JPS5958843A - フリツプチツプ用バンプ製造方法 - Google Patents

フリツプチツプ用バンプ製造方法

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JPS5958843A
JPS5958843A JP17019482A JP17019482A JPS5958843A JP S5958843 A JPS5958843 A JP S5958843A JP 17019482 A JP17019482 A JP 17019482A JP 17019482 A JP17019482 A JP 17019482A JP S5958843 A JPS5958843 A JP S5958843A
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JP
Japan
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solder
chip
bump
melting point
bumps
Prior art date
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Pending
Application number
JP17019482A
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English (en)
Inventor
Yukihiro Inoue
幸弘 井上
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明はフリップチップ用バンプ製造方法に関するもの
である。
〈従来技術〉 フリップチップ用バンプ製造方法として、ＬＳＩチップ
のパッド上に設けられた金属層上にディッピング法によ
りハンダを付着・硬化せシメてハンダ・バンプを形成す
る方法÷噛るが・単にハンダを付着・硬化せしめるだけ
では、充分なバンプ高さが得られず、また、ボンディン
グ時にハンダが横に流れてしまうといった問題がある念
め、従来に於ては、ハンダ付着の前に、高さをかせぎ且
つボンディングの際にＬＳＩチップと基板との間に所定
の間隔を保持して、ハンダが横に流れないようにするた
めのストッパーとしての役目を果たすスタンド・オフと
呼ばれるものを、金属（Ｃｕ等）メッキ或いは金属（Ｃ
ｕ等）ボールの取り付は等の方法により別途設ける方法
をとっていた。
そのために、製造工程が複雑化し、更に・それが製品の
コスト・アップの要因ともなるという問題点があった。
〈発明の目的及び概要〉 本発明は上述の問題点を解決することを目的としてなさ
れたものである。すなわち、本発明は、従来に於けるメ
ッキ工程や金属ボール取り付は工程を不要とするも、充
分なバンプ高さが得られ且つボンディング時にＬＳＩチ
ップと基板との間に所定の間隙を保持させることも可能
なフリップチノブ用バンプの製造方法を提供することを
目的としてなされたものであり、上記目的達成のために
、ＬＳＩチップのパッド上に設けられた金属層上に、デ
ィッピング法により高融点・・ンダを付着・硬化せしめ
てスタンド・オフと成し、さらにその上に、同じくディ
ッピング法（Ｃより接続材々なる低融点ハンダを付着・
硬化せしめてハンダ・バンプを形成するようにしたこと
を特徴とするフリップチップ用バンプ製造方法を提供す
るものである。
〈実施例〉 以下、実施例を説明する。
第１図は本発明に係るバンプ製造方法を示す製造工程図
（断面図）である。
■　ｌｊＬ］Ｉチップであり、２（ｌ−ｔそのパッド上
に設けられた、ハンダ付けを可能とする金属層（Ｃｒ−
Ｃｕ等）である。
■　金属層２」二にディッピング法により高融点ハンダ
（例えば、１Ｏ５ｎ−９０Ｐｂ）８ｆ付着せしめ、その
後硬化させてスタンド・オフとする。
■　高融点ハンダから成るスタンド・オフ３上に、更に
、同じくディッピング法により低融点ノ・ンダ（例えば
、６８８ｎ−８７Ｐｂ）４を付着せしめ、その後硬化さ
せる。
以北によりハンダ・バンプが形成される。
低融点ハンダ付着時の温度は２４０ｎ程度であるので、
軟化点８００℃の上記高融点ノ・ンダから成るスタンド
・オフが軟化することはなく、高融点ハンダ（スタンド
・オフ）３と低融点ノ・ンダ４の２層構造から成るハン
ダ・バンプが形成される。
高融点ハンダ及び低融点ノ・ンダそれぞれの高さは１０
−１５μ程度であり、全体として、高さ２０〜３０μ程
度のバンプが得られる。
ＬＳＩチップと基板とのボンディング時の温度を２４０
ｎ程度にすることにより、高融点ノ）ンダ３は熔けずに
ストッパーとしての役目を果たし、低融点ハンダ４のみ
熔けて、該ノ・ンダ４によりボンディングが達成される
。
第２図はボンディング完了後の状態を示す断面く効果〉 以上説明したように本発明のフリップチップ用バンプ製
造方法によれば、メッキ工程等を全く必要とせずに、充
分な高さをもち且つストツノく−も有する・・ンダ・バ
ンプを得られるものであり、製造工程の簡略化、製品の
コスト・ダウンを達成できるきわめて優れた発明である
。
【図面の簡単な説明】
第１図は製造工程図、第２図は断面図である。 符号の説明 １：ＬＳＩチップ、２：金属層、３：高融点ノ・ンダ（
スタンド・オフ）、４：低融点ノーンタ、５：基板、６
：配線。 代理人　弁理士　福　士　愛　彦（他２名ン第２図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、ＬＳＩチップのパッド上に設けられた金属層上に、
    ディッピングＮ法により高融点ハンダを付着させ、その
    後、硬化させてスタンド・オフ、！：なし、更に、その
    上に、同じくディッピング法により接続材となる低融点
    ハンダを付着・硬化させて、ハンダ・バンプを形成する
    ことを特徴とするフリップチップ用バンプ製造方法。
JP17019482A 1982-09-28 1982-09-28 フリツプチツプ用バンプ製造方法 Pending JPS5958843A (ja)

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ID=15900412

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