JPS5960306A - 位置決定用チップを備えた試料 - Google Patents
位置決定用チップを備えた試料Info
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- JPS5960306A JPS5960306A JP57172170A JP17217082A JPS5960306A JP S5960306 A JPS5960306 A JP S5960306A JP 57172170 A JP57172170 A JP 57172170A JP 17217082 A JP17217082 A JP 17217082A JP S5960306 A JPS5960306 A JP S5960306A
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- Japan
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- directional
- chip
- wafer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はＨ迷子ビームを用いた試料の位１ｉ’ｊ、決定
方式に関し、！侍にウェーハに設けられる位置決め用マ
ークに工夫を施して小さい走査中で正確に電子ビームに
対するウェーハの位置を決定することを可能に（７た軍
１了・ビームによるウェーハの位置決定方式に関す／、
。
方式に関し、！侍にウェーハに設けられる位置決め用マ
ークに工夫を施して小さい走査中で正確に電子ビームに
対するウェーハの位置を決定することを可能に（７た軍
１了・ビームによるウェーハの位置決定方式に関す／、
。
（２）枝＆１：［のハ１）Ｉ
−伶吋こ１１↑：、（、Ｅ、、＊−）ｘｉＸ営光装ｆ１
“ｆを１目いてウ ェ −ノ・」二にノ♀ターンイｒ−
形成一す−るために択１：、電子ビームによりウェーハ
を露）Ｙ、１〜でノぐターンを形成するＡｉＴに、ウェ
ーハを宵、子ビームに対して０． ］、、 ／１ｍ程度
の精度で正確に位１６付けしなければならない。
“ｆを１目いてウ ェ −ノ・」二にノ♀ターンイｒ−
形成一す−るために択１：、電子ビームによりウェーハ
を露）Ｙ、１〜でノぐターンを形成するＡｉＴに、ウェ
ーハを宵、子ビームに対して０． ］、、 ／１ｍ程度
の精度で正確に位１６付けしなければならない。
電子ビームを用いてウェーハの位置決めを行なう用台、
電子ビームの強ｐ（はウェーハに対して描画する場合の
強さと同じである。９７（’って、ウェーハの位置決め
のために電子ビームを走査すると、ウェーハ上に設けら
れた位置決め用マークのみならず、ビーム走査がマーク
の近くの他のチップに及んだ場合、そのチップをも破壊
してしまう。このため、位置決Ｍ）川のビーム走査の＋
ｌ］はできるだけ狭い方が望ましい。また、位置決め用
マークは１回の走査で破壊されて使用不ｂＪ能になるも
のではなく、複数回の走査に耐えることが出来ることが
望ましい。
電子ビームの強ｐ（はウェーハに対して描画する場合の
強さと同じである。９７（’って、ウェーハの位置決め
のために電子ビームを走査すると、ウェーハ上に設けら
れた位置決め用マークのみならず、ビーム走査がマーク
の近くの他のチップに及んだ場合、そのチップをも破壊
してしまう。このため、位置決Ｍ）川のビーム走査の＋
ｌ］はできるだけ狭い方が望ましい。また、位置決め用
マークは１回の走査で破壊されて使用不ｂＪ能になるも
のではなく、複数回の走査に耐えることが出来ることが
望ましい。
（３）従来技術と間胃点
従来のウェーハ位置決定方式においては、２次′ｆｔ子
、反射電子等の電子ビーノ、を１刊いて、粗調段階で、
ウェーハ上に設けられた大きなマークを有するチッｆを
゛まず走査することによりウェーハの大まかな位１鱈を
約１μｍの精度で法定し、次いで微調段階で、ウェーハ
上に設けらハ、た小さなマークを有する他のチップを走
査して（）、１μｍの精度でウェーハの位置を決定する
。この場合、粗１段階で走査される大きなマークは、後
述の如く、比較的Ｑｉ純なものであり、長い走をイ［−
金１１４′５５′とし／こ。
、反射電子等の電子ビーノ、を１刊いて、粗調段階で、
ウェーハ上に設けられた大きなマークを有するチッｆを
゛まず走査することによりウェーハの大まかな位１鱈を
約１μｍの精度で法定し、次いで微調段階で、ウェーハ
上に設けらハ、た小さなマークを有する他のチップを走
査して（）、１μｍの精度でウェーハの位置を決定する
。この場合、粗１段階で走査される大きなマークは、後
述の如く、比較的Ｑｉ純なものであり、長い走をイ［−
金１１４′５５′とし／こ。
このため、後に詳述する如く、このｊ・子い走埋線によ
り該大きなマークに隣接する他の−１−ッｆが誓易に破
喫されたり、１回の工程で破ｆ；外さ）ｔたマークは以
後使用不ｎ１能になることが多いのでｒＭ数の大きなマ
ークを設けた大きなチップが必す２であるという間４が
あった。
り該大きなマークに隣接する他の−１−ッｆが誓易に破
喫されたり、１回の工程で破ｆ；外さ）ｔたマークは以
後使用不ｎ１能になることが多いのでｒＭ数の大きなマ
ークを設けた大きなチップが必す２であるという間４が
あった。
（４）発明の目的
本発明の目的は、前述の従来技術における問題にかんが
み、ウェーハ位置決定用のマークに特別の工夫を施１〜
で１つのチッ７″を従ツより短い走査線で走査すること
により、仙のチップを破國することなく、かつ、同一の
ウェーノ・位！？￥法定用マークを多数回走査可能にし
た、ウェーハの位置ｉＪＪ定方式を提イ１（することに
ある。
み、ウェーハ位置決定用のマークに特別の工夫を施１〜
で１つのチッ７″を従ツより短い走査線で走査すること
により、仙のチップを破國することなく、かつ、同一の
ウェーノ・位！？￥法定用マークを多数回走査可能にし
た、ウェーハの位置ｉＪＪ定方式を提イ１（することに
ある。
１５） 発明の構成
上記の目的を達成するだめの本発明の要旨は、試料上に
設けた位置決め用マークｄ：互いに平行に設けられた複
数のライン群を備え、該ライン群の各々は基準ラインと
、該基準ラインから所宇の距離だけ離れた位置に＋１択
的に設けられたコードラインを有し７、電子ビームを該
ライン群に略垂直な方向に、か一つ少なくとも１個の該
ライン群をカバー出来る凹さだけ走査し、該ライン群の
該コードラインの情報全解析することにより該試料の位
置を決定することを特徴とする、電子ビームを用いた試
料の位置決定方式Ｏτある。
設けた位置決め用マークｄ：互いに平行に設けられた複
数のライン群を備え、該ライン群の各々は基準ラインと
、該基準ラインから所宇の距離だけ離れた位置に＋１択
的に設けられたコードラインを有し７、電子ビームを該
ライン群に略垂直な方向に、か一つ少なくとも１個の該
ライン群をカバー出来る凹さだけ走査し、該ライン群の
該コードラインの情報全解析することにより該試料の位
置を決定することを特徴とする、電子ビームを用いた試
料の位置決定方式Ｏτある。
（６）発明の実施例
以下、本発明の実施例を従来例と対比しながら図面によ
って説明する。
って説明する。
第１図はウェーハ上に設けられた従来の位置法定用チッ
プを概略的に示す平面図である。第１１′２＋において
、ウェーハ１上に粗ｒ周用チップ２ａ。
プを概略的に示す平面図である。第１１′２＋において
、ウェーハ１上に粗ｒ周用チップ２ａ。
２ｂ、２ｃ、２ｄと微を周用チップ３ ａ ＋’ ３
ｂ ＋３ｃ、３ｄが設けられている。
ｂ ＋３ｃ、３ｄが設けられている。
第２図（ａ） 、 （ｈ）はそれぞれ第１図に示した相
訓用チッｆ２ ａの従来例を示す拡大平面１ツ１である
。第２図（ａ）に訃いては、チ、／７’２１Ｊ Ｎ：Ｘ
方向およびＹ方向に延びる・やターンからなるマークを
有している。このマークを図に矢印でヲ１壮７た如くＸ
方向およびＹ方向に電子ビームにより朋査することによ
り、チップの中心位置が１μｍの精［ｒＳ−で決定でき
る。第２図（ｂ）においては、チップ″２ａｚ−中心に
関して対称的に配置面された２個のハの字形のｉ９ター
ンと中心部の小矩形／４’ターンからなるマークを有し
ている。このマークを図に矢印で示した如くＸ方向に走
査することにより、・クターンの間の距離ぎが検出され
、このｌに基づいてチップ２ａ２の中心位置が１μｍの
精度で決定できる。
訓用チッｆ２ ａの従来例を示す拡大平面１ツ１である
。第２図（ａ）に訃いては、チ、／７’２１Ｊ Ｎ：Ｘ
方向およびＹ方向に延びる・やターンからなるマークを
有している。このマークを図に矢印でヲ１壮７た如くＸ
方向およびＹ方向に電子ビームにより朋査することによ
り、チップの中心位置が１μｍの精［ｒＳ−で決定でき
る。第２図（ｂ）においては、チップ″２ａｚ−中心に
関して対称的に配置面された２個のハの字形のｉ９ター
ンと中心部の小矩形／４’ターンからなるマークを有し
ている。このマークを図に矢印で示した如くＸ方向に走
査することにより、・クターンの間の距離ぎが検出され
、このｌに基づいてチップ２ａ２の中心位置が１μｍの
精度で決定できる。
第３図は第１図に示した微調用チッ７’ ３ ａの１例
を示す拡大）′Ｖ−面図である。第３図において、チッ
プ３ａけその四隅に小矩形ノ！ターンを有し、て卦り、
この小＋Ｊｊ形・ＰターンをＸ方向およびＹ方向に走査
することにより、ウェーハ１ば０１μｍの精度で電子ビ
ームに対して位ｉ面付けされる。
を示す拡大）′Ｖ−面図である。第３図において、チッ
プ３ａけその四隅に小矩形ノ！ターンを有し、て卦り、
この小＋Ｊｊ形・ＰターンをＸ方向およびＹ方向に走査
することにより、ウェーハ１ば０１μｍの精度で電子ビ
ームに対して位ｉ面付けされる。
ところで、相：ａ、ｔ＋ Ｑ＋！を行う前にウェーハは
試料台に載せ、予め（１１略所定位置に位聞付けされる
が、この位置イ・１けのｔＩｖ度は高々２開から３朋で
ある。
試料台に載せ、予め（１１略所定位置に位聞付けされる
が、この位置イ・１けのｔＩｖ度は高々２開から３朋で
ある。
一方、チップの一１刀の長さは４闘から５朋であり第２
図（ａ）ｔ＊ｔよ（ｈ）Ｋ：示した相調用チップを走査
するためにｔ」１、走在線の長さは少なくとも４朋は必
要である。従って、粗調の段階で走査線が誤って隣接す
る半導体チップ（図示せず）をも走査してし甘うことが
あり、位置決定用′ｔ１１子ビームの強度は半導体チッ
プを描画する場合の電子、ビームの強度と同じなので、
位置決定における誤った走査により半導体チップが破咋
されてしまうことがある。
図（ａ）ｔ＊ｔよ（ｈ）Ｋ：示した相調用チップを走査
するためにｔ」１、走在線の長さは少なくとも４朋は必
要である。従って、粗調の段階で走査線が誤って隣接す
る半導体チップ（図示せず）をも走査してし甘うことが
あり、位置決定用′ｔ１１子ビームの強度は半導体チッ
プを描画する場合の電子、ビームの強度と同じなので、
位置決定における誤った走査により半導体チップが破咋
されてしまうことがある。
また、第２図（−）または（ｂ）の・ぐターンは、１つ
の工程でウェーハの位置決定に使用されると破壊されて
しまっているので、ウェーハを多数回の工程で処理しよ
うとする喝合は、そのＴ程数分だけのマークを必要と１
−る。
の工程でウェーハの位置決定に使用されると破壊されて
しまっているので、ウェーハを多数回の工程で処理しよ
うとする喝合は、そのＴ程数分だけのマークを必要と１
−る。
第４図は複数のマークを有する従来の粗調用チップの概
略平面図である。第４図に示されるように多数のマーク
を１チツプに設けた１２合、チップ２ａ３の面積が大き
くなってし寸い、ウェーハの有効利用を阻む。
略平面図である。第４図に示されるように多数のマーク
を１チツプに設けた１２合、チップ２ａ３の面積が大き
くなってし寸い、ウェーハの有効利用を阻む。
第５図は本発明の一実施例によるウェーハの位置決定方
式に用いられる位置決常用チップの概略を示す平面図で
ある。第５図において、位ｊδ決定用チッゾ２ ａ ｏ
ＦＪ’、−辺が５朋のＩＦ方形であり、その上辺部に
Ｘ方向位置の粗馬１用のベースマークと称せられるライ
ン（以下、Ｘ方向Ｑ−スマークトイフ［・する）／ｘ＋
がＹ方向に平行にかつ等間隔で描かれている。隣接する
２本のＸ方向″′ぞ−スマークの間隔は１００μｍであ
り、従ってチップ２ａ、上に５０本、のＸ方向ベースマ
ークが１１１１′助１れでいる。
式に用いられる位置決常用チップの概略を示す平面図で
ある。第５図において、位ｊδ決定用チッゾ２ ａ ｏ
ＦＪ’、−辺が５朋のＩＦ方形であり、その上辺部に
Ｘ方向位置の粗馬１用のベースマークと称せられるライ
ン（以下、Ｘ方向Ｑ−スマークトイフ［・する）／ｘ＋
がＹ方向に平行にかつ等間隔で描かれている。隣接する
２本のＸ方向″′ぞ−スマークの間隔は１００μｍであ
り、従ってチップ２ａ、上に５０本、のＸ方向ベースマ
ークが１１１１′助１れでいる。
Ｘ方向ベースマークの長さは例えば５００μｍである。
Ｘ方向ベースマークの領域以外は、Ｙ方向位１６１の用
脚用のベースマークであるライン（Ｊ’−Ｊ、下、Ｙ方
向ぜ−スマークと称する） ’ ：１’ Ｉ ” Ｙ
２ ＋”’がＸ方向に平行にかつ竹間隔で情かね、てい
る。隣接する２本のＹ方向波−スマークの間隔けやＩ叶
りＩ Ｑ ０１ｔｍであＺ）Ｑ 隣接する２本のＸ方向ぜ一スマークの間、および隣接す
る２木のＹ方向波−スマークの間にしｔそ力ぞれ、ベー
スマークの位置を決定するためのコードマークが描かれ
ている。
脚用のベースマークであるライン（Ｊ’−Ｊ、下、Ｙ方
向ぜ−スマークと称する） ’ ：１’ Ｉ ” Ｙ
２ ＋”’がＸ方向に平行にかつ竹間隔で情かね、てい
る。隣接する２本のＹ方向波−スマークの間隔けやＩ叶
りＩ Ｑ ０１ｔｍであＺ）Ｑ 隣接する２本のＸ方向ぜ一スマークの間、および隣接す
る２木のＹ方向波−スマークの間にしｔそ力ぞれ、ベー
スマークの位置を決定するためのコードマークが描かれ
ている。
第６図は第５ ［Ｖ＋に示したチップの左上部を拡大し
た平面図である。第６図において、硬−スマークｌｘ＋
ｌ ／ｆｆｘ２＋・・・＋ｌｙ＋ ＋ ｌｙｚ＋ ”
’の各々の巾は１６μｍである。隣接する２本のＸ方向
波−スマークの間にｄ：Ｘ方向波−スマークの位置を示
すコードマークＣＭｘ ＋ ｒ ＣＭ Ｘ ２ 、・
・・が設けられている。同様に隣接する２本のＹ方向ベ
ースマークの間にはコー ドマークＣＭｙ ＋ ＋
ＣＭ 、 ７ 、 、、、が１役けられている。コード
マークＣＭｘ、、ＣＭｘ２．・・・の各々は６木の微細
なラインのいずｉｚが実際に描かれているかによ−）で
互いに異なったコードを表わしている。例えばコードマ
ークＣＭ Ｘ Ｉにｔ」いずれの微イ（１１ラインも実
際には描かれてい外いのでコード２°＝１を表わしてお
り、コードマーク（：Ｍｘ１２には最−Ｔ位の昏゛汗１
１ラインのみ実際に描かれているのでコー１７２１ ＝
２を表わしている。同イ；ｎにご１−ドマークＣＭＶ
、 、 ｃｉ、ａｙ２．・・・の各々もげ、いにｒｊ電
１なったコードを表わしている。
た平面図である。第６図において、硬−スマークｌｘ＋
ｌ ／ｆｆｘ２＋・・・＋ｌｙ＋ ＋ ｌｙｚ＋ ”
’の各々の巾は１６μｍである。隣接する２本のＸ方向
波−スマークの間にｄ：Ｘ方向波−スマークの位置を示
すコードマークＣＭｘ ＋ ｒ ＣＭ Ｘ ２ 、・
・・が設けられている。同様に隣接する２本のＹ方向ベ
ースマークの間にはコー ドマークＣＭｙ ＋ ＋
ＣＭ 、 ７ 、 、、、が１役けられている。コード
マークＣＭｘ、、ＣＭｘ２．・・・の各々は６木の微細
なラインのいずｉｚが実際に描かれているかによ−）で
互いに異なったコードを表わしている。例えばコードマ
ークＣＭ Ｘ Ｉにｔ」いずれの微イ（１１ラインも実
際には描かれてい外いのでコード２°＝１を表わしてお
り、コードマーク（：Ｍｘ１２には最−Ｔ位の昏゛汗１
１ラインのみ実際に描かれているのでコー１７２１ ＝
２を表わしている。同イ；ｎにご１−ドマークＣＭＶ
、 、 ｃｉ、ａｙ２．・・・の各々もげ、いにｒｊ電
１なったコードを表わしている。
第７図は第６図の■−〜１１，１ｉｌｉ！拡大断面図で
ある。
ある。
第７図において、Ｘ方向コード−２−りＣｌ’ｌ ｘ
１ ｆ ４’Ｎ成する６本の微細ラインは実際にｒ目Ｓ
、〜かれてい外いので点りで示しである。各微イ１１１
ラインυＪ］１周かれる場合は４μｍの巾で描かれる。
１ ｆ ４’Ｎ成する６本の微細ラインは実際にｒ目Ｓ
、〜かれてい外いので点りで示しである。各微イ１１１
ラインυＪ］１周かれる場合は４μｍの巾で描かれる。
Ｘ方向−，２−スマークｌ！ ！＋ ＋ ｌｘ２はウ
ェー／Ｎ−にに段差を１寺に−せてｌ”ｔの形式で形成
されている。１本のＸ方向−ミースマークｅｚｘ とそ
の隣のコードマークＣＭえ１とで１つのライン群６ＧＫ
、を構成している。他の一″！？−スマークとその隣の
コードマークもそハ、ぞれ１つのライン群を構成してい
る。
ェー／Ｎ−にに段差を１寺に−せてｌ”ｔの形式で形成
されている。１本のＸ方向−ミースマークｅｚｘ とそ
の隣のコードマークＣＭえ１とで１つのライン群６ＧＫ
、を構成している。他の一″！？−スマークとその隣の
コードマークもそハ、ぞれ１つのライン群を構成してい
る。
第５図から第７図に示した位置決め用チップ０を用いて
ウェー・・を位置決めする方法を次に；７Ｒべろ。
ウェー・・を位置決めする方法を次に；７Ｒべろ。
ウェー・・を７ｉ７来同様に３１程度の’［度で試料台
に置いた後、第１１々階で、位Ｉ？￥決め用チ、ソデ２
ａ。
に置いた後、第１１々階で、位Ｉ？￥決め用チ、ソデ２
ａ。
のＹ方向に電子ビームを１００μｍの長さだけ走査して
、Ｙ方向波−スマークの有無を識別する。この場合、走
査線の長さはわずか１００μｍなので、隣接する仝１パ
導ｆトチツブをラド査して？ｉ’！７岡することはない
。Ｙ方向ベースマークがＷい出されない（ハ合、試料台
をＹ方向に５０ ｔｔｍだけ移ＩＩｊｌｌさせる。Ｙ方
向ベースマークのイｒ在が識別できたら、第２段階で、
そのＹ方向ベースマークのイル旨Ｅ’Ｔｆ４１１べるた
めに、このＹ方向ベースマークと同一のライン群内のコ
ード−１−り１〜読む。この結果、Ｙ方向のイ＼γ僅は
１．００ ／咄の積度で決定される。次にこの決定しま
たＹ方向の位置から、Ｘ方向ベースマークの存在領域ま
での１１１ｉ １Ｊ！Ｉｆがわかるので、試料台をその
距離だけ移動（７、第：３１り階で、Ｙ方向と同様にＸ
方向に１１℃子ビームを１００ ｌｔｍの長さだけ］「
査し７て、Ｘ方向波−スマークの有無を識別し、無い場
合は５０μｍだけ試料台を移動し、同一ライン群内のコ
ードマークを読んでＸ方向の位１メツを決定する。こう
して、１００μｍ という短い走査線で、しかもＸ方向
およびＹ方向についてそれぞれ１回の走査で１００μｍ
の精度の粗調整が行われる。
、Ｙ方向波−スマークの有無を識別する。この場合、走
査線の長さはわずか１００μｍなので、隣接する仝１パ
導ｆトチツブをラド査して？ｉ’！７岡することはない
。Ｙ方向ベースマークがＷい出されない（ハ合、試料台
をＹ方向に５０ ｔｔｍだけ移ＩＩｊｌｌさせる。Ｙ方
向ベースマークのイｒ在が識別できたら、第２段階で、
そのＹ方向ベースマークのイル旨Ｅ’Ｔｆ４１１べるた
めに、このＹ方向ベースマークと同一のライン群内のコ
ード−１−り１〜読む。この結果、Ｙ方向のイ＼γ僅は
１．００ ／咄の積度で決定される。次にこの決定しま
たＹ方向の位置から、Ｘ方向ベースマークの存在領域ま
での１１１ｉ １Ｊ！Ｉｆがわかるので、試料台をその
距離だけ移動（７、第：３１り階で、Ｙ方向と同様にＸ
方向に１１℃子ビームを１００ ｌｔｍの長さだけ］「
査し７て、Ｘ方向波−スマークの有無を識別し、無い場
合は５０μｍだけ試料台を移動し、同一ライン群内のコ
ードマークを読んでＸ方向の位１メツを決定する。こう
して、１００μｍ という短い走査線で、しかもＸ方向
およびＹ方向についてそれぞれ１回の走査で１００μｍ
の精度の粗調整が行われる。
Ｘ方向およびＹ方向について、それぞれのぜ−スマーク
の位置がわかれば、位置決定にあずかっタセースマーク
と、この被−スマークから１００／１ｍＰ（Ｉれた隣り
のに一スマークとの間の中心位置は０１μｍの精度で決
定できる。
の位置がわかれば、位置決定にあずかっタセースマーク
と、この被−スマークから１００／１ｍＰ（Ｉれた隣り
のに一スマークとの間の中心位置は０１μｍの精度で決
定できる。
Ｋ−スマークの数はＸ、７両方向とも５０本と極めて多
いので、複数回のウェー−・の処理によっても、同一の
ベースマークを走査する可能性は少ないが、乱数を用い
て、走査場所を処理−［程毎に異ならしめることも可能
である。
いので、複数回のウェー−・の処理によっても、同一の
ベースマークを走査する可能性は少ないが、乱数を用い
て、走査場所を処理−［程毎に異ならしめることも可能
である。
第８図は本発明の他の実施例による位ｈ’ｉ決定用チッ
プの概略を模式的に示す平面図である。第８図において
、位置決め用チップ２ａ６は第５図と同じもｑを模式的
に示しており、第５図と異なるところは、チップの周辺
にウェーハの１１」」転角度検出用の突起状のパターン
Ｐｌ−Ｐ４ｅ有していることである。パターンＰ１とＰ
３をそれぞれＸ方向およびＹ方向に１００μｍの走査［
ｔ）で走査することによりＸ方向に関するウェー・ハの
簡キがわかる。同様にパターンＰ２とＰ４を走査してＹ
方向に関するウェーハの傾きがわかる。複数回の処理を
行う場合は各パターンの異なる１易所を走査すればよい
。
プの概略を模式的に示す平面図である。第８図において
、位置決め用チップ２ａ６は第５図と同じもｑを模式的
に示しており、第５図と異なるところは、チップの周辺
にウェーハの１１」」転角度検出用の突起状のパターン
Ｐｌ−Ｐ４ｅ有していることである。パターンＰ１とＰ
３をそれぞれＸ方向およびＹ方向に１００μｍの走査［
ｔ）で走査することによりＸ方向に関するウェー・ハの
簡キがわかる。同様にパターンＰ２とＰ４を走査してＹ
方向に関するウェーハの傾きがわかる。複数回の処理を
行う場合は各パターンの異なる１易所を走査すればよい
。
本発明は以上の実施例に限定されるものでけなく、Ｘ方
向およびＹ方向の−？−メースクの領域の位置および大
きさ、本数、コードマークの本数等に様々の変形が考え
られる。また、波−スマークおよびコードマークは溝の
形式で形成したが、ウェーハの材料と赤なる月料を用い
て形成してもよい。
向およびＹ方向の−？−メースクの領域の位置および大
きさ、本数、コードマークの本数等に様々の変形が考え
られる。また、波−スマークおよびコードマークは溝の
形式で形成したが、ウェーハの材料と赤なる月料を用い
て形成してもよい。
（７）発明の詳細
な説明したように、本発明により、ウェーハの位ｉ６．
決定用チップに多数のベースマークと各４−スマークの
位ｅを示すコードマークを形成したことによシ、従来よ
りはるかにくυい走査線でウェーハの位１６を決定する
ことが出来るので、電子ビームによるウェーハの位置次
回に際して他のテップを破博することはないばかりが、
同一のウェーハ位置決定用チップを多数回走査すること
が可能になる。又本方式は電子ビーム露光装置のみにと
どまらず電子ビームを用いたウェーハの検査装置、寸法
測長機等でも同様に有効な位置合わせ千ｆ々となる。
決定用チップに多数のベースマークと各４−スマークの
位ｅを示すコードマークを形成したことによシ、従来よ
りはるかにくυい走査線でウェーハの位１６を決定する
ことが出来るので、電子ビームによるウェーハの位置次
回に際して他のテップを破博することはないばかりが、
同一のウェーハ位置決定用チップを多数回走査すること
が可能になる。又本方式は電子ビーム露光装置のみにと
どまらず電子ビームを用いたウェーハの検査装置、寸法
測長機等でも同様に有効な位置合わせ千ｆ々となる。
第１図はウェーハ上に設けられた従来の位置決定用チッ
プを概略的に示す平面図、第２図ＣＦＬ） 、 （ｂ＞
はそれぞれ、第１図に示した粗ハ［１１川１チツプの従
来例を示す拡大平面図、第３図は第１１’χ１に示した
Ｒ訓用ブーッゾの１例を示す拡大平面図、第４図ケよ複
数のマークを有する従来の粗調用チップの概略平面図、
第５図は本発明の一実施例によるウェーハの位１４決定
方式に用いられる位置決定用チップの概略を示す平面図
、第６図は第５図の一１制７）、大平面図、第７図は第
６図の■１−■線拡大断面図、そパして第８図は本発明
の他の実施例による位１ｉ、Ｊ決定用チップの概略を模
式的に示す平面図である。 ２ａｏ・・・位置決定用チップ、７ＸＩ ＋ ｌＸ２
＋・・・Ｘ方向ベースマーク、６ｙ１ ＋ １５ｙ
２＋・・・Ｙ方向ベースマーク、ＣＭ ｘ Ｉ＊ ＣＭ
Ｘ ２ 、・、・・Ｘ方向コードマーク、ＣＭｙｌ
・・・Ｙ 方向マークコード。 若竹１１０会４人 ７？ｖ士通株式会社 ＩＩ″＋＋許出願代理人 ブＰ浬士 捏 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 ブＰ理士 内 １） 幸 男 弁１′１１！士 山 口 昭 之 第２図 第３図 （ｏ） （ｂ） 第５図 第６図
プを概略的に示す平面図、第２図ＣＦＬ） 、 （ｂ＞
はそれぞれ、第１図に示した粗ハ［１１川１チツプの従
来例を示す拡大平面図、第３図は第１１’χ１に示した
Ｒ訓用ブーッゾの１例を示す拡大平面図、第４図ケよ複
数のマークを有する従来の粗調用チップの概略平面図、
第５図は本発明の一実施例によるウェーハの位１４決定
方式に用いられる位置決定用チップの概略を示す平面図
、第６図は第５図の一１制７）、大平面図、第７図は第
６図の■１−■線拡大断面図、そパして第８図は本発明
の他の実施例による位１ｉ、Ｊ決定用チップの概略を模
式的に示す平面図である。 ２ａｏ・・・位置決定用チップ、７ＸＩ ＋ ｌＸ２
＋・・・Ｘ方向ベースマーク、６ｙ１ ＋ １５ｙ
２＋・・・Ｙ方向ベースマーク、ＣＭ ｘ Ｉ＊ ＣＭ
Ｘ ２ 、・、・・Ｘ方向コードマーク、ＣＭｙｌ
・・・Ｙ 方向マークコード。 若竹１１０会４人 ７？ｖ士通株式会社 ＩＩ″＋＋許出願代理人 ブＰ浬士 捏 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 ブＰ理士 内 １） 幸 男 弁１′１１！士 山 口 昭 之 第２図 第３図 （ｏ） （ｂ） 第５図 第６図
Claims (1)
- １、試料」二に設けた位置決め用マークｌ＋、Ｉ ＩＴ
いに平行に設けられた複数のライン群を備、え、該ライ
ン群の各々は基準ラインと該Ｉｌｌ、：準ラインハライ
ンの距離だけ部れた位ｆＱに：１択的に設けられたコー
ドラインを有し、電子ビームヲｘｑライン群に略垂直な
方向に、かつ少なくとも１個の該ライン群をカバー出来
る長さだけ走査し、該ライン群の該コードラインの情報
を解析することにより該試料の位置を決定することを特
徴とする電子ビームを用いた試料の位置決定方式。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57172170A JPS5960306A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 位置決定用チップを備えた試料 |
| EP83305829A EP0105711B1 (en) | 1982-09-30 | 1983-09-28 | Determining the position of a wafer by means of electron beams |
| DE8383305829T DE3380230D1 (en) | 1982-09-30 | 1983-09-28 | Determining the position of a wafer by means of electron beams |
| US06/537,624 US4564764A (en) | 1982-09-30 | 1983-09-30 | Wafer having chips for determining the position of the wafer by means of electron beams |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57172170A JPS5960306A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 位置決定用チップを備えた試料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960306A true JPS5960306A (ja) | 1984-04-06 |
| JPS6352328B2 JPS6352328B2 (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=15936865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57172170A Granted JPS5960306A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 位置決定用チップを備えた試料 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4564764A (ja) |
| EP (1) | EP0105711B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5960306A (ja) |
| DE (1) | DE3380230D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62174914A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-07-31 | Nec Corp | 半導体装置を形成する半導体ウエハ− |
| JPS62208627A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Jeol Ltd | 荷電粒子線描画におけるマ−ク位置検出方法 |
| JPH02241022A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 電子ビーム露光装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4814626A (en) * | 1985-12-13 | 1989-03-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for high precision position measurement of two-dimensional structures |
| US5087537A (en) * | 1989-10-11 | 1992-02-11 | International Business Machines Corporation | Lithography imaging tool and related photolithographic processes |
| JPH07142352A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-06-02 | Nec Corp | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 |
| EP0669636A1 (en) * | 1994-02-25 | 1995-08-30 | AT&T Corp. | Manufacturing system error detection |
| FR2709868B1 (fr) * | 1994-08-23 | 1996-04-19 | Schlumberger Technologies Inc | Grille de positionnement pour gravure par faisceau ionique focalisé. |
| US6126382A (en) * | 1997-11-26 | 2000-10-03 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for aligning substrate to chuck in processing chamber |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE756684A (fr) * | 1969-09-25 | 1971-03-01 | Commw Of Australia | Dispositif pour le routage de signaux de telecommunication discontinus |
| US3603974A (en) * | 1969-12-31 | 1971-09-07 | Nasa | High speed photo-optical time recording |
| GB1328976A (en) * | 1970-12-22 | 1973-09-05 | Marconi Co Ltd | Electronic scanning devices |
| US3849659A (en) * | 1973-09-10 | 1974-11-19 | Westinghouse Electric Corp | Alignment of a patterned electron beam with a member by electron backscatter |
| GB1520925A (en) * | 1975-10-06 | 1978-08-09 | Mullard Ltd | Semiconductor device manufacture |
| US4327292A (en) * | 1980-05-13 | 1982-04-27 | Hughes Aircraft Company | Alignment process using serial detection of repetitively patterned alignment marks |
| JPS5795627A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for arranging mark in electron beam exposure |
| JPS57210628A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-24 | Hitachi Ltd | Retrieving method for pattern data in electron beam drawing device |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57172170A patent/JPS5960306A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-28 DE DE8383305829T patent/DE3380230D1/de not_active Expired
- 1983-09-28 EP EP83305829A patent/EP0105711B1/en not_active Expired
- 1983-09-30 US US06/537,624 patent/US4564764A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62174914A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-07-31 | Nec Corp | 半導体装置を形成する半導体ウエハ− |
| JPS62208627A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Jeol Ltd | 荷電粒子線描画におけるマ−ク位置検出方法 |
| JPH02241022A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 電子ビーム露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3380230D1 (en) | 1989-08-24 |
| US4564764A (en) | 1986-01-14 |
| EP0105711B1 (en) | 1989-07-19 |
| EP0105711A3 (en) | 1986-02-19 |
| EP0105711A2 (en) | 1984-04-18 |
| JPS6352328B2 (ja) | 1988-10-18 |
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