JPS5954280A - 半導体レ−ザ−出力安定化方式 - Google Patents
半導体レ−ザ−出力安定化方式Info
- Publication number
- JPS5954280A JPS5954280A JP16399582A JP16399582A JPS5954280A JP S5954280 A JPS5954280 A JP S5954280A JP 16399582 A JP16399582 A JP 16399582A JP 16399582 A JP16399582 A JP 16399582A JP S5954280 A JPS5954280 A JP S5954280A
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- JP
- Japan
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- output
- current
- temperature
- circuit
- laser
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分り１ｆ
本発明は一４″導体レーザーの出力安定化方式にｌＪ、
＋し、場らにｉｉ’ シ＜は半導体レーザーのバイアス
’Ｍｉ’。
＋し、場らにｉｉ’ シ＜は半導体レーザーのバイアス
’Ｍｉ’。
流およびｈ＜ ａｊＩＩパルス電流をその温度および劣
化に関して補償するようにした半導体レーザーの出力安
定化方式に関するものである。
化に関して補償するようにした半導体レーザーの出力安
定化方式に関するものである。
（２）従来技術と問題点
一般に半導体レーザーは前後２方向に出力を発生する０
ここか・二ムいて半導体レーザーの駆動に用いる方向を
前方向どし他の方向を後方向とする。
ここか・二ムいて半導体レーザーの駆動に用いる方向を
前方向どし他の方向を後方向とする。
半導体レーザーの出力は温度依存性を有するためその出
力を安定化するために従来は後方向の出力光電流をモニ
ターしてそれによってバイアス鋤、流および駆動パルス
電流を制御していた。しかし半導体レーザーの前方向と
後方向の光出力は同一であることが理想的であるが必ず
しも同一でなく、それに加えて前記前方向の出力と前記
後方向の出力光電θｉＬの温度ｑ′ム性は必ずしも同一
でなく温度が変化するとその温度における最適なバイア
ス電流値および駆動パルス電流値に制御することは困舷
であった。さらに半導体ダイオードの劣化補償に関して
もこの温度補償回路を用いて行なっていたため十分な劣
化補償は不可能であった。
力を安定化するために従来は後方向の出力光電流をモニ
ターしてそれによってバイアス鋤、流および駆動パルス
電流を制御していた。しかし半導体レーザーの前方向と
後方向の光出力は同一であることが理想的であるが必ず
しも同一でなく、それに加えて前記前方向の出力と前記
後方向の出力光電θｉＬの温度ｑ′ム性は必ずしも同一
でなく温度が変化するとその温度における最適なバイア
ス電流値および駆動パルス電流値に制御することは困舷
であった。さらに半導体ダイオードの劣化補償に関して
もこの温度補償回路を用いて行なっていたため十分な劣
化補償は不可能であった。
（３）発明の目的
」二記従来の欠点にかんがみ、不発明は劣化状態におい
ても半導体レーザーをｈＪ適状態でＪｉｊ３動する半樽
体し−ザー出力安力り化方式を提供すること金目１自と
するものである。
ても半導体レーザーをｈＪ適状態でＪｉｊ３動する半樽
体し−ザー出力安力り化方式を提供すること金目１自と
するものである。
（４）発明の４１４成
この目的は本発明によれは前方向の光出力を１駆動する
半導体レーザーに１ス勧回１１！ｉにおいで、あらかじ
め前ｉ５Ｌ半榊４体レーザーの最鏑なパ・ｆアス市流お
よび駆動パルスＴｔＬ流ならびに伊方向の光出力細流の
各温度に対する変化を測定しでおき、前記半々１体レー
ザーの温度全検出することにより前「、己ノ々イアス電
流およ０・１．％動パルス■口Ｊ１１、の湿度変化’ｃ
イｌｉ ４’ｈしておき、次に前記半導体レーザーの
１か方向）′（、出力混流を検出することによシ１１「
記）ぐイアス市、流および前口己駆動ノやルス′１Ｌ流
を制御して半導体レーザーの劣化を補ｆＡすることを’
１″３徽とする半導体レーデー出力安定化方式を提供す
ることによって達成される。
半導体レーザーに１ス勧回１１！ｉにおいで、あらかじ
め前ｉ５Ｌ半榊４体レーザーの最鏑なパ・ｆアス市流お
よび駆動パルスＴｔＬ流ならびに伊方向の光出力細流の
各温度に対する変化を測定しでおき、前記半々１体レー
ザーの温度全検出することにより前「、己ノ々イアス電
流およ０・１．％動パルス■口Ｊ１１、の湿度変化’ｃ
イｌｉ ４’ｈしておき、次に前記半導体レーザーの
１か方向）′（、出力混流を検出することによシ１１「
記）ぐイアス市、流および前口己駆動ノやルス′１Ｌ流
を制御して半導体レーザーの劣化を補ｆＡすることを’
１″３徽とする半導体レーデー出力安定化方式を提供す
ることによって達成される。
（５）発明の実施例
以下本発明にかかる方式の実施例にｊ３’＋Ｉ ｔ、図
面を参照しつつ１細に説明する。
面を参照しつつ１細に説明する。
第１しく陳Ｊ一本発明の実施例のブロック図全示し・同
図において１ｄ５半将体レーザー、２は半導体レーザー
１の温度を検出して′ｌｉＬ′Ａ出力に変換する温度検
出回路、３は半導体レーザーの／４イアス電流（ＺＢ）
温度特性補償回路、４はその１駆動ノ♀ルス電流（
ｉ、）袖ｌｌβ回路、５は半々１体レーザー駆動回路で
ある。一方において劣化補償回路は後方向光出力電流検
出回路６．１ａ流電圧変俟回路７、マーク相補イｒ１回
路８、低減ｄコ波器９、後方向光電流部度特性補伯回路
１０、半２昂体レーザー劣化補償１Ｂｉｔｉｌｌ （岬
回路１１および半導体レーザー劣化補償Ｚ ｐ ｆｔ１
ｌｌイ卸回路１２によシ４ｈ￥Ｊ戊される。
図において１ｄ５半将体レーザー、２は半導体レーザー
１の温度を検出して′ｌｉＬ′Ａ出力に変換する温度検
出回路、３は半導体レーザーの／４イアス電流（ＺＢ）
温度特性補償回路、４はその１駆動ノ♀ルス電流（
ｉ、）袖ｌｌβ回路、５は半々１体レーザー駆動回路で
ある。一方において劣化補償回路は後方向光出力電流検
出回路６．１ａ流電圧変俟回路７、マーク相補イｒ１回
路８、低減ｄコ波器９、後方向光電流部度特性補伯回路
１０、半２昂体レーザー劣化補償１Ｂｉｔｉｌｌ （岬
回路１１および半導体レーザー劣化補償Ｚ ｐ ｆｔ１
ｌｌイ卸回路１２によシ４ｈ￥Ｊ戊される。
また第２図は半導体レーザーのバイアス亀流ｉ。
と１−ヘ動パルスＴＩ”ｒ流ｉ１を説明するだめの図表
であ広第３図は半導体レーザーの劣化により特性曲線η
の傾斜が変化するとともにスレショルド電流イ１１’Ｔ
Ｈも変化してそれによってバイアス亀流ｔＢおよびｗＸ
動／ぐルス電流ｉｐを変化させる必要があることを説明
するだめの図表である。
であ広第３図は半導体レーザーの劣化により特性曲線η
の傾斜が変化するとともにスレショルド電流イ１１’Ｔ
Ｈも変化してそれによってバイアス亀流ｔＢおよびｗＸ
動／ぐルス電流ｉｐを変化させる必要があることを説明
するだめの図表である。
第１図の回路において、レーザーダイオード１は温度検
出回路２を有し、ザーミスタ全内蔵することによシレー
ザーダイオード１の温度′ｆｉ：検出し、その検出出力
によって陵方向′ｙ訂し７流部度補伯回路１０、半尋体
し−ザーｉＢ温度特性補Ｗｉｔ回路３およびｉｐ温度特
性補償回路４に入力してそれぞれＺｎ＋ｉ、を変えて半
導体レーザーの温度特性を補供する。
出回路２を有し、ザーミスタ全内蔵することによシレー
ザーダイオード１の温度′ｆｉ：検出し、その検出出力
によって陵方向′ｙ訂し７流部度補伯回路１０、半尋体
し−ザーｉＢ温度特性補Ｗｉｔ回路３およびｉｐ温度特
性補償回路４に入力してそれぞれＺｎ＋ｉ、を変えて半
導体レーザーの温度特性を補供する。
一方便方向光出力電流検出回路６によって検出された後
方向う゛０出力電流は１４流１Ｌ圧変換回路７によシミ
圧に変換されてマーク率補償回路８によシマーク率を補
償する。この回路８にはブ゛−”夕が低減沢波器９を介
して入力しておシマーク率製動による後方向光出力電流
検出回゛路出力の変動をキャンセルする。マーク率補償
１１路８の出力は温反特性金面Ｙｆｔされた後方向光′
１１ｊ：流温度特件部伯回路１０において後方内光電流
の温度に苅する変化をキャンセルする。後方向光電流温
度補償回路１０の出力はそれぞれＬＤ劣化補償ｉＩｌ制
御回路１１およびＬＤ劣化袖償ｉ、制御回路１２に印加
される。半導体レーザーが劣化した場合は後方向光出力
電流が変化するのでそのりに化をＬ Ｄ劣化補償ｉａ
ｆｉｉ制御回路１１およびＪ２によってそれぞれ適当な
値になるように制；１ＩＩｌｌする。このＬＬ）鍔化曲
）憤ｓ Ｂ １ｌＩｌｊイＪｌ１１回路１１および１２
の出力はそれぞれ？：Ｂ温１．！ｙ牛冒住補（？ｉ回路
３およびＬ ｐ Ｉ：＋Ｗ、度ｑ！ｆ性袖イバ回ｂ“１
“ｊ４に印加され・半々１体レーザーの温度ｔ１−°性
および劣化に対して補イ賞されたバイアス１匠流および
以ＸＮ１１１ハルス電Ｚｉ）―の１１１がＬ Ｄ ｊ２
ＩＸＵｊＤ回路５に印加塾れ芳１出力Ａワーおよび光出
力波ノ１７が半部・体レーザーの劣化にヌ・］シて値化
しないように半２°；・体レーザーの出力ｋ ｆｉｉｌ
Ｊ １ｉｌｉｌすることができる。なお第１図における
回路Ｃ：すべて演算」口１１“ハ器によって構成できる
。
方向う゛０出力電流は１４流１Ｌ圧変換回路７によシミ
圧に変換されてマーク率補償回路８によシマーク率を補
償する。この回路８にはブ゛−”夕が低減沢波器９を介
して入力しておシマーク率製動による後方向光出力電流
検出回゛路出力の変動をキャンセルする。マーク率補償
１１路８の出力は温反特性金面Ｙｆｔされた後方向光′
１１ｊ：流温度特件部伯回路１０において後方内光電流
の温度に苅する変化をキャンセルする。後方向光電流温
度補償回路１０の出力はそれぞれＬＤ劣化補償ｉＩｌ制
御回路１１およびＬＤ劣化袖償ｉ、制御回路１２に印加
される。半導体レーザーが劣化した場合は後方向光出力
電流が変化するのでそのりに化をＬ Ｄ劣化補償ｉａ
ｆｉｉ制御回路１１およびＪ２によってそれぞれ適当な
値になるように制；１ＩＩｌｌする。このＬＬ）鍔化曲
）憤ｓ Ｂ １ｌＩｌｊイＪｌ１１回路１１および１２
の出力はそれぞれ？：Ｂ温１．！ｙ牛冒住補（？ｉ回路
３およびＬ ｐ Ｉ：＋Ｗ、度ｑ！ｆ性袖イバ回ｂ“１
“ｊ４に印加され・半々１体レーザーの温度ｔ１−°性
および劣化に対して補イ賞されたバイアス１匠流および
以ＸＮ１１１ハルス電Ｚｉ）―の１１１がＬ Ｄ ｊ２
ＩＸＵｊＤ回路５に印加塾れ芳１出力Ａワーおよび光出
力波ノ１７が半部・体レーザーの劣化にヌ・］シて値化
しないように半２°；・体レーザーの出力ｋ ｆｉｉｌ
Ｊ １ｉｌｉｌすることができる。なお第１図における
回路Ｃ：すべて演算」口１１“ハ器によって構成できる
。
（６） 多１ニリ」の久θ来
以上ｊ’１ｌｉｉｌに説明したように、庫うらり」によ
れば湿度変化Ｖ（奢、１ｄ、じ１．ｊ係に半２Ｊ１．休
レーリ゛−の９′ｊ′化を検出し、最適なＪｉｊ、ｊ、
ｕ（η状ｆｌｊ、：、、になるようにバイアス１匠流
および１鴨動パルス電流を制御することができるので温
度４°＞ ４ｊトおよび劣化を含めた半沁体レーザーの
う゛Ｃ出力の安カー化の会ガ来は犬でりる。
れば湿度変化Ｖ（奢、１ｄ、じ１．ｊ係に半２Ｊ１．休
レーリ゛−の９′ｊ′化を検出し、最適なＪｉｊ、ｊ、
ｕ（η状ｆｌｊ、：、、になるようにバイアス１匠流
および１鴨動パルス電流を制御することができるので温
度４°＞ ４ｊトおよび劣化を含めた半沁体レーザーの
う゛Ｃ出力の安カー化の会ガ来は犬でりる。
第１図は本発明にがかる手２ｊ−Ｌ体レーリ゛−出力安
定化方式企実現するためのブロック図、ｊ；Ｊ ２図は
半導体レーザーのバイアス１Ｔｉθ１１と駆動・ぐルス
′ｒコＩ流ｔ７Ｆず図、第３図は半導体レーザ９−の劣
化によるバイアス電流と駆動パルス電流を示ず１ミ′１
である。 図に赴いて１およびＬＤは半尋体し−リー禾、２ ＆：
Ｊ：温度検出回路を、３はバイアス゛ｆｉ′ｉ’、流ｒ
ｌｉ；！、 ｌｊ！！１寺１・１：袖１１Ａ回路を、４
ば、駆動パルス市１流湛度１１「性補イｒ１回）賭を、
５は半ば１体レーザー１シ・１両Ｅｉ： Ｉｔ’ｉ’ｉ
を、６は簗方回光出力直流イ火山回路を、７は’１．％
ｉび１シ′屯用変４呉回ｊ’ｆ’ｔを、３３Ｃ↓マ一ク
率補償回路を、” ’／：Ｊ’、 ７７）方向光電流温
度ｑ在す」補イＡ回路を、ｉｌ、ｌｃｌ：ＬＤ劣化袖（
ハフ、□；１ｉｌｉ７Ｉ１１回１ｌｔｒ♀を、１２はＬ
ｌ）劣化補償ｉ 、１ｌｉｌｌ−ｆｊｉ１回ｔｌ！１
目：それぞれ７」りす。
定化方式企実現するためのブロック図、ｊ；Ｊ ２図は
半導体レーザーのバイアス１Ｔｉθ１１と駆動・ぐルス
′ｒコＩ流ｔ７Ｆず図、第３図は半導体レーザ９−の劣
化によるバイアス電流と駆動パルス電流を示ず１ミ′１
である。 図に赴いて１およびＬＤは半尋体し−リー禾、２ ＆：
Ｊ：温度検出回路を、３はバイアス゛ｆｉ′ｉ’、流ｒ
ｌｉ；！、 ｌｊ！！１寺１・１：袖１１Ａ回路を、４
ば、駆動パルス市１流湛度１１「性補イｒ１回）賭を、
５は半ば１体レーザー１シ・１両Ｅｉ： Ｉｔ’ｉ’ｉ
を、６は簗方回光出力直流イ火山回路を、７は’１．％
ｉび１シ′屯用変４呉回ｊ’ｆ’ｔを、３３Ｃ↓マ一ク
率補償回路を、” ’／：Ｊ’、 ７７）方向光電流温
度ｑ在す」補イＡ回路を、ｉｌ、ｌｃｌ：ＬＤ劣化袖（
ハフ、□；１ｉｌｉ７Ｉ１１回１ｌｔｒ♀を、１２はＬ
ｌ）劣化補償ｉ 、１ｌｉｌｌ−ｆｊｉ１回ｔｌ！１
目：それぞれ７」りす。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 前方向の光出力を駆動する千リイ１体１／−１ｊ−駆ｉ
４ｉ、ＩＪ回路において、あらかじめ前ｔＦ、’：平、
＋７．％体レーリ゛−の最適なバイアス′屯流および駆
１１１パルス゛１１１、流ならびに後方向の光出力電流
の各ン！ｄｌｌ（ｌ−に幻する久化をｉｌｌ：定ｔ、
テオキ、前記半榎４体レーザーのＴＩ＋Ａ Ｉ−ｔＩ−
’？Ｃ４θｉ出することによシ前記バイアス箱、ｂａｒ
： 、４）・よひ川＜４＋山ノやルス′亀流の需１度変
化を補償しておき、次に前記生ｌＶ体レーザーの後力向
光出力市浦１１ヲ検出することにより前Ｐｊ己バイアス
Ｔ（１，流および口’ＩＭＬ祿＾１）ｌ力・ｐルス１」
１、ｂ；「１全！１ｉｌｌ （＋ｌＩ して半導体レー
ザーの劣化ラミ附Ｃ【すること％Ｈ特徴とする半導体レ
ーザー出力Ｖ定化方式、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16399582A JPS5954280A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 半導体レ−ザ−出力安定化方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16399582A JPS5954280A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 半導体レ−ザ−出力安定化方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954280A true JPS5954280A (ja) | 1984-03-29 |
Family
ID=15784753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16399582A Pending JPS5954280A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 半導体レ−ザ−出力安定化方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954280A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61208884A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ発振器 |
| JPS62116569U (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-24 | ||
| FR2694423A1 (fr) * | 1992-07-30 | 1994-02-04 | France Telecom | Dispositif de contrôle de la puissance de sortie des diodes laser. |
-
1982
- 1982-09-22 JP JP16399582A patent/JPS5954280A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61208884A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ発振器 |
| JPS62116569U (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-24 | ||
| FR2694423A1 (fr) * | 1992-07-30 | 1994-02-04 | France Telecom | Dispositif de contrôle de la puissance de sortie des diodes laser. |
| EP0583186A1 (fr) * | 1992-07-30 | 1994-02-16 | France Telecom | Dispositif de contrôle de la puissance de sortie des diodes laser |
| US5383208A (en) * | 1992-07-30 | 1995-01-17 | France Telecom | Device and method to control the output power of laser diodes |
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