JPS5974703A - マイクロ波回路用基板 - Google Patents
マイクロ波回路用基板Info
- Publication number
- JPS5974703A JPS5974703A JP18560282A JP18560282A JPS5974703A JP S5974703 A JPS5974703 A JP S5974703A JP 18560282 A JP18560282 A JP 18560282A JP 18560282 A JP18560282 A JP 18560282A JP S5974703 A JPS5974703 A JP S5974703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- hole
- ferrite
- glass
- taper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マイクロ波回路に用いられるサーキュレータ
、アイソレータ等の非可逆素子を設けられるマイクロ波
IC基板に関するものである。
、アイソレータ等の非可逆素子を設けられるマイクロ波
IC基板に関するものである。
近年、マイクロ波回路の増幅回路等の能動回路ではアル
ミナ基板等を用い千厚膜、薄膜による混成集積回路化が
進み小型化、無調整化と共に、高安定8低価格化が着実
に進んでいる。これに対し受動回路関係り集積化が進ま
ず旧態の大きい学一部品を使用している場合が多い、一
方、マイクロ波通信が人工衛星通信を初め多様化の方向
に進むに従いマイクロ波衛星通信装装置としても小形化
。
ミナ基板等を用い千厚膜、薄膜による混成集積回路化が
進み小型化、無調整化と共に、高安定8低価格化が着実
に進んでいる。これに対し受動回路関係り集積化が進ま
ず旧態の大きい学一部品を使用している場合が多い、一
方、マイクロ波通信が人工衛星通信を初め多様化の方向
に進むに従いマイクロ波衛星通信装装置としても小形化
。
1安定化、低価格化の要請が一段と大きくなってきてい
る。
る。
一方、非可逆素子のサーキュレータ、アイソレータなど
は1円板フェ2イトを用いた同軸型や導波管型が一般的
なため、マイクロ波回路内で大きな体積を占めている場
合が多い、しかし、能動回路の小型化と共にこれら非可
逆素子も小形化、低価格化の必要がありこれに伴い7エ
ライトを基板上に設けた非可逆素子のマイクロ波工C化
が要求さノ1ている。
は1円板フェ2イトを用いた同軸型や導波管型が一般的
なため、マイクロ波回路内で大きな体積を占めている場
合が多い、しかし、能動回路の小型化と共にこれら非可
逆素子も小形化、低価格化の必要がありこれに伴い7エ
ライトを基板上に設けた非可逆素子のマイクロ波工C化
が要求さノ1ている。
これら忙用いられるマイクロ波フェライトは使用周波数
により飽和磁化(4πMs )の大きさによりNi−Z
n系フェライト、Li系フェライト、Y−Fe系ガーネ
ット、Mn−Mg系7エライト、Ca−V系フェライト
等が用いられてhるが、これら円板。
により飽和磁化(4πMs )の大きさによりNi−Z
n系フェライト、Li系フェライト、Y−Fe系ガーネ
ット、Mn−Mg系7エライト、Ca−V系フェライト
等が用いられてhるが、これら円板。
基板は一般に乾式方法で製造され、金型に粉末を入れ加
圧成型後、焼成し研磨を行い平坦な基板を形成している
。
圧成型後、焼成し研磨を行い平坦な基板を形成している
。
従来はこの様にして得た7エフイトの単体部品を、他の
単体部品と組合せてサーキ轟レータの様な非可逆素子を
製造していたがこの様な方法では。
単体部品と組合せてサーキ轟レータの様な非可逆素子を
製造していたがこの様な方法では。
フェライトのみでは誘電損失(tanJg)が大きく。
また接続点が多かった。す、小形化の要求を満足し々い
という欠点があった。
という欠点があった。
従来のマイクロ波IC基板の構造は、第1図(A)。
の)に示した様に、アルミナ基板1に穴2をあけ。
その穴にフェライト4を埋込み、ガラス接着層3でフェ
ライト4をアルミナ基板1に固定するというものである
が、アルiす基板1とフェライト4との接着層3にピン
ホールが発生したり、ガラス3がアルミナ1とフェライ
ト4との間隙がせまいためにまわりこみにくい等で不完
全な接着層となシ、このため薄膜技術により基板工の上
下面に導体回路を形、成した時、これら上下面の導体回
路がピンホールを介して短絡する場合もあるという欠点
があった。
ライト4をアルミナ基板1に固定するというものである
が、アルiす基板1とフェライト4との接着層3にピン
ホールが発生したり、ガラス3がアルミナ1とフェライ
ト4との間隙がせまいためにまわりこみにくい等で不完
全な接着層となシ、このため薄膜技術により基板工の上
下面に導体回路を形、成した時、これら上下面の導体回
路がピンホールを介して短絡する場合もあるという欠点
があった。
本発明の目的は、このような欠点を除き、絶縁性が良好
でマイクロ波非可逆素子を構成できるマイクロ波回路用
基板を提供することにある。
でマイクロ波非可逆素子を構成できるマイクロ波回路用
基板を提供することにある。
本発明のマイクロ波回路用基板の構成は、少くとも一方
の端面にテーパーのある穴を設けた無機絶縁基板と、こ
の基板の前記穴に埋込まれたフェライト板とを含み、こ
れら基板とフェライト板との間をガラスで充填して接着
したことを特徴とする。
の端面にテーパーのある穴を設けた無機絶縁基板と、こ
の基板の前記穴に埋込まれたフェライト板とを含み、こ
れら基板とフェライト板との間をガラスで充填して接着
したことを特徴とする。
以下図面により本発明の詳細な説明する。
第2図(5)、@は本発明の実施例の平面図および側面
図である。すなわち、アルミリ−基板1に穴2をあけ、
この穴2の一方の端面にテーパー2′を設け、Liフェ
ライト4を埋込み、ガラス3で接着した事を特徴とする
ものである。この構成によれば、ガラス3の接着層が大
きくなるので%基板1の上下面を貫通するピンホールが
なく々す、カラス3がアルミナlとフェライト4との間
隙に良くまわフこみ、基板1の上下面に導体回路を形成
した時にも上下面の導体が短絡する事がなくなる。
図である。すなわち、アルミリ−基板1に穴2をあけ、
この穴2の一方の端面にテーパー2′を設け、Liフェ
ライト4を埋込み、ガラス3で接着した事を特徴とする
ものである。この構成によれば、ガラス3の接着層が大
きくなるので%基板1の上下面を貫通するピンホールが
なく々す、カラス3がアルミナlとフェライト4との間
隙に良くまわフこみ、基板1の上下面に導体回路を形成
した時にも上下面の導体が短絡する事がなくなる。
第3図(4)、但)は本発明の他の実施例の平面図およ
び側面図であり、この場合はアルミ基板10両面にテー
パー2′を設けたもので、第2図の場合よりもピンホー
ルが出来雉い特徴がある。
び側面図であり、この場合はアルミ基板10両面にテー
パー2′を設けたもので、第2図の場合よりもピンホー
ルが出来雉い特徴がある。
次にこの発明の具体例について説明する。
この実施例のリチウムフェライト板は、Li0.。
F e 2.a Z n O,2M n o、104の
各成分に応じて各原料を秤量し、銅製ボールミルにて6
0時間混合し、乾燥粉砕後850°Cで4時間空気沖で
仮焼し、この粉末に酢酸ビニールを3チ加え造粒し、プ
レス圧2.5トン/ eAの圧力で7φ×10tの形状
にプレス成形し1100’Cで5時間焼成して形成され
る。
各成分に応じて各原料を秤量し、銅製ボールミルにて6
0時間混合し、乾燥粉砕後850°Cで4時間空気沖で
仮焼し、この粉末に酢酸ビニールを3チ加え造粒し、プ
レス圧2.5トン/ eAの圧力で7φ×10tの形状
にプレス成形し1100’Cで5時間焼成して形成され
る。
−万、無機絶縁基板i−1’99%の純度のアルξす基
板で、150X O,254mm tの大きさのものに
、2.00φの穴2をあけ、この穴2の片方の端面、又
は両端にテーパー2’?つけたものである。このアルミ
ナ基板lの穴2の中に1.98φのLiフェライト4を
埋込み、ガラスペースト3fテーパー2′にぬってその
ガラスペーストを吸引させてしみこませ乾燥して接着す
る。
板で、150X O,254mm tの大きさのものに
、2.00φの穴2をあけ、この穴2の片方の端面、又
は両端にテーパー2’?つけたものである。このアルミ
ナ基板lの穴2の中に1.98φのLiフェライト4を
埋込み、ガラスペースト3fテーパー2′にぬってその
ガラスペーストを吸引させてしみこませ乾燥して接着す
る。
なお本実施例に用いたガラスは、 StO□40.92
%。
%。
B20314.08%# ”2081.0%# Li2
O0,5q6. Na200.5%、 K2O1,0%
、 Pb038.0%+ Zn01.0%+ BaO2
,7%、 5b2030.3%の組成物である。このガ
ラスを乾燥した後これを75(1℃で1o分間焼付する
。
O0,5q6. Na200.5%、 K2O1,0%
、 Pb038.0%+ Zn01.0%+ BaO2
,7%、 5b2030.3%の組成物である。このガ
ラスを乾燥した後これを75(1℃で1o分間焼付する
。
この焼成プロファイルは、室温から4500Cまでは昇
温速度を50°C/時間、450°Cから750 ’C
までは400°C/時間とし、750°Cで10分保持
後炉冷したのである。その後両面を研摩して平坦にした
。
温速度を50°C/時間、450°Cから750 ’C
までは400°C/時間とし、750°Cで10分保持
後炉冷したのである。その後両面を研摩して平坦にした
。
この結果、アルミナ1とLiフェライト4とは。
ガラス3がフェライト4の間隙にまわりこんだ事と、ガ
ラス接着1−にピンホールがなくなり完全に接着できる
。このため上下間の絶縁が良好になシ。
ラス接着1−にピンホールがなくなり完全に接着できる
。このため上下間の絶縁が良好になシ。
導体形成が均一に形成でき、小形化、高安定化したマイ
クロ波IC基板を得ることができる。
クロ波IC基板を得ることができる。
第1図(5)、(ロ)は従来のマイクロ波IC基板の平
面図および側面図、第2図(5)、(B)、第3図(5
)、(ト))は本発明の第1および第2の実施例の平面
図および側面図である。図において。 l・・・・・・アルミナ基板、2・・・・・・穴、2′
・・・・・・テーノ(−13・・・・・・ガラス接着層
、4・・・・・・フェライトである。 第1図 第2図 第3図
面図および側面図、第2図(5)、(B)、第3図(5
)、(ト))は本発明の第1および第2の実施例の平面
図および側面図である。図において。 l・・・・・・アルミナ基板、2・・・・・・穴、2′
・・・・・・テーノ(−13・・・・・・ガラス接着層
、4・・・・・・フェライトである。 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 少くとも一方の端面にテーパーのある穴を設けた無機絶
縁基板と、この基板の前記穴に埋込まれたフェライト板
とを含み、これら基板とフェライト板との間をガラスで
充填して接着した事を特徴とするマイクロ波回路用基板
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18560282A JPS5974703A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | マイクロ波回路用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18560282A JPS5974703A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | マイクロ波回路用基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5974703A true JPS5974703A (ja) | 1984-04-27 |
Family
ID=16173668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18560282A Pending JPS5974703A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | マイクロ波回路用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5974703A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6504444B1 (en) | 1997-11-07 | 2003-01-07 | Nec Corporation | High frequency integrated circuit including an isolator and dielectric filter |
CN112010665A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-01 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种嵌入式异质陶瓷基片的制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5118856A (en) * | 1974-08-08 | 1976-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Maikuroha ic yokibanno seizohoho |
JPS52120742A (en) * | 1976-04-05 | 1977-10-11 | Nec Corp | Waveguide tube flange |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP18560282A patent/JPS5974703A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5118856A (en) * | 1974-08-08 | 1976-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Maikuroha ic yokibanno seizohoho |
JPS52120742A (en) * | 1976-04-05 | 1977-10-11 | Nec Corp | Waveguide tube flange |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6504444B1 (en) | 1997-11-07 | 2003-01-07 | Nec Corporation | High frequency integrated circuit including an isolator and dielectric filter |
CN112010665A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-01 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种嵌入式异质陶瓷基片的制备方法 |
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