JPS592223A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS592223A JPS592223A JP10993782A JP10993782A JPS592223A JP S592223 A JPS592223 A JP S592223A JP 10993782 A JP10993782 A JP 10993782A JP 10993782 A JP10993782 A JP 10993782A JP S592223 A JPS592223 A JP S592223A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
抗効果型磁気ヘッドに関する。
このような磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）を
用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドとい
う）は、ＭＲ素子の抵抗値が磁界の強さに依存して変化
する特性を利用したもので、再生出力が記録媒体走行速
度に依存せず、磁気信号の波長のみによって決まるため
、低速でも十分な再生出力が得られ、集積回路と同様な
薄膜技術で製造することができるため、マルチトラック
化が容易である等の利点を有し、最近では磁気記録装置
の再生用ヘッドとして注目を集めている。
用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドとい
う）は、ＭＲ素子の抵抗値が磁界の強さに依存して変化
する特性を利用したもので、再生出力が記録媒体走行速
度に依存せず、磁気信号の波長のみによって決まるため
、低速でも十分な再生出力が得られ、集積回路と同様な
薄膜技術で製造することができるため、マルチトラック
化が容易である等の利点を有し、最近では磁気記録装置
の再生用ヘッドとして注目を集めている。
第１図にはこのようなＭＲヘッドの構造が図示されてお
り、同図において一軸磁気異方性の強磁性薄膜９例えば
Ｎｉ−Ｆｅ合金の薄膜からなるＭＲ累子１の両端には電
流源３に接続された電極２が設けられており、このＭＲ
素子１に磁気記録媒体４を近接ないし接触させて配置さ
せている。この場合記録媒体４をＭＲ素子１で走査する
ことにより記録媒体４の記録情報に従ってＭＲ素子の電
気抵抗が変化し、その変化を電圧変化として検出し記録
媒体４に記録された情報を読み出すようにしている。
り、同図において一軸磁気異方性の強磁性薄膜９例えば
Ｎｉ−Ｆｅ合金の薄膜からなるＭＲ累子１の両端には電
流源３に接続された電極２が設けられており、このＭＲ
素子１に磁気記録媒体４を近接ないし接触させて配置さ
せている。この場合記録媒体４をＭＲ素子１で走査する
ことにより記録媒体４の記録情報に従ってＭＲ素子の電
気抵抗が変化し、その変化を電圧変化として検出し記録
媒体４に記録された情報を読み出すようにしている。
このように構成されたＭＲヘッドには、通常第２図に示
したように再生特性を向」ニさせるためにバイアス電流
路５．並びにこれらを挾むかたちでシールド層７，７′
が配置される。即ちＭＲ素子１に近接して磁界パイアメ
をかけるバイアス電流路５が設けられ、この電流路には
バイアス電流源６を介して電流が流される。又、記録媒
体からの信号磁界に対して、感度を高め、線形応答性を
良くするためにＭＲ素子１を挾んで磁気シールド層７゜
７′が形成される。
したように再生特性を向」ニさせるためにバイアス電流
路５．並びにこれらを挾むかたちでシールド層７，７′
が配置される。即ちＭＲ素子１に近接して磁界パイアメ
をかけるバイアス電流路５が設けられ、この電流路には
バイアス電流源６を介して電流が流される。又、記録媒
体からの信号磁界に対して、感度を高め、線形応答性を
良くするためにＭＲ素子１を挾んで磁気シールド層７゜
７′が形成される。
このような構造において、ＭＲ素子１の膜厚は例えばＮ
ｉ−Ｆｅ合金薄膜の場合約００６μｍ程度、又度が通常
であり、従って電極２はＭＲ素子１に比べて比較的厚い
膜厚であり媒体摺動面側に端部が露出している構造とな
っている。この媒体摺動面は研磨によって加工されるの
が普通であり１．露出している電極２９例えば薄膜は研
磨加工により、塑性変形が発生して研磨方向にダレが生
じ、これがシールド層７と接触して結果的に電流源３が
ら流れる電流が電極２を通じてシールド層７を介して流
れ、その結果信号の再生電圧が不安定となる欠点があっ
た。
ｉ−Ｆｅ合金薄膜の場合約００６μｍ程度、又度が通常
であり、従って電極２はＭＲ素子１に比べて比較的厚い
膜厚であり媒体摺動面側に端部が露出している構造とな
っている。この媒体摺動面は研磨によって加工されるの
が普通であり１．露出している電極２９例えば薄膜は研
磨加工により、塑性変形が発生して研磨方向にダレが生
じ、これがシールド層７と接触して結果的に電流源３が
ら流れる電流が電極２を通じてシールド層７を介して流
れ、その結果信号の再生電圧が不安定となる欠点があっ
た。
又、上記構造のＭＲヘッドにおいて、ＭＲ素子１、電極
２．バイアス電流路５．シールド層７゜１′はそれぞれ
各薄膜の絶縁を保つために例えば、５ｉｎ２等の絶縁薄
膜を介して通常スパッタ又はＥＢ（電子ビーム）蒸着に
よって成膜され、フォトリソエツチングにより形成され
る。又、第２図においてシールド層７，７′の間隔、即
ちシールドギャップ幅は短波長領域の信号再生における
信号の分解能を高めるために狭くする必要があり、一方
電極２はその抵抗を極力低く保つ必要があるため、ＭＲ
素子７よりも相対的に膜厚を厚くシ、例えばＭ電極の場
合には膜厚が約０５μｍ程度に選ばれている。更にこの
電極２とバイアス電流路５又はバイアス電流路を用いな
い場合にはシールド層７との絶縁を保つためにスパッタ
又はＥＢ蒸着により電極２上に絶縁薄膜を成膜するが、
ステップカバーレッジを完全にする必要があり、一般に
凹凸段差のあるパターン上に導通のないほぼ完全々絶縁
層を得るには凹凸段差の約３倍の厚さの絶縁薄膜を成膜
しなければならないとされている。
２．バイアス電流路５．シールド層７゜１′はそれぞれ
各薄膜の絶縁を保つために例えば、５ｉｎ２等の絶縁薄
膜を介して通常スパッタ又はＥＢ（電子ビーム）蒸着に
よって成膜され、フォトリソエツチングにより形成され
る。又、第２図においてシールド層７，７′の間隔、即
ちシールドギャップ幅は短波長領域の信号再生における
信号の分解能を高めるために狭くする必要があり、一方
電極２はその抵抗を極力低く保つ必要があるため、ＭＲ
素子７よりも相対的に膜厚を厚くシ、例えばＭ電極の場
合には膜厚が約０５μｍ程度に選ばれている。更にこの
電極２とバイアス電流路５又はバイアス電流路を用いな
い場合にはシールド層７との絶縁を保つためにスパッタ
又はＥＢ蒸着により電極２上に絶縁薄膜を成膜するが、
ステップカバーレッジを完全にする必要があり、一般に
凹凸段差のあるパターン上に導通のないほぼ完全々絶縁
層を得るには凹凸段差の約３倍の厚さの絶縁薄膜を成膜
しなければならないとされている。
従って、上述したようなＭＲヘッドにおいて成膜される
絶縁薄膜の厚さは約１５μｍ必要であり、シールド層７
，７′に挾まれたＭＲヘッド先端部の電極薄膜０．５μ
ｍと、これをカバーする絶縁層の薄膜約１．５μｍによ
って２つのシールド層７．７’の間隔、即ちシールドギ
ャップを極めて狭くすることは困難であり、短波長領域
での分解能の向上が困難となっている。
絶縁薄膜の厚さは約１５μｍ必要であり、シールド層７
，７′に挾まれたＭＲヘッド先端部の電極薄膜０．５μ
ｍと、これをカバーする絶縁層の薄膜約１．５μｍによ
って２つのシールド層７．７’の間隔、即ちシールドギ
ャップを極めて狭くすることは困難であり、短波長領域
での分解能の向上が困難となっている。
又ＭＲ素子を用いてマルチヘッド型の磁気ヘッドを作る
場合、薄膜の成形はフォトリソエツチングを用いて行な
われるが、このフォトリソエツチングによる薄膜成形の
精度は成形薄膜の膜厚に依存しており、成形膜厚が薄い
程その精度は良好なものとなっている。この成形法を用
いて超高密度トラックピッチの素子成形を行なう場合、
第１図に示す薄膜の構造では信号の再生に係るＭＲ素子
１の両端にＭＲ素子の膜厚より相対的に厚い電極２があ
るためにフォトリソエツチングによる成形精度が悪くな
り、従って超高密度トラックピッチを実現する場合問題
となっていた。
場合、薄膜の成形はフォトリソエツチングを用いて行な
われるが、このフォトリソエツチングによる薄膜成形の
精度は成形薄膜の膜厚に依存しており、成形膜厚が薄い
程その精度は良好なものとなっている。この成形法を用
いて超高密度トラックピッチの素子成形を行なう場合、
第１図に示す薄膜の構造では信号の再生に係るＭＲ素子
１の両端にＭＲ素子の膜厚より相対的に厚い電極２があ
るためにフォトリソエツチングによる成形精度が悪くな
り、従って超高密度トラックピッチを実現する場合問題
となっていた。
即ち、従来の構造のＭＲヘッドでは、
■）電極２がヘッドの媒体摺動面に露出しているため研
磨加工時に電極２の研磨ダレが生じ、シールド層７，７
′とショートして再生信号が不安定となる。
磨加工時に電極２の研磨ダレが生じ、シールド層７，７
′とショートして再生信号が不安定となる。
２）ヘッド先端部に電極２があり、これをカバーする絶
縁層のステップカバーレッジを完全にすると膜厚が厚く
なり、シールド層７と７′の間隔（シールドギャップ幅
）を小さくできず、信号の分解能を向上させることがで
きない。
縁層のステップカバーレッジを完全にすると膜厚が厚く
なり、シールド層７と７′の間隔（シールドギャップ幅
）を小さくできず、信号の分解能を向上させることがで
きない。
３）ヘッド先端部に電極２があるためこの部分のフォト
リソエツチング精度が悪く、超高密度トラックピッチ型
のＭＲヘッドを実現するのが困難である。
リソエツチング精度が悪く、超高密度トラックピッチ型
のＭＲヘッドを実現するのが困難である。
という欠点があった。
従って本発明はこのような従来の欠点を解消し、磁気抵
抗効果素子の成形精度を向上させ、磁気記録媒体に記録
された情報を忠実に再生することが可能な磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
抗効果素子の成形精度を向上させ、磁気記録媒体に記録
された情報を忠実に再生することが可能な磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
本発明はこの目的を達成するためにＭＲ素子と電極との
接合部をＭＲ素子の感磁気部分を構成するいずれの線よ
りも磁気記録媒体と接する線からみてヘッドの内側に存
在するようにし、ＭＲ素子の電極との接合部までの距離
をＭＲ素子の感磁気部分よりも大きくするような構成を
採用した。
接合部をＭＲ素子の感磁気部分を構成するいずれの線よ
りも磁気記録媒体と接する線からみてヘッドの内側に存
在するようにし、ＭＲ素子の電極との接合部までの距離
をＭＲ素子の感磁気部分よりも大きくするような構成を
採用した。
以下図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明す
る。
る。
第３図には本発明の最も簡単な実施例が図示されており
、同図において符号８で示すものは磁気抵抗効果により
信号再生を行なうＭＲ素子であり、このＭＲ素子は一軸
磁気異方性の強磁性薄膜２例えばＮｉ−Ｆｅ合金で、約
０．０６μｍの薄膜からなり、ＭＲ素子の両端がＭＲヘ
ッドの内側後方にコの字型に屈曲した形状を有する。こ
のＭＲ素子の屈曲して延びる両端には例えば約０５μｍ
の膜厚を有するＭ薄膜からなる電極が接続され、これら
の両電極は電流源１０に接続され、それぞれＭＲ素子８
に電流又は電圧を供給する。このように構成されたＭＲ
ヘッドは記録媒体１１に接触又はそれに近接して配置さ
れ、それに記憶された情報を再生する。
、同図において符号８で示すものは磁気抵抗効果により
信号再生を行なうＭＲ素子であり、このＭＲ素子は一軸
磁気異方性の強磁性薄膜２例えばＮｉ−Ｆｅ合金で、約
０．０６μｍの薄膜からなり、ＭＲ素子の両端がＭＲヘ
ッドの内側後方にコの字型に屈曲した形状を有する。こ
のＭＲ素子の屈曲して延びる両端には例えば約０５μｍ
の膜厚を有するＭ薄膜からなる電極が接続され、これら
の両電極は電流源１０に接続され、それぞれＭＲ素子８
に電流又は電圧を供給する。このように構成されたＭＲ
ヘッドは記録媒体１１に接触又はそれに近接して配置さ
れ、それに記憶された情報を再生する。
第４図には第３図に図示されたＭＲヘッドに７一ルド層
及びバイアス電流路を加えた構造が図示されている。バ
イアス電流路１２は導電性の非磁性体層例えば約０．１
〜０．２μｍのＡ７薄膜から°なり、ＭＲ素子８の近傍
に配置される。このバイアス電流路１２にはバイアス電
流源１３を介して電流が流され、それによりバイアス電
流路１２の周辺には磁界が発生し、この磁界がＭＲ素子
８にノくイアス磁界として印加される。このバイアス磁
界は記録媒体１１からの信号に対しＭＲ素子８の感度を
高め線形応答の動作領域に設定する作用を行なう。
及びバイアス電流路を加えた構造が図示されている。バ
イアス電流路１２は導電性の非磁性体層例えば約０．１
〜０．２μｍのＡ７薄膜から°なり、ＭＲ素子８の近傍
に配置される。このバイアス電流路１２にはバイアス電
流源１３を介して電流が流され、それによりバイアス電
流路１２の周辺には磁界が発生し、この磁界がＭＲ素子
８にノくイアス磁界として印加される。このバイアス磁
界は記録媒体１１からの信号に対しＭＲ素子８の感度を
高め線形応答の動作領域に設定する作用を行なう。
ＭＲ素子８及びバイアス電流路１２を非接触状態で囲む
ようにして例えばＦｅ−Ｎｉ合金薄膜（膜厚は約１μｍ
）からなるシールド層１４．１５が設けられる。これら
の７一ルド層１４，１５はＭＲ素子８の記録媒体１１か
らの信号に対する分解能を高める作用をする。
ようにして例えばＦｅ−Ｎｉ合金薄膜（膜厚は約１μｍ
）からなるシールド層１４．１５が設けられる。これら
の７一ルド層１４，１５はＭＲ素子８の記録媒体１１か
らの信号に対する分解能を高める作用をする。
上述したＭＲ素子８．電極９．バイアス電流路１２、シ
ールド層１４，１５は基板上にそれぞれスパックによっ
て成膜された絶縁層２例えば５ｉ０２薄膜を介してＥＢ
蒸着により成膜され、フ第１・リンエツチングにより成
形されている。
ールド層１４，１５は基板上にそれぞれスパックによっ
て成膜された絶縁層２例えば５ｉ０２薄膜を介してＥＢ
蒸着により成膜され、フ第１・リンエツチングにより成
形されている。
第３図及び第４図のように構成されたＭＲヘッドにおい
てＭＲ素子８に対し記録媒体１１を摺動させると、記録
媒体１１に記録された情報による磁界によりＭＲ素子８
の電気抵抗が変化し、この電気抵抗の変化を電圧変化に
変換し、記録媒体１１に記憶されている情報を再生する
ことができる。
てＭＲ素子８に対し記録媒体１１を摺動させると、記録
媒体１１に記録された情報による磁界によりＭＲ素子８
の電気抵抗が変化し、この電気抵抗の変化を電圧変化に
変換し、記録媒体１１に記憶されている情報を再生する
ことができる。
ここでＭＲ素子８．電極９．バイアス電１１２゜シール
ド層１５の形状、位置関係は、本発明によれば絶縁層ス
テップカバーレッジの関係により第５図に示すような関
係となっている。即ちＭＲ素子８の記録媒体側先端より
電極２に接続される位置１での長さをｌ、ＭＲ素子８の
ストライプ幅なの関係が得られるように構成されている
。
ド層１５の形状、位置関係は、本発明によれば絶縁層ス
テップカバーレッジの関係により第５図に示すような関
係となっている。即ちＭＲ素子８の記録媒体側先端より
電極２に接続される位置１での長さをｌ、ＭＲ素子８の
ストライプ幅なの関係が得られるように構成されている
。
尚、第４図及び第５図のバイアス電流路１２は／−ルド
層１５の外側でバイアス電流源１：３に接続され、ステ
ップカバーレッジ等の表面凹凸に関する問題を減少する
ように構成されている。
層１５の外側でバイアス電流源１：３に接続され、ステ
ップカバーレッジ等の表面凹凸に関する問題を減少する
ように構成されている。
次に本発明をマルチトラックヘッドに適用した例として
超高トラック密度のマルチトランクＭＲヘッドのパター
ン形状の一例を第６図に示す。
超高トラック密度のマルチトランクＭＲヘッドのパター
ン形状の一例を第６図に示す。
同図においてＮｉ−Ｆｅ合金薄膜からなる膜厚約０．０
６μｍの一軸磁気異方性の強磁性薄膜からなるＭＲ素子
１６はそれぞれその屈曲した端部に例えばＭ薄膜からな
る膜厚約０．５μｍの非磁性導電性薄膜からなる電極１
７が接続されており、各電極にはそれぞれ不図示の電流
源が接続されＭＲ素子に電流ないし電圧を供給する。各
ＭＲ素子１６及び電極はそれぞれ基板１８上に成膜され
る。
６μｍの一軸磁気異方性の強磁性薄膜からなるＭＲ素子
１６はそれぞれその屈曲した端部に例えばＭ薄膜からな
る膜厚約０．５μｍの非磁性導電性薄膜からなる電極１
７が接続されており、各電極にはそれぞれ不図示の電流
源が接続されＭＲ素子に電流ないし電圧を供給する。各
ＭＲ素子１６及び電極はそれぞれ基板１８上に成膜され
る。
ここで電極１７は内部抵抗を小さくするために膜厚を小
さくすることができず、従ってＭＲ素子１６のヘッド先
端部のパターンのように７オトリソエツチングによる超
微細加工ができない。そのためＭＲ素子１６と電極１７
が接続する部分は、電極１７の加工精度に適したパター
ン幅が必要であり、第６図に示すようにＭＲ素子１６の
パターン幅を電極１７と接続する部分では電極１７のパ
ターン幅と同じになるように広げる必要がある。
さくすることができず、従ってＭＲ素子１６のヘッド先
端部のパターンのように７オトリソエツチングによる超
微細加工ができない。そのためＭＲ素子１６と電極１７
が接続する部分は、電極１７の加工精度に適したパター
ン幅が必要であり、第６図に示すようにＭＲ素子１６の
パターン幅を電極１７と接続する部分では電極１７のパ
ターン幅と同じになるように広げる必要がある。
このためＭＲ素子１６はヘッド先端部と電極１７との接
続部とではパターン幅が大きく異なり、第６図に示した
ように屈曲したパターンとする必要がある。このような
場合ＭＲ素子１６の各トラックパターンの形状及び面積
が異なり、そのため各トラックの内部抵抗が揃わず、再
生出力を電圧変化して読み出す場合に不都合が生じる。
続部とではパターン幅が大きく異なり、第６図に示した
ように屈曲したパターンとする必要がある。このような
場合ＭＲ素子１６の各トラックパターンの形状及び面積
が異なり、そのため各トラックの内部抵抗が揃わず、再
生出力を電圧変化して読み出す場合に不都合が生じる。
このため電極１７の長さを変化させＭＲ素子１６の各ト
ラックの内部抵抗が一定となるようＫＭＲ素子１６との
接続位置を各トラック毎に変化させて・ζターンニング
を行なっている。この方法によればＭＲ素子のヘッド先
端部でのパターン幅が非常に微細であり、電極１７のパ
ターン幅が逆に広くても各トラック毎の内部抵抗を一定
にすることができる。
ラックの内部抵抗が一定となるようＫＭＲ素子１６との
接続位置を各トラック毎に変化させて・ζターンニング
を行なっている。この方法によればＭＲ素子のヘッド先
端部でのパターン幅が非常に微細であり、電極１７のパ
ターン幅が逆に広くても各トラック毎の内部抵抗を一定
にすることができる。
以上説明したように本発明によるＭＲヘッドではＭＲ素
子と電極部との接続部をＭＲヘッドの磁気記録媒体摺動
面先端よりもヘッド内側方向に引っ込めるような構造を
とっており、このために以下に示すような効果が得られ
る。
子と電極部との接続部をＭＲヘッドの磁気記録媒体摺動
面先端よりもヘッド内側方向に引っ込めるような構造を
とっており、このために以下に示すような効果が得られ
る。
１）ＭＲヘッドの先端部にはＭＲ素子より膜厚の厚い電
極がないため、ＭＲ素子及びバイアス電流路を囲むシー
ルド層を設ける際、絶縁層の膜厚を薄くすることができ
る。例えばＭＲ素子の膜厚を約０．０６μｍ、バイアス
電流路の膜厚を約０．１μｍとすると絶縁層の膜厚は０
．１〜０．２μｍで十分となり、そのためＭＲ素子とシ
ールド層のギャップ幅な絶縁層の膜厚０．１〜０．２μ
ｍと同程度にすることができ、従来のＭＲヘッドに比ベ
ギャップ幅を小さくすることができ、シールド層の分解
能を高めることができる。
極がないため、ＭＲ素子及びバイアス電流路を囲むシー
ルド層を設ける際、絶縁層の膜厚を薄くすることができ
る。例えばＭＲ素子の膜厚を約０．０６μｍ、バイアス
電流路の膜厚を約０．１μｍとすると絶縁層の膜厚は０
．１〜０．２μｍで十分となり、そのためＭＲ素子とシ
ールド層のギャップ幅な絶縁層の膜厚０．１〜０．２μ
ｍと同程度にすることができ、従来のＭＲヘッドに比ベ
ギャップ幅を小さくすることができ、シールド層の分解
能を高めることができる。
２）ＭＲ素子より比較的厚い電極が記録媒体の摺動面に
露出しないため、摺動面の研磨加工時における電極研磨
ダレによるシールド層との接触が悪くなり、電極とシー
ルド層がショートして信号の再生電圧が不安定になると
いう欠点をなくすことができる。
露出しないため、摺動面の研磨加工時における電極研磨
ダレによるシールド層との接触が悪くなり、電極とシー
ルド層がショートして信号の再生電圧が不安定になると
いう欠点をなくすことができる。
３）ＭＲヘッドの先端には加工精度がよくない電極が設
けられていないので、ＭＲヘッドの先端部の膜厚が薄く
なり、それによりフォトリソエツチングの加工精度を向
上させることができる。
けられていないので、ＭＲヘッドの先端部の膜厚が薄く
なり、それによりフォトリソエツチングの加工精度を向
上させることができる。
４）永久磁石法でバイアス磁界を与えるタイプのＭＲヘ
ッドにすればバイアス電流路が省略でき、シールドギャ
ップ幅を更に薄くすることができる。
ッドにすればバイアス電流路が省略でき、シールドギャ
ップ幅を更に薄くすることができる。
即ち上述した実施例ではバイアス電流路に電流を流して
バイアス磁界をかけるコンダクタバイアス法を用いてい
るが、例えば永久磁石を用いてＭＲ素子にバイアス磁界
を与える永久磁石バイアス法を用いれば、バイアス電流
路１２並びにそれを絶縁していた絶縁層も省略でき、そ
れによりＭＲ素子８とシールド層１５との間隔を小さく
できる。
バイアス磁界をかけるコンダクタバイアス法を用いてい
るが、例えば永久磁石を用いてＭＲ素子にバイアス磁界
を与える永久磁石バイアス法を用いれば、バイアス電流
路１２並びにそれを絶縁していた絶縁層も省略でき、そ
れによりＭＲ素子８とシールド層１５との間隔を小さく
できる。
即ちシールドギャップ幅を狭くすることができ、ＭＲヘ
ッドの磁気信号に対する分解能を高めることができる。
ッドの磁気信号に対する分解能を高めることができる。
５）／−ルド層を設けないタイプのＭＲヘッドにすれば
保護板の接着に際して生じる接着剤中の気泡を少なくで
き、又接着条件も緩和することができる。
保護板の接着に際して生じる接着剤中の気泡を少なくで
き、又接着条件も緩和することができる。
即ち、シールド層を設けず永久磁石バイアス法を用いた
ＭＲ−、ラドにおいては基板上に形成されたＭＲ素子及
び電極上に保護板を直接接着するのが一般的であり、こ
の接着の際、特に水ガラス接着、溶融ガラス接着を用い
た場合には、接着層中の気泡の発生が磁気抵抗ヘッドの
加工性、耐久性。
ＭＲ−、ラドにおいては基板上に形成されたＭＲ素子及
び電極上に保護板を直接接着するのが一般的であり、こ
の接着の際、特に水ガラス接着、溶融ガラス接着を用い
た場合には、接着層中の気泡の発生が磁気抵抗ヘッドの
加工性、耐久性。
信頼性の上で問題となる。特に気泡は接着すべき表面の
凹凸が大きいと発生しやすく、ＭＲ素子先端部に発生す
ることが多くＭＲ素子の性能上一番問題となる。しかし
、本発明のような構造では、ＭＲ素子の膜厚が約０．０
６μｍと非常に薄くできるため、基板と素子との段差は
少なく、このため保護板と接着する際ＭＲ素子先端部に
気泡の発生を起こすことができないようにすることがで
き、接着条件を緩和することができる。
凹凸が大きいと発生しやすく、ＭＲ素子先端部に発生す
ることが多くＭＲ素子の性能上一番問題となる。しかし
、本発明のような構造では、ＭＲ素子の膜厚が約０．０
６μｍと非常に薄くできるため、基板と素子との段差は
少なく、このため保護板と接着する際ＭＲ素子先端部に
気泡の発生を起こすことができないようにすることがで
き、接着条件を緩和することができる。
第１図、第２図は従来のＭＲヘッドの構造を示す斜視図
、第３図及び第４図は本発明によるＭＲヘッドの構造を
示す斜視図、第５図は本発明によるＭＲヘッドの構造及
び相互の位置関係を示す説明図、第６図は本発明を超高
密度ｌ・ラック型の臓ヘッドに適用した場合の構成を示
す平面図である。
、第３図及び第４図は本発明によるＭＲヘッドの構造を
示す斜視図、第５図は本発明によるＭＲヘッドの構造及
び相互の位置関係を示す説明図、第６図は本発明を超高
密度ｌ・ラック型の臓ヘッドに適用した場合の構成を示
す平面図である。
Claims (3)
- （１）磁気記録媒体に記録された情報を電極を備えた磁
気抵抗効果素子を介して読み出す磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおいて、磁気抵抗効果素子の前記記録媒体と接す
る線から電極との接合部までの距離を磁気抵抗効果素子
の感磁気部分よりも大きくすることを特徴とする磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。 - （２）前記接合部までの距離ｌ、磁気抵抗効果素Ａ＞Ｓ
ｗ、 ＩＩ＞Ｂ、 １１＞Ｓｈ としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁
気抵抗効果型磁気ヘッド。 - （３）前記磁気抵抗効果素子を用いてマルチトランクを
形成し、その場合磁気抵抗効果素子の記録媒体の接する
線から電極の接合部までの距離をそれぞれ各トラック毎
に異なるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10993782A JPS592223A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10993782A JPS592223A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592223A true JPS592223A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14522884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10993782A Pending JPS592223A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0262925A2 (en) * | 1986-09-29 | 1988-04-06 | Hewlett-Packard Company | Transducer shield |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP10993782A patent/JPS592223A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0262925A2 (en) * | 1986-09-29 | 1988-04-06 | Hewlett-Packard Company | Transducer shield |
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