JPS5951602A - 半導体移相器 - Google Patents
半導体移相器Info
- Publication number
- JPS5951602A JPS5951602A JP16167682A JP16167682A JPS5951602A JP S5951602 A JPS5951602 A JP S5951602A JP 16167682 A JP16167682 A JP 16167682A JP 16167682 A JP16167682 A JP 16167682A JP S5951602 A JPS5951602 A JP S5951602A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shifter
- drain
- capacitor
- gate electrode
- branch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/185—Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体基板に構成し、ＦＥＴ を制御素
子として用いたマイクロ波の位相？制御するローデツド
ライン形半導体移相器の高性能化に関するものである。
子として用いたマイクロ波の位相？制御するローデツド
ライン形半導体移相器の高性能化に関するものである。
まず従来の半導体移相器についてｄ１カする。
第１図ｒｉ従来の！−デッドライン形半導体移相器の横
置の一内を示す。
置の一内を示す。
図中、 ｔｌｌＵ半導体基板、（２）は地導体、 １３
１Ｖｉ地導体（２）と共に構成され仝マイクロストリッ
プ線路の主線路、 ＋４１Ｆｉ同じく分岐線路、 ＋５
］［ＦＥＴ、 ＋６１はＦＥＴ ＋５１のドレイン電ｆ
ｆ１． ＋７１１１同じくソース成極。
１Ｖｉ地導体（２）と共に構成され仝マイクロストリッ
プ線路の主線路、 ＋４１Ｆｉ同じく分岐線路、 ＋５
］［ＦＥＴ、 ＋６１はＦＥＴ ＋５１のドレイン電ｆ
ｆ１． ＋７１１１同じくソース成極。
（８）は同じくゲート電極、１９）はソース電極（７）
と地導体（２）全接続するＡ通導体、 ｕＯｉｆ’ｉゲ
ート電極ｉ８１にバイアスを印加するためのマイクロス
トリップ線路からなるバイアス回路である。
と地導体（２）全接続するＡ通導体、 ｕＯｉｆ’ｉゲ
ート電極ｉ８１にバイアスを印加するためのマイクロス
トリップ線路からなるバイアス回路である。
主線路１３ノに概略１／４ａ長間ｈ”ｈで２本の分岐ｗ
路（４）全接続し１分岐）ｄ路１４）の他の一端にＦｉ
Ｆ、ＥＴ１５１が４Ｈｔｆし９分岐線路１４）ノ他Ｖ）
一端ＶＣ１′ｔＦ ＥＴ 第５１が接続されｆＣ構
成である。このような構成を有する半導体移相器に、ゲ
ート電極（８）へ印加７６バイアス成圧を変えることに
よルビレイン。ソース間がマイクロ肢に対して示すイン
ピーダンスを変え１分岐線路（４）と主線路１３）の接
続点からＦ Ｅ ’ｌ’ ＋５）廁を見たインピーダン
スを同時に容量性から誘導性へ。
路（４）全接続し１分岐）ｄ路１４）の他の一端にＦｉ
Ｆ、ＥＴ１５１が４Ｈｔｆし９分岐線路１４）ノ他Ｖ）
一端ＶＣ１′ｔＦ ＥＴ 第５１が接続されｆＣ構
成である。このような構成を有する半導体移相器に、ゲ
ート電極（８）へ印加７６バイアス成圧を変えることに
よルビレイン。ソース間がマイクロ肢に対して示すイン
ピーダンスを変え１分岐線路（４）と主線路１３）の接
続点からＦ Ｅ ’ｌ’ ＋５）廁を見たインピーダン
スを同時に容量性から誘導性へ。
またその逆へと変えることにエル主線路を伝搬するマイ
クロ波の位相全変え、移相器として動作している。
クロ波の位相全変え、移相器として動作している。
ところが、ローデートライン形導体移相器は２個のＦＥ
Ｔ の特性に差があると、移相器の位相特性、損失特
性９灰射特性が劣化する。
Ｔ の特性に差があると、移相器の位相特性、損失特
性９灰射特性が劣化する。
そのため、２１面のＦＥＴ ｃＤ特性が揃うことが要求
されるが、一般に同一＃！−導体基板に構成された場合
でも異なるＦｌｄＴ 間にｒｉ特注のバラツキが見ら
れ、この棟の半導体移相器ｉ７７作する上での問題とな
っていた。さらに前述した如く６分岐巌路（４）と主線
路（３）の接続点からＦ Ｅ Ｔ １５１ 側を見た
インピーダンスを同時に９列えば容ホ、註から誘導性へ
切換える機能を単に有すればよいとするならば。
されるが、一般に同一＃！−導体基板に構成された場合
でも異なるＦｌｄＴ 間にｒｉ特注のバラツキが見ら
れ、この棟の半導体移相器ｉ７７作する上での問題とな
っていた。さらに前述した如く６分岐巌路（４）と主線
路（３）の接続点からＦ Ｅ Ｔ １５１ 側を見た
インピーダンスを同時に９列えば容ホ、註から誘導性へ
切換える機能を単に有すればよいとするならば。
半導体移相器の小形化、簡素化の為にはバイアス回路（
ｆ−極力少なくしたいという潜在的要求がある。
ｆ−極力少なくしたいという潜在的要求がある。
この発明は、上記問題全解決する為、−個のＦＥＴのド
レインを分離し、ゲートをマイクロ波的には分／、ＩＬ
直流的には共通となる構成とし、かつソース金共通に
した構成を有するＦＥＴ ｉローデツドライン形半導
体移相器に用い、ＦＥＴ の特性の不揃いによる移相器
特性の劣化を無くシ、かつバイアス回路数の削減を行な
いかつ小形化すること全目的としたもので以下詳細に説
明する。
レインを分離し、ゲートをマイクロ波的には分／、ＩＬ
直流的には共通となる構成とし、かつソース金共通に
した構成を有するＦＥＴ ｉローデツドライン形半導
体移相器に用い、ＦＥＴ の特性の不揃いによる移相器
特性の劣化を無くシ、かつバイアス回路数の削減を行な
いかつ小形化すること全目的としたもので以下詳細に説
明する。
第２図はこの発明の一実施例金示す半導体移相器の構成
図であシ、ここで用すられるＦ’ＥＴ ｔｌｌｌｔｒｉ
ドレイン及びゲートヶそれぞれ２分し、それぞれ第１の
ドレイン電極（１２＋、第２のドレインｔ ＋！！、Ｌ
１３１およびｆｌのゲート電極圓、第２のゲート電極＋
１５１ を構成しソースは共通にして共通ソース電極０
６）を貫通導体（９）によって地導体（２）と接続した
構成である。
図であシ、ここで用すられるＦ’ＥＴ ｔｌｌｌｔｒｉ
ドレイン及びゲートヶそれぞれ２分し、それぞれ第１の
ドレイン電極（１２＋、第２のドレインｔ ＋！！、Ｌ
１３１およびｆｌのゲート電極圓、第２のゲート電極＋
１５１ を構成しソースは共通にして共通ソース電極０
６）を貫通導体（９）によって地導体（２）と接続した
構成である。
また、オーのゲート電極（１４１，第２のゲート電極１
１５１ｉ−１キヤパシタ（１ηに双方接続され、そのキ
ャバ７り１１７＋の一端に更にバイアス回路ｕ８１が接
続され、ゲート電極にバイアス電圧を印加するようにし
ている。
１５１ｉ−１キヤパシタ（１ηに双方接続され、そのキ
ャバ７り１１７＋の一端に更にバイアス回路ｕ８１が接
続され、ゲート電極にバイアス電圧を印加するようにし
ている。
さらに、第１のドレイン電極（１２１は一方の分岐線路
（４）に第２のドレイン電極ｌｌ３１はもう一方の分岐
線路（４）に接続され、これら分岐線ｒ＆ ＋４１の一
端は、主線路（３）に概略１／４肢長の間隔金持って接
続されている。
（４）に第２のドレイン電極ｌｌ３１はもう一方の分岐
線路（４）に接続され、これら分岐線ｒ＆ ＋４１の一
端は、主線路（３）に概略１／４肢長の間隔金持って接
続されている。
上記構成の半導体移相器は、バイアス回路ｕ印を介して
印加されるバイアス電圧ヲ変えることに工）、第１のド
レイイとソース、第２のドレイノドとソース間がマイク
ロ波に対して示すインピーダンスが変わシ、主線路ｉ３
１ Ｋ概略１／４肢長間隔で装荷されるサセプタンス値
が変化するため主線路（３）を伝搬するマイクロ波の位
相が変わシ移相器として動作している。
印加されるバイアス電圧ヲ変えることに工）、第１のド
レイイとソース、第２のドレイノドとソース間がマイク
ロ波に対して示すインピーダンスが変わシ、主線路ｉ３
１ Ｋ概略１／４肢長間隔で装荷されるサセプタンス値
が変化するため主線路（３）を伝搬するマイクロ波の位
相が変わシ移相器として動作している。
この時、キャパシタ１１ηに非常に重要な役割を演じて
いる。即ち、主線路（３）にマイクロ波が入射されると
、当然前述した動作からも明らかなＬうに１・１のゲー
ト電極圓及び第２のゲート電極ｔ１５１にもマイクロ波
か結合される。その結合されたそれぞれのマイクロ波が
互に干渉ｔおこすと分岐線路（４）と主線路（３）の接
続点からＦＥＴ （１１１側を見たインピーダンスを
、第１のゲート電極圓及び第２のゲーート電極［１５１
に印加するバイアス電圧を変えることにより、同時にＰ
Ｊ＋望の容量性からＪ導性へまたはその逆へと変えるこ
とが困難となる。そこでキャパシタ＋１７）はそれらの
不具合全解決する為に設けられておシ、それぞれのゲー
ト電極圓及（１５）に結合したマイクロ波ヲバイパスし
てアースに７ヨートし。
いる。即ち、主線路（３）にマイクロ波が入射されると
、当然前述した動作からも明らかなＬうに１・１のゲー
ト電極圓及び第２のゲート電極ｔ１５１にもマイクロ波
か結合される。その結合されたそれぞれのマイクロ波が
互に干渉ｔおこすと分岐線路（４）と主線路（３）の接
続点からＦＥＴ （１１１側を見たインピーダンスを
、第１のゲート電極圓及び第２のゲーート電極［１５１
に印加するバイアス電圧を変えることにより、同時にＰ
Ｊ＋望の容量性からＪ導性へまたはその逆へと変えるこ
とが困難となる。そこでキャパシタ＋１７）はそれらの
不具合全解決する為に設けられておシ、それぞれのゲー
ト電極圓及（１５）に結合したマイクロ波ヲバイパスし
てアースに７ヨートし。
それぞれの相互干渉をなくす働きをするとともにバイア
ス電源ケそれぞれのゲート電極圓及び（１５１に一点供
給する為の中継点ともなり小形化に寄与している。
ス電源ケそれぞれのゲート電極圓及び（１５１に一点供
給する為の中継点ともなり小形化に寄与している。
このように構成さｉまた移相器では、ＰＥＴｔｌｌｌ内
の第１のドレイン電極口肌第１のゲート電極財と共通ソ
ース電極ｆ１６１及び第２のドレイン電極＋１３１ 、
第２のゲート電極（１５）と共通ソース電極０６）が
極めて接近した位置に製作されそれぞれ以かよった特性
となる。
の第１のドレイン電極口肌第１のゲート電極財と共通ソ
ース電極ｆ１６１及び第２のドレイン電極＋１３１ 、
第２のゲート電極（１５）と共通ソース電極０６）が
極めて接近した位置に製作されそれぞれ以かよった特性
となる。
そのため、第１のドレイン′逝極ｆ１２＋とソース電極
叫問および第２のドレイン電極０３１とソース電極ｆｌ
Ｇ１間がマイクロ波に対して示すインピーダンスが等し
くなｐ、このＰＥＴｔｌｌｌを用いて製作したａ−デラ
ドライン形半導体移相器は、ｉ’ＥＴ の特性不揃によ
る性能劣化ヶ防ぐことができるとともに、前述したバイ
アス回路の簡素化にともなル半導体移４ｉＪ Ｅ；ｊの
小形化金実現することができる。
叫問および第２のドレイン電極０３１とソース電極ｆｌ
Ｇ１間がマイクロ波に対して示すインピーダンスが等し
くなｐ、このＰＥＴｔｌｌｌを用いて製作したａ−デラ
ドライン形半導体移相器は、ｉ’ＥＴ の特性不揃によ
る性能劣化ヶ防ぐことができるとともに、前述したバイ
アス回路の簡素化にともなル半導体移４ｉＪ Ｅ；ｊの
小形化金実現することができる。
なお０以上は、主線路１３）か直線的に配置された棚台
について説明したが、この発明はこれに限らず各分岐崖
路（４）の間の王−路ｔａｌ ｔ Ｎ ｈ曲げ仏殿方向
に小形化ｔ１まかった半導体移相器に適用してもよい。
について説明したが、この発明はこれに限らず各分岐崖
路（４）の間の王−路ｔａｌ ｔ Ｎ ｈ曲げ仏殿方向
に小形化ｔ１まかった半導体移相器に適用してもよい。
またこの発明による半導体移相器を縦続接続した多ビツ
トディジタル半導体移相器に適用してもよいのは当然で
ある。またこの発明によるキャパシタにつ（１てはオー
バレイ、インターディジタルその他のタイプにはとられ
れないのは当然である。
トディジタル半導体移相器に適用してもよいのは当然で
ある。またこの発明によるキャパシタにつ（１てはオー
バレイ、インターディジタルその他のタイプにはとられ
れないのは当然である。
以上のように、この発明に係る半導体移相器では、概略
１／４枝１＋ １ｙＪ島で主線路に接続される２木の分
岐線路の先端に特性の類以し７ｔＦｉｉＴ を装荷で
き、かつキャパシターにそれぞれのゲー）１１続してい
る為、バイアス回路のｒＶ１水化が実現でき。
１／４枝１＋ １ｙＪ島で主線路に接続される２木の分
岐線路の先端に特性の類以し７ｔＦｉｉＴ を装荷で
き、かつキャパシターにそれぞれのゲー）１１続してい
る為、バイアス回路のｒＶ１水化が実現でき。
特注の良好でかつ小形化、簡素化を計った半導体格・相
器が実現でき、その上業的価値に高い。
器が実現でき、その上業的価値に高い。
第１図は従来のローデツドライン形半導体移相器の信遣
を示す斜視図、第２１Ｘ１にこの発明の一実施ｙ！ｌ金
示す余［上図である。 図中山は半導体基板、（２）は地導体、（３）に主線路
。 （４）は分岐、＋４ｉ！路、（５）はＰＥＴ、＋６１は
ドレイン電極、 ＋７１はソース電極、（８）はゲート
電極、（９）は貫通導体。 （１０１はバイアス回路、 ｔｉｌｌは）”ＥＴ、（１
社第１のドレイン電極、 （１３１は第２のドレイン電
極、圓に第１のゲート電極、 ＋１５１は第２のゲート
電極、 ｔｌ＆＋に共通ソース電、ｌｉ、 ＋１７１は
キャパシタ及び（１１１バイアス回路である。 なお０図中、同一あるいに相当部分には同一９９号金付
しである。 代理人 葛 野 信 −
を示す斜視図、第２１Ｘ１にこの発明の一実施ｙ！ｌ金
示す余［上図である。 図中山は半導体基板、（２）は地導体、（３）に主線路
。 （４）は分岐、＋４ｉ！路、（５）はＰＥＴ、＋６１は
ドレイン電極、 ＋７１はソース電極、（８）はゲート
電極、（９）は貫通導体。 （１０１はバイアス回路、 ｔｉｌｌは）”ＥＴ、（１
社第１のドレイン電極、 （１３１は第２のドレイン電
極、圓に第１のゲート電極、 ＋１５１は第２のゲート
電極、 ｔｌ＆＋に共通ソース電、ｌｉ、 ＋１７１は
キャパシタ及び（１１１バイアス回路である。 なお０図中、同一あるいに相当部分には同一９９号金付
しである。 代理人 葛 野 信 −
Claims (1)
- 上記半導体基板に構成したマイクロストリップ線路にＦ
ＢＴを接続してなる半導体移相器；Ｃおいてマイクロス
トリップ線路から成る主線路に概略１／４ａ長間隔でマ
イクロストリップ線路から成る２本の分岐朦路の一偽盆
接続し、また上記２本の分岐婦路の他の一増にＦ’ＥＴ
の第１のドレイン電極と第２のドレイン電極にそれぞれ
接続し、上記第１およびｆ２の谷ドレイン電極に対し、
共通に設けられた上記ＦＥＴのソース電極を接地し、か
つ上記ＦＥＴの第１のドレイン電極とソース電極間の第
１のゲート電極および第２のドレイン電極間の第２のゲ
ート電極をキャパシタに接続するとともにそのキャパシ
タをバイアス回路に接紐したことを特徴とする半導体移
相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16167682A JPS5951602A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 半導体移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16167682A JPS5951602A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 半導体移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951602A true JPS5951602A (ja) | 1984-03-26 |
| JPS6341242B2 JPS6341242B2 (ja) | 1988-08-16 |
Family
ID=15739718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16167682A Granted JPS5951602A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 半導体移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951602A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0282293A2 (en) * | 1987-03-13 | 1988-09-14 | Hittite Microwave Corporation | Non-ferrite non-reciprocal phase shifter and circulator |
| JPS63246901A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | ロ−デツドライン形半導体移相器 |
| JPS63276902A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | ハイブリツドカツプラ形半導体移相器 |
| EP0302584A2 (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-08 | Siemens Plessey Electronic Systems Limited | Improvements in or relating to microwave phase shifters |
| US5032806A (en) * | 1989-08-09 | 1991-07-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Loaded line phase shifter |
| US5128639A (en) * | 1990-05-16 | 1992-07-07 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Phase shifter utilizing hybrid element |
| JPH05125616A (ja) * | 1991-04-29 | 1993-05-21 | Kolon Co Ltd | 芳香族ポリアミドパルプおよびその製造方法 |
| US11364750B2 (en) | 2017-11-29 | 2022-06-21 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Pneumatic tire |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP16167682A patent/JPS5951602A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0282293A2 (en) * | 1987-03-13 | 1988-09-14 | Hittite Microwave Corporation | Non-ferrite non-reciprocal phase shifter and circulator |
| JPS63246901A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | ロ−デツドライン形半導体移相器 |
| JPS63276902A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | ハイブリツドカツプラ形半導体移相器 |
| EP0302584A2 (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-08 | Siemens Plessey Electronic Systems Limited | Improvements in or relating to microwave phase shifters |
| US5032806A (en) * | 1989-08-09 | 1991-07-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Loaded line phase shifter |
| US5128639A (en) * | 1990-05-16 | 1992-07-07 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Phase shifter utilizing hybrid element |
| JPH05125616A (ja) * | 1991-04-29 | 1993-05-21 | Kolon Co Ltd | 芳香族ポリアミドパルプおよびその製造方法 |
| US11364750B2 (en) | 2017-11-29 | 2022-06-21 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Pneumatic tire |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6341242B2 (ja) | 1988-08-16 |
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