JP2534674Y2 - 縦形ｃｖｄボ−ト - Google Patents
縦形ｃｖｄボ−トInfo
- Publication number
- JP2534674Y2 JP2534674Y2 JP1988069647U JP6964788U JP2534674Y2 JP 2534674 Y2 JP2534674 Y2 JP 2534674Y2 JP 1988069647 U JP1988069647 U JP 1988069647U JP 6964788 U JP6964788 U JP 6964788U JP 2534674 Y2 JP2534674 Y2 JP 2534674Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- portions
- cover
- support
- boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はLTO（低温酸化膜）,HTO（高温酸化膜,P−Dop
ed Poly Si膜（リン・ドープドポリシリコン膜）等のCV
D膜を生成する縦形CVD装置に用いられる縦形CVDボート
に関する。
ed Poly Si膜（リン・ドープドポリシリコン膜）等のCV
D膜を生成する縦形CVD装置に用いられる縦形CVDボート
に関する。
CVD膜生成に関してはウェーハ間隔とウェーハ周辺部
の隙間がウェーハ内の膜厚分布に影響を与えることが知
られている。
の隙間がウェーハ内の膜厚分布に影響を与えることが知
られている。
従来、縦形CVD装置を用いてLTO,HTO,P−Doped Poly S
i膜等のCVD膜を生成する時には、第５図示のようにウェ
ーハホルダ基板３に、複数個のウェーハ支持部２を円形
状に配設し、これらのウェーハ支持部２にウェーハ１を
載置してなる石英製ウェーハホルダを用い、あるいは第
６図示のようにウェーハホルダ基板３に、馬蹄形ウェー
ハホルダ支持部４を取付け、このウェーハホルダ支持部
４にウェーハ１を載置してなる石英製ウェーハホルダを
用い、このウェーハホルダを縦形CVDボートに装填して
いた。
i膜等のCVD膜を生成する時には、第５図示のようにウェ
ーハホルダ基板３に、複数個のウェーハ支持部２を円形
状に配設し、これらのウェーハ支持部２にウェーハ１を
載置してなる石英製ウェーハホルダを用い、あるいは第
６図示のようにウェーハホルダ基板３に、馬蹄形ウェー
ハホルダ支持部４を取付け、このウェーハホルダ支持部
４にウェーハ１を載置してなる石英製ウェーハホルダを
用い、このウェーハホルダを縦形CVDボートに装填して
いた。
〔考案が解決しようとする課題〕 しかし上記従来例にあっては、ウェーハホルダを用い
るため、ボートの支柱とウェーハホルダの接触部周辺以
外の膜厚分布は良好であり、かつウェーハの支持部分が
小さくウェーハ内の膜厚分布への影響が少ないという利
点はあるが、縦形CVDボートの支柱とウェーハホルダの
接触部周辺の膜厚分布が悪化するという課題があると共
にウェーハホルダを用いることによりパーティクルが発
生し易く、重量も重く、またウェーハホルダの片面のみ
にしか装填できないため、１バッチあたりのチャージ枚
数が少ないという課題があった。
るため、ボートの支柱とウェーハホルダの接触部周辺以
外の膜厚分布は良好であり、かつウェーハの支持部分が
小さくウェーハ内の膜厚分布への影響が少ないという利
点はあるが、縦形CVDボートの支柱とウェーハホルダの
接触部周辺の膜厚分布が悪化するという課題があると共
にウェーハホルダを用いることによりパーティクルが発
生し易く、重量も重く、またウェーハホルダの片面のみ
にしか装填できないため、１バッチあたりのチャージ枚
数が少ないという課題があった。
本考案の目的は従来のウェーハホルダを用いることに
よる利点を失うことなく、しかもウェーハホルダを用い
ずに１バッチ当たりのウェーハチャージ枚数を増大でき
る縦形CVDボートを提供することである。
よる利点を失うことなく、しかもウェーハホルダを用い
ずに１バッチ当たりのウェーハチャージ枚数を増大でき
る縦形CVDボートを提供することである。
本考案縦形CVDボートは上記の課題を解決し上記の目
的を達成するため、CVD膜を生成する縦形CVD装置に用い
られる縦形CVDボートにおいて、ウェーハ１の周部の複
数箇所を支持する載置部９を備えた複数本のウェーハ支
持部５を，縦方向に２分割され両者間の縦側面のほぼ全
域に隙間が形成されるカバー６内に垂設し、このカバー
６に反応ガス導入部７を設けてなる構成としたものであ
る。
的を達成するため、CVD膜を生成する縦形CVD装置に用い
られる縦形CVDボートにおいて、ウェーハ１の周部の複
数箇所を支持する載置部９を備えた複数本のウェーハ支
持部５を，縦方向に２分割され両者間の縦側面のほぼ全
域に隙間が形成されるカバー６内に垂設し、このカバー
６に反応ガス導入部７を設けてなる構成としたものであ
る。
このような構成とすることにより複数本のウェーハ支
持部５の載置部９を小さくでき、当該載置部９にウェー
ハ１の周部の複数箇所を支持することになる。そのため
この支持部分の膜厚分布以外の部分の膜厚分布は良好と
なり、かつウェーハ支持部５の載置部９を小さくするこ
とによりウェーハ内の膜厚分布への影響を少なくでき、
ウェーハホルダを用いることなく、１バッチ当たりのウ
ェーハチャージ枚数を増大することが可能となる。又、
縦方向に２分割されたカバー部分6a,6b間の縦側面のほ
ぼ全域に隙間を設けることにより、ウェーハ処理のため
カバー６内へ未処理のウェーハ１をセットする時やカバ
ー６内から処理済のウェーハ１を取り出す時に、両カバ
ー部分6a,6bを開閉することになるが、この際、両カバ
ー部分同士が上下端中央部の結合部以外、接触すること
がないので、パーティクルの発生を抑えることができる
ことになる。
持部５の載置部９を小さくでき、当該載置部９にウェー
ハ１の周部の複数箇所を支持することになる。そのため
この支持部分の膜厚分布以外の部分の膜厚分布は良好と
なり、かつウェーハ支持部５の載置部９を小さくするこ
とによりウェーハ内の膜厚分布への影響を少なくでき、
ウェーハホルダを用いることなく、１バッチ当たりのウ
ェーハチャージ枚数を増大することが可能となる。又、
縦方向に２分割されたカバー部分6a,6b間の縦側面のほ
ぼ全域に隙間を設けることにより、ウェーハ処理のため
カバー６内へ未処理のウェーハ１をセットする時やカバ
ー６内から処理済のウェーハ１を取り出す時に、両カバ
ー部分6a,6bを開閉することになるが、この際、両カバ
ー部分同士が上下端中央部の結合部以外、接触すること
がないので、パーティクルの発生を抑えることができる
ことになる。
以下図面により本考案の実施例を説明する。
第１図は本縦形CVDボートの一実施例をカバーを２分
して示した斜視図である。第１図中１はウェーハで、５
はウェーハ１の周部の複数箇所、この実施例では４箇所
を支持する載置部９を備えた複数本，この実施例の場合
４本のウェーハ支持部である。この４本のウェーハ支持
部５は、縦方向に２分割される石英カバー６の一方のカ
バー部分6aにそれぞれ４本垂設され支柱部８に溶接され
ている。カバー部分6bは支持部８に支えられたカバー部
分6aに分離可能にかつ両者間の縦側面のほぼ全域に隙間
を設けて結合されて１つの石英カバー６を形成する。
して示した斜視図である。第１図中１はウェーハで、５
はウェーハ１の周部の複数箇所、この実施例では４箇所
を支持する載置部９を備えた複数本，この実施例の場合
４本のウェーハ支持部である。この４本のウェーハ支持
部５は、縦方向に２分割される石英カバー６の一方のカ
バー部分6aにそれぞれ４本垂設され支柱部８に溶接され
ている。カバー部分6bは支持部８に支えられたカバー部
分6aに分離可能にかつ両者間の縦側面のほぼ全域に隙間
を設けて結合されて１つの石英カバー６を形成する。
両カバー部分6a,6bにはそれぞれ反応ガス導入部７が
４個ずつ設けられ、この実施例の場合、反応ガス導入部
７は縦方向のスリットとなっているが、横方向のスリッ
トでも多数の孔であってもよい。ウェーハ支持部５は第
２図に示すように角柱状のウェーハ支持部となってお
り、当該支持部５の角形支柱5aに一対の突出部9a,9bを
所定間隔ｄをおいて多数対、設けることにより多数の載
置部９が形成されている。
４個ずつ設けられ、この実施例の場合、反応ガス導入部
７は縦方向のスリットとなっているが、横方向のスリッ
トでも多数の孔であってもよい。ウェーハ支持部５は第
２図に示すように角柱状のウェーハ支持部となってお
り、当該支持部５の角形支柱5aに一対の突出部9a,9bを
所定間隔ｄをおいて多数対、設けることにより多数の載
置部９が形成されている。
上記の如く構成された実施例において、第１図示のよ
うに一方のカバー部分6a内に垂設された４本のウェーハ
支持部５の各一対の突出部9a,9bによる載置部９にそれ
ぞれウェーハ１を支持させ、一方のカバー部分6aに対し
他方のカバー部分6bを隙間をおいて結合することができ
る。このように多数枚のウェーハ１が支持され、カバー
６により被われた縦形CVdボートを縦形CVD装置の炉内に
搬入し、反応ガスを導入すると、反応ガスは８本のスリ
ット７及び両カバー6a,6bの隙間より流入出して各ウェ
ーハ１にCVD膜を生成することができる。
うに一方のカバー部分6a内に垂設された４本のウェーハ
支持部５の各一対の突出部9a,9bによる載置部９にそれ
ぞれウェーハ１を支持させ、一方のカバー部分6aに対し
他方のカバー部分6bを隙間をおいて結合することができ
る。このように多数枚のウェーハ１が支持され、カバー
６により被われた縦形CVdボートを縦形CVD装置の炉内に
搬入し、反応ガスを導入すると、反応ガスは８本のスリ
ット７及び両カバー6a,6bの隙間より流入出して各ウェ
ーハ１にCVD膜を生成することができる。
石英ホルダ無しでウェーハを直接ボートに装填する場
合、ホルダの持つ機能を満足するためにはウェーハの載
置部及び支柱の形状について考慮する必要がある。
合、ホルダの持つ機能を満足するためにはウェーハの載
置部及び支柱の形状について考慮する必要がある。
本考案の角柱状のウェーハ支持部５を、角形支柱5aと
これに一対の突出部9a,9bを所定間隔ｄをおいて設けた
多数対の載置部９とにより構成した場合と、第３図示の
ように円柱状のウェーハ支持部５を、円形支柱5aと，こ
れに一対のスリット9cを所定間隔ｄをおいて設けた多数
対の載置部９とにより構成した場合のウェーハ１の膜厚
分布を比較すると、第４図（ａ），（ｂ）示のようにな
る。
これに一対の突出部9a,9bを所定間隔ｄをおいて設けた
多数対の載置部９とにより構成した場合と、第３図示の
ように円柱状のウェーハ支持部５を、円形支柱5aと，こ
れに一対のスリット9cを所定間隔ｄをおいて設けた多数
対の載置部９とにより構成した場合のウェーハ１の膜厚
分布を比較すると、第４図（ａ），（ｂ）示のようにな
る。
第４図（ａ）は第２図の本考案角柱状のウェーハ支持
部５を使用したときのウェーハ１の膜厚分布への影響を
示す説明図であり、第４図（ｂ）は第３図示の円柱状の
ウェーハ支持部５を使用したときのウェーハ１の膜厚分
布への影響を示す説明図である。両説明図から第２図示
の角柱状のウェーハ支持部５を使用し、これに設けられ
た各一対の突出部9a,9bによる載置部９にそれぞれウェ
ーハ１を支持した場合の方が、第３図示の円柱状のウェ
ーハ支持部５を使用し、これに設けられた一対のスリッ
ト9cによる載置部９にそれぞれウェーハ１を支持した場
合に比べて支柱周辺部の膜厚分布が良好になっている。
即ち、第２図の本考案ウェーハ支持部を用いたときは載
置部９の影響だけで支柱5aの影響は現れないが、第３図
のウェーハ支持部を用いたときは支柱5bと載置部９の両
方の影響を受け、当該部分の膜厚分布は第４図（ｂ）示
のように悪くなる。
部５を使用したときのウェーハ１の膜厚分布への影響を
示す説明図であり、第４図（ｂ）は第３図示の円柱状の
ウェーハ支持部５を使用したときのウェーハ１の膜厚分
布への影響を示す説明図である。両説明図から第２図示
の角柱状のウェーハ支持部５を使用し、これに設けられ
た各一対の突出部9a,9bによる載置部９にそれぞれウェ
ーハ１を支持した場合の方が、第３図示の円柱状のウェ
ーハ支持部５を使用し、これに設けられた一対のスリッ
ト9cによる載置部９にそれぞれウェーハ１を支持した場
合に比べて支柱周辺部の膜厚分布が良好になっている。
即ち、第２図の本考案ウェーハ支持部を用いたときは載
置部９の影響だけで支柱5aの影響は現れないが、第３図
のウェーハ支持部を用いたときは支柱5bと載置部９の両
方の影響を受け、当該部分の膜厚分布は第４図（ｂ）示
のように悪くなる。
本考案ボートの特徴は、ウェーハ支持部５の支柱5aの
影響を除去し、更に載置部９の面積を小さくして載置部
９の影響も少なくし、当該部分の膜厚分布を改善できる
ことである。
影響を除去し、更に載置部９の面積を小さくして載置部
９の影響も少なくし、当該部分の膜厚分布を改善できる
ことである。
なお、載置部９へのウェーハ１の装填は、鏡面と鏡面
（あるいは裏面と裏面）を向かい合わせて載置し、例え
ば第２図示の各突出部9aにはウェーハ鏡面を上向きに、
各突出部9bには鏡面を下向きに装填する。各一対の載置
部９間の間隔ｄは約15mmである。一対の載置部９の突出
部9a,9b間の間隔は自動化機構を用いてウェーハ装填す
るのに必要とされる間隔である。
（あるいは裏面と裏面）を向かい合わせて載置し、例え
ば第２図示の各突出部9aにはウェーハ鏡面を上向きに、
各突出部9bには鏡面を下向きに装填する。各一対の載置
部９間の間隔ｄは約15mmである。一対の載置部９の突出
部9a,9b間の間隔は自動化機構を用いてウェーハ装填す
るのに必要とされる間隔である。
また、ウェーハ周辺部と石英カバー６との間隔は約10
mmであり、この間隔が広くなるとウェーハ周辺部の膜厚
が厚くなり、ウェーハ内の膜厚分布の均一性は悪くな
る。
mmであり、この間隔が広くなるとウェーハ周辺部の膜厚
が厚くなり、ウェーハ内の膜厚分布の均一性は悪くな
る。
実施例の場合、カバー部分6a,6bを結合した時に両カ
バー部分6a,6bは密着せず、各カバー部分6a,6bに設けら
れたスリット７と同じ間隔の隙間が生ずるように設計さ
れている。このため石英カバー６の接触によるパーティ
クルの発生は抑えられる。
バー部分6a,6bは密着せず、各カバー部分6a,6bに設けら
れたスリット７と同じ間隔の隙間が生ずるように設計さ
れている。このため石英カバー６の接触によるパーティ
クルの発生は抑えられる。
上述のように本考案によれば、石英ホルダを用いるこ
となく均一性の良いLTO,HTO,P−Doped Poly Si等のCVD
膜を得ることができる。更にウェーハ１を向かい合わせ
た装填方法を採用することにより１バッチ当たりのチャ
ージ枚数を多くでき、ウェーハの多数枚処理が可能とな
り、スループットの大幅な向上を図ることができるばか
りでなく、縦方向に２分割されたカバー部分6a,6b間の
縦側面のほぼ全域に隙間を設けてあるので、両カバー部
分6a,6bを開閉してカバー６内へ未処理のウェーハ１を
セットする時やカバー６内から処理済のウェーハ１を取
出す時に、両カバー部分同士がその結合部以外、接触す
ることがなく、パーティクルの発生を抑えることができ
るなどの利点がある。
となく均一性の良いLTO,HTO,P−Doped Poly Si等のCVD
膜を得ることができる。更にウェーハ１を向かい合わせ
た装填方法を採用することにより１バッチ当たりのチャ
ージ枚数を多くでき、ウェーハの多数枚処理が可能とな
り、スループットの大幅な向上を図ることができるばか
りでなく、縦方向に２分割されたカバー部分6a,6b間の
縦側面のほぼ全域に隙間を設けてあるので、両カバー部
分6a,6bを開閉してカバー６内へ未処理のウェーハ１を
セットする時やカバー６内から処理済のウェーハ１を取
出す時に、両カバー部分同士がその結合部以外、接触す
ることがなく、パーティクルの発生を抑えることができ
るなどの利点がある。
第１図は本考案ボートの一実施例をカバーを２分して示
した斜視図、第２図は本考案におけるウェーハ支持部の
一部を示す拡大斜視図、第３図は本考案におけるウェー
ハ支持部と比較するためのウェーハ支持部の一部を示す
拡大斜視図、第４図（ａ），（ｂ）はそれぞれ第２図及
び第３図のウェーハ支持部を用いた場合におけるウェー
ハの膜厚分布の影響を示す説明図、第５図（ａ），
（ｂ）はそれぞれウェーハを支持した従来のウェーハホ
ルダの一例を示す斜視図及びその縦断面図、第６図
（ａ），（ｂ）はそれぞれウェーハを支持した従来のウ
ェーハホルダの他例を示す斜視図及びその縦断面であ
る。 １……ウェーハ、５……ウェーハ支持部、5a……角形支
柱、６……（石英）カバー、6a,6b……（石英）カバー
部分、７……反応ガス導入部（縦方向のスリット）、８
……支柱部、９……載置部、9a,9b……突出部。
した斜視図、第２図は本考案におけるウェーハ支持部の
一部を示す拡大斜視図、第３図は本考案におけるウェー
ハ支持部と比較するためのウェーハ支持部の一部を示す
拡大斜視図、第４図（ａ），（ｂ）はそれぞれ第２図及
び第３図のウェーハ支持部を用いた場合におけるウェー
ハの膜厚分布の影響を示す説明図、第５図（ａ），
（ｂ）はそれぞれウェーハを支持した従来のウェーハホ
ルダの一例を示す斜視図及びその縦断面図、第６図
（ａ），（ｂ）はそれぞれウェーハを支持した従来のウ
ェーハホルダの他例を示す斜視図及びその縦断面であ
る。 １……ウェーハ、５……ウェーハ支持部、5a……角形支
柱、６……（石英）カバー、6a,6b……（石英）カバー
部分、７……反応ガス導入部（縦方向のスリット）、８
……支柱部、９……載置部、9a,9b……突出部。
Claims (2)
- 【請求項１】CVD膜を生成する縦形CVD装置に用いられる
縦形CVDボートにおいて、ウェーハの周部の複数箇所を
支持する載置部を備えた複数本のウェーハ支持部を，縦
方向に２分割され両者間の縦側面のほぼ全域に隙間が形
成されるカバー内に垂設し、このカバーに反応ガス導入
部を設けてなる縦形CVDボート。 - 【請求項２】載置部が一対の突出部により構成された実
用新案登録請求の範囲第１項記載の縦形CVDボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988069647U JP2534674Y2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 縦形ｃｖｄボ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988069647U JP2534674Y2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 縦形ｃｖｄボ−ト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173936U JPH01173936U (ja) | 1989-12-11 |
| JP2534674Y2 true JP2534674Y2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=31294922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988069647U Expired - Lifetime JP2534674Y2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 縦形ｃｖｄボ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2534674Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04188721A (ja) * | 1990-11-22 | 1992-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
| KR100951688B1 (ko) * | 2008-02-20 | 2010-04-07 | 주식회사 테라세미콘 | 열처리 장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62134936A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-18 | アニコン・インコ−ポレ−テツド | 腐食耐性をもつたウエ−フア−・ボ−ト及びその製造法 |
| JPH06101449B2 (ja) * | 1986-04-28 | 1994-12-12 | 株式会社福井信越石英 | ウエハ支持ボ−ト |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP1988069647U patent/JP2534674Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01173936U (ja) | 1989-12-11 |
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