JPS5955700A - ボイスコイルボビン及びその製造法 - Google Patents
ボイスコイルボビン及びその製造法Info
- Publication number
- JPS5955700A JPS5955700A JP57166008A JP16600882A JPS5955700A JP S5955700 A JPS5955700 A JP S5955700A JP 57166008 A JP57166008 A JP 57166008A JP 16600882 A JP16600882 A JP 16600882A JP S5955700 A JPS5955700 A JP S5955700A
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- JP
- Japan
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- film
- base material
- crystal film
- inflow
- gaseous mixture
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R9/00—Transducers of moving-coil, moving-strip, or moving-wire type
- H04R9/02—Details
- H04R9/04—Construction, mounting, or centering of coil
- H04R9/046—Construction
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Audible-Bandwidth Dynamoelectric Transducers Other Than Pickups (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は外周面にダイヤモンド結晶膜を形成せしめるか
、あるいはダイヤモンドの傷゛膜のみで形成したディス
コイルゼビンとその製造法に関する。
、あるいはダイヤモンドの傷゛膜のみで形成したディス
コイルゼビンとその製造法に関する。
従来の？イスコイルヂビンは材質上熱伝導率が小さいた
めゼイスコイルに高電流を流せないと共に、剛性率が低
いため振動伝般速度が低下して完全なピストンモーショ
ンをおこなわないという欠点があった。
めゼイスコイルに高電流を流せないと共に、剛性率が低
いため振動伝般速度が低下して完全なピストンモーショ
ンをおこなわないという欠点があった。
本発明の第１の目的は、これらの材質上の不都合を外周
面にダイヤモンド結晶膜を設けることによシ解消し、高
性能で多用途に適するゼイスコイル？ビンを提供するこ
とにあシ、本発明の他の目的はそのようなぜイスコイル
ゼピンの製造方法を提供することに６る。
面にダイヤモンド結晶膜を設けることによシ解消し、高
性能で多用途に適するゼイスコイル？ビンを提供するこ
とにあシ、本発明の他の目的はそのようなぜイスコイル
ゼピンの製造方法を提供することに６る。
以下本発明の構成及び製造法を実施例として示す図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
図中１は気相合成装置全体を示し、２は気相合成炉、８
は電気炉、９はタングステンフイラメントを夫々示して
いる。この気相合成炉２には相反する方向、例えば、上
下方向から混合ガスが流入するようにし、第１図に示す
ように供給路３から流入路４ａ、４ｂを分岐してロータ
リー切換弁５ａ、５ｂを介して上下方向から流入し得る
ようになっている。６ａ、６ｂは流出路であって、排気
路７に接続されている。
は電気炉、９はタングステンフイラメントを夫々示して
いる。この気相合成炉２には相反する方向、例えば、上
下方向から混合ガスが流入するようにし、第１図に示す
ように供給路３から流入路４ａ、４ｂを分岐してロータ
リー切換弁５ａ、５ｂを介して上下方向から流入し得る
ようになっている。６ａ、６ｂは流出路であって、排気
路７に接続されている。
人はシリコンやゼロン等で形成された円筒状のコイル−
ビン基材であシ、上記合成炉２中の所定位置に開口部を
上下にして配置される。
ビン基材であシ、上記合成炉２中の所定位置に開口部を
上下にして配置される。
先ず、第１工程として、切換弁５ｂを流入路４ｂ側を閉
とすると共に流出路６ａ側を開とし、切換弁５ａを流入
路４ａ側を開とすると共に流出路６ｂ側を閉として設定
する。これにょシ混合ガス（例えば、水素１００−１０
に対してメタン１）は第１図実線矢示の如く、供給路３
から流入路４ａ、切換弁５ａを介して気相合成炉２内を
上方から下方に流入し、切換弁５ｂから流出路６ａを介
して排気される。
とすると共に流出路６ａ側を開とし、切換弁５ａを流入
路４ａ側を開とすると共に流出路６ｂ側を閉として設定
する。これにょシ混合ガス（例えば、水素１００−１０
に対してメタン１）は第１図実線矢示の如く、供給路３
から流入路４ａ、切換弁５ａを介して気相合成炉２内を
上方から下方に流入し、切換弁５ｂから流出路６ａを介
して排気される。
これによって、コイル？ピン人の外周面に形成されるダ
イヤモンＰ結晶膜は第３図に示す如く上端側が厚く下端
側が薄い膜層９ａが生成され、上下部で不均一な層とな
っている。
イヤモンＰ結晶膜は第３図に示す如く上端側が厚く下端
側が薄い膜層９ａが生成され、上下部で不均一な層とな
っている。
そこで、第２工程として、切換弁５ａを流入路４ａ側を
閉とするとともに、流出路６ｂ側を開とし、切換弁５ｂ
を流入路４ｂを開とするとともに流出路６ａ側を閉に夫
々設定する。
閉とするとともに、流出路６ｂ側を開とし、切換弁５ｂ
を流入路４ｂを開とするとともに流出路６ａ側を閉に夫
々設定する。
混合ガスは第１図破線矢示の如く供給路３がら流入路４
ｂ、切換弁５ｂを介して気相合成炉２の下方から上方に
流入し、切換弁５ａがら流出路６ｂを介して排気される
。
ｂ、切換弁５ｂを介して気相合成炉２の下方から上方に
流入し、切換弁５ａがら流出路６ｂを介して排気される
。
これによって、第３図に示す如くコイル？ビン人の外周
面には上記第１工程にょシ生成された膜層９ａ上に上記
第１工程とは逆の膜層９ｂが生成され、全体として略う
均一なダイヤモンＰ結晶膜１０が形成される。なお第２
図（４）（Ｂ）は切シ換え弁の例を示す断面図であシ、
ロータリー切換弁ブ１１を回動させることにょ多流路を
切シ換えるようになっている。
面には上記第１工程にょシ生成された膜層９ａ上に上記
第１工程とは逆の膜層９ｂが生成され、全体として略う
均一なダイヤモンＰ結晶膜１０が形成される。なお第２
図（４）（Ｂ）は切シ換え弁の例を示す断面図であシ、
ロータリー切換弁ブ１１を回動させることにょ多流路を
切シ換えるようになっている。
本発明の？イスコイルモータ忙よれば、その表面に熱伝
導率及び剛性率が極めて高いダイヤモンＰ結晶膜を形成
したものであシ、その特質の１つである熱伝導率が高い
ことから？ビンの放熱性が良好となシテビンコイルの焼
損を防止できると共に従来の？イスコイルよシ高電流を
流すことができるので大容量のスピーカーに利用でき、
また剛性率が大きいので共振点を可聴域外にもっていく
ことができ、高速応答用のぜイスコイルモータにも利用
できる。
導率及び剛性率が極めて高いダイヤモンＰ結晶膜を形成
したものであシ、その特質の１つである熱伝導率が高い
ことから？ビンの放熱性が良好となシテビンコイルの焼
損を防止できると共に従来の？イスコイルよシ高電流を
流すことができるので大容量のスピーカーに利用でき、
また剛性率が大きいので共振点を可聴域外にもっていく
ことができ、高速応答用のぜイスコイルモータにも利用
できる。
なお、本発明のヂイスコイルゼピンの基材トしてはセラ
ミック材および高融点物質からなる多孔質三次元構造体
といった低質量で高剛性。
ミック材および高融点物質からなる多孔質三次元構造体
といった低質量で高剛性。
高融点の物質があげられ、特に熱伝導率の悪い物質でそ
の効果は顕著である。
の効果は顕著である。
また、ニッケル等の高融点金属にて基材を形成し、その
表面にダイヤモンドの結晶膜を形成した後に酸等によシ
基材を除去することにょ夛ダイヤモンドの結晶膜でのみ
ディスコイル−ビンを形成することも可能であシ、さら
に放熱性。
表面にダイヤモンドの結晶膜を形成した後に酸等によシ
基材を除去することにょ夛ダイヤモンドの結晶膜でのみ
ディスコイル−ビンを形成することも可能であシ、さら
に放熱性。
剛性の向上および質量の軽減がはかれ、これよシ一層デ
ィスコイルの応答速度を高めることができる。
ィスコイルの応答速度を高めることができる。
一方、本発明のディスコイルゼビンの製造法によればコ
イルゼピンの形状に制限なく、ダイヤモンＰ結晶膜を形
成でき、しかも、所望の厚さを略、・均一に形成できる
特徴がある。
イルゼピンの形状に制限なく、ダイヤモンＰ結晶膜を形
成でき、しかも、所望の厚さを略、・均一に形成できる
特徴がある。
第１図は本発明に係る戸イスコイルゼ♂ンの製造法の実
施に使用される気相合成装置の概略図、第２図は第１図
ロータリー弁の拡大図で、Ａ、Ｂ図は回転弁の動作前後
を示す縦断面図、第３図は本発明に係るディスコイルヂ
ピンの縦断面図である。 Ａ：コイルゼピン基材、２：気相合成炉、４ａ。
施に使用される気相合成装置の概略図、第２図は第１図
ロータリー弁の拡大図で、Ａ、Ｂ図は回転弁の動作前後
を示す縦断面図、第３図は本発明に係るディスコイルヂ
ピンの縦断面図である。 Ａ：コイルゼピン基材、２：気相合成炉、４ａ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、外周面にダイヤモンドの結晶膜を形成せしめてなる
ことを特徴とする？イスコイルデビン。 ２、筒状体の外周面にダイヤモンドの結晶膜を形成した
後に筒状体を除去せしめてなることを特徴とする２イス
コイルがピン。 ３、気相合成炉に相反する方向の流入路から混合ガスを
流入せしめ得るようにして、この気相合成炉中にコイル
昶ピン基材を配設し、一方の流入路から混合ガスを流入
せしめて気相合成法によりコイル昶ピン基材の表面に結
晶膜を形成した後、切換弁の切シ換えによシ他方の流入
路から混合ガスを流入せしめて、前記結晶膜上に更に結
晶膜を形成させて均一な層を生成させることを特徴とす
るディスコイル−ビンの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57166008A JPS5955700A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | ボイスコイルボビン及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57166008A JPS5955700A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | ボイスコイルボビン及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5955700A true JPS5955700A (ja) | 1984-03-30 |
| JPH0259680B2 JPH0259680B2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=15823175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57166008A Granted JPS5955700A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | ボイスコイルボビン及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5955700A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798143A (en) * | 1994-07-18 | 1998-08-25 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | CVD process for making a hollow diamond tube |
| US20150315700A1 (en) * | 2012-12-12 | 2015-11-05 | Element Six Technologies Limited | Method for making diamond layers by cvd |
-
1982
- 1982-09-25 JP JP57166008A patent/JPS5955700A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798143A (en) * | 1994-07-18 | 1998-08-25 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | CVD process for making a hollow diamond tube |
| US20150315700A1 (en) * | 2012-12-12 | 2015-11-05 | Element Six Technologies Limited | Method for making diamond layers by cvd |
| US11384426B2 (en) * | 2012-12-12 | 2022-07-12 | Element Six Technologies Limited | Method for making diamond layers by CVD |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0259680B2 (ja) | 1990-12-13 |
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