JPS59194504A - マイクロ波回路用基板の製造方法 - Google Patents
マイクロ波回路用基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS59194504A JPS59194504A JP6947883A JP6947883A JPS59194504A JP S59194504 A JPS59194504 A JP S59194504A JP 6947883 A JP6947883 A JP 6947883A JP 6947883 A JP6947883 A JP 6947883A JP S59194504 A JPS59194504 A JP S59194504A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ferrite
- alumina substrate
- lithium ferrite
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波回路に用いられるサーキュレータ、
アイソレータ等の非可逆素子を設けられるマイクロ波回
路用基板の製造方法に関するもの−である。
アイソレータ等の非可逆素子を設けられるマイクロ波回
路用基板の製造方法に関するもの−である。
近年、マイクロ波回路の増幅回路等の能動回路では、厚
膜、薄膜による混成集積回路化が進み、小形化、無調整
化と共に萬安定、低価格化が着実に進んでいる。これに
対し受動回路関係は集積化が進まず旧態の大きい単一部
品を使用している場合が多い。一方マイクロ波通信が人
工衛星を初め多様化の方向に進むに従いマイクロ波衛星
通信装置としても小形化、安定化、低価格化の要請が一
段と大きくなってきている。
膜、薄膜による混成集積回路化が進み、小形化、無調整
化と共に萬安定、低価格化が着実に進んでいる。これに
対し受動回路関係は集積化が進まず旧態の大きい単一部
品を使用している場合が多い。一方マイクロ波通信が人
工衛星を初め多様化の方向に進むに従いマイクロ波衛星
通信装置としても小形化、安定化、低価格化の要請が一
段と大きくなってきている。
一方、非可逆素子のサーキュレータ、アイソレータ等は
、円板フェライトを用いた同軸形や導波管部が一般的な
ためマイクロ波回路内で大きな体積を占めている場合が
多い。しかし、能動回路の小型化と共にこれら非可逆素
子も小形化、低価格化の必要があり、これに伴いフェラ
イトを基板上に設けた非可逆素子のマイクロ波ＩＣ化が
要求されている。
、円板フェライトを用いた同軸形や導波管部が一般的な
ためマイクロ波回路内で大きな体積を占めている場合が
多い。しかし、能動回路の小型化と共にこれら非可逆素
子も小形化、低価格化の必要があり、これに伴いフェラ
イトを基板上に設けた非可逆素子のマイクロ波ＩＣ化が
要求されている。
これらに用いられるマイクロ波フェライトは使用周波数
により、また飽和磁化（４πＭｓ ）の大きさによりＮ
ｉ −Ｚｎ 系フェライト、Ｌｉフェライト、Ｙ−Ｆｅ
系ガーネット、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃａ−Ｖガー
ネット系フェライト等が用いられてむするが、これら円
板、基板は一般に乾式方法で製造され、金型に粉末を入
れて加圧成型後、焼成し研磨を行い平坦な基板を形成し
ている。
により、また飽和磁化（４πＭｓ ）の大きさによりＮ
ｉ −Ｚｎ 系フェライト、Ｌｉフェライト、Ｙ−Ｆｅ
系ガーネット、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃａ−Ｖガー
ネット系フェライト等が用いられてむするが、これら円
板、基板は一般に乾式方法で製造され、金型に粉末を入
れて加圧成型後、焼成し研磨を行い平坦な基板を形成し
ている。
従来はこの様にして得た単体部品を、他の単体部品と組
合せてサーキュレータ等の非可逆素子を製作していたが
、この様な方法では形が大きかったり、接続点が多かっ
たり、小型化の要請を満足するものではなかった。
合せてサーキュレータ等の非可逆素子を製作していたが
、この様な方法では形が大きかったり、接続点が多かっ
たり、小型化の要請を満足するものではなかった。
一方、小型化するためにはマイクロ波回路用基板を第１
図（Ａ） 、 ｆＢ）に示した様にアルミナ基板１に穴
２をあけ、その穴２にフェライト４を埋込み、ガラス接
着層３でフェライト４をアルミナ基板１に固定して作製
するという方法がある。しかし、その固定法は単に加熱
処理するというだけのものであったのでアルミナ基板１
とフェライト４との接着層３にピンホールが発生する原
因となった。
図（Ａ） 、 ｆＢ）に示した様にアルミナ基板１に穴
２をあけ、その穴２にフェライト４を埋込み、ガラス接
着層３でフェライト４をアルミナ基板１に固定して作製
するという方法がある。しかし、その固定法は単に加熱
処理するというだけのものであったのでアルミナ基板１
とフェライト４との接着層３にピンホールが発生する原
因となった。
さらにアルミナ１とフェライト４との間隙が０．０１〜
０．０２ ｍｍと狭いので、接着層３のガラスが十分に
まわりごみζこくく不完全な接着層となり、著しい時に
はこの基板の上下面に導体回路を形成した時に上下面の
導体回路が短絡したり接続点の凹凸や空隙が存在して導
体接続が不完全となるといった問題が多かった。
０．０２ ｍｍと狭いので、接着層３のガラスが十分に
まわりごみζこくく不完全な接着層となり、著しい時に
はこの基板の上下面に導体回路を形成した時に上下面の
導体回路が短絡したり接続点の凹凸や空隙が存在して導
体接続が不完全となるといった問題が多かった。
又、フェライト基板のみで非可逆回路を形成し、このフ
ェライト基板に他のマイクロ波回路（例えばミキサー回
路、増幅回路）を設けた場合は、フェライトの誘電損失
がアルミナ等の無機絶縁基板に比べ犬きく、才た誘電率
も太きいためインピーダンス整合に不都合を生じたり全
体的に損失が大きくなる問題もある。
ェライト基板に他のマイクロ波回路（例えばミキサー回
路、増幅回路）を設けた場合は、フェライトの誘電損失
がアルミナ等の無機絶縁基板に比べ犬きく、才た誘電率
も太きいためインピーダンス整合に不都合を生じたり全
体的に損失が大きくなる問題もある。
さらに、フェライト基板は空孔がアルミナ等の無機絶縁
基板に比べ多く導体回路形成が難しい等の欠点がある。
基板に比べ多く導体回路形成が難しい等の欠点がある。
本発明の目的は、これらの欠点を除き絶縁の良好な特性
を有しフェライトを埋込む事により非可逆回路素子を構
成できるマイクロ波回路用基板の製造方法を提供するこ
とにある。
を有しフェライトを埋込む事により非可逆回路素子を構
成できるマイクロ波回路用基板の製造方法を提供するこ
とにある。
すなわち、本発明は無機絶縁基板に穴を形成し、該穴に
フェライトをガラスによって接着せしめることによって
設置するマイクロ波回路用基板の製造方法において前記
ガラスによる接着を真空中で加熱処理をすることにより
行なうことを特徴とするマイクロ波回路用基板の製造方
法である。
フェライトをガラスによって接着せしめることによって
設置するマイクロ波回路用基板の製造方法において前記
ガラスによる接着を真空中で加熱処理をすることにより
行なうことを特徴とするマイクロ波回路用基板の製造方
法である。
以１、本発明を実施例によって説明する。
ます、９９襲の純度で１７” Ｘ Ｏ，３８１の大きさ
のアルミナ基板に約２Ｖの穴をあけ、６シ浄液で３０分
煮沸し、水にひたし５て超音波洗浄器で１（）分洗浄し
、流水する事により１０分間洗浄し、さらにアルミナ基
板をりｏｕセンにひたして１０分間超析波洗浄器で洗浄
した。クロロセン洗浄は二度行った。その俊１２００°
Ｃで１１＋１間アニールした。
のアルミナ基板に約２Ｖの穴をあけ、６シ浄液で３０分
煮沸し、水にひたし５て超音波洗浄器で１（）分洗浄し
、流水する事により１０分間洗浄し、さらにアルミナ基
板をりｏｕセンにひたして１０分間超析波洗浄器で洗浄
した。クロロセン洗浄は二度行った。その俊１２００°
Ｃで１１＋１間アニールした。
Ｌｉ ｏ４ Ｆｅ２３Ｚｎｏ、ｚ Ｍｎｏ、ｔ ０４の
リチウム（Ｌｌ）フェライトは各成分に応じて各原料を
秤量し、鋼製ボールミルにて６０時間混合し、乾燥粉砕
後８５０’Ｃで４時間窒気中で仮焼し、この粉末にバイ
ンダーとして酢酸ヒニールを３％加え、造粒しプレス圧
２．５トン／ｃＩＩＬ２ の圧力で７”Ｘ１０ｔの形
状にプレス成型し１１００”Ｃで５時間焼成し、こ３１
をｆＪ２グＸ １ ｔの形状に加工した。洗浄の工程は
アルミナ基板と同様に行い、アニールは８５０℃で１時
間行った。
リチウム（Ｌｌ）フェライトは各成分に応じて各原料を
秤量し、鋼製ボールミルにて６０時間混合し、乾燥粉砕
後８５０’Ｃで４時間窒気中で仮焼し、この粉末にバイ
ンダーとして酢酸ヒニールを３％加え、造粒しプレス圧
２．５トン／ｃＩＩＬ２ の圧力で７”Ｘ１０ｔの形
状にプレス成型し１１００”Ｃで５時間焼成し、こ３１
をｆＪ２グＸ １ ｔの形状に加工した。洗浄の工程は
アルミナ基板と同様に行い、アニールは８５０℃で１時
間行った。
カラスペーストは次の様にしてつくった。ｓｉｏ。
４０．９２重量％（以下チと記す） Ｂ２Ｏ３４４，０
８％、Ｂ、Ｏ，ｔ、ｏ ％、Ｌｉ’、ＯＯ，５％、Ｎａ
、００．５ ％、Ｋ、０１．０ ％、Ｐｂ０３８．０％
、Ｚｎ０１．０ ％、Ｂａ０２．７ ％、Ｓｂ、０３３
％のカラス組成の粉末に対して、ビ土クルはエチルセ
ルロース１０％溶液とし溶媒にα−テルピネオールを用
いた。ビヒクル３０％、ガラス粉末７０％を３本ロール
ミルを用いて混練しガラス粉末をビヒクルに均一に分散
させペースト化した。
８％、Ｂ、Ｏ，ｔ、ｏ ％、Ｌｉ’、ＯＯ，５％、Ｎａ
、００．５ ％、Ｋ、０１．０ ％、Ｐｂ０３８．０％
、Ｚｎ０１．０ ％、Ｂａ０２．７ ％、Ｓｂ、０３３
％のカラス組成の粉末に対して、ビ土クルはエチルセ
ルロース１０％溶液とし溶媒にα−テルピネオールを用
いた。ビヒクル３０％、ガラス粉末７０％を３本ロール
ミルを用いて混練しガラス粉末をビヒクルに均一に分散
させペースト化した。
第１図に示した様にリチウムフェライト４をアルミナ基
板１の穴２の中に埋込みガラスペースト３を基板の片方
の面から吸引させて乾燥し、片方の面は該ペーストを塗
布、乾燥した。ペーストのバインダーとしての樹脂抜き
は第３図に示す様な焼成プロファイルにて行った。すな
わち、室温から４５０℃まで４００℃膚間 の速度で加
熱し、１時間保持後は４００℃／時間で冷却した。雰囲
気は全気中である。次に第２図に示す様な焼成プロファ
イルでアルミナ基板とリチウムフェライトとを接着、焼
付した。すなわち、室温から７５０℃まで４００℃／時
間で昇温加熱し、１０分間保持し、保持時間終了まで１
０−２ｍ１ｉ Ｈｇ 以下に真空にした。１０−２ｍ
ｍＨｇ以上では脱泡効果が小さく十分でなかった。
板１の穴２の中に埋込みガラスペースト３を基板の片方
の面から吸引させて乾燥し、片方の面は該ペーストを塗
布、乾燥した。ペーストのバインダーとしての樹脂抜き
は第３図に示す様な焼成プロファイルにて行った。すな
わち、室温から４５０℃まで４００℃膚間 の速度で加
熱し、１時間保持後は４００℃／時間で冷却した。雰囲
気は全気中である。次に第２図に示す様な焼成プロファ
イルでアルミナ基板とリチウムフェライトとを接着、焼
付した。すなわち、室温から７５０℃まで４００℃／時
間で昇温加熱し、１０分間保持し、保持時間終了まで１
０−２ｍ１ｉ Ｈｇ 以下に真空にした。１０−２ｍ
ｍＨｇ以上では脱泡効果が小さく十分でなかった。
１０ ”＋ａａＨｇ 以下の真空にする事によりガラ
ス粉末中に吸着した空気や残存有機ガスを容易に放出さ
せたのである。降温中は雰囲気を大気中ζこもとし４（
）０℃／時間で冷却した。これを両面研磨して平坦にし
た。
ス粉末中に吸着した空気や残存有機ガスを容易に放出さ
せたのである。降温中は雰囲気を大気中ζこもとし４（
）０℃／時間で冷却した。これを両面研磨して平坦にし
た。
この様に真空中で熱処理する事によりアルミナ基板とリ
チウムフェライトとは完全に接着し、泡がなくなり、従
ってピンホールがなくなり、導体回路と非可逆累子の導
体と他の回路の接続に問題を生じる事はなくなり、又接
続点も少なく小形化高安定化したマイクロ波回路用基板
の製造が可能となった。
チウムフェライトとは完全に接着し、泡がなくなり、従
ってピンホールがなくなり、導体回路と非可逆累子の導
体と他の回路の接続に問題を生じる事はなくなり、又接
続点も少なく小形化高安定化したマイクロ波回路用基板
の製造が可能となった。
４１図はアルミナ基板中にフェライトが埋込ま孔ている
マイクロ波回路用基板の構造図であり、（Ａ）は上面図
、１１３１は断面図である。 図において、１・・・アルミナ基板、２・・・２００り
の穴、３・・・ガラス接着層、４・・・リチウムフェラ
イトである。 第２図、第３図は焼成プロファイルを示す図。
マイクロ波回路用基板の構造図であり、（Ａ）は上面図
、１１３１は断面図である。 図において、１・・・アルミナ基板、２・・・２００り
の穴、３・・・ガラス接着層、４・・・リチウムフェラ
イトである。 第２図、第３図は焼成プロファイルを示す図。
Claims (1)
- 無機絶縁基板に穴を形成し、該穴にフエ、ライトをガラ
スによって接着せしめるマイクロ波回路用基板の製造方
法において前記接着を真空中で加熱処理をすることによ
り行なうことを特徴とするマイクロ波回路用基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6947883A JPS59194504A (ja) | 1983-04-20 | 1983-04-20 | マイクロ波回路用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6947883A JPS59194504A (ja) | 1983-04-20 | 1983-04-20 | マイクロ波回路用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59194504A true JPS59194504A (ja) | 1984-11-05 |
Family
ID=13403836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6947883A Pending JPS59194504A (ja) | 1983-04-20 | 1983-04-20 | マイクロ波回路用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59194504A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6127907A (en) * | 1997-11-07 | 2000-10-03 | Nec Corporation | High frequency filter and frequency characteristics regulation method therefor |
| US6504444B1 (en) | 1997-11-07 | 2003-01-07 | Nec Corporation | High frequency integrated circuit including an isolator and dielectric filter |
| CN105449329A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-03-30 | 西南应用磁学研究所 | 抑制星载高功率微波铁氧体环行器微放电的设计方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5118856A (en) * | 1974-08-08 | 1976-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Maikuroha ic yokibanno seizohoho |
| JPS51135629A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of making a magnetic head |
| JPS52120742A (en) * | 1976-04-05 | 1977-10-11 | Nec Corp | Waveguide tube flange |
| JPS5423659A (en) * | 1977-07-22 | 1979-02-22 | Hitachi Ltd | Encapsulation with resin |
-
1983
- 1983-04-20 JP JP6947883A patent/JPS59194504A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN105449329A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-03-30 | 西南应用磁学研究所 | 抑制星载高功率微波铁氧体环行器微放电的设计方法 |
| CN105449329B (zh) * | 2015-12-30 | 2019-01-22 | 西南应用磁学研究所 | 抑制星载高功率微波铁氧体环行器微放电的设计方法 |
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