JPS597151B2 - 磁気バブルメモリゲ−ト回路 - Google Patents
磁気バブルメモリゲ−ト回路Info
- Publication number
- JPS597151B2 JPS597151B2 JP53102706A JP10270678A JPS597151B2 JP S597151 B2 JPS597151 B2 JP S597151B2 JP 53102706 A JP53102706 A JP 53102706A JP 10270678 A JP10270678 A JP 10270678A JP S597151 B2 JPS597151 B2 JP S597151B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- gate circuit
- magnetic bubble
- magnetic
- bubble memory
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリゲート回路、特に磁気バブル
メモリチップ内に設けられた磁気バブルメモリゲート回
路の動作特性の改良に関するものである。
メモリチップ内に設けられた磁気バブルメモリゲート回
路の動作特性の改良に関するものである。
第１図は磁気バブルメモリチップの構成図の一例を示し
たものである。
たものである。
同図においてｍは情報を貯えるマイナーループ、ＲＭＬ
は読み出し情報を転送するリードメイジヤライン、ＷＭ
Ｌは書き込み情報を転送するライトメジヤラインである
。また、Ｄは磁気バブルを電気信号に変換するバブル検
出器、Ｇは磁気バブルを発生するバブル発生器、Ｒはマ
イナーループｍの情報をリードメジヤラインＲＭＬに複
写または移すレプリケートゲート回路、Ｔはライトメジ
ヤラインＷＭＬの情報をマイナーループｍへ移すトラン
スファゲート回路である。また、これらの外周を囲んで
いるＧＲは外周からの磁気バブルの侵入を防止するガー
ドレール、ＢＰはボンディングパットである。また、第
２図はトランスファゲート回路Ｔのパターンの一例を示
し、第３図はレプリケートゲート回路Ｒのパターンの一
例を示す要部拡大平面図である。
は読み出し情報を転送するリードメイジヤライン、ＷＭ
Ｌは書き込み情報を転送するライトメジヤラインである
。また、Ｄは磁気バブルを電気信号に変換するバブル検
出器、Ｇは磁気バブルを発生するバブル発生器、Ｒはマ
イナーループｍの情報をリードメジヤラインＲＭＬに複
写または移すレプリケートゲート回路、Ｔはライトメジ
ヤラインＷＭＬの情報をマイナーループｍへ移すトラン
スファゲート回路である。また、これらの外周を囲んで
いるＧＲは外周からの磁気バブルの侵入を防止するガー
ドレール、ＢＰはボンディングパットである。また、第
２図はトランスファゲート回路Ｔのパターンの一例を示
し、第３図はレプリケートゲート回路Ｒのパターンの一
例を示す要部拡大平面図である。
これらの図において、１、１０、２０、３０、４０、５
０・・・・・・は、パーマロイ等の軟強磁性体からなる
薄膜により形成された微細パターンを所定形状に配列さ
せて磁気バブル転送回路を構成する転送回路素片であり
、１００は、例えばＡｌ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｃｒ等の非磁性
導体薄膜により形成されてゲート電流を流すコンダクタ
である。ＨＲは、パターン面内で回転するように外部か
ら加えられている回転磁界であり、その回転方向は、同
図の場合では反時計回り方向である。ＨＢはパターン面
に垂直に作用するように外部から加えられるバイヤス磁
界であり、その方向は、同図の場合では紙面の裏面から
表面方向に向うように加えられている。Ｐは、磁気バブ
ルが転送回路素片１、１０の上を転送する方向を示す。
また、第２図に示すトランスフアゲート回路Ｔにおいて
、転送回路素片１，１０，２０はライトメイジヤライン
ＷＭＬを形成する転送回路素片であり、特に素片１０は
デイスクパターンと称し、本願に係わるパターンである
。
０・・・・・・は、パーマロイ等の軟強磁性体からなる
薄膜により形成された微細パターンを所定形状に配列さ
せて磁気バブル転送回路を構成する転送回路素片であり
、１００は、例えばＡｌ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｃｒ等の非磁性
導体薄膜により形成されてゲート電流を流すコンダクタ
である。ＨＲは、パターン面内で回転するように外部か
ら加えられている回転磁界であり、その回転方向は、同
図の場合では反時計回り方向である。ＨＢはパターン面
に垂直に作用するように外部から加えられるバイヤス磁
界であり、その方向は、同図の場合では紙面の裏面から
表面方向に向うように加えられている。Ｐは、磁気バブ
ルが転送回路素片１、１０の上を転送する方向を示す。
また、第２図に示すトランスフアゲート回路Ｔにおいて
、転送回路素片１，１０，２０はライトメイジヤライン
ＷＭＬを形成する転送回路素片であり、特に素片１０は
デイスクパターンと称し、本願に係わるパターンである
。
また、転送回路素片３０，４０はコンダクタ１００にゲ
ート電流を流し、ゲート動作によりライトメイジヤライ
ンＷＭＬからマイナーループｍへ磁気バブルが移るとき
の転送回路を形成する転送回路素片であり、特に素片３
０はジアンピングパターンと称する。また、第３図に示
すレプリケートゲート回路Ｒにおいて、転送回路素片５
０は、リードメイジヤラインＲＭＬを形成する転送回路
素片であり、転送回路素片１，１０は、マイナループｍ
を形成する転送回路素片であり、特に素片１０は、デイ
スクパターンと称する。また、転送回路素片３０，４０
は、コンダクタ１００にゲート電流を流し、ゲート動作
によりマイナループｍからリードメイジヤラインＲＭＬ
へ磁気バブルが渡るときの転送回路を形成する転送回路
素片であり、特に素片３０はジアンピングパターンと称
する。このように構成されたトランスフアゲート回路に
おいて、その動作原理を第４図ａ−ｄを用いて説明する
。
ート電流を流し、ゲート動作によりライトメイジヤライ
ンＷＭＬからマイナーループｍへ磁気バブルが移るとき
の転送回路を形成する転送回路素片であり、特に素片３
０はジアンピングパターンと称する。また、第３図に示
すレプリケートゲート回路Ｒにおいて、転送回路素片５
０は、リードメイジヤラインＲＭＬを形成する転送回路
素片であり、転送回路素片１，１０は、マイナループｍ
を形成する転送回路素片であり、特に素片１０は、デイ
スクパターンと称する。また、転送回路素片３０，４０
は、コンダクタ１００にゲート電流を流し、ゲート動作
によりマイナループｍからリードメイジヤラインＲＭＬ
へ磁気バブルが渡るときの転送回路を形成する転送回路
素片であり、特に素片３０はジアンピングパターンと称
する。このように構成されたトランスフアゲート回路に
おいて、その動作原理を第４図ａ−ｄを用いて説明する
。
まず、ライトメイジヤラインＷＭＬ上を転送されてきた
磁気バブルＢは、同図ａに示したように回転磁界ＨＲが
９０Ｂの方向を向き、デイスクパターン１０の右端の位
置に転送されたとき、コンダクタ１００にゲート電流１
Ｔを流す。この場合、ゲート電流１Ｔの流す方向は、そ
の電流磁界がコンダクタ１００の外側でバイアス磁界Ｈ
Ｂを弱める方向である。そして、このゲート電流１Ｔに
よる電流磁界は、磁気バブルＢをコンダクタ１００の外
側でトラツプする作用をし、このゲート電流１Ｔは回転
磁界ＨＲが半回転し、約２７０電の方向を向くまで流し
続けられる。この場合、ゲート電流１Ｔが流れている期
間、磁気バブルＢはコンダクタ１００の外側でトラツプ
され続け、同図ｂに示すようになる。次に、回転磁界Ｈ
Ｒが約２７０示の方向を向くと、ジアンピングパターン
３０の左端に磁気バブルを吸引するポールが生じる。こ
の時点でゲート電流１Ｔを切ると、トラツプされていた
磁気バブルＢはこの吸引ポールにより引き寄せられ、ジ
アンピングパターン３０の左側に移動し、同図Ｃに示し
たようになる。このあと、この磁気バブルＢは、転送回
路３０，４０を介してマイナーループｍへ転送されるこ
とになる。このようにしてゲート動作が完了する。なお
、同図ｄは上記ゲート動作におけるゲート電流１Ｔのパ
ターンを示したものである。第５図は、上記トランスフ
アゲート回路Ｔを実際に動作させた場合の動作特性の一
例を示す図である。
磁気バブルＢは、同図ａに示したように回転磁界ＨＲが
９０Ｂの方向を向き、デイスクパターン１０の右端の位
置に転送されたとき、コンダクタ１００にゲート電流１
Ｔを流す。この場合、ゲート電流１Ｔの流す方向は、そ
の電流磁界がコンダクタ１００の外側でバイアス磁界Ｈ
Ｂを弱める方向である。そして、このゲート電流１Ｔに
よる電流磁界は、磁気バブルＢをコンダクタ１００の外
側でトラツプする作用をし、このゲート電流１Ｔは回転
磁界ＨＲが半回転し、約２７０電の方向を向くまで流し
続けられる。この場合、ゲート電流１Ｔが流れている期
間、磁気バブルＢはコンダクタ１００の外側でトラツプ
され続け、同図ｂに示すようになる。次に、回転磁界Ｈ
Ｒが約２７０示の方向を向くと、ジアンピングパターン
３０の左端に磁気バブルを吸引するポールが生じる。こ
の時点でゲート電流１Ｔを切ると、トラツプされていた
磁気バブルＢはこの吸引ポールにより引き寄せられ、ジ
アンピングパターン３０の左側に移動し、同図Ｃに示し
たようになる。このあと、この磁気バブルＢは、転送回
路３０，４０を介してマイナーループｍへ転送されるこ
とになる。このようにしてゲート動作が完了する。なお
、同図ｄは上記ゲート動作におけるゲート電流１Ｔのパ
ターンを示したものである。第５図は、上記トランスフ
アゲート回路Ｔを実際に動作させた場合の動作特性の一
例を示す図である。
同図は、回転磁界ＨＲの強度が５００ｅ．周波数が１０
０ＫＨｚ，温度Ｔｃが１０℃の条件の下で動作させた結
果であり、横軸にゲート電流Ｔの振幅１Ｔａ１従軸にバ
イアス磁界ＨＢの強さをとり、ゲート回路Ｔが安定に動
作できるバイアス磁界領域を求めた結果である。同図に
おいて、二本の曲線Ｕ，Ｌｌすなわちバイアス磁界ＨＢ
の上限値Ｕ１下限値Ｌに囲まれた領域が安定動作領域で
ある。この図から明らかなように電流振幅ＩＴａが僅か
に大きくなると、誤動作Ｅを起し、バイアス磁界ＨＢの
下限値Ｌが大きく持ち上り、安定動作領域が大幅に狭く
なつている。このように、従来のゲート回路は、ゲート
電流の振幅を僅かに大きくすると、誤動作Ｅを起し、バ
イアス磁界の安定動作領域を大幅に狭くさせてしまうと
いう欠点を有している。
０ＫＨｚ，温度Ｔｃが１０℃の条件の下で動作させた結
果であり、横軸にゲート電流Ｔの振幅１Ｔａ１従軸にバ
イアス磁界ＨＢの強さをとり、ゲート回路Ｔが安定に動
作できるバイアス磁界領域を求めた結果である。同図に
おいて、二本の曲線Ｕ，Ｌｌすなわちバイアス磁界ＨＢ
の上限値Ｕ１下限値Ｌに囲まれた領域が安定動作領域で
ある。この図から明らかなように電流振幅ＩＴａが僅か
に大きくなると、誤動作Ｅを起し、バイアス磁界ＨＢの
下限値Ｌが大きく持ち上り、安定動作領域が大幅に狭く
なつている。このように、従来のゲート回路は、ゲート
電流の振幅を僅かに大きくすると、誤動作Ｅを起し、バ
イアス磁界の安定動作領域を大幅に狭くさせてしまうと
いう欠点を有している。
したがつて、本発明の目的は、上記の欠点を除去するた
めになされたものであり、ゲート電流の振幅を大きくし
て誤動作が全く発生することなく、安定動作領域を拡大
させた磁気バブルメモリゲート回路を提供することにあ
る。
めになされたものであり、ゲート電流の振幅を大きくし
て誤動作が全く発生することなく、安定動作領域を拡大
させた磁気バブルメモリゲート回路を提供することにあ
る。
このような目的を達成するために本発明による磁気バブ
ルメモリゲート回路は、デイスクパターンとジアンピン
グパターンとの間隔１ａをデイスクパターンと隣接素片
との間隔１ｃより小さくしてゲート回路パターンを形成
したものである。
ルメモリゲート回路は、デイスクパターンとジアンピン
グパターンとの間隔１ａをデイスクパターンと隣接素片
との間隔１ｃより小さくしてゲート回路パターンを形成
したものである。
以下図面を用いて本発明による磁気バブルメモリゲート
回路について詳細に説明する。まず、本発明による磁気
バブルメモリゲート回路を説明する前に本発明の理解を
容易にするために第５図で説明したゲート電流振幅１Ｔ
ａの大きい領域で発生する誤動作Ｅの様子を詳細に調べ
た結果を第６図を用いて説明する。
回路について詳細に説明する。まず、本発明による磁気
バブルメモリゲート回路を説明する前に本発明の理解を
容易にするために第５図で説明したゲート電流振幅１Ｔ
ａの大きい領域で発生する誤動作Ｅの様子を詳細に調べ
た結果を第６図を用いて説明する。
これは、ゲート回路を顕微鏡下で動作させて磁気バブル
の動きを目視によつて観察した結果である。同図は、回
転磁界ＨＲが約２７０た付近を向いていて、それまでに
コンダクタ１００の外側でトラツプされていた磁気バブ
ル．Ｂがジアンピングパターン３０の左端Ａの位置に移
ろうとしているときの状態を示す図である。このとき、
前述したようにジアンピングパターン３０の左端Ａの位
置に吸引ポールを生じるが、この時点では、デイスクパ
ターン１０に隣接している転送回路素片１の左側Ｃの位
置にも吸引ボールが生じている。そして、ゲート電流振
幅１Ｔａが大きくなると発生する誤動作は、この後者の
吸引ポールが関係し、ジアンピングパターン３０の位置
Ａへ移るべき磁気バブルＢが素片１の左側Ｃの位置に移
るためであることが判明した。したがつて、本発明の基
本的な考え方は、磁気バブルＢと素片１の左側Ｃの位置
の間隔を遠ざけることによつて上記誤動作を防止させた
ものである。第７図は本発明による磁気バブルメモリゲ
ート回路、特にトランスフアゲート回路Ｔの一実施例を
示す要部拡大平面図である。
の動きを目視によつて観察した結果である。同図は、回
転磁界ＨＲが約２７０た付近を向いていて、それまでに
コンダクタ１００の外側でトラツプされていた磁気バブ
ル．Ｂがジアンピングパターン３０の左端Ａの位置に移
ろうとしているときの状態を示す図である。このとき、
前述したようにジアンピングパターン３０の左端Ａの位
置に吸引ポールを生じるが、この時点では、デイスクパ
ターン１０に隣接している転送回路素片１の左側Ｃの位
置にも吸引ボールが生じている。そして、ゲート電流振
幅１Ｔａが大きくなると発生する誤動作は、この後者の
吸引ポールが関係し、ジアンピングパターン３０の位置
Ａへ移るべき磁気バブルＢが素片１の左側Ｃの位置に移
るためであることが判明した。したがつて、本発明の基
本的な考え方は、磁気バブルＢと素片１の左側Ｃの位置
の間隔を遠ざけることによつて上記誤動作を防止させた
ものである。第７図は本発明による磁気バブルメモリゲ
ート回路、特にトランスフアゲート回路Ｔの一実施例を
示す要部拡大平面図である。
同図において、デイスクパターン１０とジアンピングパ
ターン３０との間隔を１ａとし、デイスクパターン１０
とこのパターン１０に隣接する素片１との間隔を１ｂと
すると、これらの間隔１ａと１ｂとの間に１ａ＜１ｂの
関係を持たせ、デイスクパターン１『の高さｈを従来の
デイスクパターン１０の高さよりも大きくなるように形
成したものである。このような構成によれば、デイスク
パターン１０′上の磁気バブルＢのトラツプ位置がジア
ンピングパターン３０方向に近接するため、磁気バブル
Ｂは素片１に生じる吸引ボールに吸引されることなく、
スムーズにジアンピングパターン３０に転送させること
ができる。
ターン３０との間隔を１ａとし、デイスクパターン１０
とこのパターン１０に隣接する素片１との間隔を１ｂと
すると、これらの間隔１ａと１ｂとの間に１ａ＜１ｂの
関係を持たせ、デイスクパターン１『の高さｈを従来の
デイスクパターン１０の高さよりも大きくなるように形
成したものである。このような構成によれば、デイスク
パターン１０′上の磁気バブルＢのトラツプ位置がジア
ンピングパターン３０方向に近接するため、磁気バブル
Ｂは素片１に生じる吸引ボールに吸引されることなく、
スムーズにジアンピングパターン３０に転送させること
ができる。
また、このように構成されたトランスフアゲート回路Ｔ
は、前述と同様に回転磁界ＨＲの強度を５００ｅ，周波
数ｆが１００ＫＨｚ，温度Ｔｃが１０℃の条件の下で動
作させた結果、第８図に示すような動作特性が得られた
。したがつて同図から明らかなようにゲート電流振幅１
Ｔａが大きくなつても、第５図に示した誤動作Ｅが全く
起らず、バイアス磁界ＨＢの上限値Ｕ１下限値Ｌに囲ま
れる安定動作領域を大幅に拡大させることができた。な
お、上記実施例においては、磁気バブルメモリゲート回
路として、トランスフアゲート回路Ｔについて説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、レプリケ
ートゲ゛一ト回路Ｒに適用した場合においても前述と全
く同様の効果が得られる。
は、前述と同様に回転磁界ＨＲの強度を５００ｅ，周波
数ｆが１００ＫＨｚ，温度Ｔｃが１０℃の条件の下で動
作させた結果、第８図に示すような動作特性が得られた
。したがつて同図から明らかなようにゲート電流振幅１
Ｔａが大きくなつても、第５図に示した誤動作Ｅが全く
起らず、バイアス磁界ＨＢの上限値Ｕ１下限値Ｌに囲ま
れる安定動作領域を大幅に拡大させることができた。な
お、上記実施例においては、磁気バブルメモリゲート回
路として、トランスフアゲート回路Ｔについて説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、レプリケ
ートゲ゛一ト回路Ｒに適用した場合においても前述と全
く同様の効果が得られる。
以上説明したように本発明による磁気バブルメモリゲー
ト回路によれば、ゲート電流振幅を大きくしても、誤動
作が全く発生することなく、安定動作領域を拡大させる
ことかできるため、磁気バブルメモリチツプすなわち磁
気バブルメモリデバイスの性能および信頼性等を大幅に
向上させることができる極めて優れた効果が得られる。
ト回路によれば、ゲート電流振幅を大きくしても、誤動
作が全く発生することなく、安定動作領域を拡大させる
ことかできるため、磁気バブルメモリチツプすなわち磁
気バブルメモリデバイスの性能および信頼性等を大幅に
向上させることができる極めて優れた効果が得られる。
第１図は従来の磁気バブルメモリチツプの一例を示す構
成図、第２図、第３図は従来のゲート回路パターンを示
す要部平面図、第４図ａ−ｄはトランスフアゲート回路
の動作原理を説明する図、第５図は従来のゲート回路の
動作特性図、第６図は従来のゲート回路の誤動作の様子
を示す要部平面図、第７図は本発明による磁気バブルメ
モリゲート回路の一例を示す要部平面図、第８図は本発
明による磁気バブルメモリゲート回路の動作特性図であ
る。 １，１０，２０，３０，５０・・・・・・転送回路素片
、１０，１『・・・・・・デイスクパターン、３０・・
・・・・ジアンピングパターン、１００・・・・・・コ
ンダクタ。
成図、第２図、第３図は従来のゲート回路パターンを示
す要部平面図、第４図ａ−ｄはトランスフアゲート回路
の動作原理を説明する図、第５図は従来のゲート回路の
動作特性図、第６図は従来のゲート回路の誤動作の様子
を示す要部平面図、第７図は本発明による磁気バブルメ
モリゲート回路の一例を示す要部平面図、第８図は本発
明による磁気バブルメモリゲート回路の動作特性図であ
る。 １，１０，２０，３０，５０・・・・・・転送回路素片
、１０，１『・・・・・・デイスクパターン、３０・・
・・・・ジアンピングパターン、１００・・・・・・コ
ンダクタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ メイジヤラインとマイナループとを結合するコンダ
クタを備え、磁気バブルの授受を制御する磁気バブルメ
モリゲート回路において、前記磁気バブルを転送する転
送回路素片として前記コンダクタのヘアピン部に結合さ
れたメイジヤラインのディスクパターンと、このディス
クパターンに隣接配置された素片と、前記メイジヤライ
ンとマイナループ間に前記ヘアピン部に近接配置された
ジヤンピングパターンとを具備し、前記ディスクパター
ンの磁気バブルトラップ位置とジヤンピングパターン間
の間隔を、前記ディスクパターンの磁気バブルトラップ
位置と隣接素片間の間隔よりも小さくしたことを特徴と
する磁気バブルメモリゲート回路。 ２ 前記ディスクパターンの高さを大きくしたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ
ゲート回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53102706A JPS597151B2 (ja) | 1978-08-25 | 1978-08-25 | 磁気バブルメモリゲ−ト回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53102706A JPS597151B2 (ja) | 1978-08-25 | 1978-08-25 | 磁気バブルメモリゲ−ト回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5532210A JPS5532210A (en) | 1980-03-06 |
| JPS597151B2 true JPS597151B2 (ja) | 1984-02-16 |
Family
ID=14334704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53102706A Expired JPS597151B2 (ja) | 1978-08-25 | 1978-08-25 | 磁気バブルメモリゲ−ト回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS597151B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0460801U (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-25 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561707B2 (ja) * | 1974-03-29 | 1981-01-14 | ||
| JPS5520311B2 (ja) * | 1974-06-21 | 1980-06-02 | ||
| US4007453A (en) * | 1975-03-31 | 1977-02-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Magnetic bubble memory organization |
| JPS595326U (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-13 | 相生精機株式会社 | 金型を用いる加工機械の金型交換装置 |
-
1978
- 1978-08-25 JP JP53102706A patent/JPS597151B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0460801U (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5532210A (en) | 1980-03-06 |
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