分間焼付する
。
この焼成プロファイルは、室温から４５００Ｃまでは昇
温速度を５０°Ｃ／時間、４５０°Ｃから７５０ ’Ｃ
までは４００°Ｃ／時間とし、７５０°Ｃで１０分保持
後炉冷したのである。その後両面を研摩して平坦にした
。
温速度を５０°Ｃ／時間、４５０°Ｃから７５０ ’Ｃ
までは４００°Ｃ／時間とし、７５０°Ｃで１０分保持
後炉冷したのである。その後両面を研摩して平坦にした
。
この結果、アルミナ１とＬｉフェライト４とは。
ガラス３がフェライト４の間隙にまわりこんだ事と、ガ
ラス接着１−にピンホールがなくなり完全に接着できる
。このため上下間の絶縁が良好になシ。
ラス接着１−にピンホールがなくなり完全に接着できる
。このため上下間の絶縁が良好になシ。
導体形成が均一に形成でき、小形化、高安定化したマイ
クロ波ＩＣ基板を得ることができる。
クロ波ＩＣ基板を得ることができる。
第１図（５）、（ロ）は従来のマイクロ波ＩＣ基板の平
面図および側面図、第２図（５）、（Ｂ）、第３図（５
）、（ト））は本発明の第１および第２の実施例の平面
図および側面図である。図において。 ｌ・・・・・・アルミナ基板、２・・・・・・穴、２′
・・・・・・テーノ（−１３・・・・・・ガラス接着層
、４・・・・・・フェライトである。 第１図 第２図 第３図
面図および側面図、第２図（５）、（Ｂ）、第３図（５
）、（ト））は本発明の第１および第２の実施例の平面
図および側面図である。図において。 ｌ・・・・・・アルミナ基板、２・・・・・・穴、２′
・・・・・・テーノ（−１３・・・・・・ガラス接着層
、４・・・・・・フェライトである。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 少くとも一方の端面にテーパーのある穴を設けた無機絶
縁基板と、この基板の前記穴に埋込まれたフェライト板
とを含み、これら基板とフェライト板との間をガラスで
充填して接着した事を特徴とするマイクロ波回路用基板
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18560282A JPS5974703A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | マイクロ波回路用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18560282A JPS5974703A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | マイクロ波回路用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5974703A true JPS5974703A (ja) | 1984-04-27 |
Family
ID=16173668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18560282A Pending JPS5974703A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | マイクロ波回路用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5974703A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6504444B1 (en) | 1997-11-07 | 2003-01-07 | Nec Corporation | High frequency integrated circuit including an isolator and dielectric filter |
| CN112010665A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-01 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种嵌入式异质陶瓷基片的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5118856A (en) * | 1974-08-08 | 1976-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Maikuroha ic yokibanno seizohoho |
| JPS52120742A (en) * | 1976-04-05 | 1977-10-11 | Nec Corp | Waveguide tube flange |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP18560282A patent/JPS5974703A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5118856A (en) * | 1974-08-08 | 1976-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Maikuroha ic yokibanno seizohoho |
| JPS52120742A (en) * | 1976-04-05 | 1977-10-11 | Nec Corp | Waveguide tube flange |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6504444B1 (en) | 1997-11-07 | 2003-01-07 | Nec Corporation | High frequency integrated circuit including an isolator and dielectric filter |
| CN112010665A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-01 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种嵌入式异质陶瓷基片的制备方法 |
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