JPS5970309A - 半導体回路保護方法 - Google Patents
半導体回路保護方法Info
- Publication number
- JPS5970309A JPS5970309A JP57179933A JP17993382A JPS5970309A JP S5970309 A JPS5970309 A JP S5970309A JP 57179933 A JP57179933 A JP 57179933A JP 17993382 A JP17993382 A JP 17993382A JP S5970309 A JPS5970309 A JP S5970309A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- pulse
- temperature
- circuit
- pulse generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0826—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in bipolar transistor switches
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体ｒ［ｇ子回路の熱的トラブルから素子を
保護する方式に係り、特に、熱的トラブルを少なくでき
るパルス発生回路保護方法に関する。
保護する方式に係り、特に、熱的トラブルを少なくでき
るパルス発生回路保護方法に関する。
第１図に通常のパルス発生回路とその波形概形を示す。
トランジスタ１は増幅用であり、入力端子５．６に電圧
のパルス信号ＵｒＮ’ｅ加えると抵抗２を通してトラン
ジスタ１はオン駆動され、電源端子４、抵抗３を通して
電流が流れ、出力端子７゜８の間には出力パルス信号Ｕ
ＯＵＴが表われる。このパルス信号は各種の駆動用電気
信号として用いられるが、電源端子４の電圧が高く（あ
るいは抵抗３の値が低く）設計しである場合はトランジ
スタ１の消費電力が増し、素子の温度上昇を招き、場合
によっては素子の熱破壊を招く。この現象は、特に、出
力パルスの繰り返し周波数を高くした場合に起こりやす
い。
のパルス信号ＵｒＮ’ｅ加えると抵抗２を通してトラン
ジスタ１はオン駆動され、電源端子４、抵抗３を通して
電流が流れ、出力端子７゜８の間には出力パルス信号Ｕ
ＯＵＴが表われる。このパルス信号は各種の駆動用電気
信号として用いられるが、電源端子４の電圧が高く（あ
るいは抵抗３の値が低く）設計しである場合はトランジ
スタ１の消費電力が増し、素子の温度上昇を招き、場合
によっては素子の熱破壊を招く。この現象は、特に、出
力パルスの繰り返し周波数を高くした場合に起こりやす
い。
本発明の目的は素子の熱的危険状態を自動的に検出して
温ｆ上昇を抑止し、素子の熱的破壊を防止する方法を提
供するにある。
温ｆ上昇を抑止し、素子の熱的破壊を防止する方法を提
供するにある。
第２図に本考案の原理を示す。パルス発生回路１０は第
１図等の回路で表わされる。このパルス発生回路には温
度検出部１１が具備されており、この信号を増幅器１２
で増幅し、この信号をスイッチ回路９に加えである。
１図等の回路で表わされる。このパルス発生回路には温
度検出部１１が具備されており、この信号を増幅器１２
で増幅し、この信号をスイッチ回路９に加えである。
入力パルス信号ＵＩＮは入力端子１３に加えられ、通常
の状態ではスイッチ回路９は閉状態となっており、信号
Ｕ！Ｎはパルス発生回路１０の入力信号として加わり、
出力パルスＵｏｕ？全発生する。
の状態ではスイッチ回路９は閉状態となっており、信号
Ｕ！Ｎはパルス発生回路１０の入力信号として加わり、
出力パルスＵｏｕ？全発生する。
ここでパルスの繰り返し問波数が増大するとパルス発生
回路１０の温度が上昇し、これは温度検出部１１で検出
され、増幅回路１２で増幅され、スイッチ回路９を駆動
し、入力信号ＵＩＮがパルス発生回路１０に加えられる
のを禁止する。すなわち、スイッチ回路は開状態となる
。
回路１０の温度が上昇し、これは温度検出部１１で検出
され、増幅回路１２で増幅され、スイッチ回路９を駆動
し、入力信号ＵＩＮがパルス発生回路１０に加えられる
のを禁止する。すなわち、スイッチ回路は開状態となる
。
つまり、本発明ではパルス発生回路の温間上昇を検出し
て、この信号によって入力パルス信号を禁止するという
手法をとる。
て、この信号によって入力パルス信号を禁止するという
手法をとる。
第３図に本発明の１実施例を示す。トランジスタ１を中
心とするパルス発生回路の構成は第１図の回路構成と同
じである。トランジスタ１５はスイッチを構成し、その
コレクタ・エミッタ間はトランジスタ１０ベース・エミ
ッタ間に接続される。
心とするパルス発生回路の構成は第１図の回路構成と同
じである。トランジスタ１５はスイッチを構成し、その
コレクタ・エミッタ間はトランジスタ１０ベース・エミ
ッタ間に接続される。
ダイオード２００はトランジスタ１０近くに設けられ、
トランジスタ１の温度上昇によってそのＲ＠電圧降下が
変るように設置されている。端子１８には直流電圧を与
えておき、常温ではトランジスタ１５０ベース電圧をト
ランジスタの導通電圧（約０．６ Ｖ ）より低くして
おく。この状態は端子１８の電圧値お工び抵抗１７の値
を適宜選ぶことで実現できる。この状態では、トランジ
スタ１５はしゃ断状態でコレクタ・エミッタ間のスイッ
チ状態は開状態となる。
トランジスタ１の温度上昇によってそのＲ＠電圧降下が
変るように設置されている。端子１８には直流電圧を与
えておき、常温ではトランジスタ１５０ベース電圧をト
ランジスタの導通電圧（約０．６ Ｖ ）より低くして
おく。この状態は端子１８の電圧値お工び抵抗１７の値
を適宜選ぶことで実現できる。この状態では、トランジ
スタ１５はしゃ断状態でコレクタ・エミッタ間のスイッ
チ状態は開状態となる。
トランジスタ１の温度が上昇すると、ダイオード２００
０順這圧降下が小さくなり、抵抗１７０両端の電圧は増
加し、ある温度状態になるとこの値が０．７■となり、
トランジスタ１５が導通状態となり、トランジスタ１０
ペース・エミッタ間ヲ短絡するよう動作するので、入力
端子５の信号はトランジスタ１のベースに加わらず、ト
ランジスタ１５のコレクタの方に吸収され、パルス発生
の動作は停止する。それゆえ、トランジスタ１の消費電
力はほとんど零となり、温度上昇はやみ、熱の発生もな
くなる。
０順這圧降下が小さくなり、抵抗１７０両端の電圧は増
加し、ある温度状態になるとこの値が０．７■となり、
トランジスタ１５が導通状態となり、トランジスタ１０
ペース・エミッタ間ヲ短絡するよう動作するので、入力
端子５の信号はトランジスタ１のベースに加わらず、ト
ランジスタ１５のコレクタの方に吸収され、パルス発生
の動作は停止する。それゆえ、トランジスタ１の消費電
力はほとんど零となり、温度上昇はやみ、熱の発生もな
くなる。
第４図に本発明の他の実施例を示す。これまで述べてき
たパルス発生回路はトランジスタ１，２０゜２１および
その同辺の抵抗素子によって構成され、トランジスタ２
２．２３はバッファ（出力端子２８．２９に負荷を接続
した場合、この影響を少なくするように動作する）であ
る。タイオード２００は、トランジスタ２２．２３の温
度上昇を検出する。
たパルス発生回路はトランジスタ１，２０゜２１および
その同辺の抵抗素子によって構成され、トランジスタ２
２．２３はバッファ（出力端子２８．２９に負荷を接続
した場合、この影響を少なくするように動作する）であ
る。タイオード２００は、トランジスタ２２．２３の温
度上昇を検出する。
トランジスタ２４．２５ｔ−中心とする回路は差動増幅
器を構成しており、増幅およびスイッチの役目をする。
器を構成しており、増幅およびスイッチの役目をする。
端子２７には定電圧を加える。通常、温度が低いときは
トランジスタ２４はしゃ断状態にあり、入力端子５．６
に加えられたパルス信号はパルス発生回路を通って出力
端子２８．２９に表われる。回路の温度が上昇するとト
ランジスタ２４が導通状態となり、端子５よりの人力信
号を短終するように働くので、パルス信号はトランジス
タ１に伝わらなくなり、パルス発生動作は止む。
トランジスタ２４はしゃ断状態にあり、入力端子５．６
に加えられたパルス信号はパルス発生回路を通って出力
端子２８．２９に表われる。回路の温度が上昇するとト
ランジスタ２４が導通状態となり、端子５よりの人力信
号を短終するように働くので、パルス信号はトランジス
タ１に伝わらなくなり、パルス発生動作は止む。
この実施例では差動回路を増幅およびスイッチ回路とし
て用いているので、確実な動作が期待でき、スイッチと
しての感度も高くすることができる。
て用いているので、確実な動作が期待でき、スイッチと
しての感度も高くすることができる。
第５図に本発明の他の実施例を示す。今までの実施例で
の温度検出はダイオード（Ｐｎ接合で作られる）で行な
ってきたが、本実施例では抵抗２０１を用いて行なって
いる。半導体抵抗の温度係数は通常、負であるので、こ
の回路は温度がある値以上罠なるとトランジスタ１５が
オン状態となり、これまでの動作と同じように動作する
。念だし、この場合、抵抗の温度係数は低いので、回路
設計が多少むづかしい。
の温度検出はダイオード（Ｐｎ接合で作られる）で行な
ってきたが、本実施例では抵抗２０１を用いて行なって
いる。半導体抵抗の温度係数は通常、負であるので、こ
の回路は温度がある値以上罠なるとトランジスタ１５が
オン状態となり、これまでの動作と同じように動作する
。念だし、この場合、抵抗の温度係数は低いので、回路
設計が多少むづかしい。
＠６図は本発明のさらに他の実施例であり、検出用ダイ
オード３１．３２＝に直列に接続し、トランジスタ２２
，２３のどちらかが温間上昇した場合にも異常状態を検
出できるように工夫されている。
オード３１．３２＝に直列に接続し、トランジスタ２２
，２３のどちらかが温間上昇した場合にも異常状態を検
出できるように工夫されている。
第７図は本発明の変形例であり、パルス発生回路および
温度検出部はこれまでの例と同じであるが、スイッチ部
が変形しである。トランジスタ１５がスイッチ動作をす
ることは今までの例と同じであるが、その前に処理回路
３５が付いている。
温度検出部はこれまでの例と同じであるが、スイッチ部
が変形しである。トランジスタ１５がスイッチ動作をす
ることは今までの例と同じであるが、その前に処理回路
３５が付いている。
この処理回路にはメモリ機能、あるいは、ヒステリシス
機能等をもたせ一坦温度上昇が発生すると、以後、温度
下降があってもパルス発生を行なわない（あるいは温度
を相当低くしないとパルスが発生しない）ように工夫し
ている。この禁止状態の解除はリセット端子３７に信号
を加えることで解除される。端子３６は処理回路の電源
端子である。
機能等をもたせ一坦温度上昇が発生すると、以後、温度
下降があってもパルス発生を行なわない（あるいは温度
を相当低くしないとパルスが発生しない）ように工夫し
ている。この禁止状態の解除はリセット端子３７に信号
を加えることで解除される。端子３６は処理回路の電源
端子である。
なお、図中１４．２６，３３，３４．３７は端子、２０
１，２０３は抵抗である。
１，２０３は抵抗である。
本発明によればパルス発生回路の温度上昇を捕え、その
信号によって入力パルスを禁止するので素子の破壊を容
易に抑制することができる。
信号によって入力パルスを禁止するので素子の破壊を容
易に抑制することができる。
唸１図は従来のパルス発生回路図、第２図は本発明の原
理図、第３図ないし第６図は本発明の実施例の回路図、
第７１図は本発明の他の実施例の回路図である。 １・・・トランジスタ、２００・・・ダイオード、１５
・・・筋１図 箔２図 弔３図 范ｔ＋Ｅｌ ム 釣５図 弔６日
理図、第３図ないし第６図は本発明の実施例の回路図、
第７１図は本発明の他の実施例の回路図である。 １・・・トランジスタ、２００・・・ダイオード、１５
・・・筋１図 箔２図 弔３図 范ｔ＋Ｅｌ ム 釣５図 弔６日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、パルス発生回路の温度上昇をダイオード若しくは抵
抗で検出する温度検出部金偏え、この温度検出信号によ
ってスイッチ部を動作させ、このスイッチ部によって前
記パルス発生回路に対する入力信号を禁止し、パルス発
生動作を停止させることを特徴とするパルス発生回路保
時方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、スイッチ部にトラ
ンジスタを用い、ペースに温度検出信号を加え、前記ト
ランジスタのコレクタ・エミッタ間を半導体スイッチと
して用いることを特徴とする半導体回路保護方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、温度検出部とスイ
ッチ部の間にメモリ機能あるいはヒステリシス機能を有
する処理回路を具備したことを特徴とする半導体回路保
護方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57179933A JPS5970309A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体回路保護方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57179933A JPS5970309A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体回路保護方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970309A true JPS5970309A (ja) | 1984-04-20 |
Family
ID=16074466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57179933A Pending JPS5970309A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体回路保護方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5970309A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0399754A2 (en) * | 1989-05-22 | 1990-11-28 | Motorola, Inc. | Semiconductor device protection circuit |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP57179933A patent/JPS5970309A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0399754A2 (en) * | 1989-05-22 | 1990-11-28 | Motorola, Inc. | Semiconductor device protection circuit |
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