JPS5961143A - 半導体素子の分離方法 - Google Patents

半導体素子の分離方法

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Publication number
JPS5961143A
JPS5961143A JP57171652A JP17165282A JPS5961143A JP S5961143 A JPS5961143 A JP S5961143A JP 57171652 A JP57171652 A JP 57171652A JP 17165282 A JP17165282 A JP 17165282A JP S5961143 A JPS5961143 A JP S5961143A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
defective
electrode
adhesive sheet
copied
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57171652A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunori Onishi
一典 大西
Yasuo Matsumura
松村 保男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Home Electronics Ltd
NEC Corp
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Home Electronics Ltd, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Home Electronics Ltd
Priority to JP57171652A priority Critical patent/JPS5961143A/ja
Publication of JPS5961143A publication Critical patent/JPS5961143A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術公費 本発明は半導体素子の分離方法に関し、ウェハ状態で良
否判別した後、ウェハ裏面電極を露呈させ粘着シートに
貼着しても不良素子を容易に旅別し得る分離方法に関す
る。
背景技術 半導体装@に用いられる半導体素子は、一枚のウェハに
複数一括して形成されたものを、個々の素子に分離した
ものが用いられる。
半導体素子の分離方法として一般に複数の素子を形成し
たウェハを粘着シートに貼着して素子間をスクライブし
、ローラ等でスクライブ線からウェハを押し割り、粘着
シートを引っ張って拡げ、各素子を分離する方法や、グ
イシングツ−を用い素子間V−沿ってウニI・を切断し
分割する方法があり、他にもレーザ光により切断する方
法や上記方法を組み合せたもの等がある。
ところで、第1図及び第2図は樹脂モールド型の半導体
装置、例えばダイオードの一例を示すもので、図におい
てlは逆メサ形状の半導体素子(ダイオードベレット)
2を半田等の接着材3でマウントした放熱板で、取付用
穴1aを穿設している。4は2本−組のリードで、一方
のリード4aはペレット近傍の放熱板1に、他のり一部
4bはベレット近傍の放熱板1上にそれぞれ一端を配置
し平行配列している。5はペレット2の電極とり一部4
bとを電気的に接続した金属1111線、6はペレット
2を含む主要部分を被覆し外装した樹脂夕[装部を示す
この半導体装置は周知の技術で製造される。即ち、複数
組のり一部4を連結したリードフレームと複数の放熱板
1を連結したものを用い、放熱板1にペレット2をマウ
ントするマウント工程、ペレット2とリード4bとを金
属細線5で接続するワイヤボンディング工程、ペレット
2を含む主要部分を樹脂材にて被覆し外装する樹脂外装
工程、リードフレームや放熱板の連結部分を切断除去し
個々の半導体装置に分離する工程等を経て製最される。
この半導体装置のペレット2は一枚のウェハに複数一括
して形成され、個々のペレットに分離すれるが、製品歩
留りを向」ニするためにウェハ状態で各ペレットの良否
を判別し各素子に分離後不良ベレットは放熱板1[マウ
ントしないようにしている。
そのため、第3図に示すようにウェハ7の裏面の共通電
極8と表面の独立した電極9,9 ・ との間で電気的
検査を行ない、不良ベレット2′にはインク10を被着
する等して不良表示を行なっている。さらにペレット2
を取り出した後共通電極81mを」二に向は放熱板1上
にマウントするために、第4図に示すようにペレット2
の電極9の面を粘着ンート11に貼着し、さらにウェハ
7をスクライブ法等で分割し個々のペレット2に分離し
り後、第5図に示すように粘着シート11を引っ張って
拡げ各ペレット2の間隔を拡け、ペレットの取り出しを
容易にしている。
これによってペレット2を粘着シート10から取り出せ
ばそのままの姿勢で放熱板1上に供給できる。
しかしながら不良ペレット2′の不良表示面は上面から
見ることができないため、不良ペレット2′を検出する
一つの方法として第6図に示すように粘着シート11裏
面にミラー12を配置し、不良表示インク1oをミラー
12で反射しベレット間から反射像を確認して不良ペレ
ット2′を検出することが行われていたが、ペレット2
の間隔が狭く、反射像の一部しか見れないこともあって
作業性が恕いという欠点があった。
またペレットを粘着シート11下面からテレビカメラ等
でモニタし、不良ペレット2′を検出することもできる
が、粘着シート11表面との位置対I心が煩雑である上
、設備が大がかりとなる欠点があった。
発明の開示 本発明は上記欠点に魅み提案されたもので、良否判別し
たウェハの不良素子を容易に該別し得るようにした半導
体素子の分離方法を提供する。
本発明は裏面に共通電極を形成し表面に独立した電極を
有する複数の半導体素子を形成したウェハの各半導体素
子の良否を判別し不良素子表面にマーキングする工程と
、ウェハの表面をコピーする工程と、ウェハの表面を粘
着ンートの粘着iniに貼イ」け固定する工程と、上記
ウェハの裏面に上記コピー紙を対応して当て不良部分に
マーキングする工程と、ウェハを個々の半導体素子に分
離する工程とを含むことを特徴とする。
本発明は上記構成により以下の効果を有する。
1 良否判別し不良素子にマーキングしたウェハの不良
素子が簡単な作業でウェハの表裏面から確認でき、半導
体素子の分離後、不良素子の除去作業やマウント作業が
容易となる。
2 テレビカメラやディスプレー装置など大がかりな装
置が不要である。
発明を実施するための最良の形態 以下に本発明を第3図、第4図及び第7図、第8図から
説明する。先ず、第3図に示すように裏面に共通電極8
を形成し表面に独立した電極9を形成して、共通電極8
を上方に向けて用いられる半導体素子2,2・・・ を
複数形成したウェハを、共通電極8と各独立電極9間で
電気的検査を行ない、不良ペレット2′にはインク1o
を被着したり、引きかき・傷を付ける等して不良表示を
行なう。
次ニ、このウェハ7の表面即ち不良表示をした面をコピ
ー紙にコピーする。そして第4図に示ずようにウェハ7
の共nil電極8を上に向けて粘着ンート」、コに貼着
する。
さらに第7図に示すように、粘着ンート11に貼着した
ウエレ・7」、にコピー紙13のコピー++’+j ヲ
向は位置決めして載せる。そしてコピー紙13の不良表
示部分14と苅1心するウェハ位置を剣先等で突いて第
8図に示すように電極8に傷15をっけマーキングする
そしてコピー紙13上からローラ等でウェハ7を押し割
ったり、コピー紙]3を除いてグイソング法等Vこより
ウェハ7を切断分割して、粘涜ンート11を引っ張って
拡げ、各素子2の間隔を]Jムげ取り出しを容易にする
ここでコピー紙13は不良表示部分14を切抜いて窓開
けし、ウェハ7に重ねた状態で豚を介しテウエハニイン
ク等を塗布するようにしてもよい。
これにより、粘着ンー)11に結句けられたウェハの不
良素子位置を容易かつ確実に知ることができ、半導体素
子の分離後、不良素子の除去作業やマウント作業が容易
となり、自動化が可v1となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体装置の一例を示す部分透視平面図、第2
図は第1図A−A面図、第3図乃至第6図は半導体素子
の分離方法を説明する側断面図、第31z1、第4図、
第7図、第8図は本つレ明を説明する半導体素子の側断
面図である。 2  半導体素子、 2′  不良素子、7  ウェハ
、    8・・・ 裏面電極、9  表面電極、  
10   不良表示、11  粘着シート、13・  
コピー紙、14 ・ 不良表示部分。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 裏面に共通電極を形成し表面に独立した電極を有する複
    数の半導体素子を形成したウェハの各半導体素子の良否
    を判別し不良素子表面にマーキングする工程と、ウェハ
    の表面をコピーする工程と、ウェハの表面を粘着シート
    の粘着面に結句は固定する工程と、手記ウェハの裏面に
    上記コ午°−紙を対応して当て不良部分にマーキングす
    る工程と、ウェハを個々の半導体素子に分離するJ2程
    とを含むことを特徴とする半導体素子の分離方法。
JP57171652A 1982-09-30 1982-09-30 半導体素子の分離方法 Pending JPS5961143A (ja)

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JPS5961143A true JPS5961143A (ja) 1984-04-07

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ID=15927178

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007302466A (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Fuji Xerox Co Ltd シート供給装置および画像形成装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007302466A (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Fuji Xerox Co Ltd シート供給装置および画像形成装置

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