JPS5954250A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS5954250A JPS5954250A JP57163221A JP16322182A JPS5954250A JP S5954250 A JPS5954250 A JP S5954250A JP 57163221 A JP57163221 A JP 57163221A JP 16322182 A JP16322182 A JP 16322182A JP S5954250 A JPS5954250 A JP S5954250A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ〈発明は、半尊体装置眞係り、特にリード部１／−ノ
・を使用一・ｊ”る平導体装買の構造に：関刊イ）、３
し発明の技術的背景〕 半導体装置の量産効果をあげるためｖ１従来から第１図
に示すような１１−１−フレ−ｌ、が使用さＪｌて（・
る。
・を使用一・ｊ”る平導体装買の構造に：関刊イ）、３
し発明の技術的背景〕 半導体装置の量産効果をあげるためｖ１従来から第１図
に示すような１１−１−フレ−ｌ、が使用さＪｌて（・
る。
このリード部−７、１Ｇ」、、連結部２か１、直角方向
に複数のり １・部；３を２突出さ一ト興，二−のり
１・部３の（・ずれかに広面積の牢導体ぺｌ／ノト
載置部４が一体的（Ｃ形成さねた形状となー）で（・る
、。
に複数のり １・部；３を２突出さ一ト興，二−のり
１・部３の（・ずれかに広面積の牢導体ぺｌ／ノト
載置部４が一体的（Ｃ形成さねた形状となー）で（・る
、。
１一言１１リ−ドル−ム１の゛１′導体べＩ／ノト裁匿
部・１に〉１４導体ペレノト５を固定し、金属ボ１ｌ線
６に、Ｌり半導体ベレット５と他の１）−１部：３，：
３とをボノテノグ等の手段により接続し゛（゛１′導体
装買とするが、ｉ記の構造の半導体装直には、次のよう
な欠点かある。
部・１に〉１４導体ペレノト５を固定し、金属ボ１ｌ線
６に、Ｌり半導体ベレット５と他の１）−１部：３，：
３とをボノテノグ等の手段により接続し゛（゛１′導体
装買とするが、ｉ記の構造の半導体装直には、次のよう
な欠点かある。
［背別技術の問題点］
（１） 半導体ぺｌ／１７１・とｌ）−１・部とを金
属細線で接続して℃・るので、必然的に断線事故か発生
しやず（・こと。
属細線で接続して℃・るので、必然的に断線事故か発生
しやず（・こと。
（２）金属細線を使用しでいるので友？１．ｉ．流を通
流する電力用半シ体装置には適さ／，１゛い，Ｌと，、
（３） 半導体ベレットからの発熱はドとして１−）
のリード部に設けられた半導体べ１／ノト載置部によっ
て放熱されるためにその放熱効果か１分て／２ｃ＜熱４
共抗が友きく／、Ｃって［、よう、二と１、（ａ）
、”Ｆ導体ベレット載置部をイ〕すて）リド部、他のリ
−１・部お−１、び連結部とをゴイく的δ・こかつＦ
１７ｉｉ的に配置−４−イ）限り、リ−ド−ノＩ／−人
の（＾“１幅りが人ぎくなり、４部１判取りがｊ７ｕ、
駄に）、「イ）・二と・・［発明のｌ−１的、１ 本発明（］１．１記の事情に基′５きなされ／−もので
、放熱効果が良く月イ′１取りに無駄のルいり トソレ
トを用いた１′導体装置を提供４ろ１−とイｌｌ的とす
る。
流する電力用半シ体装置には適さ／，１゛い，Ｌと，、
（３） 半導体ベレットからの発熱はドとして１−）
のリード部に設けられた半導体べ１／ノト載置部によっ
て放熱されるためにその放熱効果か１分て／２ｃ＜熱４
共抗が友きく／、Ｃって［、よう、二と１、（ａ）
、”Ｆ導体ベレット載置部をイ〕すて）リド部、他のリ
−１・部お−１、び連結部とをゴイく的δ・こかつＦ
１７ｉｉ的に配置−４−イ）限り、リ−ド−ノＩ／−人
の（＾“１幅りが人ぎくなり、４部１判取りがｊ７ｕ、
駄に）、「イ）・二と・・［発明のｌ−１的、１ 本発明（］１．１記の事情に基′５きなされ／−もので
、放熱効果が良く月イ′１取りに無駄のルいり トソレ
トを用いた１′導体装置を提供４ろ１−とイｌｌ的とす
る。
し発明の植成」
すなわ１ｂ、本発明Ｇ」、連結部と 体的υ（−形成ｌ
−たり−１・部の１′）に所定の形状に４７ｉ０１１１
自Ｊ’ ｕ、ｌ’ ｒｉｉｉ ｌ：ｃ ｊ−うに半・浮
体べ１ノット載置部を６冒ｆ′ｉ（、甲面的へ：リート
フレームに打し抜き後、前記べｌｙ 、７１．載置部あ
るいυ」−リード川９を４斤り曲げｃ ｔ −、ｑ ＋
本べｉ／ノドを挾持才るとどもに該ベレットと各り−１
・部とが金属細線を用い／、）、二となく電気的な接続
４戸り能てしたＸ１イ導体装置である。
−たり−１・部の１′）に所定の形状に４７ｉ０１１１
自Ｊ’ ｕ、ｌ’ ｒｉｉｉ ｌ：ｃ ｊ−うに半・浮
体べ１ノット載置部を６冒ｆ′ｉ（、甲面的へ：リート
フレームに打し抜き後、前記べｌｙ 、７１．載置部あ
るいυ」−リード川９を４斤り曲げｃ ｔ −、ｑ ＋
本べｉ／ノドを挾持才るとどもに該ベレットと各り−１
・部とが金属細線を用い／、）、二となく電気的な接続
４戸り能てしたＸ１イ導体装置である。
１−発明の実施例〕
以Ｉ−に、」＼発明の一実施例に〜）１Ｎ、図１ ｒｉ
ｉｉを参照して悦１１月−４” ７：、）ｔ、１ 第 ２ 図υよ、 ト 発明シ（」史ｌｌｌ−→ イ
ン リ ド −） １〜・ −ノ、の−・部を示す
かＩ視図て゛あイ）、。
ｉｉを参照して悦１１月−４” ７：、）ｔ、１ 第 ２ 図υよ、 ト 発明シ（」史ｌｌｌ−→ イ
ン リ ド −） １〜・ −ノ、の−・部を示す
かＩ視図て゛あイ）、。
同図（Ｆ ：Ｆ６ イー（、リ ｌ−７１／ 〕、１
１は、ぞノＪ（手方向υζ連結部Ｉ２をｆＩシ１、二の
ｊＨＩＳ結部１２かＶ”）直角方向１で複数（図面て（
上２」＼）のり １・部１；３゜１４が・体的峡−形成
されてし・イ）１、リ ド部１３Ｄ：ｊ１、そθ）先端
部か？す１． （ｉｉ：面角（詔平面形状１７字状に形
成さ７）１、その１ｊ山端１・・を−は、接触部１３か
設け［）ねていイ）６゜ 一ノブ、リ−１・部１１１の先端部（／（−ｉ土牢面形
状（１ぼ逆Ｕ字状にイノ「り曲（４’ ｒ’、ノ１／、
−十ノ＃、体べし・ノド１ｌｔ５ ｉｆ！ｊ°）゛り１
ｊＩ５カ・形成され、前ｉ！１４ ’Ｊ ” ｌ・部Ｉ
：３）の位置関係Ｇ゛１−１１−１図示にり １部１：
３寸（Ｎ１、びその接触部Ｉ：３の内縁より所定の・Ｊ
法／、−（・ｊ内側（Ｆ’、 Ｗｆ〕／、−配置□ｉ゛
′１″となっている。
１は、ぞノＪ（手方向υζ連結部Ｉ２をｆＩシ１、二の
ｊＨＩＳ結部１２かＶ”）直角方向１で複数（図面て（
上２」＼）のり １・部１；３゜１４が・体的峡−形成
されてし・イ）１、リ ド部１３Ｄ：ｊ１、そθ）先端
部か？す１． （ｉｉ：面角（詔平面形状１７字状に形
成さ７）１、その１ｊ山端１・・を−は、接触部１３か
設け［）ねていイ）６゜ 一ノブ、リ−１・部１１１の先端部（／（−ｉ土牢面形
状（１ぼ逆Ｕ字状にイノ「り曲（４’ ｒ’、ノ１／、
−十ノ＃、体べし・ノド１ｌｔ５ ｉｆ！ｊ°）゛り１
ｊＩ５カ・形成され、前ｉ！１４ ’Ｊ ” ｌ・部Ｉ
：３）の位置関係Ｇ゛１−１１−１図示にり １部１：
３寸（Ｎ１、びその接触部Ｉ：３の内縁より所定の・Ｊ
法／、−（・ｊ内側（Ｆ’、 Ｗｆ〕／、−配置□ｉ゛
′１″となっている。
］記構成のリ−１・゛７レー１．１１を使用才る場合（
ｆでは、以−１・の」、うに所定箇所を折り曲げてＩす
Ｊ ＪＴＩ −する。
ｆでは、以−１・の」、うに所定箇所を折り曲げてＩす
Ｊ ＪＴＩ −する。
すなわち、第１の使用方法として第３図に示すｊ： ウ
ＩｆＣ”Ｐ導体へＩｙ ）ｌ−載置部１５をＭ ｉ？ｉ
７ （１１１１にＪ−８００折り曲げるとともにリード
部１４と前記ぺＩ／ノド載買部１５どの連結部Ｌ４ａを
ほぼ直角ｙ ＪＪ−ｌ−り曲げろ。
ＩｆＣ”Ｐ導体へＩｙ ）ｌ−載置部１５をＭ ｉ？ｉ
７ （１１１１にＪ−８００折り曲げるとともにリード
部１４と前記ぺＩ／ノド載買部１５どの連結部Ｌ４ａを
ほぼ直角ｙ ＪＪ−ｌ−り曲げろ。
また、リ ド部１：３もその所′ｊ′Ｕｌ■〜装置を所
定角度たけ折り）１１目Ｊ′、接触部１．３ ａか他力
の牢４体ベレノ１−載置部１５１にイ１シ１〆イ」−る
３１、’Ｊ ｋこ−４−ろ３゜次いて、半導体ペレット
１６を１′力体ペレノＩ・載置部１５ヒに塔載し、接触
部１３ａで挾持し、所定のノルゾに」、り前記ベレノＩ
・を固着する。
定角度たけ折り）１１目Ｊ′、接触部１．３ ａか他力
の牢４体ベレノ１−載置部１５１にイ１シ１〆イ」−る
３１、’Ｊ ｋこ−４−ろ３゜次いて、半導体ペレット
１６を１′力体ペレノＩ・載置部１５ヒに塔載し、接触
部１３ａで挾持し、所定のノルゾに」、り前記ベレノＩ
・を固着する。
最後に連結部１２とリ −ド部＋３．Ｉ／Ｉとを所定の
位置で切り前ぜばに１的と１４）Ｖ・導体装置が完成す
る。
位置で切り前ぜばに１的と１４）Ｖ・導体装置が完成す
る。
なお、半導体ペレット１６ろ・固定ｔ−／、−’Ｉ’−
導体ベレット載置部１５、リー叫・部１３．Ｉｌｌの先
端部Ｑ」２、通常の方法により樹脂モール１′される４
、第４図Ｇ″ｌ１．１記構成の’Ｊ −Ｍフレ−ノ・の
第２の使用方法を示−Ｊ′剣視図である。
導体ベレット載置部１５、リー叫・部１３．Ｉｌｌの先
端部Ｑ」２、通常の方法により樹脂モール１′される４
、第４図Ｇ″ｌ１．１記構成の’Ｊ −Ｍフレ−ノ・の
第２の使用方法を示−Ｊ′剣視図である。
すなわち、この使用方法（１−、リード部１４と半導体
ベレット載置部部どの１）１〜結部］、 ４ ａθ）・
′ノをＩＪ−ド部Ｉ ４の表面（ｆｉｌｌに１８０°４
斤り曲げたイ、の（＝あり、この場合に半導体ベレット
載置部１５かｆ１μツノのり−１・部１３の接触部１；
３ａど対向−４″る。１、’、、＋ Ｋ Ｌ、た・もの
である。
ベレット載置部部どの１）１〜結部］、 ４ ａθ）・
′ノをＩＪ−ド部Ｉ ４の表面（ｆｉｌｌに１８０°４
斤り曲げたイ、の（＝あり、この場合に半導体ベレット
載置部１５かｆ１μツノのり−１・部１３の接触部１；
３ａど対向−４″る。１、’、、＋ Ｋ Ｌ、た・もの
である。
１記の１）−トノＬ／ ノ・をｆすｌ川して牢導体装
置な絹み＼゛ｌてる場合に（・：１、先の説明と同様（
ｆこ゛１′導体ぺＩツノＩ・］６を半カ一体べｌ／１７
１・載置部Ｉ５と接触部１：３ａで挾持し、ノルゾ等に
より固定Ｉ７、所定の樹脂モールドを施して半導体装置
を完成−４る３゜な寸６、第３図と同等部分には、同
・符５４を伺してその詳しい説１！ＩＪは省略−４４，
。
置な絹み＼゛ｌてる場合に（・：１、先の説明と同様（
ｆこ゛１′導体ぺＩツノＩ・］６を半カ一体べｌ／１７
１・載置部Ｉ５と接触部１：３ａで挾持し、ノルゾ等に
より固定Ｉ７、所定の樹脂モールドを施して半導体装置
を完成−４る３゜な寸６、第３図と同等部分には、同
・符５４を伺してその詳しい説１！ＩＪは省略−４４，
。
］言己℃・すれのり ドフｌ、’ −、！、の使Ｔ門
方法に寸（八・ても素子ＩからＪ］”ｌ’）抜いた１中
のり一トノｌ＝−ノ・の＋ｌｊ譜３、りも半導体装置−
・、の使用１ノ、１の１１１．会か増大する。
方法に寸（八・ても素子ＩからＪ］”ｌ’）抜いた１中
のり一トノｌ＝−ノ・の＋ｌｊ譜３、りも半導体装置−
・、の使用１ノ、１の１１１．会か増大する。
すブ工：わ）′）、第５図の説明図に示−（゛」、５（
（累月か［−）打ち抜いたままの連結部１２の端縁かｌ
；、 ＋Ｊ −ト部１３の接触部１；３ａの端縁」′て
の・４法ろ一■、。と−４ると、１−記の方法によ−〕
て半導体ベレット載置部１５が折り返された場合、その
端縁１．５ ａと連鞘部１２のＤｈ（Ｈとの＼Ｊ−法り
、信士Ｌ１１１．＞ Ｌｏとなる。
（累月か［−）打ち抜いたままの連結部１２の端縁かｌ
；、 ＋Ｊ −ト部１３の接触部１；３ａの端縁」′て
の・４法ろ一■、。と−４ると、１−記の方法によ−〕
て半導体ベレット載置部１５が折り返された場合、その
端縁１．５ ａと連鞘部１２のＤｈ（Ｈとの＼Ｊ−法り
、信士Ｌ１１１．＞ Ｌｏとなる。
ところてＬｍば、従来、必四とじまたり−１・−ル−フ
８の横幅Ｌ ＩＦ相当するので、結局、不発明のような
構成のリ−１・７１／ ムを使用する己、］１によって
利γ１取り１で無駄を減少さ１丈ることが可能と７．（
二ろ。
８の横幅Ｌ ＩＦ相当するので、結局、不発明のような
構成のリ−１・７１／ ムを使用する己、］１によって
利γ１取り１で無駄を減少さ１丈ることが可能と７．（
二ろ。
次（Ｃ１第６図は、本発明の他の実加）例な示−１もの
てル）す、先の実施例では、クー１部を２４〈ｆ＋する
ものにつし・て説明し／、−が、この実施例ではりド部
１３．１４の他にもう１つのり−１・部１７ろ・ｆ＃：
ｊえＡｍもので、−ナイリスタ、トう／ジス７り、グイ
オー１・￥Ｆ３端了構、＜１ｃをＰｉする半導体装置（
・（−月］いイ１ものである。
てル）す、先の実施例では、クー１部を２４〈ｆ＋する
ものにつし・て説明し／、−が、この実施例ではりド部
１３．１４の他にもう１つのり−１・部１７ろ・ｆ＃：
ｊえＡｍもので、−ナイリスタ、トう／ジス７り、グイ
オー１・￥Ｆ３端了構、＜１ｃをＰｉする半導体装置（
・（−月］いイ１ものである。
なお、使用方法にｍへ・てばう１．の説明と同様である
ので、同等部分には、同・ｆ１’ ”ｊ ’、ｒイＩ’
ｌ１子−の詳しい説明は省略する３゜ ［、発明の効果」 −１−詔の説明のように本発明＆′：Ｉ’、 ｌ）
ｌ、ノ）／ 人の連結部から直角Ｂ向にのびるり ）
部の１・−）に半導体ペレット載置部を設け、このベレ
ット載置部が前記連結部に対して外側になるよ５Ｋ １
．８０°折り曲げ、前記べｌ／ノド載置部を裏返して使
用するよう如構成したので以干のような効用をＹｊ−す
る。
ので、同等部分には、同・ｆ１’ ”ｊ ’、ｒイＩ’
ｌ１子−の詳しい説明は省略する３゜ ［、発明の効果」 −１−詔の説明のように本発明＆′：Ｉ’、 ｌ）
ｌ、ノ）／ 人の連結部から直角Ｂ向にのびるり ）
部の１・−）に半導体ペレット載置部を設け、このベレ
ット載置部が前記連結部に対して外側になるよ５Ｋ １
．８０°折り曲げ、前記べｌ／ノド載置部を裏返して使
用するよう如構成したので以干のような効用をＹｊ−す
る。
（１） リ−１−ツレ−１、のＮ１／・面形状の横幅
は、使用状態のイＭ （１県よりも狭くて良く、し／、
二か−）てイＡネ・＋ｉｒ！りの無１吠を省け、半導体
装１“、Ｙｌの製造原価ち一低減」ることができる。
は、使用状態のイＭ （１県よりも狭くて良く、し／、
二か−）てイＡネ・＋ｉｒ！りの無１吠を省け、半導体
装１“、Ｙｌの製造原価ち一低減」ることができる。
（２）Ｉ記（１１Ｉｌｌｌ成のり−１・−ル−）、を使
用−１１’ｉｌば、半導体ベレットとリ−１・部との接
続に金属細線をイζ要と−４−るので、従来のように断
線事故性のオ６それがなく、庄／こノ又電流をθｉｉ：
４” ＋ミとか゛（＝きるので電力用半導体装ｉｆ”
Ｉ′ｆ用し・ることか（きる。
用−１１’ｉｌば、半導体ベレットとリ−１・部との接
続に金属細線をイζ要と−４−るので、従来のように断
線事故性のオ６それがなく、庄／こノ又電流をθｉｉ：
４” ＋ミとか゛（＝きるので電力用半導体装ｉｆ”
Ｉ′ｆ用し・ることか（きる。
（８） ｘｌ′導体べＩ／ノドか１゛）の発熱Ｑよ、
該べ１，７ノトを挾持中るリード部と゛１′導体ペレッ
ト載置部との両者て放熱されるために放熱効果か良くか
り熱抵４７’ｉ：が小さくなイ）１゜
該べ１，７ノトを挾持中るリード部と゛１′導体ペレッ
ト載置部との両者て放熱されるために放熱効果か良くか
り熱抵４７’ｉ：が小さくなイ）１゜
第１図は、従来のリードフレ ムを使用した半導体装置
の内部構成図、第２図ζ土、不発明の半導体装置に使用
するリードフン ノ・の一部切欠狽視図、第３図は、半
導体ペレット載置部の折り曲げ状態の１勺を示す１肥り
−Ｆノ１．・・ ノ、（２）一部似Ｊ／）（斜視１図、
第４図は、第３図同１壬の１（導体ベレット載置部の他
の４〕１つ曲げ状態を小−４１−・記同様のリードフレ
ームの−・部切欠斜祝図、第５図１．′１１１、本発明
に使用するり一トフレームと従来のり−）・ル−ムとの
横幅の減少量を説明″４−ろための図、第６図員３、本
発明の他の実施例を示−（ものて、第：うのリード部を
設けＩ、ユリ−１−）Ｉ／−１、の −ＲＩＳ ！”Ｊ
欠牢面図てある。 １ ｌ −リ トソレ ム、 １２ ・１１１（オ
ｌ’１１１１−１１３、 １４．１７ − ’Ｊ
−Ｍ９． Ｉ ５ − ’（′ｊ＃：ｉ４−＜
Ｖ 〕Ｉ・載置部、 １６パ（
〈導体−＜１／ノド出願代理人 すｐ ］ｌ′ｌ！４−
菊 池 ｔｌ 部−２１ε 第 ２１」 佑 ４１之（ 第：′ｊ 叫
の内部構成図、第２図ζ土、不発明の半導体装置に使用
するリードフン ノ・の一部切欠狽視図、第３図は、半
導体ペレット載置部の折り曲げ状態の１勺を示す１肥り
−Ｆノ１．・・ ノ、（２）一部似Ｊ／）（斜視１図、
第４図は、第３図同１壬の１（導体ベレット載置部の他
の４〕１つ曲げ状態を小−４１−・記同様のリードフレ
ームの−・部切欠斜祝図、第５図１．′１１１、本発明
に使用するり一トフレームと従来のり−）・ル−ムとの
横幅の減少量を説明″４−ろための図、第６図員３、本
発明の他の実施例を示−（ものて、第：うのリード部を
設けＩ、ユリ−１−）Ｉ／−１、の −ＲＩＳ ！”Ｊ
欠牢面図てある。 １ ｌ −リ トソレ ム、 １２ ・１１１（オ
ｌ’１１１１−１１３、 １４．１７ − ’Ｊ
−Ｍ９． Ｉ ５ − ’（′ｊ＃：ｉ４−＜
Ｖ 〕Ｉ・載置部、 １６パ（
〈導体−＜１／ノド出願代理人 すｐ ］ｌ′ｌ！４−
菊 池 ｔｌ 部−２１ε 第 ２１」 佑 ４１之（ 第：′ｊ 叫
Claims (1)
- リ−トフレ−ノ・の連結部と、この連結７′１Ｂから直
角方向にのびる複数のリ−１・１耶と、このリ−１・部
のし・ずＪｌかの］−）に形成された半導体ベレット載
置部とを備え、このペレノＩ・載１ｄ部をｆｌ−するり
−ト部の一部もしくＧよペレット載門部の 一部イ１．
ｌ−折り返し、前記ペレット載置部が前記他のり １・
部と対向するようにし、この対向面間ｅこ半導体ベレッ
トを挾んで固着して成る坐導体装置買、う
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57163221A JPS5954250A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57163221A JPS5954250A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954250A true JPS5954250A (ja) | 1984-03-29 |
| JPS638618B2 JPS638618B2 (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=15769610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57163221A Granted JPS5954250A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954250A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4675718A (en) * | 1985-06-17 | 1987-06-23 | Yazaki Corporation | Diode-containing connector |
| EP0785575A3 (en) * | 1996-01-17 | 1998-09-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and semiconductor module |
| WO2005086218A1 (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 半導体モジュールの製造方法 |
| US7670879B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-03-02 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor module including solid-liquid diffusion joining steps |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4838070A (ja) * | 1971-09-16 | 1973-06-05 |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP57163221A patent/JPS5954250A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4838070A (ja) * | 1971-09-16 | 1973-06-05 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4675718A (en) * | 1985-06-17 | 1987-06-23 | Yazaki Corporation | Diode-containing connector |
| EP0785575A3 (en) * | 1996-01-17 | 1998-09-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and semiconductor module |
| US7670879B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-03-02 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor module including solid-liquid diffusion joining steps |
| WO2005086218A1 (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 半導体モジュールの製造方法 |
| JPWO2005086218A1 (ja) * | 2004-03-02 | 2008-01-24 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 半導体モジュールの製造方法 |
| JP4508189B2 (ja) * | 2004-03-02 | 2010-07-21 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 半導体モジュールの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS638618B2 (ja) | 1988-02-23 |
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