JPS5953672A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS5953672A JPS5953672A JP57164266A JP16426682A JPS5953672A JP S5953672 A JPS5953672 A JP S5953672A JP 57164266 A JP57164266 A JP 57164266A JP 16426682 A JP16426682 A JP 16426682A JP S5953672 A JPS5953672 A JP S5953672A
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- JP
- Japan
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- reactor
- furnace
- main body
- exhaust
- plasma
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〉、”を膜り・ｆ造法の一つとして、近年脚）′１．な
菌ひ−しいるものにプラズマＣＶＩ） （Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｉ）ｅｐｏｓｉＬｉｏｎ ）θそが
ある。この方法は反応室ケ高真？、−に減１１−シ、原
料ガスを反応軍に供給した後グロー故事、Ｖこよって原
′に１ノｆスを分解し、反応平向Ｖこ＋’＋ｔ、１．
ｔｉｖ−ごれた基板十にと、％膜を形成する力θにで、
例え−２非晶Ｉｉ！＋伺素膜の生成に応用されている。
菌ひ−しいるものにプラズマＣＶＩ） （Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｉ）ｅｐｏｓｉＬｉｏｎ ）θそが
ある。この方法は反応室ケ高真？、−に減１１−シ、原
料ガスを反応軍に供給した後グロー故事、Ｖこよって原
′に１ノｆスを分解し、反応平向Ｖこ＋’＋ｔ、１．
ｔｉｖ−ごれた基板十にと、％膜を形成する力θにで、
例え−２非晶Ｉｉ！＋伺素膜の生成に応用されている。
この方法でンランガス（ｊ’；＋Ｉｉ４ ）を原料ガス
として作成した非晶’（’１’、 （ｉｔ″、＋シ膜は
、非晶’ＪｔＣ（ｉ−ｌ−イ、の禁止１１Ｙ中しこ存イ
１する局在１ｔ、ｆＪ位が比較的少なく、１１１゛換型
不純物のドーピングＶこより、１ｉ１１ｉ電子制御がＤ
Ｊ能］−ｉす１．（７，イ：７；Ｉ真感光体として、使
用出来る。
として作成した非晶’（’１’、 （ｉｔ″、＋シ膜は
、非晶’ＪｔＣ（ｉ−ｌ−イ、の禁止１１Ｙ中しこ存イ
１する局在１ｔ、ｆＪ位が比較的少なく、１１１゛換型
不純物のドーピングＶこより、１ｉ１１ｉ電子制御がＤ
Ｊ能］−ｉす１．（７，イ：７；Ｉ真感光体として、使
用出来る。
不発ｊｊｌ［ｆ；ｌ：イ数の７）１２成１１’、：を基
体にゾ゛ラズマＣＶＤ法により効率Ｄ−＜／ｉ’ｊ Ｉ
＋’ソシー」イ）為の連Ａ’７［；プラグ−７ＣＶＤ装
％”ｆに門するものであ２）。
体にゾ゛ラズマＣＶＤ法により効率Ｄ−＜／ｉ’ｊ Ｉ
＋’ソシー」イ）為の連Ａ’７［；プラグ−７ＣＶＤ装
％”ｆに門するものであ２）。
一般的（・で、被成ｊ岸基体（４＝成ｊ（７−する］″
ララズマＣＶＩ置とし２て、中、−の了１ノと１“１・
１から成るいわゆるバノチノ１リフ０ラズマＣＶＤ装筐
が知られ、ている。この）ｌｉ−４のフ０ラス゛マＣＶ
Ｉ）装置の（１１冒Ｉ’ｉ”ｉ ＆：Ｉ、ｍ Ｉ図ｌ７
（ｌ ７Ｊ： ｉ”Ｉｆｆ’な（（・”４成となってい
る。
ララズマＣＶＩ置とし２て、中、−の了１ノと１“１・
１から成るいわゆるバノチノ１リフ０ラズマＣＶＤ装筐
が知られ、ている。この）ｌｉ−４のフ０ラス゛マＣＶ
Ｉ）装置の（１１冒Ｉ’ｉ”ｉ ＆：Ｉ、ｍ Ｉ図ｌ７
（ｌ ７Ｊ： ｉ”Ｉｆｆ’な（（・”４成となってい
る。
第］１゛ン１に、ｌ：、−いて、ＪＱｌ−反応炉り１τ
体を・７Ｊ＜ず。これは、−白空槽２及びそのフタ３
Ｊ：り成ろ反応炉の内部に高周波を印加−Ｊろ円ｆ１１
）形、１・、信・・１及び１．′Ｉ２地された対向爪棒
としての円１イｊ形の被Ｉ・、’７ ｉｔ；’＋基体５
からイ）゛す成されている。
体を・７Ｊ＜ず。これは、−白空槽２及びそのフタ３
Ｊ：り成ろ反応炉の内部に高周波を印加−Ｊろ円ｆ１１
）形、１・、信・・１及び１．′Ｉ２地された対向爪棒
としての円１イｊ形の被Ｉ・、’７ ｉｔ；’＋基体５
からイ）゛す成されている。
円ｆ７＜ｉ形基体５３ニジ、内部の力ｌＩ熱ヒーター（
３により、その内１１１１より加熱される。７（」−〕
“°ラズー７を反１心炉内にとじ込める為の円筒型シー
ル）゛、８Ｑ１１反応炉の真空戸５二を潤冗する為の直
ノと１．（＋−８＋ＩＩ ＞、ｉし１・７カーである。
３により、その内１１１１より加熱される。７（」−〕
“°ラズー７を反１心炉内にとじ込める為の円筒型シー
ル）゛、８Ｑ１１反応炉の真空戸５二を潤冗する為の直
ノと１．（＋−８＋ＩＩ ＞、ｉし１・７カーである。
これらの部分Ｖ（よって反応炉本体１が、１１４成いれ
ている。
ている。
一方、−Ｊ二’ＡＬ：の反応炉本体に伺随Ｊるｊ□′・
１辺装置として、反応炉全排気する排気系、反応炉内し
こ反応ｌｆスを供給する反応ガス供給系、′ｔｔｉ、源
、測足糸青の機器が反応炉本体に固型されている。すな
わち、図示の装置〜では反応炉を排気づ゛る為のＪＪ＋
気、Ｉ？ノフ゛９および排気ガスを処理する為の」１１
カス処理装置ｉ！′ｌ−１０を含む排気系かパルプ１１
をｆｌし−Ｃ反応炉本体１に連結され、反応炉に反応ｇ
スを供給うる為の月別ガス乃？ノベ、減圧弁、圧力調整
器〜、Ｉｉよりｈ”：る反応ガ゛ス供給系１２がパルプ
１３全介しで反応炉本体１に連結され、反応炉電極４に
高周′０ソを加える為の商周仮亜源１４が反応炉の壁体
４辿し−Ｃ該電（執４に接続ネれている。さらに、ｌ］
ｌ ｉ’ｉ＋’ｉ Ｊしの基体５を回転さ４シる為のモ
ータ１５か該基体の回転申出Ｉ６に接１−圧され、ピー
タ−（ｉに’ｆ１５．が１、（ｉ−’ ｆＪｌイ１Ｆ〕
゛る為のヒーターｉ１）’、１％ｊ ｌ−７がｎ！Ｊ、
回）ｌ広’Ｉ’ｌｌ Ｉ ６ ＜ｃ ＪＩＩＪ−Ｌ、−
’ｃヒーター（ｉに伝統され１．！！１．空測定「、１
」８がセンーリー８Ｖこ敢続嘔才１、゛また、反応炉内
のブ′ラズマの状態をｔ；論祝する為の７°ラズマ分光
装置＋・−□１９か反応炉本体Ｖことりつけ［つれてい
／）。これらの間２０よ、反応炉にイ」１１１イ１（２
て、成）１．Ｊする為〔・Ｃ必ヅ゛な周辺（づｌ帰ＩＫ
とし２て反応ｖｉ” ４＼体１に固ボへ才１ているＯこ
のｌ＋’ｌ’：な装置４にイイとって、円面形Ａ゛一体
しこプラズマＣＶＤ膜例えば非晶５Ｈｊイ＋Ｉ 素’、
ｃ成１＋ｕ＜ ’するニｔＪ４、？７．１の（ト」Ｓな
行程がとられ−Ｇいる。
１辺装置として、反応炉全排気する排気系、反応炉内し
こ反応ｌｆスを供給する反応ガス供給系、′ｔｔｉ、源
、測足糸青の機器が反応炉本体に固型されている。すな
わち、図示の装置〜では反応炉を排気づ゛る為のＪＪ＋
気、Ｉ？ノフ゛９および排気ガスを処理する為の」１１
カス処理装置ｉ！′ｌ−１０を含む排気系かパルプ１１
をｆｌし−Ｃ反応炉本体１に連結され、反応炉に反応ｇ
スを供給うる為の月別ガス乃？ノベ、減圧弁、圧力調整
器〜、Ｉｉよりｈ”：る反応ガ゛ス供給系１２がパルプ
１３全介しで反応炉本体１に連結され、反応炉電極４に
高周′０ソを加える為の商周仮亜源１４が反応炉の壁体
４辿し−Ｃ該電（執４に接続ネれている。さらに、ｌ］
ｌ ｉ’ｉ＋’ｉ Ｊしの基体５を回転さ４シる為のモ
ータ１５か該基体の回転申出Ｉ６に接１−圧され、ピー
タ−（ｉに’ｆ１５．が１、（ｉ−’ ｆＪｌイ１Ｆ〕
゛る為のヒーターｉ１）’、１％ｊ ｌ−７がｎ！Ｊ、
回）ｌ広’Ｉ’ｌｌ Ｉ ６ ＜ｃ ＪＩＩＪ−Ｌ、−
’ｃヒーター（ｉに伝統され１．！！１．空測定「、１
」８がセンーリー８Ｖこ敢続嘔才１、゛また、反応炉内
のブ′ラズマの状態をｔ；論祝する為の７°ラズマ分光
装置＋・−□１９か反応炉本体Ｖことりつけ［つれてい
／）。これらの間２０よ、反応炉にイ」１１１イ１（２
て、成）１．Ｊする為〔・Ｃ必ヅ゛な周辺（づｌ帰ＩＫ
とし２て反応ｖｉ” ４＼体１に固ボへ才１ているＯこ
のｌ＋’ｌ’：な装置４にイイとって、円面形Ａ゛一体
しこプラズマＣＶＤ膜例えば非晶５Ｈｊイ＋Ｉ 素’、
ｃ成１＋ｕ＜ ’するニｔＪ４、？７．１の（ト」Ｓな
行程がとられ−Ｇいる。
ず々わちれ空槽２のフタ３を開け、円面形本体５を回転
’１ｉｆｔ １６に固足し、旦空槽Ｑ）フタ３究１１−
・排気系９，１０．ＩＩＫよシ直″ど槽２を商工ｊ、空
にする。同時に力１１熱ヒーター６に」；す、円筒形基
体５を２００ ℃〜３００ ’Ｃ、ｌ’−、’Ａ度に力
１１ビ’Ｑｐ（する０加熱温１支が安定した状態て、Ｈ
，＋を気ゾρ！ｉ 、 ｉ、 （１。
’１ｉｆｔ １６に固足し、旦空槽Ｑ）フタ３究１１−
・排気系９，１０．ＩＩＫよシ直″ど槽２を商工ｊ、空
にする。同時に力１１熱ヒーター６に」；す、円筒形基
体５を２００ ℃〜３００ ’Ｃ、ｌ’−、’Ａ度に力
１１ビ’Ｑｐ（する０加熱温１支が安定した状態て、Ｈ
，＋を気ゾρ！ｉ 、 ｉ、 （１。
Ｊｌにより一定ｌ残ガスをυ１゛気しなから、反応ガス
供給系１２．１３により真空（Ｖ・１内にＪ、ｉＷ ｌ
・１ガスを導入する。導入ガス：ｉをｉｉｉ”ｌ仲Ａｔ
Ｌ−’−典り辷槽内の月−力金真窒計］、 ８ Ｋ
ｊ ’） ｉＨ当＆Ｃ保チ商周７）Ｍ ’ｄｔ、、 ＋
Ｄ４４ ｔ（ｃ ｉｌ、ｔ。
供給系１２．１３により真空（Ｖ・１内にＪ、ｉＷ ｌ
・１ガスを導入する。導入ガス：ｉをｉｉｉ”ｌ仲Ａｔ
Ｌ−’−典り辷槽内の月−力金真窒計］、 ８ Ｋ
ｊ ’） ｉＨ当＆Ｃ保チ商周７）Ｍ ’ｄｔ、、 ＋
Ｄ４４ ｔ（ｃ ｉｌ、ｔ。
（１東１４より尚周波を印加゛（−る。
円筒形シールド７１＋−二、Ｌ：り囲１れたＪ？ １．
ｉｉにプラス ゛マカ発生シ、放屯分ＩＷされた非
晶′（′■硅；’：’、’ｊか円ｔｗｉ形基体表＋ｋｉ
にＪｉｔ＋−！！（する。その際ブンズマ分ン′ロ１ノ
、、： ＋、’ｉ□１９等によりノ°ラズマの状態全鼎
祝する°１）も良質な膜をイ午る上で中Ｘ要である。
ｉｉにプラス ゛マカ発生シ、放屯分ＩＷされた非
晶′（′■硅；’：’、’ｊか円ｔｗｉ形基体表＋ｋｉ
にＪｉｔ＋−！！（する。その際ブンズマ分ン′ロ１ノ
、、： ＋、’ｉ□１９等によりノ°ラズマの状態全鼎
祝する°１）も良質な膜をイ午る上で中Ｘ要である。
１Ｃり当な）１つ四ｌ／（ｔこ／ｒっ瓦後、放電、ｊ東
料カスケ止め、更に加熱ヒーター全１．ＩＪっで円筒）
１′ノ＋’； ＋’ｌＪケｒ′、１７．１１″′４−る
。
料カスケ止め、更に加熱ヒーター全１．ＩＪっで円筒）
１′ノ＋’； ＋’ｌＪケｒ′、１７．１１″′４−る
。
しかる後、ｐ−空４ν１１゛リークし１．ＬＬｌりｊ′
槽Ｑ）、ツタニルを開き、＋１４筒形基１本ケ敗り出す
。
槽Ｑ）、ツタニルを開き、＋１４筒形基１本ケ敗り出す
。
この１−１程に於て最初の、真空、加熱Ｙ−■程に１１
ｊ１常３０分〜１時間、成）ｊす行程に（Ｊｌ畑成長連
城か１０ Ｘ／３ａｃ ｑ呈＋ｉとし、最ｘ：： ＋＋
ｐ、厚を１０μ（！１反ン「二）約３時間、？？１−却
に１時間〜２時間程ｊ現ｋ ９９する。
ｊ１常３０分〜１時間、成）ｊす行程に（Ｊｌ畑成長連
城か１０ Ｘ／３ａｃ ｑ呈＋ｉとし、最ｘ：： ＋＋
ｐ、厚を１０μ（！１反ン「二）約３時間、？？１−却
に１時間〜２時間程ｊ現ｋ ９９する。
すなわち１本の円１６１形壓体Ｑこ成膜する為に１没人
（ｊ時間程度を鮫する甲となり、生５戸（廻効掩、が；
１１よい。−力、非晶〕（イ硅素１１県光グラズマＣＶ
Ｉ）法で作成する１［）１合、ポリシランと叶ばれる副
生成物が牛し、Ｃれは微細なり体状ｋ ＪＪ！／：Ｌで
いる。又、Ｊ （１／Ｌ ＪｊＳ Ｉ皮の）ワＩｉ”％
を形成した場合、炉裟とり囲−ｊｌｒ ｌ’Ｊ １ｉｉ
ＩＪｌ多シールド、及び、Ｘ−７１周（皮’＋’（！、
極青にもｊトＳがＩｒｅ成びれ、これらのハかＱ」−紋
回行程企繰０返す］＃（により）・ノｆ ｌ／て来て細
１１となる。これらは真空４−・（をリークずゐ時及び
５体を真空槽内（ン二装入し４４＋気す／）場Ｇ１内部
の気体の３Ｗ、 Ｘ！＋により舞いＬり病体全汚す′−
））になり製品の品す」を低下させ／）。これらの粉の
彰１・Ｊ、′ケ出来るたけ少なくする為い、）Ｉ／応炉
はＩＣ成膜終了萌ごとに、分解掃除をずノ）必゛汐がイ
・）るか、この’ｔ１’ｔ ｈｉｆ作業の時間にも１〜
２１１７７、 ＩＩ 、、；、・要する。
（ｊ時間程度を鮫する甲となり、生５戸（廻効掩、が；
１１よい。−力、非晶〕（イ硅素１１県光グラズマＣＶ
Ｉ）法で作成する１［）１合、ポリシランと叶ばれる副
生成物が牛し、Ｃれは微細なり体状ｋ ＪＪ！／：Ｌで
いる。又、Ｊ （１／Ｌ ＪｊＳ Ｉ皮の）ワＩｉ”％
を形成した場合、炉裟とり囲−ｊｌｒ ｌ’Ｊ １ｉｉ
ＩＪｌ多シールド、及び、Ｘ−７１周（皮’＋’（！、
極青にもｊトＳがＩｒｅ成びれ、これらのハかＱ」−紋
回行程企繰０返す］＃（により）・ノｆ ｌ／て来て細
１１となる。これらは真空４−・（をリークずゐ時及び
５体を真空槽内（ン二装入し４４＋気す／）場Ｇ１内部
の気体の３Ｗ、 Ｘ！＋により舞いＬり病体全汚す′−
））になり製品の品す」を低下させ／）。これらの粉の
彰１・Ｊ、′ケ出来るたけ少なくする為い、）Ｉ／応炉
はＩＣ成膜終了萌ごとに、分解掃除をずノ）必゛汐がイ
・）るか、この’ｔ１’ｔ ｈｉｆ作業の時間にも１〜
２１１７７、 ＩＩ 、、；、・要する。
本発明は、上記のような虻来のノ゛ラズマＣＶＩ）装置
における欠点をＪＪｉ除して、プラズマＣＶＩ）装置Ｖ
こよる生産効率を向−１−させて、被成膜基体１圃あ１
こりの設備償却費を低下さぜ、且つ・ｐｉ ’ＦＡの・
ｑツチノｌｌ！！式の装置でＣ１Ｌ困難庁ゴミＬ／−）
ｒｕ配（１’、、ｌ ７ｊ イＩＡａ ｉｌｌ、’尤
ｆ ｉｉ） ＨｉＩとするプラズマＣＶＤ装置１９．を
仙上供゛Ｊるε二とＳ、： １−Ｊ的とするもので、そ
の肪゛徴とするところケよ、ノ°ラズマＣＶＩ）装置σ
−の反応炉木（・１・と、排気糸、反）１１１、ガス供
組糸、電源耶を含む該反応炉本体にイ１’ １ｊｔｌｌ
す２）周辺装置と全、反応炉本体の状ｌ？１を乱すこと
／ｒく分離用能とし、且つ反応炉本体全格りリノする手
段を設けたことにある。
における欠点をＪＪｉ除して、プラズマＣＶＩ）装置Ｖ
こよる生産効率を向−１−させて、被成膜基体１圃あ１
こりの設備償却費を低下さぜ、且つ・ｐｉ ’ＦＡの・
ｑツチノｌｌ！！式の装置でＣ１Ｌ困難庁ゴミＬ／−）
ｒｕ配（１’、、ｌ ７ｊ イＩＡａ ｉｌｌ、’尤
ｆ ｉｉ） ＨｉＩとするプラズマＣＶＤ装置１９．を
仙上供゛Ｊるε二とＳ、： １−Ｊ的とするもので、そ
の肪゛徴とするところケよ、ノ°ラズマＣＶＩ）装置σ
−の反応炉木（・１・と、排気糸、反）１１１、ガス供
組糸、電源耶を含む該反応炉本体にイ１’ １ｊｔｌｌ
す２）周辺装置と全、反応炉本体の状ｌ？１を乱すこと
／ｒく分離用能とし、且つ反応炉本体全格りリノする手
段を設けたことにある。
以下、第２図および第′３図を珍１！（ｔ Ｌ−Ｕ本９
（−リｊを詳細に説明する。
（−リｊを詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例を７Ｊ＜ず図で、ε４九Ｊ図
に示すものと同様に円筒形基体上に成＋１１ａするプラ
ズマＣＶＤ装置を示す。第２図中、第１図に示す部分と
同様の部分は同じ参照数字によって指ｊＪｅ ｌ、て、
その詳細な説明は省略する。
に示すものと同様に円筒形基体上に成＋１１ａするプラ
ズマＣＶＤ装置を示す。第２図中、第１図に示す部分と
同様の部分は同じ参照数字によって指ｊＪｅ ｌ、て、
その詳細な説明は省略する。
第２図において、】は反応炉本体を；＋ｉｅ Ｌ、、９
゜１０ 、 ］ ２ 、１．４ 、 ｌ ５ 、 ｌ
７ 、１８ 、 、＋ ９は該反応炉本体に付随する周
辺機器である。
゜１０ 、 ］ ２ 、１．４ 、 ｌ ５ 、 ｌ
７ 、１８ 、 、＋ ９は該反応炉本体に付随する周
辺機器である。
図示の実施例においては、排ガス処理装置１０を伴った
排気ポツプ９を含む排気系は、排気光測のバルブ２１と
、反応炉本体側のバルブ２２と、これらのバルブ全接続
する接続手段２３を介して、反応炉本体に接続され、反
応ガス供給系Ｊ、ｌよ、反応ガス供給系側のストップバ
ルブ２４と、反応炉側のストシブバルブ２５と、これら
のバルブ全接続する接続手段２６を介しで、反応炉本体
に接続され、反応炉内でプラズマを発生させる為の高周
波捷たぐよ直流の′１１２υ１；目４は、コネクタ２７
を介し−ｃ１反応炉本体の壁体全通して電極４に接続さ
れている。
排気ポツプ９を含む排気系は、排気光測のバルブ２１と
、反応炉本体側のバルブ２２と、これらのバルブ全接続
する接続手段２３を介して、反応炉本体に接続され、反
応ガス供給系Ｊ、ｌよ、反応ガス供給系側のストップバ
ルブ２４と、反応炉側のストシブバルブ２５と、これら
のバルブ全接続する接続手段２６を介しで、反応炉本体
に接続され、反応炉内でプラズマを発生させる為の高周
波捷たぐよ直流の′１１２υ１；目４は、コネクタ２７
を介し−ｃ１反応炉本体の壁体全通して電極４に接続さ
れている。
捷た、円筒形の基体５を回転させる為のモーター１５お
よび基体を加熱する為のヒーター６の１１χ諒Ｊ７は接
続手段２８（こより反応炉本体に従続され、反応炉の真
生度客測定する為σ） ７ｉｉ１１カシ糸１８＆、ｌコ
ネクタ２９Ｖｃより反応炉に接続さ７１−こいる。反応
炉内のプラズマの状、報ケ’７ｉｎ：悦−ノる為のプラ
ズマ分）’＋’：装置１９は反応炉本体１に固″Ｊ、ビ
しても、反応炉本体周辺の枠体（図示せず）Ｑこ１Ｎ定
してもよい。このプラズマ分光装置は、反応中のノ°フ
ズマの状態を制（ｆｌｉする為に使用することもできる
。
よび基体を加熱する為のヒーター６の１１χ諒Ｊ７は接
続手段２８（こより反応炉本体に従続され、反応炉の真
生度客測定する為σ） ７ｉｉ１１カシ糸１８＆、ｌコ
ネクタ２９Ｖｃより反応炉に接続さ７１−こいる。反応
炉内のプラズマの状、報ケ’７ｉｎ：悦−ノる為のプラ
ズマ分）’＋’：装置１９は反応炉本体１に固″Ｊ、ビ
しても、反応炉本体周辺の枠体（図示せず）Ｑこ１Ｎ定
してもよい。このプラズマ分光装置は、反応中のノ°フ
ズマの状態を制（ｆｌｉする為に使用することもできる
。
反応炉本体１には、反応炉本体側−」二〇己の周辺機器
から剛ｆなし−〔移動さぜる移相）１手段Ｉ Ｏか設け
られている。
から剛ｆなし−〔移動さぜる移相）１手段Ｉ Ｏか設け
られている。
上述のように、反応炉本体Ｖこト、ｉ ｐ、Ｉｆｊ、す
る周辺装置９ 、１０ 、１２ 、１４ 、 ｉ ５
、 ］ ７ 、 ｌ ８ｉｄ：、層続手段２３．２６．
２８およびコイ・フタ２７，２９により、反応炉本体の
状態ヲ乱すことんしに反応炉本体から分離用能に構成さ
れていて、反応炉本体にこれらの周辺装置ｉ’：、＜か
ら分１〜１しきれて移動可Ｍｔｉとなっている。
る周辺装置９ 、１０ 、１２ 、１４ 、 ｉ ５
、 ］ ７ 、 ｌ ８ｉｄ：、層続手段２３．２６．
２８およびコイ・フタ２７，２９により、反応炉本体の
状態ヲ乱すことんしに反応炉本体から分離用能に構成さ
れていて、反応炉本体にこれらの周辺装置ｉ’：、＜か
ら分１〜１しきれて移動可Ｍｔｉとなっている。
次に、」＝記のプラズマＣＶＤ装置の便用の例を第３図
を参照して説明する。
を参照して説明する。
例１
反応炉本体３１と成膜に必安な周ｊノド↓’：ｔｉ’ｆ
ｌ ／１ケ設置醒、しンで成月；ネスデ−・ソ３５に
於て、３１１１当に凸１１ン′ノｉ’、 ｔＤを行なっ
た円筒形基体を反応炉に挿入し、肖２空刊気後、所定の
方法で、基体十にプラズマ成膜する。
ｌ ／１ケ設置醒、しンで成月；ネスデ−・ソ３５に
於て、３１１１当に凸１１ン′ノｉ’、 ｔＤを行なっ
た円筒形基体を反応炉に挿入し、肖２空刊気後、所定の
方法で、基体十にプラズマ成膜する。
しかる後周辺装置３４を反応炉本体；３１から分＋＋＋
’ｌ。
’ｌ。
し、移動手段１こよシ、冷却ステー、り；４２に４１．
動させる。ここで適温まで冷却し、ｈ？、：！を跋って
成膜した円筒形基体を取９川ず。次に反応炉を？ｌ″ｆ
掃ステージ３３に移動させ、ポリシランの１分などでｔ
′もれた反応炉を分解、清掃する。清掃後の反応炉（・
よ成膜ステージ３５にもどし、周辺装置３４を結合し１
行程を終了する。成膜ステージ３５は、クリーンルーム
内に設値し、ポリシラン等のゴミの多くでる冷却ステー
ジ、及び？＋Ｙ掃スデステージリーンルーム外に設置す
る事に上り、前洗浄できｉｌいにした円筒基体をゴミで
汚す事なく反応炉内に設置でき、更にクリーンルームの
清浄度も計」、５できる効果を有する。
動させる。ここで適温まで冷却し、ｈ？、：！を跋って
成膜した円筒形基体を取９川ず。次に反応炉を？ｌ″ｆ
掃ステージ３３に移動させ、ポリシランの１分などでｔ
′もれた反応炉を分解、清掃する。清掃後の反応炉（・
よ成膜ステージ３５にもどし、周辺装置３４を結合し１
行程を終了する。成膜ステージ３５は、クリーンルーム
内に設値し、ポリシラン等のゴミの多くでる冷却ステー
ジ、及び？＋Ｙ掃スデステージリーンルーム外に設置す
る事に上り、前洗浄できｉｌいにした円筒基体をゴミで
汚す事なく反応炉内に設置でき、更にクリーンルームの
清浄度も計」、５できる効果を有する。
し各ステージでの行４’ｌｊ ｋ並イＪ処理するｙ」Ｈ
Ｖこより、設置Ｉｔｊのイ１効利用か川ｆｉｌ’ （！
−なり、Ｉｌｌ ＋＋ミ゛１形７．・１号体１本当シの
設（１ｆｆｉ償却費を軽減できる効果を・イ〕するとと
も〆こ、生５２゛にの効率を大ｒｌｊ＆Ｃ向−１二δ＋
、１〜る」１が出来る。
Ｖこより、設置Ｉｔｊのイ１効利用か川ｆｉｌ’ （！
−なり、Ｉｌｌ ＋＋ミ゛１形７．・１号体１本当シの
設（１ｆｆｉ償却費を軽減できる効果を・イ〕するとと
も〆こ、生５２゛にの効率を大ｒｌｊ＆Ｃ向−１二δ＋
、１〜る」１が出来る。
以上述べて宋た偵）Ｃ′メ４Ａθノ１１明のテラス゛マ
（、、ｌＶＤ装置〜゛は、通常のパッチ１１．’Ｊ、
、、’％の・装置ては困帽ｆなゴミのｔｌＪ）配のない
成膜を口」能とし、ｉＪ、ｉに被成膜基体１個当りの設
備償却費が安く、生産助平の良いプラズマＣＶＤ Ｉｆ
ｊ膜を司能とするものである。
（、、ｌＶＤ装置〜゛は、通常のパッチ１１．’Ｊ、
、、’％の・装置ては困帽ｆなゴミのｔｌＪ）配のない
成膜を口」能とし、ｉＪ、ｉに被成膜基体１個当りの設
備償却費が安く、生産助平の良いプラズマＣＶＤ Ｉｆ
ｊ膜を司能とするものである。
第１図は従来のパンチ型のブ′ラズマＣＶｌ）装置（＋
の第１・１造を示す図、第２図は本発明の一実施例の構
盾を示す図、第３図Ｑづ１本うち明）０ラズマＣＶＩ）
’ν：−ｊｕｌ；０１史用例を示す古兄明図である。 １・・・反応炉本体 ２・・・均、？ 、ｌｉ、
！−１ｉ３ ・・ フ り
４ ・ ’ｉ１４．不１（５・・・基体
６・ヒーター７・・・シールド ８・・
・真柴度＋１ｉｉｌ定セン−ν゛−９ ・排気７」？ン
プ １０・・・排ガス処理装置１１・・バルブ
１２・・・反応ガス供給系１３・・バルブ
１４・・・電源１５・・・モータ １
６・・・回転申出１７・ヒーターＭｆ、 ｉ！東 １
８・・真シ尺（則＞尼系１９・・・）０ラズマ分光装置
！２１．２２・・・バルブ２：う ・・接続手段
２４．２５・・・ストソゾバルブ２６・・・接続手
段 ２７・・・コネクタ２８・・・接続手段
２つ・・コネクタ３０・・・移動手段 ３１
・・・反応〃・本体３２・・・冷却ステージ ３：３
・・・清掃ステージ３４・・・周辺装置ｈ″ ３
５・・・成膜ステージ・、 ２ 図 弗 ３ 図 １ ）、−
の第１・１造を示す図、第２図は本発明の一実施例の構
盾を示す図、第３図Ｑづ１本うち明）０ラズマＣＶＩ）
’ν：−ｊｕｌ；０１史用例を示す古兄明図である。 １・・・反応炉本体 ２・・・均、？ 、ｌｉ、
！−１ｉ３ ・・ フ り
４ ・ ’ｉ１４．不１（５・・・基体
６・ヒーター７・・・シールド ８・・
・真柴度＋１ｉｉｌ定セン−ν゛−９ ・排気７」？ン
プ １０・・・排ガス処理装置１１・・バルブ
１２・・・反応ガス供給系１３・・バルブ
１４・・・電源１５・・・モータ １
６・・・回転申出１７・ヒーターＭｆ、 ｉ！東 １
８・・真シ尺（則＞尼系１９・・・）０ラズマ分光装置
！２１．２２・・・バルブ２：う ・・接続手段
２４．２５・・・ストソゾバルブ２６・・・接続手
段 ２７・・・コネクタ２８・・・接続手段
２つ・・コネクタ３０・・・移動手段 ３１
・・・反応〃・本体３２・・・冷却ステージ ３：３
・・・清掃ステージ３４・・・周辺装置ｈ″ ３
５・・・成膜ステージ・、 ２ 図 弗 ３ 図 １ ）、−
Claims (1)
- ノ°ラズマＣＶＩ）装置Ｎｆ“の反応炉庫体と、排気系
、反応ガス１」（給糸、１１−１源′１゛ｆ全含む該反
応炉本体に伺１１Ｉｆｉする）１ｄ辺裟ｉｉ、：ｉ、と
に：、反応炉本体の４パミｉＫｆ：を乱１゛ことなく分
１’ｊｌ［ｌ′ｉＪ能とし、１°Ｌつ反応炉本体を移！
ｌ１ｌｌＪる手段を設けたこと′！ｉ７１￥徴とするプ
ラズマｃｖＩ）Ｑ、ζＪｙｔ０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164266A JPS5953672A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164266A JPS5953672A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5953672A true JPS5953672A (ja) | 1984-03-28 |
Family
ID=15789816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57164266A Pending JPS5953672A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5953672A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59217615A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-07 | Toshiba Corp | アモルフアスシリコン成膜装置 |
| JPS61284082A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | 松下電器産業株式会社 | 正抵抗温度係数発熱体 |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP57164266A patent/JPS5953672A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59217615A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-07 | Toshiba Corp | アモルフアスシリコン成膜装置 |
| JPH0520502B2 (ja) * | 1983-05-23 | 1993-03-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS61284082A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | 松下電器産業株式会社 | 正抵抗温度係数発熱体 |
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