JPS5958745A - 微弱発光現象の観測装置 - Google Patents
微弱発光現象の観測装置Info
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- JPS5958745A JPS5958745A JP57169381A JP16938182A JPS5958745A JP S5958745 A JPS5958745 A JP S5958745A JP 57169381 A JP57169381 A JP 57169381A JP 16938182 A JP16938182 A JP 16938182A JP S5958745 A JPS5958745 A JP S5958745A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
- H01J31/501—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output with an electrostatic electron optic system
- H01J31/502—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output with an electrostatic electron optic system with means to interrupt the beam, e.g. shutter for high speed photography
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
-
- G—PHYSICS
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- G01J2001/4238—Pulsed light
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高速で繰返し発生させられる生体や有機化合物
等からの微弱パルス光を高感度で観測する微!J(i発
光現象の観測装置に関する。
等からの微弱パルス光を高感度で観測する微!J(i発
光現象の観測装置に関する。
有機化合物の螢光発光を観測して化合物の組成を特定し
たり、生体の螢光発光を観測して病巣を発見する等ir
+’1弱な螢光発光を正G(「に測定したいと言う強い
要請がある。
たり、生体の螢光発光を観測して病巣を発見する等ir
+’1弱な螢光発光を正G(「に測定したいと言う強い
要請がある。
このような場合410体や有機化合物である被観測体を
強く励起すると被観測体が変質さ・Uられる恐れがある
。したがっ′ζ、観測可能な螢光発光を得るのに充分な
励起をすることができないことがしばしばある。
強く励起すると被観測体が変質さ・Uられる恐れがある
。したがっ′ζ、観測可能な螢光発光を得るのに充分な
励起をすることができないことがしばしばある。
(2)
高速で変化する微弱な発光現象を観Δ1りする装置とし
てマイクロチャンネルプレ−1・を内蔵したストリーク
管が知られている。
てマイクロチャンネルプレ−1・を内蔵したストリーク
管が知られている。
前記スI−リーク管により、微弱光を光電面で光電変換
して光電子を発生させ、前記光電子を偏向電極で偏向さ
−1、光電子をマイク+1チヤンネルプレートで増倍し
、前記マイクロチャンネルプレー1・出力により螢光面
を励起し、螢光面に入射した光を増倍して観測すること
ができる。
して光電子を発生させ、前記光電子を偏向電極で偏向さ
−1、光電子をマイク+1チヤンネルプレートで増倍し
、前記マイクロチャンネルプレー1・出力により螢光面
を励起し、螢光面に入射した光を増倍して観測すること
ができる。
しかし前記装置を使用しても、螢光面に充分な輝度を得
ることができないことが多い。
ることができないことが多い。
そこで本件発明者等は、被観測体の励起とストリーク管
の偏向を同期させて螢光発光のストリーク像を螢光面に
重畳させることにより、輝度を増加させることに着目し
、実験を行ったが良い結果が得られなかった。
の偏向を同期させて螢光発光のストリーク像を螢光面に
重畳させることにより、輝度を増加させることに着目し
、実験を行ったが良い結果が得られなかった。
この原因は次の理由によるものと考えられる。
マイクロチャンネルプレートのような連続ダイノードを
有する二次電子増倍器では、−次電子がダイノード壁へ
衝突する角度やチャンネルの入口か(3) ら出1」までの間7?−・次電イがクイノー1壁へih
突する回数にばらつきが生ずる。
有する二次電子増倍器では、−次電子がダイノード壁へ
衝突する角度やチャンネルの入口か(3) ら出1」までの間7?−・次電イがクイノー1壁へih
突する回数にばらつきが生ずる。
一次電子の衝突する角度は、放出される二次電子の数に
影響しく垂直にiΦi突する場合の方が水平に近い角度
で衝突′4る場合より二次電子増倍率は大きい)電Yの
衝突する回数は一回の衝突による二次電子増倍率の回数
乗として電子増倍率に影響する。
影響しく垂直にiΦi突する場合の方が水平に近い角度
で衝突′4る場合より二次電子増倍率は大きい)電Yの
衝突する回数は一回の衝突による二次電子増倍率の回数
乗として電子増倍率に影響する。
このようなことから、マイクロチャンネルプレー1・の
任意の一つのチャンネルに1個の電子が入射したとき出
力される電子の数は第1図へに示すように広い範囲に分
布する。
任意の一つのチャンネルに1個の電子が入射したとき出
力される電子の数は第1図へに示すように広い範囲に分
布する。
このグラフから一つの光電子に対する出力電子数が少な
い場合が月二例的に多く、出力電子数が多くなる確率は
次第に減少する分布となっていることが理解できる。
い場合が月二例的に多く、出力電子数が多くなる確率は
次第に減少する分布となっていることが理解できる。
このような増倍特性のマイクロチャンネルプレー1−ヲ
用いたストリーク管で繰返し光パルスのス1−リーク像
を前記ストリーク管の螢光面」二に重ね合わせると、個
々の光パルスのストリーク像の輝(4) 度のばらつきが大きいため、その重ね合わせたストリー
ク像の輝度にもばらつきが生じ良好な重ね合−V像が得
られない。
用いたストリーク管で繰返し光パルスのス1−リーク像
を前記ストリーク管の螢光面」二に重ね合わせると、個
々の光パルスのストリーク像の輝(4) 度のばらつきが大きいため、その重ね合わせたストリー
ク像の輝度にもばらつきが生じ良好な重ね合−V像が得
られない。
一般にN(lliIの電子の量子ノイズはN l/2と
なり、S/N比はN l/2となるから重ね合わせによ
って、S/N比を向上させることができるように思われ
るが、前述のようなマイクロチャンネルプレー1・の増
倍率のばらつきもまたノイズの一回でその大きさばN
172以上となり、結果的に期待する効果を得ることが
出来なかったのである。
なり、S/N比はN l/2となるから重ね合わせによ
って、S/N比を向上させることができるように思われ
るが、前述のようなマイクロチャンネルプレー1・の増
倍率のばらつきもまたノイズの一回でその大きさばN
172以上となり、結果的に期待する効果を得ることが
出来なかったのである。
本発明の目的は一光電子が入射したときマイクロチャン
ネルプレー1・から送出される電子数のばらつきを少な
くすることができるマイク+1チヤンネルプレー1・を
用いて得られるストリーク管を螢光面」二で重畳し、得
られた螢光面の輝度を光電変換ずなわち撮像することに
よって、前記問題を解決した微弱発光現象の観測装V1
゛を提供するごとにある。
ネルプレー1・から送出される電子数のばらつきを少な
くすることができるマイク+1チヤンネルプレー1・を
用いて得られるストリーク管を螢光面」二で重畳し、得
られた螢光面の輝度を光電変換ずなわち撮像することに
よって、前記問題を解決した微弱発光現象の観測装V1
゛を提供するごとにある。
前記目的を達成するために本発明による微弱発光現象の
観測装置は、観測対象物に励起信号を−(5) 定周期で繰り返し送出して対応する発光をさ・已る励起
信号源と、前記繰り返し発光を光電変換する光電面、光
電子を偏向する偏向電界を発注する偏向電極、単一・光
電子を複数の略一定電半数に増倍するマイクロチャンネ
ルプレー1・、前記マイクロチャンネルプレート出力に
より励起される螢光面を有するストリーク管と、前記信
号源から送出した励起信号と同期した掃引電圧を前記偏
向電極に印加する偏向回路と、前記ストリーク管の螢光
面の輝度を光電変換して検出する検出手段とから構成さ
れている。
観測装置は、観測対象物に励起信号を−(5) 定周期で繰り返し送出して対応する発光をさ・已る励起
信号源と、前記繰り返し発光を光電変換する光電面、光
電子を偏向する偏向電界を発注する偏向電極、単一・光
電子を複数の略一定電半数に増倍するマイクロチャンネ
ルプレー1・、前記マイクロチャンネルプレート出力に
より励起される螢光面を有するストリーク管と、前記信
号源から送出した励起信号と同期した掃引電圧を前記偏
向電極に印加する偏向回路と、前記ストリーク管の螢光
面の輝度を光電変換して検出する検出手段とから構成さ
れている。
以下図面等を参照して本発明をさらにn’f L、 <
説明する。第2図は本発明による観測装置の実施例を示
ずブ1゛Jツク図である。
説明する。第2図は本発明による観測装置の実施例を示
ずブ1゛Jツク図である。
この実施例装置は癌の診断や治療に利用される有機分子
性結晶であるヘラl−ポルフィリン誘導体を特定するた
めに−・71ポルフィリン誘導体の微弱な螢光発光を観
測することを目的として構成されたものである。
性結晶であるヘラl−ポルフィリン誘導体を特定するた
めに−・71ポルフィリン誘導体の微弱な螢光発光を観
測することを目的として構成されたものである。
ダイレーデ発振器1は波長的600 nm、パルス幅(
6) 5 p secのレーザ光を周波数80〜2 (10M
llzの範囲の任意の繰返し周期で発光可能である。
6) 5 p secのレーザ光を周波数80〜2 (10M
llzの範囲の任意の繰返し周期で発光可能である。
このダイレーザ発振器1はこの実施例装置の観測対象物
に励起信号を前記周期で繰り返し送出し、対応する螢光
発光をさせる励起信号源を形成している。
に励起信号を前記周期で繰り返し送出し、対応する螢光
発光をさせる励起信号源を形成している。
反透明鏡2ばビームスプリンタを形成し、前記ダイレー
ザ発振器1の出力光を2系列に分岐する。
ザ発振器1の出力光を2系列に分岐する。
分岐された一方のパルスレーザ光は観測対象であるヘマ
トポルフィリン誘導体4を照射゛4゛る。
トポルフィリン誘導体4を照射゛4゛る。
ヘマトポルフィリン誘導体4はパルスレーデ光によって
励起されて螢光を発生ずる。
励起されて螢光を発生ずる。
前記螢光発光はストリーク管3の光電面31に投影され
る。光電面31から放出される電子は、入射する先の光
子数の数十パーセントであるが、その比は統計的に正確
に対応する。
る。光電面31から放出される電子は、入射する先の光
子数の数十パーセントであるが、その比は統計的に正確
に対応する。
光電面31に投影される光の形成する像はス1−リーク
管3の後述する掃引方向に対して極めて狭い幅となるよ
うにする。そのため、スリット、レンズ等からなる光学
系を投影光学系として用いる。
管3の後述する掃引方向に対して極めて狭い幅となるよ
うにする。そのため、スリット、レンズ等からなる光学
系を投影光学系として用いる。
(7)
分岐させられた他方のパルスレーザ光はPINフメトダ
・fオー15に入射させられる。
・fオー15に入射させられる。
11Nソ第1・ダイオード′5は極め−ζ応答速度が速
い光電素子で、パルスレーデ光の入射に応答し゛(パル
ス電流を出力する。I)INツメ1−ダイオード5のn
“1力は増幅器におよび可変遅延量1/37を経て同調
増幅器)(に1・妾続されている。
い光電素子で、パルスレーデ光の入射に応答し゛(パル
ス電流を出力する。I)INツメ1−ダイオード5のn
“1力は増幅器におよび可変遅延量1/37を経て同調
増幅器)(に1・妾続されている。
可変遅延回路7は、光電面31からの光電子が偏向電極
33を通過しているときに掃引電圧を加えるために)!
!j当2k ”、+l’ 1ifl trE号を遅延す
るために設りたちのである。
33を通過しているときに掃引電圧を加えるために)!
!j当2k ”、+l’ 1ifl trE号を遅延す
るために設りたちのである。
同調用り’ul A:t E+ 11: fl 0〜2
001・1111の範囲で仕、念の周波数を中心周波数
として動作可能であり、その中心周波数はダ・イレーザ
の発振器1の周波数と等しく設定されている。
001・1111の範囲で仕、念の周波数を中心周波数
として動作可能であり、その中心周波数はダ・イレーザ
の発振器1の周波数と等しく設定されている。
そして、この同111M増幅器8はPIN−7tトダイ
オーI・5の出力パルスの繰返し周波数と同期した正弦
波を送出する。同調増幅器E(の出力である正弦波は駆
動増幅器9で増幅されストリーク管3の偏向電極33に
印加される。
オーI・5の出力パルスの繰返し周波数と同期した正弦
波を送出する。同調増幅器E(の出力である正弦波は駆
動増幅器9で増幅されストリーク管3の偏向電極33に
印加される。
(8)
この偏向電極33に印加される正弦波の振幅は一575
ボルトから+575ボルトまでの1150ポルl−であ
り、+100ボルトから一100ポルI・までが掃引に
利用される。
ボルトから+575ボルトまでの1150ポルl−であ
り、+100ボルトから一100ポルI・までが掃引に
利用される。
ストリーク@3の気密容器30の入射面の内壁には、光
電面31が形成されており、これに対向する他の面内壁
には螢光面34が形成されている。
電面31が形成されており、これに対向する他の面内壁
には螢光面34が形成されている。
それ等の間に網状電極35.柴束電極36.アパーチャ
電極37.偏向電極33.わん曲したチャンネルを持つ
マイクロチャンネルプレーt−(またはカーブドマイク
ロチャンネルプレー1・とい゛う)32が順次配置され
ている。
電極37.偏向電極33.わん曲したチャンネルを持つ
マイクロチャンネルプレーt−(またはカーブドマイク
ロチャンネルプレー1・とい゛う)32が順次配置され
ている。
カーブドマイクロチャンネルプレート32は、32.7
mmの外jl’、 27 mmの内径をもつ枠の中に
チャンネル(二次電子増倍器)が平行に配列している。
mmの外jl’、 27 mmの内径をもつ枠の中に
チャンネル(二次電子増倍器)が平行に配列している。
各チャンネル(二次電子増倍器)は、内f51.25μ
mでこの中心との間は32μmである。
mでこの中心との間は32μmである。
各チャンネル(二次電子増倍器)の長さと内径の比は8
0:lである。各チャンネルに−次電子増倍器)の軸は
入口部分でカーブドマイク1′1チヤン(9) ネルプレート32の軸と15゛、中央部分で平行で、出
口部分で入口部分とは逆の方向に15゛を保っている。
0:lである。各チャンネルに−次電子増倍器)の軸は
入口部分でカーブドマイク1′1チヤン(9) ネルプレート32の軸と15゛、中央部分で平行で、出
口部分で入口部分とは逆の方向に15゛を保っている。
前記カーブドマイクし1チヤンネルプレート32の入力
側電極を接地し、出力側電極に1500ボルトを印加し
て、入力側に1個の電子が入射すると第3図に示すよう
に約1.5xlOら(Ifilを中心として半値幅[1
X105個の極めて狭い範囲に分布する数の電子が出力
側から送出される。
側電極を接地し、出力側電極に1500ボルトを印加し
て、入力側に1個の電子が入射すると第3図に示すよう
に約1.5xlOら(Ifilを中心として半値幅[1
X105個の極めて狭い範囲に分布する数の電子が出力
側から送出される。
マイクロチャンネルプレート32の入力側電極およびア
パーチ中電極37は接地されている。電源2Iと分割抵
抗22,23,24.25によって光電面31に一40
00ボルト、網状電極−3000ボルト、集束電極に一
3100ボルトの電位が与えられている。螢光面34は
電源25によりカーブド−フィクロチャンネルプレー1
・32の出力側電極より30110ボルト高い電位が与
えられている。カーブドマイクロチャンネルプレー1・
32の出力側電極は、電源26によりI 500ポル1
−の電位がL5えられている。
パーチ中電極37は接地されている。電源2Iと分割抵
抗22,23,24.25によって光電面31に一40
00ボルト、網状電極−3000ボルト、集束電極に一
3100ボルトの電位が与えられている。螢光面34は
電源25によりカーブド−フィクロチャンネルプレー1
・32の出力側電極より30110ボルト高い電位が与
えられている。カーブドマイクロチャンネルプレー1・
32の出力側電極は、電源26によりI 500ポル1
−の電位がL5えられている。
(10)
テレビジョンカメラ10はストリーク1((3の螢光面
を撮像するように設置されている。テレビジョンカメラ
10の水平走査線の方向とス1−リーク管3の偏向方向
とは垂直の関係にある。
を撮像するように設置されている。テレビジョンカメラ
10の水平走査線の方向とス1−リーク管3の偏向方向
とは垂直の関係にある。
次に前記装置の動作を第4図を参jj/j L、 7説
明する。第4図は動作原理を説明する1llJf図であ
る。
明する。第4図は動作原理を説明する1llJf図であ
る。
信号源であるダイレーザ発振器1出力に、1、って励起
され−0発光した有機分子性結晶であるー・マI−ポル
フィリン誘導体4からの螢光はスリン1s1、およびレ
ンズ1.]を介し“C前記ストリーククゞi3の光電面
31に導かれる。
され−0発光した有機分子性結晶であるー・マI−ポル
フィリン誘導体4からの螢光はスリン1s1、およびレ
ンズ1.]を介し“C前記ストリーククゞi3の光電面
31に導かれる。
ストリーク管3の光電面31には第4図にボずように線
状の螢光像が形成される。
状の螢光像が形成される。
1);j記ストリーク管3の光電面31で1ilられた
光電子は螢光面34の方向へ加速され゛Cストリーク管
の中を進め、その途中で前記偏向電極;(3(第2図番
11Q )に加えられた掃引電圧にょ−J ’(Ii’
*l引される。掃引の方向は前記螢光像に泊交1−るツ
ノ向である。
光電子は螢光面34の方向へ加速され゛Cストリーク管
の中を進め、その途中で前記偏向電極;(3(第2図番
11Q )に加えられた掃引電圧にょ−J ’(Ii’
*l引される。掃引の方向は前記螢光像に泊交1−るツ
ノ向である。
なおス1−リーク像を生ずる掃引に対して、α・ず逆方
向の掃引電圧が生ずるが、このときはその電界内に光電
子はないので、逆方向のストリーク像が市なることはな
い。
向の掃引電圧が生ずるが、このときはその電界内に光電
子はないので、逆方向のストリーク像が市なることはな
い。
偏向電極33に加えられた掃引電圧は、前述の螢光発光
現象を生ぜしめる励起借り源であるダイレーザ発振’A
:41の出力と同期している。
現象を生ぜしめる励起借り源であるダイレーザ発振’A
:41の出力と同期している。
その結果、前述の螢光発光現象のストリーク像は螢光面
34」、の−・定の部分に繰り返し重畳され表示される
。螢光面34に輝度と時間の座標を重ねて示しである。
34」、の−・定の部分に繰り返し重畳され表示される
。螢光面34に輝度と時間の座標を重ねて示しである。
例えば繰り返し周波数100 Mllzのダイレーザで
励起した螢光を1秒間重ねると、重ね合ね・Uたストリ
ーク像の数番、I: F 08個となり、10’〜10
4回のJjiI+起によって光子1111i1を牛しる
ような超微弱な光現象の測定がiiJ能となる。
励起した螢光を1秒間重ねると、重ね合ね・Uたストリ
ーク像の数番、I: F 08個となり、10’〜10
4回のJjiI+起によって光子1111i1を牛しる
ような超微弱な光現象の測定がiiJ能となる。
ごの市4ツされ輝度を増加さ・UられたスI−リーク像
は、テレビジ−1ンカメラI(Hこより撮像される。
は、テレビジ−1ンカメラI(Hこより撮像される。
テレビジ−ジンカメラIOの水平走査線の方向は前記肋
間軸に1111角で、走査線ごとに対応する時間の輝度
の情)・Uが取り出される。
間軸に1111角で、走査線ごとに対応する時間の輝度
の情)・Uが取り出される。
この映像信号を解析することにより、−\7トボルフイ
リン誘導体4の螢光発光の時間的変化の情を目を得るこ
とができる。このようにしC(ニアられた螢光の強度と
時間の関係を解析するこ−とに、1、り種類等を特定す
ることができる。
リン誘導体4の螢光発光の時間的変化の情を目を得るこ
とができる。このようにしC(ニアられた螢光の強度と
時間の関係を解析するこ−とに、1、り種類等を特定す
ることができる。
第5図にヘマトポルフィリン誘導体の典型的な螢光発光
波形の2例AおよびBを示しCある。
波形の2例AおよびBを示しCある。
螢光の波形は物質の化学的な性質および構造を表すもの
であるから、前述のように螢光波形を第4国人または■
3に得ることによって癌の治療に者与するヘマトポルフ
ィリン誘導体を特定したり、あるいはその構造を1す1
月男することができる。ヘマトポルフィリン誘導体のあ
るものは、人体に1−一プすると癌組織に集中する性質
があることが知られており、癌の発見と治療に応用でき
る。
であるから、前述のように螢光波形を第4国人または■
3に得ることによって癌の治療に者与するヘマトポルフ
ィリン誘導体を特定したり、あるいはその構造を1す1
月男することができる。ヘマトポルフィリン誘導体のあ
るものは、人体に1−一プすると癌組織に集中する性質
があることが知られており、癌の発見と治療に応用でき
る。
1;)、j二のように本発明によれば、ストリーク像を
形成する原因となる光電子をtll−の光電子ごとに一
定の電子数に増倍して螢光面にストリーク(Ziを重畳
して表示することができる。そし−(、二の螢光面の像
を撮像して映像信号をIJるので、彼観測体(13) が微弱な発光現象であってもS/’N比の大きなストリ
ーク像の映+4! inすが1qられる。ずなわら本発
明によれば、充う)li光発光得ることができない観測
物の発光を重畳し゛(観測可能なレー、ルとし′(撮像
し観測できるという効果がある。
形成する原因となる光電子をtll−の光電子ごとに一
定の電子数に増倍して螢光面にストリーク(Ziを重畳
して表示することができる。そし−(、二の螢光面の像
を撮像して映像信号をIJるので、彼観測体(13) が微弱な発光現象であってもS/’N比の大きなストリ
ーク像の映+4! inすが1qられる。ずなわら本発
明によれば、充う)li光発光得ることができない観測
物の発光を重畳し゛(観測可能なレー、ルとし′(撮像
し観測できるという効果がある。
以上詳しく説明した実施例にf=Jさ本発明の範囲で種
々の変形を施すことができる。
々の変形を施すことができる。
前述した実施例ではマイクしlチャンネルプレー1・と
じてカーブドマイクロチャンネルプレー1−を使用した
。
じてカーブドマイクロチャンネルプレー1−を使用した
。
一段ごとにハイーj′ス角(チャンネルの軸とマイクロ
ヂャンネルプレーIのなず角)をrl力゛向にとって積
み重ねた2枚Qルy−ヤンネルプシ・−1−を用いたシ
ェブロン形のマイクIJヂャンネルプレート、同様に積
め市ねた3枚のチャンネルプレー1・を用いたZブレー
1・などと呼ばれているマーイクロチャンネルプレ−1
〜、孔の位置を少し−J゛−アJ′らして積め重ねた積
層チャンネルプレー1・も同様に利用できる・さらに最
大の出力の電流に飽和特性を与えるごとに、L、す、単
一・光電子に対する出力電子数のう)(14) 布範囲を狭くすることができる。
ヂャンネルプレーIのなず角)をrl力゛向にとって積
み重ねた2枚Qルy−ヤンネルプシ・−1−を用いたシ
ェブロン形のマイクIJヂャンネルプレート、同様に積
め市ねた3枚のチャンネルプレー1・を用いたZブレー
1・などと呼ばれているマーイクロチャンネルプレ−1
〜、孔の位置を少し−J゛−アJ′らして積め重ねた積
層チャンネルプレー1・も同様に利用できる・さらに最
大の出力の電流に飽和特性を与えるごとに、L、す、単
一・光電子に対する出力電子数のう)(14) 布範囲を狭くすることができる。
第1図は従来のマイクロチャンネルプレー1・の単一電
子の増倍特性の一例を示−3−グラフである。 第2図に本発明による装置の実施例を示ずブロック図で
ある。 第3図は本発明による装置で使用するマ・イクロチャン
ネルプレ−1・の単一光電子の増(pi率を示すグラフ
である。 第4図は本発明による装置の動作を説明するだめの説明
図である。 第5図はヘマトポルフィリン誘導体の螢光発光特性の例
を示すグラフである。 1・・・ダイレーザ発振器 2・・・民選明鏡 3・・・ストリーク管 30・・・気密容器 31・・・ストリーク管の光電面 32・・・マイクロチャンネルプレ−1〜33・・・偏
向電極 34・・・螢光面 35・・・網状電極 36・・・集束電極 37・・・アパーヂャ電極 4・・・ヘラ1−ポルフィリン誘導体 5・・・))INソ第1−ダイオード゛6・・・増幅器 7・・・1■変遅延回路 8・・・同調用り6i器 9・・・駆動増幅器 10・・・う−レビジョンカメラ 21.25.2+i・・・電源 22.23.24・・・・分割抵抗 特許出願人 浜松テレビ株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽 手続補正書 昭和57年10月29日 特許庁長官 若杉 和夫 殿 1、事件の表示 ■計ロ57年特 許 願第1G9381号2、発明の名
称 微弱発光現象の観訓装置 3、特許出願人 4、代理人
子の増倍特性の一例を示−3−グラフである。 第2図に本発明による装置の実施例を示ずブロック図で
ある。 第3図は本発明による装置で使用するマ・イクロチャン
ネルプレ−1・の単一光電子の増(pi率を示すグラフ
である。 第4図は本発明による装置の動作を説明するだめの説明
図である。 第5図はヘマトポルフィリン誘導体の螢光発光特性の例
を示すグラフである。 1・・・ダイレーザ発振器 2・・・民選明鏡 3・・・ストリーク管 30・・・気密容器 31・・・ストリーク管の光電面 32・・・マイクロチャンネルプレ−1〜33・・・偏
向電極 34・・・螢光面 35・・・網状電極 36・・・集束電極 37・・・アパーヂャ電極 4・・・ヘラ1−ポルフィリン誘導体 5・・・))INソ第1−ダイオード゛6・・・増幅器 7・・・1■変遅延回路 8・・・同調用り6i器 9・・・駆動増幅器 10・・・う−レビジョンカメラ 21.25.2+i・・・電源 22.23.24・・・・分割抵抗 特許出願人 浜松テレビ株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽 手続補正書 昭和57年10月29日 特許庁長官 若杉 和夫 殿 1、事件の表示 ■計ロ57年特 許 願第1G9381号2、発明の名
称 微弱発光現象の観訓装置 3、特許出願人 4、代理人
Claims (4)
- (1)観測対象物に励起信号を一定周期で繰り返し送出
して対応する発光をさ−Uる励起信号源と、前記繰り返
し発光を光電変換する光電面、光電子を偏向する偏向電
界を発生ずる偏向電極 jli−光電子を複数の略一定
電子数に増倍するマイク1」チャンネルプレー1・、前
記マイクロチャンネルプレーI〜出力により励起される
螢光面を有するストリーク管と、前記信号源から送出し
た励起(#?”’jと同期した掃引電圧を前記偏向電極
に印加する偏向口l洛と、前記ストリーク管の螢光面の
輝度を光電変換して検出する検出手段とから構成したt
ij(、弱発光現象の観測装置。 - (2)前記ストリーク管のマイク11チヤンネルプレー
トはカーブドマイクし1チヤンネルプレー1・である特
許請求の範囲第1項記載の微弱発光現象の観測装置。 - (3)前記検出手段はテレビジョン撮(に1装置であり
(1) 撮像管の水平走査線の方向は前記ス1−リーク管の偏向
方向と垂直である特許請求の範囲第1項記載の微弱発光
現象の観測装置。 - (4)前記観測対象物に励起信号を一定周期で繰り返し
送出し゛ζ対応する発光をさせる励起信号源はダイレー
ザ発振器である特許請求の範囲第1項記載の微弱発光現
象の観測装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57169381A JPS5958745A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 微弱発光現象の観測装置 |
US06/532,055 US4611920A (en) | 1982-09-28 | 1983-09-14 | Device for measuring extremely diminished intensity of light |
GB08325894A GB2131165B (en) | 1982-09-28 | 1983-09-28 | Device for measuring low intensity light |
US07/240,591 USRE33241E (en) | 1982-09-28 | 1988-09-06 | Device for measuring extremely diminished intensity of light |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57169381A JPS5958745A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 微弱発光現象の観測装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5958745A true JPS5958745A (ja) | 1984-04-04 |
JPH0216983B2 JPH0216983B2 (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=15885539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57169381A Granted JPS5958745A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 微弱発光現象の観測装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4611920A (ja) |
JP (1) | JPS5958745A (ja) |
GB (1) | GB2131165B (ja) |
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EP0526134A2 (en) * | 1991-07-24 | 1993-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Feeble light measuring device |
JPH05187914A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-07-27 | Hamamatsu Photonics Kk | 微弱光計測装置 |
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JPS61182534A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 超高速光現象の多チャンネル同時計測装置 |
JPH0762987B2 (ja) * | 1985-04-16 | 1995-07-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 管内に像切出し装置を有するストリ−ク管 |
JPS61266942A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 2次元微弱発光測定装置 |
DE3518527A1 (de) * | 1985-05-23 | 1986-11-27 | Ulrich 8700 Würzburg Schliwa | Fluorometer auf impulsbasis |
JPS62142235A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-25 | Hamamatsu Photonics Kk | ストリ−クカメラ装置 |
JPH06100532B2 (ja) * | 1986-08-25 | 1994-12-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 高空間・時間分解計測装置 |
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JP2622978B2 (ja) * | 1988-01-14 | 1997-06-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 空間光変調装置およびそれを用いた画像再構成装置 |
JPH0617819B2 (ja) * | 1988-05-13 | 1994-03-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電気光学式ストリークカメラ |
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1982
- 1982-09-28 JP JP57169381A patent/JPS5958745A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-14 US US06/532,055 patent/US4611920A/en not_active Ceased
- 1983-09-28 GB GB08325894A patent/GB2131165B/en not_active Expired
-
1988
- 1988-09-06 US US07/240,591 patent/USRE33241E/en not_active Expired - Lifetime
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USRE33241E (en) | 1990-06-26 |
GB2131165A (en) | 1984-06-13 |
US4611920A (en) | 1986-09-16 |
JPH0216983B2 (ja) | 1990-04-19 |
GB8325894D0 (en) | 1983-11-02 |
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