JPS5960944A - Ｘ線像増倍管用入力面の製造方法 - Google Patents
Ｘ線像増倍管用入力面の製造方法Info
- Publication number
- JPS5960944A JPS5960944A JP17183882A JP17183882A JPS5960944A JP S5960944 A JPS5960944 A JP S5960944A JP 17183882 A JP17183882 A JP 17183882A JP 17183882 A JP17183882 A JP 17183882A JP S5960944 A JPS5960944 A JP S5960944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deposition
- phosphor layer
- gas pressure
- fluorescent substance
- substance layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/12—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分封〕
この発明はＸ線＆Ｉ！増倍Ｖ用入力面の製造方法に関す
る。
る。
〔発明の技術的′Ｉ４′景及び問題点〕一般にＸｌｌ１
！像増倍管例えばＸ線螢光増倍管は、医療用を主に１条
用非破壊検査などＸｉ工業テレビを併用して広範囲に応
用されている０ この極のＸ線螢光増倍管は卯、１図に示すように構成さ
れ、Ｊｉ＋、、空答器である主としてガラスよシなる外
囲器１の入力側内部に入力面でか配設されている。−力
、夕１囲益１の出力側内部には、加速％：極でを）る鵬
不〜３が配設されると共に出力面４が設けられ、更に外
囲器ｌ内部の側壁に沿つ°Ｃ′：Ｊ束を極５が配設され
ている。七［７てＸ線人力６を、入力面乙を拓゛成する
人力螢光体層で一旦光学像Ｖｒ変臥した彼、その光に」
＝り人力ｉＴ！Ｊ乙を構成する光電面から光電子を放出
さぞ、この元電子流を陽極３、集束電極５により加速、
集束１．７で出力面４を構成する田力螢光体層に輝度地
すされた光出力像を再現させている。
！像増倍管例えばＸ線螢光増倍管は、医療用を主に１条
用非破壊検査などＸｉ工業テレビを併用して広範囲に応
用されている０ この極のＸ線螢光増倍管は卯、１図に示すように構成さ
れ、Ｊｉ＋、、空答器である主としてガラスよシなる外
囲器１の入力側内部に入力面でか配設されている。−力
、夕１囲益１の出力側内部には、加速％：極でを）る鵬
不〜３が配設されると共に出力面４が設けられ、更に外
囲器ｌ内部の側壁に沿つ°Ｃ′：Ｊ束を極５が配設され
ている。七［７てＸ線人力６を、入力面乙を拓゛成する
人力螢光体層で一旦光学像Ｖｒ変臥した彼、その光に」
＝り人力ｉＴ！Ｊ乙を構成する光電面から光電子を放出
さぞ、この元電子流を陽極３、集束電極５により加速、
集束１．７で出力面４を構成する田力螢光体層に輝度地
すされた光出力像を再現させている。
ところで、上記の入力面そ全具体的１（拡大して示すと
第２図のようになっておシ、球面状のＡ７ｉ？に板７の
一面（出力側）Ｖ？：ＣｓＩ／Ｎａ■からなる第１の螢
光体層８が形成され、この第１の螢光体ＲｓＢ上には第
２の螢光体層９が形成されている。巣に、図示していな
いが、上記第２の螢光体層９上には保謙膜を介して光電
面が形成さ几ている。
第２図のようになっておシ、球面状のＡ７ｉ？に板７の
一面（出力側）Ｖ？：ＣｓＩ／Ｎａ■からなる第１の螢
光体層８が形成され、この第１の螢光体ＲｓＢ上には第
２の螢光体層９が形成されている。巣に、図示していな
いが、上記第２の螢光体層９上には保謙膜を介して光電
面が形成さ几ている。
このような入力面乙を製造するには、従来、第３図Ｖこ
示すプロセスで行なわｎ１先ず真空槽内にＡｌ基板７と
Ｃ８工及びＮａＩの混合物が入った２個の蒸着用ボート
を対向配設する。
示すプロセスで行なわｎ１先ず真空槽内にＡｌ基板７と
Ｃ８工及びＮａＩの混合物が入った２個の蒸着用ボート
を対向配設する。
セして、所定のガス圧のもとでＡ７基板７を所定温度に
保ち、ボートを通電力ロ熱して、Ｃ８工／Ｎａ工 を蒸
着する。膜厚が１５０〜３００μｍＫなるように蒸着し
た後、蒸着膜の温度を急速に冷却すれば、亀裂がＡｌ基
板７に対して略垂直に配列された構造の第１の螢光体層
８が得られる。次に真空槽を排気して高真空にすると共
にＡＡ基板７の温度を上げて、上記第１の螢光体層８上
にＣｓＩ／ＮａＩを蒸着する。膜厚が１０〜５０μｒＩ
Ｌになるように蒸着した後、真空状態のまま自然冷却す
れば、亀裂のない連続面である第２の螢光体層９が得ら
れる。この第２の螢光体Ｍ９上に保睡膜、光電面を順次
形成すれは、入力面そが完成する。
保ち、ボートを通電力ロ熱して、Ｃ８工／Ｎａ工 を蒸
着する。膜厚が１５０〜３００μｍＫなるように蒸着し
た後、蒸着膜の温度を急速に冷却すれば、亀裂がＡｌ基
板７に対して略垂直に配列された構造の第１の螢光体層
８が得られる。次に真空槽を排気して高真空にすると共
にＡＡ基板７の温度を上げて、上記第１の螢光体層８上
にＣｓＩ／ＮａＩを蒸着する。膜厚が１０〜５０μｒＩ
Ｌになるように蒸着した後、真空状態のまま自然冷却す
れば、亀裂のない連続面である第２の螢光体層９が得ら
れる。この第２の螢光体Ｍ９上に保睡膜、光電面を順次
形成すれは、入力面そが完成する。
ところで上記の場合、第１の螢光体層８と第２の螢光体
層９の各膜厚の比率は９対１になっているが、この比率
を正確に規制するため、蒸着用ボートが２イ１＾１必要
である０又、第１の螢光体Ｎ！１８と第２の螢光体層９
との界面で光学的損失（１０〜２０％）が生じるという
欠点がある。
層９の各膜厚の比率は９対１になっているが、この比率
を正確に規制するため、蒸着用ボートが２イ１＾１必要
である０又、第１の螢光体Ｎ！１８と第２の螢光体層９
との界面で光学的損失（１０〜２０％）が生じるという
欠点がある。
この発明の目的は、製造時間を短縮すると共に、第１の
螢光体層と謁２の螢光体層の界面における光学的損失の
発生を防止したＸ線像増倍管用入力面の製造方法を提供
することである。
螢光体層と謁２の螢光体層の界面における光学的損失の
発生を防止したＸ線像増倍管用入力面の製造方法を提供
することである。
この発明は、真空槽内に、Ａｌ基板とＣ８Ｉ及びＮａＩ
の混合物が入った１個の蒸着用ボートとを対向配設
し、上記真空槽内にＮｚガスを導入して最初は筒いガス
圧のもとて蒸着を行ない、徐々にガス圧を下げ乍ら＃看
して第１の蛍光体層を形成し、次に上記真空槽内を尚真
空にして蒸着を行ない上記第１の螢光体層上に第２の螢
光体層を形成することを特徴としたＸＩＩＭ像増倍官用
入力面の製造方法である０ 実施例 この発８ＡによるＸ 、Ｉ、ｉ！像増倍管用入力面の製
造方法は、螢光体層の形成方法を改良したもので、第４
図に示すようなプロセスで行なわれ、図中のａ、 ｂ、
ｃは第５図の（ａ） ｆ （ｂ） 、 （ｃ）に対応し
ている。
の混合物が入った１個の蒸着用ボートとを対向配設
し、上記真空槽内にＮｚガスを導入して最初は筒いガス
圧のもとて蒸着を行ない、徐々にガス圧を下げ乍ら＃看
して第１の蛍光体層を形成し、次に上記真空槽内を尚真
空にして蒸着を行ない上記第１の螢光体層上に第２の螢
光体層を形成することを特徴としたＸＩＩＭ像増倍官用
入力面の製造方法である０ 実施例 この発８ＡによるＸ 、Ｉ、ｉ！像増倍管用入力面の製
造方法は、螢光体層の形成方法を改良したもので、第４
図に示すようなプロセスで行なわれ、図中のａ、 ｂ、
ｃは第５図の（ａ） ｆ （ｂ） 、 （ｃ）に対応し
ている。
即ち、一般に■１〜２Ｘ１０ ｐａの真空中で蒸着さ
れるＣｓＩ／ＮａＩ （ＩＸ １０−３モルＮａＩ）の
柱状結晶サイズは約１０±５μｍで成長する。■１．３
Ｘ１０ Ｐａ 以上の高真空で蒸着されるＣ ｓ Ｉ
／Ｎａ Ｉ （Ｉ Ｘ １０ ”モルＮａＩ）の柱状
結晶サイズは約５０〜７０μｍで成長する。
れるＣｓＩ／ＮａＩ （ＩＸ １０−３モルＮａＩ）の
柱状結晶サイズは約１０±５μｍで成長する。■１．３
Ｘ１０ Ｐａ 以上の高真空で蒸着されるＣ ｓ Ｉ
／Ｎａ Ｉ （Ｉ Ｘ １０ ”モルＮａＩ）の柱状
結晶サイズは約５０〜７０μｍで成長する。
そこで、この発明では上記■、■の特質を考慮してカス
圧を制御するようにし、ている。
圧を制御するようにし、ている。
即ち、真空槽内に、Ａｌ’Ｍ板７とＣ８工及びＮａＩ
の混合物が入った１個の蒸着用ボートとを対向配設す
る。そして、第４図に示すようにＡｌ基ｇ１．７をＸで
示すように３００〜５００°Ｃに加熱する。ｙｌに、Ａ
７基板７の温度をｙで示すように１２０〜２１０ ’０
に落すと共Ｖ′Ｃ真空槽内にＮ、ガスを尋人し、最初は
高いガス圧例えばｌＸｌ０ Ｔｏｒｒ のガス圧状
態で蒸着用ボートに通電加熱して蒸着を行なう。そして
、徐々にガス圧を斗げ乍ら蒸着し、所定膜厚になった後
、蒸着膜の７Ｒ度を急速に冷却す肛ば、亀裂がＡ ｌ基
板７に対して略垂直に配列された構造の第１の螢光体層
８（第２図参照）が得られる。なお上記ガス圧は例えば
Ｉ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ程度まで徐々に下げる。次
に、従来と同様ＶＣ真空槽をわ１気して高真空にする（
ガス圧は零）と共にＡＩ！基板７の温度を上げて、上記
シＳ１の螢光体層８上にＣｓ Ｉ ／Ｎ ａ Ｉを蒸着
する。内定膜厚になるように蒸着した後、真空状態のま
ま自然冷却すれば、亀裂のない連続面である絹２の螢光
体層９ （第２図参照）が得られる。この第２の螢光体
層９上ｖ−ｃ４＠腹膜、光電面を順次形成すれば、入力
面が先取する。
の混合物が入った１個の蒸着用ボートとを対向配設す
る。そして、第４図に示すようにＡｌ基ｇ１．７をＸで
示すように３００〜５００°Ｃに加熱する。ｙｌに、Ａ
７基板７の温度をｙで示すように１２０〜２１０ ’０
に落すと共Ｖ′Ｃ真空槽内にＮ、ガスを尋人し、最初は
高いガス圧例えばｌＸｌ０ Ｔｏｒｒ のガス圧状
態で蒸着用ボートに通電加熱して蒸着を行なう。そして
、徐々にガス圧を斗げ乍ら蒸着し、所定膜厚になった後
、蒸着膜の７Ｒ度を急速に冷却す肛ば、亀裂がＡ ｌ基
板７に対して略垂直に配列された構造の第１の螢光体層
８（第２図参照）が得られる。なお上記ガス圧は例えば
Ｉ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ程度まで徐々に下げる。次
に、従来と同様ＶＣ真空槽をわ１気して高真空にする（
ガス圧は零）と共にＡＩ！基板７の温度を上げて、上記
シＳ１の螢光体層８上にＣｓ Ｉ ／Ｎ ａ Ｉを蒸着
する。内定膜厚になるように蒸着した後、真空状態のま
ま自然冷却すれば、亀裂のない連続面である絹２の螢光
体層９ （第２図参照）が得られる。この第２の螢光体
層９上ｖ−ｃ４＠腹膜、光電面を順次形成すれば、入力
面が先取する。
なお、ガス圧の変化をあ４図に示すようにガス圧カーブ
ａ、ｂ、ｃの各状態に制御すると、第１の螢光体層８の
蒸着状態は第５図（、）、 （ｂ） 、 （ｃ）にそれ
ぞれ示すよりな結晶状怨に得られる。
ａ、ｂ、ｃの各状態に制御すると、第１の螢光体層８の
蒸着状態は第５図（、）、 （ｂ） 、 （ｃ）にそれ
ぞれ示すよりな結晶状怨に得られる。
この発明によれば、蒸着用ボートが１個でよく、この結
果、ｆＡ造待時間短工ｊｊが図れる。
果、ｆＡ造待時間短工ｊｊが図れる。
又、蒸着用ボートが１個のため、第１の螢光体層８と第
２の螢光体層９との界面における光学的損失の発生を防
止することができる。
２の螢光体層９との界面における光学的損失の発生を防
止することができる。
更に結晶サイズを制御できるという利点もある０
第１図はＸ線像増倍管（Ｘ線螢光増倍管）を示す概略構
成図、Ｍ２図はＸ煉体増倍管０Ｕｊｌ螢光増倍管）にお
ける入力面を拡大して示す断面図、第３図は従来の製造
方法のプロセスを示す説明図、第４図はこの発明の一実
施例に係る製造方法のプロセスを示す説明図、第５図（
ａ） 、 （ｂ） 、 （ｅ）はガス圧カーブに対応し
た蒸着状態を示す断面図である。 そ・・・入力面、７・・・Ａ！基板、８・・・篤ｌの螢
光体Ｊ製、９・・・第２の螢光体層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ２３３− 第２図 第３図 βキ閉□
成図、Ｍ２図はＸ煉体増倍管０Ｕｊｌ螢光増倍管）にお
ける入力面を拡大して示す断面図、第３図は従来の製造
方法のプロセスを示す説明図、第４図はこの発明の一実
施例に係る製造方法のプロセスを示す説明図、第５図（
ａ） 、 （ｂ） 、 （ｅ）はガス圧カーブに対応し
た蒸着状態を示す断面図である。 そ・・・入力面、７・・・Ａ！基板、８・・・篤ｌの螢
光体Ｊ製、９・・・第２の螢光体層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ２３３− 第２図 第３図 βキ閉□
Claims (1)
- 真空槽内に、Ａ７ｉ板とＣ８Ｉ及びＮＩ の混合物か
入った１個の蒸着用ボートとを対向配設し、上記真空槽
内にＮ、ガスを尋人して最初は高いガス圧のもとて蒸着
を行ない、徐々にガス圧を下げ乍ら蒸着して第１の螢光
体層を形成し、次に上記真空槽内を烏真空にして蒸着を
行ない上記第１の螢光体層上に第２の螢光体層を形成す
ることをＸ特徴としたＸ線像増倍管用入力面の４Ｅ遣方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17183882A JPS5960944A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | Ｘ線像増倍管用入力面の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17183882A JPS5960944A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | Ｘ線像増倍管用入力面の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960944A true JPS5960944A (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=15930688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17183882A Pending JPS5960944A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | Ｘ線像増倍管用入力面の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5960944A (ja) |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17183882A patent/JPS5960944A/ja active Pending
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