JPS5957595A - 超音波素子 - Google Patents
超音波素子Info
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- JPS5957595A JPS5957595A JP57167359A JP16735982A JPS5957595A JP S5957595 A JPS5957595 A JP S5957595A JP 57167359 A JP57167359 A JP 57167359A JP 16735982 A JP16735982 A JP 16735982A JP S5957595 A JPS5957595 A JP S5957595A
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- Japan
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- ultrasonic wave
- electrode
- film
- wave element
- substrate
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
- G01H11/00—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
- G01H11/06—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means
- G01H11/08—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means using piezoelectric devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は超音波発振およびセンサとして使用される素
子に係り、特にシリコン÷云嬶嘩板上に小型に構成され
たものに関する。
子に係り、特にシリコン÷云嬶嘩板上に小型に構成され
たものに関する。
音波、なかんずく超音波の送受信用としての圧電振動素
子は周知である。しかしながらこれらを小型化するとと
は、他の機器に取り付けたときの影響を少なくするため
、また他の半導体素子などと一体化する必要上、望まれ
るところである。
子は周知である。しかしながらこれらを小型化するとと
は、他の機器に取り付けたときの影響を少なくするため
、また他の半導体素子などと一体化する必要上、望まれ
るところである。
そこでこの発明の発明者らは、シリコン伽会す基板上に
異方性エツチングなどを利用して、振動素子を構成する
ならば、前述要望を満たしうる超音波素子が得られるこ
とに着想し、種々研究の結果、この発明を完成するに至
ったものである。
異方性エツチングなどを利用して、振動素子を構成する
ならば、前述要望を満たしうる超音波素子が得られるこ
とに着想し、種々研究の結果、この発明を完成するに至
ったものである。
以下図面を参照しつつこの発明一実施例を詳述する。
第１図において、
１は７リコンウ（ミー基板であり、図において左右がそ
の（１、Ｏ，Ｏ）面である。
の（１、Ｏ，Ｏ）面である。
２はシリコンチチ査基板１面上に公知の方法により成長
させた酸化シリコン（ＳｉＯ，）膜である。
させた酸化シリコン（ＳｉＯ，）膜である。
３はさらに酸化シリコン膜２上に蒸着した一方の電極で
ある。電極３の材質としては、例えばチタンと白金の２
層とする。そして電極３の平面形状は後述するような長
方形の部分を含む。
ある。電極３の材質としては、例えばチタンと白金の２
層とする。そして電極３の平面形状は後述するような長
方形の部分を含む。
そ１．て、この長方形の一部分を残して、シリコン勇；
二基板１および膜２は後述するエツチングの手法により
取り除かれ、堀り込み部１ａが形成される。かくして、
前述電極３の一部分３ａは膜２と共に、カンチレバーの
状態でシリコン伽シミ基板１に支承される。
二基板１および膜２は後述するエツチングの手法により
取り除かれ、堀り込み部１ａが形成される。かくして、
前述電極３の一部分３ａは膜２と共に、カンチレバーの
状態でシリコン伽シミ基板１に支承される。
４は電極３の前述長方形部分を少なくとも段うように接
着した圧電体である。この実施１＋１１では、チタン酸
鉛（１’ ｂ’ｌ”１０３）を公知の高周波スパッタの
手段によって接着する。
着した圧電体である。この実施１＋１１では、チタン酸
鉛（１’ ｂ’ｌ”１０３）を公知の高周波スパッタの
手段によって接着する。
５は他方の電極であり、少なくとも圧電体４を覆い、し
かしながら電極３とは接触しないように接着される。こ
の実施例ではアルミニウム（Ａ６）を公知の真空蒸着に
よって接着する。
かしながら電極３とは接触しないように接着される。こ
の実施例ではアルミニウム（Ａ６）を公知の真空蒸着に
よって接着する。
かくして、酸化ンリコン膜２．電極３．圧電体４および
電極５が積層された力／チレバーの振動片か構成される
。この振動片は、１例として、その厚さは、膜２（厚さ
０゜５１ｔｙｎ ） 、電極３（厚さチタン０゜２１ノ
ノノ！、白金０．２５Ｉ）７７１）、圧電体４（厚さ２
゜１μ７７７）および電極５（厚さ０．２ツノ２１１）
の計３゜３５ ／７７７７であり、幅は５ Ｑ ７７．
７７７のもので、長さＬμ７ノ１を種々変えて実験しだ
ところ、その共振周道斂ｒｔ Ｚの変化は第２図（対数
目盛による）のとおりであった。
電極５が積層された力／チレバーの振動片か構成される
。この振動片は、１例として、その厚さは、膜２（厚さ
０゜５１ｔｙｎ ） 、電極３（厚さチタン０゜２１ノ
ノノ！、白金０．２５Ｉ）７７１）、圧電体４（厚さ２
゜１μ７７７）および電極５（厚さ０．２ツノ２１１）
の計３゜３５ ／７７７７であり、幅は５ Ｑ ７７．
７７７のもので、長さＬμ７ノ１を種々変えて実験しだ
ところ、その共振周道斂ｒｔ Ｚの変化は第２図（対数
目盛による）のとおりであった。
さらにこのような超音波素子の製作工程につき、第３図
を参照して説明する。第３図にイ］された符号は第１図
と同じ構成を示すものと理解されたい。
を参照して説明する。第３図にイ］された符号は第１図
と同じ構成を示すものと理解されたい。
次に基板１の面上に膜２をコーティングする（（１））
の状態）。
の状態）。
次に膜２上に電極３を凸字状に蒸着する（（Ｃ）の状態
）。
）。
次に凸字状の電極３の突出した長方形の一部分３ａを残
して、膜２をエツチングにより除去する（（ｄ）の状態
）。このエツチングにより除去する部分と除去されない
部分とけ、公知のマスクを施して行なうものである。
して、膜２をエツチングにより除去する（（ｄ）の状態
）。このエツチングにより除去する部分と除去されない
部分とけ、公知のマスクを施して行なうものである。
次に膜２をマスクとして、公知の異方性エツチングによ
り、さらに基板１をある深さに除去して突出部分３ａを
オーバハングの状態とする（（ｅ）の状態）。
り、さらに基板１をある深さに除去して突出部分３ａを
オーバハングの状態とする（（ｅ）の状態）。
次（で、部分３ａおよびその基部を含めて、圧電体４を
接着する。（（ｆ）の状態）。この接着時にも適宜公知
の手段でマスキングを施し、第４図（ｆ）図示のような
領域に接着する。
接着する。（（ｆ）の状態）。この接着時にも適宜公知
の手段でマスキングを施し、第４図（ｆ）図示のような
領域に接着する。
次に、電極５を同様マスキングを施したうえて、第４図
（ω図示のように、蒸着する。
（ω図示のように、蒸着する。
添付した写真は参考であって、前述した実施例とは本質
的には同様であるが、基板１上に長短各種の振動片３ａ
を構成したものの拡大写真である。
的には同様であるが、基板１上に長短各種の振動片３ａ
を構成したものの拡大写真である。
但し電極５を蒸着すると前述各構成か明りように撮影さ
れないので、この写真は電極５を蒸着する前の状態を示
す。な−お記入した符号は図面のね号と同一の構成を示
す。
れないので、この写真は電極５を蒸着する前の状態を示
す。な−お記入した符号は図面のね号と同一の構成を示
す。
この発明は前述のとおりであるから Ａ’−、）’、ノ
ーングした振動片の部分３ａの寸法を変えることにより
、その共振周波数を種々に変えうる、小型の超音波素子
を得ることができるから、超音波発振器や、超音波周波
数分析器などを小型となしうる効果を奏しうるものであ
る。
ーングした振動片の部分３ａの寸法を変えることにより
、その共振周波数を種々に変えうる、小型の超音波素子
を得ることができるから、超音波発振器や、超音波周波
数分析器などを小型となしうる効果を奏しうるものであ
る。
図面はムずれもこの発明一実施例を示し、第１図は縦断
側面図、第２図はその特性曲線図、第３図は逐次の製作
工程を示す斜視図である。 １・・・ノリコン仝≠六基板、２・・・酸化ンリコン膜
、３・・・電極、３ａ・・・振動片、４・・・圧電体、
５・・・電極。 出 願 人 新明和工業株式会社 （ほか１名） 代理人井上 正（ほか１名） 豊中市待兼山町１番１号大阪大 学基礎工学部内 ■発 明 者 奥山雅則 豊中市待兼山町１番１号大阪大 学基礎工学部内 ■出 願 人 社団法人生産技術振興協会吹田市藤白台
５丁目１２５−１８
側面図、第２図はその特性曲線図、第３図は逐次の製作
工程を示す斜視図である。 １・・・ノリコン仝≠六基板、２・・・酸化ンリコン膜
、３・・・電極、３ａ・・・振動片、４・・・圧電体、
５・・・電極。 出 願 人 新明和工業株式会社 （ほか１名） 代理人井上 正（ほか１名） 豊中市待兼山町１番１号大阪大 学基礎工学部内 ■発 明 者 奥山雅則 豊中市待兼山町１番１号大阪大 学基礎工学部内 ■出 願 人 社団法人生産技術振興協会吹田市藤白台
５丁目１２５−１８
Claims (1)
- シリコンケ会差基板上にエツチングにより酸化シリコン
によるカンチレバーの振動片を構成し２、この振動片は
、その両面に電極を施しだ圧電体を接着してなる、超音
波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167359A JPS5957595A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | 超音波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167359A JPS5957595A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | 超音波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957595A true JPS5957595A (ja) | 1984-04-03 |
Family
ID=15848252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167359A Pending JPS5957595A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | 超音波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957595A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61220596A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Nec Corp | 超音波トランスジユ−サ |
| JPH0537287A (ja) * | 1990-01-03 | 1993-02-12 | Motorola Inc | 超高周波発振器／共振器 |
| US7281304B2 (en) | 2003-04-22 | 2007-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating a film bulk acoustic resonator |
-
1982
- 1982-09-25 JP JP57167359A patent/JPS5957595A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61220596A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Nec Corp | 超音波トランスジユ−サ |
| JPH0537287A (ja) * | 1990-01-03 | 1993-02-12 | Motorola Inc | 超高周波発振器／共振器 |
| US7281304B2 (en) | 2003-04-22 | 2007-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating a film bulk acoustic resonator |
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