JPS5969976A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
半導体装置およびその作製方法Info
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体特に反射防止膜の機能を有する透光
性導電膜がその直下の５０−８００又の厚さの半導体と
は逆導電型の半導体層の不純物供給源またはこの半導体
と一体化機能を有せしめた光電変換装置に関する。
性導電膜がその直下の５０−８００又の厚さの半導体と
は逆導電型の半導体層の不純物供給源またはこの半導体
と一体化機能を有せしめた光電変換装置に関する。
本発明は単結晶半導体上に透明導電膜を形成するに際し
、この透明導電膜のシート抵抗を従１１１ＪｒＬσｔ らＫ １） ７ ｆ ６．’０１〜３０１〜３重量％に
チという）を添加することによシ、約１／１００に下げ
ることができたことを見出すとともに、このＩＴＯ中の
リンの一部が半導体中に拡散添加されて、その直下の半
導体層をＮ型化するとともに、このＮ型半導体層と工Ｔ
ｏとの界面に従来よシ知られた電流の流れをｐｉ（する
絶縁膜（Ｓ ｉ Ｏｘ）を作るのではなく、リンガラス
化せしめることによシ、そこでのオーム接触抵抗を下げ
、さらに高信頼性をＮ型半導体層が５０〜８００に好ま
しくは１０ｏ−半導体層を作ることができるようになっ
たことを特徴としている０ 従来半導体装置特に光電変換装ｗにおいて、透明導電膜
は単に基板半導体でペテロ接合を構成するための、また
は反射防止膜をかねた導電性電極としてのみ用いられて
いた。
、この透明導電膜のシート抵抗を従１１１ＪｒＬσｔ らＫ １） ７ ｆ ６．’０１〜３０１〜３重量％に
チという）を添加することによシ、約１／１００に下げ
ることができたことを見出すとともに、このＩＴＯ中の
リンの一部が半導体中に拡散添加されて、その直下の半
導体層をＮ型化するとともに、このＮ型半導体層と工Ｔ
ｏとの界面に従来よシ知られた電流の流れをｐｉ（する
絶縁膜（Ｓ ｉ Ｏｘ）を作るのではなく、リンガラス
化せしめることによシ、そこでのオーム接触抵抗を下げ
、さらに高信頼性をＮ型半導体層が５０〜８００に好ま
しくは１０ｏ−半導体層を作ることができるようになっ
たことを特徴としている０ 従来半導体装置特に光電変換装ｗにおいて、透明導電膜
は単に基板半導体でペテロ接合を構成するための、また
は反射防止膜をかねた導電性電極としてのみ用いられて
いた。
しかしかかる構造においては、酸化スズ、酸化インジュ
ーム、■ＴＯ等の透光性絶縁物と基板は屈折率が小さい
ため、この形成により量産化された反射防止膜もズレを
生じ、反射が増大しさらにこの透明導電膜（以下単Ｋ
ＣＴＦという）への光照射によって発生していたキャリ
アの電極への移動を防げ、結果として変換効率の低下を
もたらしてしまっていた。
ーム、■ＴＯ等の透光性絶縁物と基板は屈折率が小さい
ため、この形成により量産化された反射防止膜もズレを
生じ、反射が増大しさらにこの透明導電膜（以下単Ｋ
ＣＴＦという）への光照射によって発生していたキャリ
アの電極への移動を防げ、結果として変換効率の低下を
もたらしてしまっていた。
本発明はかかる欠点を除去したもので、結果として３ｍ
ｍ”の７オトセンサを製造した場合、２０、５％という
高い変換効率をＡＭＩ （１００ｍＷ／Ｃｍ’）で得る
ことができるようＶＣ′／Ｌつだ。
ｍ”の７オトセンサを製造した場合、２０、５％という
高い変換効率をＡＭＩ （１００ｍＷ／Ｃｍ’）で得る
ことができるようＶＣ′／Ｌつだ。
さらに本発明はかかるＯＴＦがそのシ・−ト抵抗を１／
１ ｏ−１／１０００と下げるため、この上面にあった
補助電極の間隙も従来５ｍｍ位であったものを５ｃｍ以
上または全く除去してしまうことも可能となった。その
結果、ｌｏｃｍ’のソーラーセルにおいても同様に２０
．２％という１悌い効率を得ることができた。
１ ｏ−１／１０００と下げるため、この上面にあった
補助電極の間隙も従来５ｍｍ位であったものを５ｃｍ以
上または全く除去してしまうことも可能となった。その
結果、ｌｏｃｍ’のソーラーセルにおいても同様に２０
．２％という１悌い効率を得ることができた。
以下に図面に従って本発明の実施例を記す。
実施例１
第１図（Ａ）は実施例のたて断面図が示されている０
図面において半導体（１）は（１ＯＯ）面を有するシリ
コン単結晶であシ、ＰまたはＮ型である。またはこの上
面の透明導電膜（２） Ｋは、ホウ素またはリンがそれ
ぞれ対応して０．０１〜３重量％添加されたスズ、イン
ジューム、アンチモンまたはそれらの混合物、例えば工
Ｔｏ、 ５ｎＯＬよシなシ、この下側にはこのＣＴＦと
同一形状を有して５ Ｍ ＯＯ＾好ましくは１００−２
００＾の深さく厚さ）の逆導電型の半導体層（４）が設
けられている。
コン単結晶であシ、ＰまたはＮ型である。またはこの上
面の透明導電膜（２） Ｋは、ホウ素またはリンがそれ
ぞれ対応して０．０１〜３重量％添加されたスズ、イン
ジューム、アンチモンまたはそれらの混合物、例えば工
Ｔｏ、 ５ｎＯＬよシなシ、この下側にはこのＣＴＦと
同一形状を有して５ Ｍ ＯＯ＾好ましくは１００−２
００＾の深さく厚さ）の逆導電型の半導体層（４）が設
けられている。
この半導体層の製造方法は、例えばＰ型半導体（３Ａｃ
坤基板上に例えばリンが添加された工ＴＯを電子ビーム
真空蒸着法によシ５００−９００λの厚さ例えば＋７０
０大に形成した。この後６００−９００’＋Ｅの温度例
えば７５０°ＯＫて窒化雰囲気例えばアンモニアまたは
窒素にて加熱した。すると１５分、２時間、８時間にて
リンが１％添加されている場合、５０λ、２００＾、６
００＾の厚さに不純物が拡散し、Ｎ型半導体層を形成す
ることができた。また他方、半導体がＮ型（２０−４０
ｃｒｒｉ Ｋあっては、ホウ素が添加された一酸化スズ
を電子ビーム蒸着法によシ５００−９００λの厚さ例え
ばり００λに形成した。
坤基板上に例えばリンが添加された工ＴＯを電子ビーム
真空蒸着法によシ５００−９００λの厚さ例えば＋７０
０大に形成した。この後６００−９００’＋Ｅの温度例
えば７５０°ＯＫて窒化雰囲気例えばアンモニアまたは
窒素にて加熱した。すると１５分、２時間、８時間にて
リンが１％添加されている場合、５０λ、２００＾、６
００＾の厚さに不純物が拡散し、Ｎ型半導体層を形成す
ることができた。また他方、半導体がＮ型（２０−４０
ｃｒｒｉ Ｋあっては、ホウ素が添加された一酸化スズ
を電子ビーム蒸着法によシ５００−９００λの厚さ例え
ばり００λに形成した。
この後酸化雰囲気例えば空気中にて３０８ Ｏ０°Ｃ例
えばｔ−００℃にて加熱処理を施し、この−酸化スズを
二酸化スズに変成して、さらにこの時リンを半導体との
界面に偏析させた。次に６００〜章。ｏ’ａの窒化また
は不活性気体雰囲気にて熱処理を７５０′ｃで行なうこ
とにより、ホウ素をＮ型半導体中Ｋ ５０−８００λの
厚さに拡散させることができた。
えばｔ−００℃にて加熱処理を施し、この−酸化スズを
二酸化スズに変成して、さらにこの時リンを半導体との
界面に偏析させた。次に６００〜章。ｏ’ａの窒化また
は不活性気体雰囲気にて熱処理を７５０′ｃで行なうこ
とにより、ホウ素をＮ型半導体中Ｋ ５０−８００λの
厚さに拡散させることができた。
これらＮ型半導体層はそれ自体はシート抵抗が５−８努
を有し、まｆｃＰ型においては畑り０ユ〆であった。し
かしＴＯＦの値が１”ｌ 津Ｋ例えば０．３Ｙであるた
め、浅いＰＮ接合を得ることができ、短波長光がこの半
導体層での吸収損失を少なくできるに加えて、電極とし
てのシート抵抗がＴＯＦの１ユ４以下であるため、大電
力用にも可能であるという特徴を有する。
を有し、まｆｃＰ型においては畑り０ユ〆であった。し
かしＴＯＦの値が１”ｌ 津Ｋ例えば０．３Ｙであるた
め、浅いＰＮ接合を得ることができ、短波長光がこの半
導体層での吸収損失を少なくできるに加えて、電極とし
てのシート抵抗がＴＯＦの１ユ４以下であるため、大電
力用にも可能であるという特徴を有する。
実施例２
この実施例は第１図（Ｂ）Ｋそのたて断面図が示されて
おシ、光電変換装置を作製した場合である０ 半導体は例えばＰ型１ユＣｍを用いた。製造方法は第２
図に示される工程と同様である。
おシ、光電変換装置を作製した場合である０ 半導体は例えばＰ型１ユＣｍを用いた。製造方法は第２
図に示される工程と同様である。
図面において、半導体（１）はＰ型半導体（３）とＮ裂
半導体（４）とを有し、この半導体上面ＫＯＴＦＱ５）
がリンが０．０１〜３チ例えば０．３チ添加された厚さ
フ００＾で設けられている。さらに上面に補助電極（８
）を有し、裏面のオーム接ｆ１虫電極（７）とは半導体
（１）の周辺をとシかこむ酸化珪素絶縁膜（６）Ｋよシ
絶縁され、チャネルリークを少なくしている。
半導体（４）とを有し、この半導体上面ＫＯＴＦＱ５）
がリンが０．０１〜３チ例えば０．３チ添加された厚さ
フ００＾で設けられている。さらに上面に補助電極（８
）を有し、裏面のオーム接ｆ１虫電極（７）とは半導体
（１）の周辺をとシかこむ酸化珪素絶縁膜（６）Ｋよシ
絶縁され、チャネルリークを少なくしている。
半導体層は１５０＾であシ、表面のリンの不純物濃度は
ｌ”ＸｌＯｃｍ’を有していた。
ｌ”ＸｌＯｃｍ’を有していた。
ＡＭＩ （１０）の光を照射した時、この真性面積２５
ｃｍＬ［て変換効率２０．１％（電圧０．６３Ｖ、電流
３９ｍＡ／ａｍυを得ることができた。
ｃｍＬ［て変換効率２０．１％（電圧０．６３Ｖ、電流
３９ｍＡ／ａｍυを得ることができた。
実施例３
実施例２と同様の構造を有するが、４−’ｃＴｙ（５）
ト半導体（４）との間Ｋ ５−２０＾の厚さの半絶縁体
層が不純物拡散を行なう際、酸化雰囲気で６００−’７
００’Ｏで加熱したため形成されてしまった。
ト半導体（４）との間Ｋ ５−２０＾の厚さの半絶縁体
層が不純物拡散を行なう際、酸化雰囲気で６００−’７
００’Ｏで加熱したため形成されてしまった。
そのためこの第１図（Ｃ）の構造においては効率は１８
．８％と最大であった。
．８％と最大であった。
実施例４
第２図は本発明の半導体装置の製造工程を示すたて断面
図を示す０ 気で１１５０″′Ｃで行なうことにより’Ｌ素素人の酸
化珪素（２）を約２０００＾の厚さに形成した。さらに
その後この上面および裏面を社企岐の選択エツチングに
よシ窓あけし、半導体表面を露呈（３）させた０この後
この上面にリンの添加された工ＴＯを電子ビーム蒸着法
で形成した。この後この半導体を実施例２と同様に加熱
処理をしてＮ型半導体層を形成した。さらに裏面にはス
クリーン印刷法によりアルミニューム（７）を約２５μ
の厚さに印刷せしめた後、６００°Ｃの加熱酸化処理に
てＰｌのｌ３８Ｆ用のＰ＠属層（３）を形成した。
図を示す０ 気で１１５０″′Ｃで行なうことにより’Ｌ素素人の酸
化珪素（２）を約２０００＾の厚さに形成した。さらに
その後この上面および裏面を社企岐の選択エツチングに
よシ窓あけし、半導体表面を露呈（３）させた０この後
この上面にリンの添加された工ＴＯを電子ビーム蒸着法
で形成した。この後この半導体を実施例２と同様に加熱
処理をしてＮ型半導体層を形成した。さらに裏面にはス
クリーン印刷法によりアルミニューム（７）を約２５μ
の厚さに印刷せしめた後、６００°Ｃの加熱酸化処理に
てＰｌのｌ３８Ｆ用のＰ＠属層（３）を形成した。
かくしてＡＭ’ｌで変換効率１９チを得ることができた
。
。
実施例５
この実施例は実施例４の変形である。即ち第２図（１３
）の工程がえ了した後、まず裏面にアルミニュームをス
クリーン印刷法で形成した。この後これを６５０″Ｃの
窒素雰囲気にて加熱処理をして裏面側に第２図ＣＤ）
Ｋ示されている・Ｐの金属層をＢ８Ｆ効果を得るため形
成した。この後これら全体をいＯＨＦ躇擬′−ｄＬｌ、
シ、窓（３）土に形成された２ ０−５０＾の酸化理累
を除去した。この後リンが添加された工Ｔｏを電子ビー
ム蒸着法によシマＯＯ＾の厚さに形成し、さらに３００
″Ｃの酸化雰囲気にて加熱処理をした後、さらＫ ６０
０−９００°Ｃ例えば９００ｂの温度の窒素または不活
性気体雰囲気にて約１分加熱をして、半導体（４）を１
００＾の厚さに形成させた。その後は第２図（Ｄ） Ｋ
示される光電変換装置において５ｃｍ’にて２０．５チ
の真性効率を得ることができた。
）の工程がえ了した後、まず裏面にアルミニュームをス
クリーン印刷法で形成した。この後これを６５０″Ｃの
窒素雰囲気にて加熱処理をして裏面側に第２図ＣＤ）
Ｋ示されている・Ｐの金属層をＢ８Ｆ効果を得るため形
成した。この後これら全体をいＯＨＦ躇擬′−ｄＬｌ、
シ、窓（３）土に形成された２ ０−５０＾の酸化理累
を除去した。この後リンが添加された工Ｔｏを電子ビー
ム蒸着法によシマＯＯ＾の厚さに形成し、さらに３００
″Ｃの酸化雰囲気にて加熱処理をした後、さらＫ ６０
０−９００°Ｃ例えば９００ｂの温度の窒素または不活
性気体雰囲気にて約１分加熱をして、半導体（４）を１
００＾の厚さに形成させた。その後は第２図（Ｄ） Ｋ
示される光電変換装置において５ｃｍ’にて２０．５チ
の真性効率を得ることができた。
実施例に
の実施例は実施例４の変形である０即ち、実施例４にて
（Ｂ）の工程が完了した後、特に不純物の添加されてい
ない工ＴＯをプラズマＯＶＤ Ｑ ｉたは電子ビーム蒸
着法により５０Ｍ０ＯＡ Ｃ厚さに形成した。この後こ
れらをフオスヒンがプラズマ化されて導入され１いる雰
囲気（ヘリューム中に７オスヒンを０．１％添加した混
合ガス）に浸すことにより、リンのプラズマイオン注入
（Ｐエエ）を行なった。この時裏面にはリンが添加され
ないようにマスクをする必要がある。さらにこれらをと
り出した後、空気中４００’ＯＫて加熱処理をしてＩＴ
ｑ５）のプラズマ損傷による白だくを除去し、この後不
活性ガス中にて加熱処理をして半導体層（４）を半分単
結晶化した０さらに実施例４とは逆に裏面の電極を形成
し第２図（Ｄ）のたて１ｔｉｌｉ面図を得た。
（Ｂ）の工程が完了した後、特に不純物の添加されてい
ない工ＴＯをプラズマＯＶＤ Ｑ ｉたは電子ビーム蒸
着法により５０Ｍ０ＯＡ Ｃ厚さに形成した。この後こ
れらをフオスヒンがプラズマ化されて導入され１いる雰
囲気（ヘリューム中に７オスヒンを０．１％添加した混
合ガス）に浸すことにより、リンのプラズマイオン注入
（Ｐエエ）を行なった。この時裏面にはリンが添加され
ないようにマスクをする必要がある。さらにこれらをと
り出した後、空気中４００’ＯＫて加熱処理をしてＩＴ
ｑ５）のプラズマ損傷による白だくを除去し、この後不
活性ガス中にて加熱処理をして半導体層（４）を半分単
結晶化した０さらに実施例４とは逆に裏面の電極を形成
し第２図（Ｄ）のたて１ｔｉｌｉ面図を得た。
変換効率はＡＭＩ Ｋて１８％でちった。
実施例７
この実施例は第１図（４）のたて断面図を１＠るために
用いられたもので、工ＴＯＫリンの添加量によｐこのＣ
ＴＦのシート抵抗の変化特性を調べた場合を曲線０］）
Ｋ示す。図面において３％以上添加すると、ＯＴＦの透
過率が低くなったため、結果として領域ＣＩ））が本発
明にとって最適な不純物添力ロ量であった。
用いられたもので、工ＴＯＫリンの添加量によｐこのＣ
ＴＦのシート抵抗の変化特性を調べた場合を曲線０］）
Ｋ示す。図面において３％以上添加すると、ＯＴＦの透
過率が低くなったため、結果として領域ＣＩ））が本発
明にとって最適な不純物添力ロ量であった。
実施例８
この実施例は酸化スズ中にリンを同時に添加した際の特
性である。即ち一酸化スズ中に五酸化リンを第３図曲線
（１■に示されるように添加しこれを４００’Ｃ！の加
熱にてＯＴＦを形成したものである。
性である。即ち一酸化スズ中に五酸化リンを第３図曲線
（１■に示されるように添加しこれを４００’Ｃ！の加
熱にてＯＴＦを形成したものである。
かくすることによシ透過率８０チ以上を有するリンが添
加されたＯＴＦを得ることができた。
加されたＯＴＦを得ることができた。
このＣＴＦは実施例１−６に用いることができることは
いうまでもない０ 本発明の実施例においては、０ＴＦＫ添加する不純物と
してリンのみを示（７た。し７かし■価の不純物である
ホウ素を用いてもよく、特に酸素過剰型のアクセフリＯ
ＴＦである酸化スズまたは酸化アンチモンにとっては、
ホウ素にアクセプタのンク）をＰ４夫させることができ
る。そのため半導体をＮ型半導体とし、その上部Ｋ Ｏ
ＴＦ Ｋ接してＰ型の半導体層を５ （）−８００＾と
極１作製することが可能である。
いうまでもない０ 本発明の実施例においては、０ＴＦＫ添加する不純物と
してリンのみを示（７た。し７かし■価の不純物である
ホウ素を用いてもよく、特に酸素過剰型のアクセフリＯ
ＴＦである酸化スズまたは酸化アンチモンにとっては、
ホウ素にアクセプタのンク）をＰ４夫させることができ
る。そのため半導体をＮ型半導体とし、その上部Ｋ Ｏ
ＴＦ Ｋ接してＰ型の半導体層を５ （）−８００＾と
極１作製することが可能である。
第１図は本発明の半導体装置のたて断面図である。
第２図は本発明の半導体装置の製造工程を示す。
第３図は本発明に用いられる透光性導電膜にリンを添加
し７た場合のシート抵抗の変化を示す〇第１ｊ図
し７た場合のシート抵抗の変化を示す〇第１ｊ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １−導電型の半導体の上部に、該半導体とは逆導電型の
ＰまたはＮ型の半導体層と、該半導体層上、または該半
導体層上の電流を流し得る厚さの半絶縁膜上に前記半導
体層を構成する不純物と同一４（ｉ７の不純物であるホ
ウ素またはリンが０．０１〜３重量％添加されたスズ、
インジュニム、アンチモンまたはそれらの混合物の酸化
物よりなる透光性導電膜が５孜８００λの厚さに設けら
れたことを特徴とする半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、透光性少７ 導電膜はリンが０．０１〜３重量％添加されＹ酸化スズ
がｌＯ重量係添加された酸化イノジューム、またはホウ
素が０．０１〜３重量％添加され’を酸化アンチモンが
１０重重量風下に添加された酸化スズを主成分とするこ
とを特徴とする半導体装置。 ３−導電型の半導体の表面に酸化珪素絶縁膜を形成した
後、前記半導体の表面および裏面に選択的に窓あけを施
す工程と、前記半導体表面の窓には前記半導体に逆導電
型を与える不純物を含むスズ、インジューム、アンチモ
ンまたけそれらの混合物の酸化物を形成する工程と、前
記不純物を前記半導体層中にふ〜８００Ａの厚さに添力
牝でドヲーー−！、たはアクセプタとすることによりＰ
Ｎ接合を形成する工程と、前記ＰＮ接合を形成する工程
の前または後に前記半導体の裏面にアルミニューム膜を
形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置作
製方法。 ４、特許請求の範囲第３項において、Ｐ型半導体の表面
に酸化珪素絶縁膜を形成した後、前記半導体の表面およ
び裏面に選択的に窓あけを施す工程と、前記半導体の表
面の窓には前記半導体に接してリンを０．０１〜３重量
％含むとともに酸化スズをｌＯ重量楚以下有する酸化イ
ンジュームを５００−９００λの厚さに形成する工程と
、加熱処理をして前記リンを前記半導体中ニ５０〜８０
０＾の厚さに添加することによりＰＮ接合を形成する工
程と、前記ＰＨ接合を形成する前または後に半導体の裏
面にアルミニュームをスクリーン印刷法により印刷した
後第２の加熱処理を行なう工程とを有することを特徴と
する半導体装置作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181873A JPS5969976A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体装置およびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181873A JPS5969976A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体装置およびその作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969976A true JPS5969976A (ja) | 1984-04-20 |
| JPS6262072B2 JPS6262072B2 (ja) | 1987-12-24 |
Family
ID=16108341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57181873A Granted JPS5969976A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体装置およびその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969976A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0637085A1 (en) * | 1989-08-30 | 1995-02-01 | Texas Instruments Incorporated | Infrared detector and imager |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP57181873A patent/JPS5969976A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0637085A1 (en) * | 1989-08-30 | 1995-02-01 | Texas Instruments Incorporated | Infrared detector and imager |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6262072B2 (ja) | 1987-12-24 |
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