JPS5962877A - 像形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の背景） 本発明は、′ｔ１１子与真法に関し、特に、電子コ５：
真フィルム（例えば、′１゛１シ１゛）および像移！Ｉ
ｉ１ノ物質Ｉに接触プリン１−を行なうことに関する。

力自技１ネｆの多くの分野においては、写真材料を本来
的な廂出に供ずイ〕前に、該＋Ａ１′１の領域の一部に
プリントをｈｌｎずことが必要である。よく知られた例
は、力（）・ノドに一般的に用いられている３ｊ〕ミリ
フィルム１．にフレーノ、番号をプリントすることであ
る。この必要１２１はマイク１′す゛真記録の分野・に
おいて特に＋ｌ：ｌ＋　＜、多くの記録システムにおい
て、大きなシート（Ａ利に座標系をプレプリントするこ
とにより、多数の像（例えば、数千の１８りから仕慈の
マイクロ写真像を迅ｉＮｉ　、１十つ＋Ｉｆ、　（Ｒ１
に配置させることができるようにすることが必要である
。

マイク１′：１写真記録における別の問題は、仕−１意
の時において少数の像のみを露光し、現像して観察し７
、他の像を後で追加させることが必要となることもある
ということである。従来からのハ１１ゲン化ｔνやジア
ゾ物］μｔを用いる′−５−真法でもこれを行なうこと
は原理的には不１Ｊ能ではないが、１象（ごれば、数１
ｍ、例えば、’ｌ　ｍｍ　Ｘ　４　＋ｕの大きさになる
ことがある）の特定領域のみに現像や′Ａ七着に用いる
化学物質を通用することは困ゲＶであり、し７たが−。

て、コス１が＋Ｎｉ　くなる。

１’　Ｅ　Ｐ　材＄１を用いると、ハ真材料の一部のみ
を占める像を処理し該材料の隣接領域（露光のイ鍔１１
（を問わない）に悪影響を与えオニ′いごとが−ＩＨ容
易になる。しかしながら、カ真材料に座標系をプレプリ
ントにする場合には困ゲ１ｔが叶しる。

座標系は一般に、広い領域に１−って極めて＋ｌｌイ［
シ１．つ明瞭にプリントされることか必要である。ハロ
リーン化銀やジアゾ系写真材料を用いてこれを実ｈ１１
！するよく知られた方法は、接触プリント（ｃｏｎｔａ
ｃｔ　ｐｒｉｎｔｉｎｇ）を行なうことであろう。し７
かしながら、電子写真材利ｊ二に接触プリントをマドな
うには非常に困難が存する。このような困難性は、マス
ターが被プリン］・材料に接触され、または、該材料か
り分離されている間に電荷移動や摩擦電荷が７１−シイ
）ことに関連していイ〕。

電子写真材料を用いる従来の方法においては、次の３つ
の１．稈により像が形成される。

（・１）材料の表向に均一に静電荷を施す。

ｉｂｌ　　像形状６コ対１１’＋、して該材料を露光す
る。

（ｒ、ｌ　　該材料を現像するつ 透明な？ｉ’（了゛Ｊう真（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　
ｅｌｅｃｔｒｏｐｌ＋ｏｔ、ｏｇｒａ−ｐｔ＋ｉｃ　：
　’ｌ”　１４１’　）フ・イルムを用いるときには、
一般にトナー１’ｉγイを用いることによって現像を行
ない、次いで、該ｉＩ′／子を−ｈ１：着させて像を形
成させる。像移仙性利ＩＩ（例えば、Ｘｅｒｏｘ社から
市販されているＸ　ｌ’１　Ｍ　）を用いる場合には、
曳１象は一般に加熱によって行なわれる。このような一
連の二に稈によって像が形成されるのは、電子写真材料
中の光導’ｒｌｉ　（！ｌ　Ｉ−か像形状に応じて露光
されると、該導電性材料が一時的に′４′Ｆｌｉ性にな
るので、表面の静電曲が漏失し、または、（像移動写真
法においては）１１１）粒子か移すリ；することができ
るようになるからである。

（本発明の構成） 本発明者らは、接触プリント技術により電子′−り自フ
ィルム−１−に像を形成する方法であって、フィルＪ・
材料の特定部分に像を形成させることができ、また、フ
ィルム全体に処理をｈｌＩ！すこＪができて、　　　　
　′フィルムの残部（該フィルムが、露光され現像後で
あるか、また未露光であるか否かに関係式５′い）にｍ
（影響を与えることなく像を形成させることができる方
法を開発し７た。更に詳述すれば、本発明に従λＬＳＩ
、その−態様として、次のＩ稈から成る接触プリント法
（ｃ、ｏｎｔａｃＬ　ｐｒｉｎｔｉｎＢ　Ｉ：ｅｃｂｎ
ｉｑｕｅ）により電イ写真フィルム十に像を形成する方
法が提案される。

（２１）該フィルムに接触し・ア像含自マスク（ｉｍ弗
ｅ−ｂｅｎｒｉｎＦＸｍａｓｔｅｒ）を配置する；（Ｉ
＋）像含有マスクを介してフィルムを露光し、ここて、
該露光は、電子写真フィルムの光導電層を導電１−１に
するのに必要な最少の梯光よりもかなり強くする； （Ｃ１前記露光直後に暗中でフィルＪ・の表面に均一ノ
、ｆ（′ｌ′ｉｒ電を族オニ （（１）　　フ、イルノ、を１１ｉＩ中で放置して前記
電前を選択的に移動さ一１トイ）；次いで、 （８）　　けを現像する。

ここで、商Ｗ、に用いる１光１ば、光４電性を導電性に
すること（こよって活性にすることができるあらゆイ）
種４′＋’ｉ　（７）放射線を含む。

１”稈（ｂｌの露光は、極めて置時間に強く行なうこと
がこのましい。−（１貴（、こ本発明においては、用い
る電子写曵材料Ｇ、−タｌする通常の露光よりも５００
・〜５　（Ｌ　（１（１（ｌ　（ｉ〜で露光かｔｒなわ
れる。通常の露光よりもＩ　ｌ）、　＋１００　（ｉ〜
稈度が局にそ１刊であることが１７、先出されでいろ。

商業的に人数できる材料を用いて強力な露光を行なって
１記の方法を実施すると、露光後、光導電１１ＨＡ利は
一定時間導トシ（性苓−保持する。し人−かつ−（、露
光後、表面に゛市イ゛ｄ工をＪｊｌ！Ｌ（例えば、：＋
　＋：＋　ｌ・１、Ｉンによる）、次いで、フィルムを
少し長めにｈ！Ｉ置し７７電イ゛市を迷・択的に移動さ
セ、その後、像の現像を行なうことができる。’Ｔ’　
ＩＡ　Ｐおよび像移動性材１：１．ｌ（ｉｍａｇｅ　ｍ
ｉｇｒａｔｉｏｎ　ｍａｌ、ｅｒｉ＋ｉｌｓ　）　４Ｊ
化学的な疋イ゛を上杵を必要としないので、フィルム材
料の全領域を処理し７て特定の領域に像か与えられ、こ
のとき、既存の１象を劣化させたり未謹光領域に悪影響
を及ｔｉｔずことはない。

４−発明の別の態様に従えば、予め記録された１つ又は
それｊ夕十の像を自ずイｒ’＋１３：子゛１ラリフィル
Ｊ、に（象を加える方法であって、（ｔｌ）ｊ１ｉｊ記
フ・イルムの末ＦＡ光領域ｔコ接触させ−と所望の像を
含イ１するマスクを配置し、　；　ｆｂｌ前記前記グイ
曳フィルムの光導電信ｊ−を／＃電セ）に才イ）のに必
要な最ノ」りのｉ＞露光よりも人きく、１）１百ｔ、！
　ＩＩ含自マスクを介して該フィルム全体を露光し、　
、　（Ｃ１暗中で前記フィルムの仝表向に均一な？４ｉ
　前をＪ）（１３Ｌｙ　；　Ｉｄｌ前記フィルムを暗中
で短時間放置して＋ｊｉｉ記？ｌｉ　前を選１７Ｉ！的
に移動さｌ；史に、（ｅｌ前記フフイル−片体に適当な
現像処理を旅−もことから成る力ｌ（：か１に供される
。

前述のｆ′１５−の態様と同様に、Ｌ４°Ｉ！（ｂ）の
露光は１ｑ時間で強力に行ス５′うことが灯ニドしい。

ずなわｊ）、この第二の態様において４）　通’、’ｉ
’、’　（１）β′ｈ光よりも１　（１，（ｌ　Ｏ（１
倍に’Ｉ’　＋ｌｌ−ニの露光が特に自制であることか
見出されている。

次１、こ図面１・こ沿−２Ｙ本発明を史に説明する。図
において、ガラス基体Ｉの形状を成すマスクはクロムか
ら成る（象領域３を自Ｕ２ており、これが、光導電性１
ｍ　４と基体Ｆ）とから成るｉ’　Ｅ　Ｉ）フィルムと
面接触し７いイ１゜実際には、図示するように、マスク
はその１曲がりｌ′１ムの屓２で被覆されているが、ａ
ｈ　ＩＦＩは像ニレメンｌ−３の存する領域を除いて充
分に薄くして光学的に透明になっている。

実際−１−は、’ｌ’　＋３１”フィルム番よ、マスク
と連続気泡発ｔ（！！体から成るパット６との間に１呆
持される。

該パソｌ”　ｔ；Ｉ：　１１１１１性の基扱７　Ｊに取
付けられている。

発泡体ｆｉは丸味をつりで成形されることによって、マ
スクが’Ｉ”　ｌ＜　）’に固定されたときに、′Ｉ″
Ｅ　ｐとマスクとの間に１ノ、り気が存在しないように
する。そのような空気は、ｉ’　Ｅ　Ｐフィルム中に形
成された像の品質を劣化させるからである。

ガラス１．にりｔｌ　ノ、が存するマスクを介して強力
な像詳光を行なう。図に示すような特定の実施例におい
ては、’Ｉ”　Ｅ　）’としてＰ５−（＋（＋３（米国
マザチューセソツ州のＪ　ｔｌ　ｍ　ｐ　ｓ旧ν（！ｒ
　Ｇｒｎｐｔ＋ｉｃｓによって市販されている）を用い
た。この材Ｈの）ｉＴ！常の露光は、５１ｔ　ｌ）　ｎ
ｍの波長において２０マイク１１ジブ、−ル／　ｃｏｔ
である。これに対して、本実ＭＧ例で用いたν■光は、
全体で（すなわち、”？／Ｊ’ｌ　Ｉｉｉ域で）０．２
ジユール／ｄであり、これは、５８　（ｌ　ｎｍ（７）
ｉＪＩＩ長において１〜１１）　ｔリシュール／（・−
の露光に相当する。

該降光ＩＩ、パラボラ型の全反射鏡を備えた１０（１０
ソ・〕１のタンクステンハし１ゲンランプを用いて１：
Ｉなった。ランプは、露光ステージηンか４ｙ　（すな
わち、マスクから）０．ｌｉｍの所に配置＾１した。

露光後、露光′ｌ’　ｌ’：　１１フイルＪいの表面に
均一な電１ｉｆをＪ＋ｔＧした。露光１−稈と荷電１−
程との間には大きな時間遅れが存しないようにした。才
なわら、露光的後に（ｉｊ　’Ｍｉｄを行なった。次い
で、′Ｉ’　Ｂ　Ｐフィルムを１１１１中に短時間放置
し７て電萄を選択的に移動させ、その後、該１’　Ｅ　
＋）フィルＪ・を従来からの処理に供してマスクの複写
物を冑ろ。得られた複）物はオリジナルと厳密に一致し
、像の劣化は存しなか　っ　ノこ。

【図面の簡単な説明】

図面は、・本発明に用いられる像形成装置の−ｆｉＩＸ
拡大１すｉ面図である。 １・・・基体、３・・・像領域、４・・・光導電性ｊ−
１））・・・基体。 図面の浄書（内容に変更なし） ＦＩ’　　続　補　正　７・置方式、　　５　ｄ、　ｂ
、　２Ｊ昭和　　年　　月＋Ｉ＜、）’：札 ＋：ｉ− 竹？ｉ’ｌ庁長官　名　杉　和　夫　■９−の１表示　
　　　昭和５８年特許願第８７３７９　冗ｊの名称　　
像形成方法 をする考 てイ１１との関係　　出願人 名称　　　　　ビー　エイ　マネインメントコン号ルク
ンッ　リミテ、ト 埋入 名（５り９５）弁理士　中　村　　　稔−命令の日付　
　昭和５８年８月３０日−の対象　　　　願居　代理＋
ｉ！＋をδｉＥ　ＩＪＪする摺面　全図面二の内容　　
　　別紙の通り 図面の浄７Ｆ（内γ７に変更なし）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）接触プリント法により電子写真フイ／ｌ／ムーＩ
   Ｊこ像を形成する方法であって、 ＋ａ＋　　前記フィルＪ・に接）＠１して像含イ１マス
   タを配置斥り、　ｉ （ｈ’　　ｌｊｌ　１ｊｔｙ像含自マスクを介して前記
   フィルムを露光し　ここで、該露光は、電子二り゛真フ
   ィルムの）Ｙ；　＞、’ｉ　’Ｘｉ　１ｍを導電Ｐ１に
   するのに必要な最少の露光よりもかなり強クシ； （ＣＩ　　＋ｉｉｔ記縄光１１ζ後に暗中で）１；１記
   フイ）しＪ・の表１１１１に均一な導電を施し； （Ｃ１）　　フィルムを１１１°１中で短時間放置して
   前記組曲を選択的に移動させ纂次いで、 （０１像を現像する 上程から成ることを特徴とする前記ブＪ法（２）　　予
   め記４ｔされた１つ又はそれ以」−の像をイ１する電子
   写真フ・イルムに像を加える方法であつアＬ’ｌ　　！
   ｊ’ｌ　％、’ｒフィル、ｌ・の未露光領域に接触さ・
   仕て）す嗜の像を含イーするマスクを配置し； ｆｂｉ　　前、４，４７１ｉ子）゛真フィルムの光導電
   性層を導電性６．二オイ）のに必要ノー５′最少の昂°
   光よりも強く、ｊｌ’ｊ　＋＋Ｌ　（：’；！含自マス
   クを介して該フイルノ、全体を露光し２； ｆＣｌ　　暗中でｉｉｉ＋記フイルノ・の仝表向に均一
   な’１１１Ｍを施し； （ｄｉ　　１！！ｉ記フイルムを暗中で短時間放置（７
   て前記電荷をｉ巽沢的に移動さモ；次いで、 （Ｃ）前記フィルム全体に適当なＪＭ像処ｌ１１（をｈ
   ｌセすことから成ることを特徴とする方法。 （３１（ｈｌの露光上程が、前記電子バ真材料の光導電
   性層を導電性にするのに必要な最少の露光よりも５００
   〜５０．００（１倍の強さで行なう特許請求の範囲第１
   項または第２項にＳＬ、’＋載の方法。 （４）　　使用する材料に対するｊＪＹＩ常の露光より
   も約１０、　ｆ）　（１０倍で露光を行なう特許請求の
   範囲第３項１．こ記載の方法。 （５）　　明ｉｌ＋杏中に実質的に記載された電イニリ
   °曳フイ゛、　　ルＪ３材＄１１番７像を形成する方法
   。