JPS5974702A - マイクロ波回路用基板 - Google Patents
マイクロ波回路用基板Info
- Publication number
- JPS5974702A JPS5974702A JP18560182A JP18560182A JPS5974702A JP S5974702 A JPS5974702 A JP S5974702A JP 18560182 A JP18560182 A JP 18560182A JP 18560182 A JP18560182 A JP 18560182A JP S5974702 A JPS5974702 A JP S5974702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- hole
- circuit
- glass
- ferrite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波回路に用いられるサーキュレータ、
アイソレータ等の非可逆素子を設けられるマイクロ波Ｉ
Ｃ基板に関するものである。
アイソレータ等の非可逆素子を設けられるマイクロ波Ｉ
Ｃ基板に関するものである。
近年、マイクロ波回路の増幅回路等の能動回路ではアル
ミナ基板等を用いて厚膜、薄膜による混成集積回路化が
進み、小型化、無調整化と共に高安定、低価格化が着実
に進んでいる。これに対し受動回路関係は集積化が進ま
ず旧態の大きい斤一部品を使用している場合が多い。一
方、マイクロ波通信が人工衛星通信を初め多様化の方向
に進むに従いマイクロ波衛星通信装置としても小形化、
安定化、−価格化の要請が一段と大きくなってきている
。
ミナ基板等を用いて厚膜、薄膜による混成集積回路化が
進み、小型化、無調整化と共に高安定、低価格化が着実
に進んでいる。これに対し受動回路関係は集積化が進ま
ず旧態の大きい斤一部品を使用している場合が多い。一
方、マイクロ波通信が人工衛星通信を初め多様化の方向
に進むに従いマイクロ波衛星通信装置としても小形化、
安定化、−価格化の要請が一段と大きくなってきている
。
一方、非可逆素子のサーキュレータ、アイソレータなど
は、円板フェライトを用いた同軸型や導□波管型が一般
的なため、マイクロ波回路内で大きな体積を占めている
場合が多い。しかし、能動回路の小型化と共にこれら非
可逆素子も小形化、低価格化の必要があり、これに伴い
フェライトを基板上に設けた非可逆素子のマイクロ波Ｉ
Ｃ化が要求されている。
は、円板フェライトを用いた同軸型や導□波管型が一般
的なため、マイクロ波回路内で大きな体積を占めている
場合が多い。しかし、能動回路の小型化と共にこれら非
可逆素子も小形化、低価格化の必要があり、これに伴い
フェライトを基板上に設けた非可逆素子のマイクロ波Ｉ
Ｃ化が要求されている。
これらに用いられるマイクロ波フェライトは使用周波数
により飽和磁化（４ＺＭｓ） の大きさによりＮｉ−
Ｚｎ 系フェライト、Ｌｉ系フェライト、Ｙ−Ｆｅ系
ガーネット、Ｍ ｎ −Ｍ ｇ系フェライト、Ｃａ−Ｖ
系フェライト等が用いられているが、これら円板、基板
は一般に乾式方法で製造され、金型に粉末を入れて加圧
成型後焼成し研磨を行い平坦な基板を形成している。
により飽和磁化（４ＺＭｓ） の大きさによりＮｉ−
Ｚｎ 系フェライト、Ｌｉ系フェライト、Ｙ−Ｆｅ系
ガーネット、Ｍ ｎ −Ｍ ｇ系フェライト、Ｃａ−Ｖ
系フェライト等が用いられているが、これら円板、基板
は一般に乾式方法で製造され、金型に粉末を入れて加圧
成型後焼成し研磨を行い平坦な基板を形成している。
従来はこの様にして得たフェライトの単体部品を、他の
単体部品と組合せてサーキヱレータなどの非可逆素子を
製作していたが、この様な方法では形が大きかったり接
続点が多かったり小型化の要請を満足するものではなか
った。
単体部品と組合せてサーキヱレータなどの非可逆素子を
製作していたが、この様な方法では形が大きかったり接
続点が多かったり小型化の要請を満足するものではなか
った。
従来のマイクロ波ＩＣ基板の構造は、第１１囚。
（Ｂ）に示した様に、アルミナ基板１に穴２をあけ、そ
の穴２にフェライト４を埋込み、ガラス接着層３でフェ
ライト４をアルミナ基板１に固定するというものである
が、アルミナ基板１とフェライト４との接着層３にｉ”
ンホールが発生したり、アルミナ１とフェライト４との
間隙が０．０１〜０．０２ｍｍと狭いので、接着層３の
ガラスが十分にまわりこみにくく不完全な接着層となり
、著しい時にはこの基板の上下面に導体回路を形成した
時に上下面の導体回路が短絡したり接続点の凹凸や空隙
が存在して導体接続が不完全となるといった問題が多か
った。
の穴２にフェライト４を埋込み、ガラス接着層３でフェ
ライト４をアルミナ基板１に固定するというものである
が、アルミナ基板１とフェライト４との接着層３にｉ”
ンホールが発生したり、アルミナ１とフェライト４との
間隙が０．０１〜０．０２ｍｍと狭いので、接着層３の
ガラスが十分にまわりこみにくく不完全な接着層となり
、著しい時にはこの基板の上下面に導体回路を形成した
時に上下面の導体回路が短絡したり接続点の凹凸や空隙
が存在して導体接続が不完全となるといった問題が多か
った。
又、フェライト基板のみで非可逆回路を形成しこのフェ
ライト基板に他のマイクロ波回路（例えばミキサー回路
、増幅回路）を設けた時はフェライトの誘電損失がアル
ミナ等の無機絶縁基板に比べ大きかったυ、誘電率が大
きくインピーダンス整合に不都合をきたしたり全体的に
損失が大きくなる問題もある。
ライト基板に他のマイクロ波回路（例えばミキサー回路
、増幅回路）を設けた時はフェライトの誘電損失がアル
ミナ等の無機絶縁基板に比べ大きかったυ、誘電率が大
きくインピーダンス整合に不都合をきたしたり全体的に
損失が大きくなる問題もある。
さらに、フェライト□基板は空孔がアルミナ等の無期絶
縁基板に比べ多く導体回路形成が難しい等の欠点がある
。
縁基板に比べ多く導体回路形成が難しい等の欠点がある
。
本発明の目的は、これらの欠点を除き、絶縁の良好な特
性を有し、フェライトを埋込むことにより非可逆回路素
子を構成できるマイクロ波１部ｊ路用基板を提供するこ
とにある。
性を有し、フェライトを埋込むことにより非可逆回路素
子を構成できるマイクロ波１部ｊ路用基板を提供するこ
とにある。
本発明のマイクロ波回路用基板の構成は、穴を設けた無
機質絶縁基板と、この無機質絶縁基板の前記穴に埋込ん
でガラスで接着したフェライト板とを含み、前記基板と
フェライト板との一方の全面がガラスでコートされてい
る事を特徴とする。
機質絶縁基板と、この無機質絶縁基板の前記穴に埋込ん
でガラスで接着したフェライト板とを含み、前記基板と
フェライト板との一方の全面がガラスでコートされてい
る事を特徴とする。
以下図面により本発明の詳細な説明する。
第２図（Ａ）、 （Ｂ）は本発明の実施例の平面図お【
び側面図である。図において、無機絶縁基板１に穴２を
あけ、この穴にフェライト板４を埋込みガラス３で接着
する。次に、この基板の片面をガラス５によりコートし
てマイクロ波ＩＣ基板を構成する。この発明によれば、
フェライト基板の±を基板として用いる場合に比べ接続
点が少なくて済み小形化、高安定化が実現できる。
び側面図である。図において、無機絶縁基板１に穴２を
あけ、この穴にフェライト板４を埋込みガラス３で接着
する。次に、この基板の片面をガラス５によりコートし
てマイクロ波ＩＣ基板を構成する。この発明によれば、
フェライト基板の±を基板として用いる場合に比べ接続
点が少なくて済み小形化、高安定化が実現できる。
次に、具体例について説明する。
Ｌｉ０．４ Ｆｅ２．３ Ｚｒ、０．２ Ｍｎ０．１０
４ ノｌＪチウム（Ｌｉ） フェライト板は、各成分
□に応じて各原料を秤量し、鋼製ボールミルにて６０時
間混合し、乾燥粉砕後、８５０℃で４時間空気中で仮焼
し、この粉末にバインダーとして酢酸ビニールを３チ加
光造粒し、プレス圧２５トンＺｃｒｌの圧力で７φｘ１
０ｔの形状にプレス成型し１１００°Ｃ５時間焼成して
形成される。
４ ノｌＪチウム（Ｌｉ） フェライト板は、各成分
□に応じて各原料を秤量し、鋼製ボールミルにて６０時
間混合し、乾燥粉砕後、８５０℃で４時間空気中で仮焼
し、この粉末にバインダーとして酢酸ビニールを３チ加
光造粒し、プレス圧２５トンＺｃｒｌの圧力で７φｘ１
０ｔの形状にプレス成型し１１００°Ｃ５時間焼成して
形成される。
なお、無機絶縁基板１け９９％の純度のアルミナ基板で
、１５間×１５朋角厚さ０．２５４扉１の大きさのもの
に２．００φの穴２をあけたものである。
、１５間×１５朋角厚さ０．２５４扉１の大きさのもの
に２．００φの穴２をあけたものである。
Ｌｉフェライト板４を基板１の穴２の中に埋込み、ガラ
スペーストを基板の片方の面にぬり吸引させて乾燥し、
もう片方の面を面全体にガラスペーストを吸引させなが
らスクリーン印刷し乾燥した。
スペーストを基板の片方の面にぬり吸引させて乾燥し、
もう片方の面を面全体にガラスペーストを吸引させなが
らスクリーン印刷し乾燥した。
これを７５０℃で１０分焼利けし、この焼付完了後全面
ガラスコートしない面を研摩して平坦にした。なお、本
実施例に用いたガラスは、８ｉ０２４０、９２チ、Ｂ２
０Ｂ１４．０８チ、Ａｌ２０１１１．０チ、Ｌｉ２００
．５％、Ｎａｚｏｏ、５％、Ｋ２Ｏ１，０％、Ｐｂ０３
８．０％、Ｚｎ０１．０％、ＢａＯ２，７ｑ６．５ｂ２
０Ｂ０．３％の組成物である。
ガラスコートしない面を研摩して平坦にした。なお、本
実施例に用いたガラスは、８ｉ０２４０、９２チ、Ｂ２
０Ｂ１４．０８チ、Ａｌ２０１１１．０チ、Ｌｉ２００
．５％、Ｎａｚｏｏ、５％、Ｋ２Ｏ１，０％、Ｐｂ０３
８．０％、Ｚｎ０１．０％、ＢａＯ２，７ｑ６．５ｂ２
０Ｂ０．３％の組成物である。
この結果、アルミナ基板１とＬｉフェライト４とは完全
に接着し、かつガラスコート層５が充分穴２をコートし
たためピンホールがなくなり、この基板の両面に充分な
絶縁性があるため、導体回路と非可逆回路素子の導体と
他の回路の接続に問題を生じる事はなくなシ、また接続
点も少なく小形化、高安定化したマイクロ波ＩＣ基板が
可能となった。
に接着し、かつガラスコート層５が充分穴２をコートし
たためピンホールがなくなり、この基板の両面に充分な
絶縁性があるため、導体回路と非可逆回路素子の導体と
他の回路の接続に問題を生じる事はなくなシ、また接続
点も少なく小形化、高安定化したマイクロ波ＩＣ基板が
可能となった。
第１図（５）、（Ｂ）は従来のマイクロ波ＩＣ基板の平
面図および側面図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の実
施例の平面図および側面図を示したものである。図にお
いて、 １・・・・・・アルミナ基板、２・・・・・・２．００
φの穴、３・・・・・・ガラス接着層、４・・・・・・
Ｌｉフェライト板、５・・・・・・ガラスコート層であ
る。 第 ｌ 圓 第２図 （Ａ） （Ｂ）
面図および側面図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の実
施例の平面図および側面図を示したものである。図にお
いて、 １・・・・・・アルミナ基板、２・・・・・・２．００
φの穴、３・・・・・・ガラス接着層、４・・・・・・
Ｌｉフェライト板、５・・・・・・ガラスコート層であ
る。 第 ｌ 圓 第２図 （Ａ） （Ｂ）
Claims (1)
- 穴を設けた無機質絶縁基板と、この無機質絶縁基板の前
記穴に埋込んでガラスで接着したフェライト板とを含み
、前記基板とフェライト板との一方の全面がガラスでコ
ートされている事を特徴とするマイクロ波回路用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18560182A JPS5974702A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | マイクロ波回路用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18560182A JPS5974702A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | マイクロ波回路用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5974702A true JPS5974702A (ja) | 1984-04-27 |
Family
ID=16173650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18560182A Pending JPS5974702A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | マイクロ波回路用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5974702A (ja) |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP18560182A patent/JPS5974702A/ja active Pending
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