JPS5949508A - 複屈折板の製造方法 - Google Patents
複屈折板の製造方法Info
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- JPS5949508A JPS5949508A JP57158808A JP15880882A JPS5949508A JP S5949508 A JPS5949508 A JP S5949508A JP 57158808 A JP57158808 A JP 57158808A JP 15880882 A JP15880882 A JP 15880882A JP S5949508 A JPS5949508 A JP S5949508A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B5/30—Polarising elements
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- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/90—Methods
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は各種光学機器に用いられる複屈折板の製造方法
に関し、特に金属の酸化物等の光Ｏこ対して透明な材料
を基板に対して斜め方向から蒸着して得られる新規な複
屈折板の製造方法（こ関する。
に関し、特に金属の酸化物等の光Ｏこ対して透明な材料
を基板に対して斜め方向から蒸着して得られる新規な複
屈折板の製造方法（こ関する。
′ある種の結晶や電場の中に置かれた等方性物質などに
光が入射すると、光が２方向に屈折することが知られて
おり、このように屈折率を２つもつ現象を複屈折と称し
ている。上記複屈折は結晶内の原子の配列に関係し、例
えば熱膨張する割合や電気伝導度、熱伝導度などの物理
的性質が現象の向きによって異なる性質、すなわち結晶
の異方性から起こるものである。このような異方性を有
する結晶板に光が入射すると２つの互いに垂直な振動に
分かれ、上記結晶板が単軸結晶の場合には、そのうち一
方は普通の等方性媒質における屈折を行なうが、他方は
一見して屈折の法則に従わないかのような屈折をする。
光が入射すると、光が２方向に屈折することが知られて
おり、このように屈折率を２つもつ現象を複屈折と称し
ている。上記複屈折は結晶内の原子の配列に関係し、例
えば熱膨張する割合や電気伝導度、熱伝導度などの物理
的性質が現象の向きによって異なる性質、すなわち結晶
の異方性から起こるものである。このような異方性を有
する結晶板に光が入射すると２つの互いに垂直な振動に
分かれ、上記結晶板が単軸結晶の場合には、そのうち一
方は普通の等方性媒質における屈折を行なうが、他方は
一見して屈折の法則に従わないかのような屈折をする。
すなわち屈折率か偏光面の方向によって異なる。この屈
折率の相違は、光が進む方向に関係して光の進む速さが
変わることを意味している。
折率の相違は、光が進む方向に関係して光の進む速さが
変わることを意味している。
上記性質を有する複屈折板は、光に対する異方性を利用
して各種の光学部品や光学機器に用いられる。例えば、
各種撮像装置に用いられる光学的ローパスフィルタや光
学式ビテオテイスク装置の光学ピックアップ等に内蔵さ
れる波長板や偏光子等はその代表的なものである。特に
波長板は任意のりタープ−ジョンを有する複屈折板を用
いて例えば１／４波長板、１／３波長板等の偏光面を任
意に変調する変調素子として利用されている。上起すタ
ーテーションとは、直交する谷直線偏光間に生する光路
長差である。
して各種の光学部品や光学機器に用いられる。例えば、
各種撮像装置に用いられる光学的ローパスフィルタや光
学式ビテオテイスク装置の光学ピックアップ等に内蔵さ
れる波長板や偏光子等はその代表的なものである。特に
波長板は任意のりタープ−ジョンを有する複屈折板を用
いて例えば１／４波長板、１／３波長板等の偏光面を任
意に変調する変調素子として利用されている。上起すタ
ーテーションとは、直交する谷直線偏光間に生する光路
長差である。
上述したような複屈折を有する結晶の典型的なものは水
晶、方解石である。したがって、波長板や偏光子等には
上記水晶や方解石を薄く研磨したものが従来より用いら
れている。しかしながら、上記水晶や方解石を研磨した
複屈折板では精度の高い研磨加工を必要とし、製造コス
トが非常に大きなものとなった。さらに、上記水晶や方
解石の大きさに限度があるため、得られる複屈折板の大
きさも限定されてしまい面積の大きなものを得ることは
不可能であった。
晶、方解石である。したがって、波長板や偏光子等には
上記水晶や方解石を薄く研磨したものが従来より用いら
れている。しかしながら、上記水晶や方解石を研磨した
複屈折板では精度の高い研磨加工を必要とし、製造コス
トが非常に大きなものとなった。さらに、上記水晶や方
解石の大きさに限度があるため、得られる複屈折板の大
きさも限定されてしまい面積の大きなものを得ることは
不可能であった。
また、上述のような高価で大きさに制限のある水晶等の
複屈折板に代わるものとして、高分子フィルムを延伸し
て分子配向させたものが考案されている。上記高分子フ
ィルムによる複屈折板は、高分子フィルムを一定方向に
延伸し、フィルムを構成する分子を特定の方向に配向さ
せて結晶化し、上記水晶や方解石と同様に結晶の異方性
を持たぜるというものである。このため、製造コストが
低減し安価なものとなるとともに表面積の広い複屈折板
を得ることができるようになった。しかしながら、上記
高分子フィルムの複屈折板では任意のりクーチ−ジョン
を有する複屈折板を精度良く製造することが非常に困難
である。
複屈折板に代わるものとして、高分子フィルムを延伸し
て分子配向させたものが考案されている。上記高分子フ
ィルムによる複屈折板は、高分子フィルムを一定方向に
延伸し、フィルムを構成する分子を特定の方向に配向さ
せて結晶化し、上記水晶や方解石と同様に結晶の異方性
を持たぜるというものである。このため、製造コストが
低減し安価なものとなるとともに表面積の広い複屈折板
を得ることができるようになった。しかしながら、上記
高分子フィルムの複屈折板では任意のりクーチ−ジョン
を有する複屈折板を精度良く製造することが非常に困難
である。
そこで、本発明は上述したような従来のものの欠点を解
消するために提案されたものであり、特に基板に対して
斜め方向から誘電体材料を蒸着することにより安価で大
きさに制限がなく任意のりターチージョンを有する新規
な複屈折板の容易な製造方法を提供することを目的とす
るものである。
消するために提案されたものであり、特に基板に対して
斜め方向から誘電体材料を蒸着することにより安価で大
きさに制限がなく任意のりターチージョンを有する新規
な複屈折板の容易な製造方法を提供することを目的とす
るものである。
上述した目的を達成するために、本発明は誘電体材料を
基板に対して斜め方向から入射させて蒸着することを特
徴とするものである。
基板に対して斜め方向から入射させて蒸着することを特
徴とするものである。
本発明者等は、克明な試験研究を重ねた結果、ツタラス
や金属等の基板の表面に誘電体材料を斜め方向から蒸着
して得られた蒸着膜が複屈折を漏こすことを見出し本発
明を完成したものである。
や金属等の基板の表面に誘電体材料を斜め方向から蒸着
して得られた蒸着膜が複屈折を漏こすことを見出し本発
明を完成したものである。
すなわち、第１図に示すように基板１に対して誘電材料
２を入射角θて蒸着すると生成した蒸着膜３は、図中Ｘ
方向の屈折率がＹ方向の屈折率よりも大きくなる。この
場合、上記蒸着膜３を光がＺ方向に通過するとき、光は
位相速度の最も遅い振動方向、すなわちＸ方向の直線偏
光成分とそれに直角な位相速度の最も速い振動方向、す
なわちＹ方向の直線偏光成分に分れて進む。このときの
上記各直線偏光の間に生ずる光路長差ｐをリターデーシ
ョンと称する。ここで、ｎＸ＋ｎＹをそれぞれＸ方向、
Ｙ方向に振動方向を持つ直線偏光成分に対する屈折率、
またｄを複屈折媒体、すなわち蒸着膜３の厚さとすると
、上記リターデーションｒは ／”’ −（ｎＸ−ｎＹ）ｄ ・・・・・・・・・
・・・・・・第１式なる第１式で表わされる。
２を入射角θて蒸着すると生成した蒸着膜３は、図中Ｘ
方向の屈折率がＹ方向の屈折率よりも大きくなる。この
場合、上記蒸着膜３を光がＺ方向に通過するとき、光は
位相速度の最も遅い振動方向、すなわちＸ方向の直線偏
光成分とそれに直角な位相速度の最も速い振動方向、す
なわちＹ方向の直線偏光成分に分れて進む。このときの
上記各直線偏光の間に生ずる光路長差ｐをリターデーシ
ョンと称する。ここで、ｎＸ＋ｎＹをそれぞれＸ方向、
Ｙ方向に振動方向を持つ直線偏光成分に対する屈折率、
またｄを複屈折媒体、すなわち蒸着膜３の厚さとすると
、上記リターデーションｒは ／”’ −（ｎＸ−ｎＹ）ｄ ・・・・・・・・・
・・・・・・第１式なる第１式で表わされる。
上記リターデーションρを第２図Ａ、Ｂにより説明する
と、光が蒸着膜３を通過する前には、第２図Ａに示す如
く光のＸ方向の直線偏光成分４の位相とＹ方向の直線偏
光成分５の位相は一致している。ところが、上記光が蒸
着膜３を通過するとＸ方向の直線偏光成分４の位相とＹ
方向の直線偏光成分５の位相さの間に第２図Ｂに示す如
くずれを生ずる。上記ずれを長さく単位ニオングストロ
ーム）で表わしたものかりターテーンヨンｐである。し
たがって、あるリターデーションｒを有する複屈折板、
すなわち蒸着膜３は特定の波長の光に対して１／４波長
板や１７８波長板等の波長板としての作用を及ぼす。
と、光が蒸着膜３を通過する前には、第２図Ａに示す如
く光のＸ方向の直線偏光成分４の位相とＹ方向の直線偏
光成分５の位相は一致している。ところが、上記光が蒸
着膜３を通過するとＸ方向の直線偏光成分４の位相とＹ
方向の直線偏光成分５の位相さの間に第２図Ｂに示す如
くずれを生ずる。上記ずれを長さく単位ニオングストロ
ーム）で表わしたものかりターテーンヨンｐである。し
たがって、あるリターデーションｒを有する複屈折板、
すなわち蒸着膜３は特定の波長の光に対して１／４波長
板や１７８波長板等の波長板としての作用を及ぼす。
上述の効果は、いわゆるｓｅｌ ｆ −ｓ１１ａｄｏｗ
効果によって蒸着粒子の成長方向が規制され、粒子間の
つながりか入射面に垂直なＸ方向に比べてＹ方向では生
じ難く、この構造が光の波長に比べて十分小さいために
Ｘ方向の屈折率ｎｘ＞Ｙ方向の屈折率ｎｙとなって複屈
折か生ずるものと考えられている。
効果によって蒸着粒子の成長方向が規制され、粒子間の
つながりか入射面に垂直なＸ方向に比べてＹ方向では生
じ難く、この構造が光の波長に比べて十分小さいために
Ｘ方向の屈折率ｎｘ＞Ｙ方向の屈折率ｎｙとなって複屈
折か生ずるものと考えられている。
そこで、第３図の如き構成の第１の蒸着装置１１を用い
て誘電体材料を斜め蒸着することにより後述する実施例
１ないし実施例４に示すような実験データを得た。
て誘電体材料を斜め蒸着することにより後述する実施例
１ないし実施例４に示すような実験データを得た。
このとき、蒸着入射角θは３０憶上とすることにより効
果を得ることができるが、実用的な複屈折板とするため
には４５°以上とすることが好ましい。また、蒸着源１
３の蒸着材料としては、金属の酸化物や硫化物を用いる
ことにより効果を得ることができたが、金属の窒化物、
７１０ケン化物、あるいは高分子材料等の光に対して透
明な材料を用いても同様な効果を得ることができると考
えられる。
果を得ることができるが、実用的な複屈折板とするため
には４５°以上とすることが好ましい。また、蒸着源１
３の蒸着材料としては、金属の酸化物や硫化物を用いる
ことにより効果を得ることができたが、金属の窒化物、
７１０ケン化物、あるいは高分子材料等の光に対して透
明な材料を用いても同様な効果を得ることができると考
えられる。
この製造方法により得られる複屈折板の詳細については
、後述する各実施例に示されているか、この蒸着装置１
１を用いて斜め蒸着することにより非常に容易に複屈折
板を得ることができるとともに、太きさや形状を任意の
ものとすることが可能となる。さらに、実施例５に示す
ように、第２の蒸着装置２１を用いることにより、任意
のりタープ−ジョンｒの複屈折板を目視により確認しな
がら高精度に製造することが可能となる。
、後述する各実施例に示されているか、この蒸着装置１
１を用いて斜め蒸着することにより非常に容易に複屈折
板を得ることができるとともに、太きさや形状を任意の
ものとすることが可能となる。さらに、実施例５に示す
ように、第２の蒸着装置２１を用いることにより、任意
のりタープ−ジョンｒの複屈折板を目視により確認しな
がら高精度に製造することが可能となる。
次に本発明の具体的な実施例を示す。
実施例 １゜
上述した第１の蒸旗装置１１により、蒸着源１３に二酸
化チタン（Ｔｉ０ｚ ） を用い、この蒸着源１３を加
熱手段１６として電子ヒームで局部的に加熱して蒸着を
行なった。
化チタン（Ｔｉ０ｚ ） を用い、この蒸着源１３を加
熱手段１６として電子ヒームで局部的に加熱して蒸着を
行なった。
この第１の蒸着装置１１を第３図に従って説明すると、
蒸着装置１１は図示しない排気ポンプにより内部を真空
にされるベルジャ１２、各種蒸着材料を蒸発する蒸着源
１３及び上記蒸着源１３からの蒸気の方向に対して角度
を変位可能に設けられる基板取付は部１４から構成され
ている。上記蒸着源１３には各種蒸着材料を蒸発させる
ための加熱手段１６が設けられている。この加熱手段１
６は蒸着源１３の種類によって、例えはタングステン等
に電流を流して加熱したり、電子ヒームやレーザビーム
、赤外線等を用いて局部的に加熱したりするものである
。また、ベルジヤ１２内部は図示しない排気ポンプによ
って脱気され１σ％ｍＨｇ以下（ｌσ’Ｉ’ｏｒｒ以下
）の真空度となっている。
蒸着装置１１は図示しない排気ポンプにより内部を真空
にされるベルジャ１２、各種蒸着材料を蒸発する蒸着源
１３及び上記蒸着源１３からの蒸気の方向に対して角度
を変位可能に設けられる基板取付は部１４から構成され
ている。上記蒸着源１３には各種蒸着材料を蒸発させる
ための加熱手段１６が設けられている。この加熱手段１
６は蒸着源１３の種類によって、例えはタングステン等
に電流を流して加熱したり、電子ヒームやレーザビーム
、赤外線等を用いて局部的に加熱したりするものである
。また、ベルジヤ１２内部は図示しない排気ポンプによ
って脱気され１σ％ｍＨｇ以下（ｌσ’Ｉ’ｏｒｒ以下
）の真空度となっている。
さらに、上記取付は基板１４の一側面には蒸着されるガ
ラス板等の基板１５が取付けられ、該基板１５表面が蒸
着源１３と角度θをなすように対向されている。したが
って、上記蒸着源１３を加熱して蒸着材料を蒸発させる
と、発生した蒸気が真空雰囲気中であるために直線的に
上昇し、上記基板１５表面の垂直方向に対して角度θ方
向から、すなわち蒸着入射角θで付着する。
ラス板等の基板１５が取付けられ、該基板１５表面が蒸
着源１３と角度θをなすように対向されている。したが
って、上記蒸着源１３を加熱して蒸着材料を蒸発させる
と、発生した蒸気が真空雰囲気中であるために直線的に
上昇し、上記基板１５表面の垂直方向に対して角度θ方
向から、すなわち蒸着入射角θで付着する。
このとき、蒸着入射角θを変化させて得られた蒸着膜の
膜厚ｄ及びリターデーションｒを測定した。ここで、膜
厚ｄは、触針式膜厚計を用いて測定し、リターデーショ
ンＦは、ベレクコンペンセータを用いて測定した。
膜厚ｄ及びリターデーションｒを測定した。ここで、膜
厚ｄは、触針式膜厚計を用いて測定し、リターデーショ
ンＦは、ベレクコンペンセータを用いて測定した。
蒸着入射角θおよび測定された膜厚ｄ、リターデーショ
ンｐは第１表のとおりである。なお、Δｎは膜厚ｄ及び
リターデーションｐより計算され第 １ 表 実施例 ２ 第１の蒸着装置１１により、蒸着源１３に一酸化ケイ素
（Ｓｉｎ）を用い、この蒸着源１３を加熱手段１６とし
てタンクルホード中で加熱してカラス基板１５上に蒸着
を行なった。このとき蒸着入射角θを変化させて得られ
た蒸着膜の膜厚ｄｉびリターデーションｐ を測定した
。
ンｐは第１表のとおりである。なお、Δｎは膜厚ｄ及び
リターデーションｐより計算され第 １ 表 実施例 ２ 第１の蒸着装置１１により、蒸着源１３に一酸化ケイ素
（Ｓｉｎ）を用い、この蒸着源１３を加熱手段１６とし
てタンクルホード中で加熱してカラス基板１５上に蒸着
を行なった。このとき蒸着入射角θを変化させて得られ
た蒸着膜の膜厚ｄｉびリターデーションｐ を測定した
。
蒸着入射角Ｊおよび測定された膜厚ｄ、リタ・−チージ
ョン「は第２表のとおりである。
ョン「は第２表のとおりである。
第 ２ 表
実施例 ３
第１の蒸着装置１１により、蒸着源１３に一酸化ケイ素
（Ｓｉｎ）を用い、この蒸着源１３を加熱手段１６とし
てタンタルボート中で加熱してガラス基板１５上に蒸着
を行なった。このとき、蒸着入射角θを７５°とし、上
記ガラス基板１５の温度Ｔｓ を変えて得られた蒸着膜
の膜厚ｄ及びリターデーションｐを測定した。
（Ｓｉｎ）を用い、この蒸着源１３を加熱手段１６とし
てタンタルボート中で加熱してガラス基板１５上に蒸着
を行なった。このとき、蒸着入射角θを７５°とし、上
記ガラス基板１５の温度Ｔｓ を変えて得られた蒸着膜
の膜厚ｄ及びリターデーションｐを測定した。
ガラス基板１５の温度Ｔｓおよび測定された膜厚ｄ１
リターデーションｐは第３表のとおりである。
リターデーションｐは第３表のとおりである。
第３表
実施例 ４゜
第１の蒸着装置１１により、蒸着源１３に各種誘電体材
料を用い、この蒸着源１３を各種加熱手段１６により加
熱して基板１５上に蒸着を行なった。このとき、蒸着入
射角θを７５°とし、上記蒸着源１３に用いる誘電体材
料を変えて得られた蒸着膜の膜厚ｄ及びリターデーショ
ンＦを測定した。
料を用い、この蒸着源１３を各種加熱手段１６により加
熱して基板１５上に蒸着を行なった。このとき、蒸着入
射角θを７５°とし、上記蒸着源１３に用いる誘電体材
料を変えて得られた蒸着膜の膜厚ｄ及びリターデーショ
ンＦを測定した。
使用した誘電体材料、蒸着源の加熱手段及Ｑ測定された
膜厚ｄ、ＩＪターデーンヨンｐは第４表のとおりである
。第４表の加熱手段の欄で、Ｔａ とあるのはタンクル
ボート中に蒸着源を入れ、このタンクルボートに電流を
流して加熱するもの、Ｗとあるのはアルミナ（Ａｊｌ！
ｚｏ３）でコートされたバスケツタ型のタングステンヒ
ータを用いて加熱するもの、ＥＢとあるのは電子ビーム
で局部的に・加熱するものをそれぞれ表わしている。
膜厚ｄ、ＩＪターデーンヨンｐは第４表のとおりである
。第４表の加熱手段の欄で、Ｔａ とあるのはタンクル
ボート中に蒸着源を入れ、このタンクルボートに電流を
流して加熱するもの、Ｗとあるのはアルミナ（Ａｊｌ！
ｚｏ３）でコートされたバスケツタ型のタングステンヒ
ータを用いて加熱するもの、ＥＢとあるのは電子ビーム
で局部的に・加熱するものをそれぞれ表わしている。
第４表
注） ５ｕｂｓｔ、ａｎｃｅ −１は酸化ジルコニウム
（ＺｒＯｚ）と四酸化チタンジルコニウム（Ｚ ｒＴｉ
Ｏ４）＋７） 混合焼成体である。
（ＺｒＯｚ）と四酸化チタンジルコニウム（Ｚ ｒＴｉ
Ｏ４）＋７） 混合焼成体である。
実施例 ５
第２の蒸着装置２１により、蒸着源２３に二酸化チタン
（Ｔｉ０ｚ ）を用い、蒸着入射角７５°で蒸着を行な
い波長５６００Ａの光に対する１／３波長板、すなわち
、リターデーションｒ＝７００＾の複屈折板を得ること
ができた。
（Ｔｉ０ｚ ）を用い、蒸着入射角７５°で蒸着を行な
い波長５６００Ａの光に対する１／３波長板、すなわち
、リターデーションｒ＝７００＾の複屈折板を得ること
ができた。
上記第２の蒸着装置２１は、第４図に示すように図示し
ない排気ポンプにより内部を真空にされるベルジヤ２２
、二酸化チタンよりなる蒸着源２３、上記蒸着源２３を
加熱する電子銃２６、蒸着されるガラス基板２５を取付
ける基板数句は部２４及び監視装置部２７から構成され
ている。ベルジヤ２２内部は図示しない排気ポンプによ
って脱気され１６５ｍｍ Ｈｇ以下の真空度となってい
る。上記ベルジヤ・２２内の下端部には二酸化チタンで
ある蒸着源２３が置かれ、さらに隣接して電子銃２６が
図中上向に設けられている。この電子銃２６から出射さ
れる電子ビームは図示しないマグネソ゛ トにより方
向を規制され、上記蒸着源２３に照射されて、該蒸着源
２３を加熱し蒸発せしめる。また、ベルジャ２２の上方
には基板取付は部２４が設けられ、該取付は部２４の一
側面２４Ａにガラス基板２５が取付けられている。この
取付は部２４は取付けられるガラス基板２５が蒸着入射
角７ヂになるように固定されるとともに、ガラス基板２
５側からの光に対して鏡面として作用するようになされ
ている。さらに、上記ガラス基板２５の垂直法線と対向
する位置のベルジャ２２周壁に透孔２８が開設されると
ともに、該透孔２８の外側に上記ガラス基板２５の垂直
法線を光軸として監視装置部２７が取付けられている。
ない排気ポンプにより内部を真空にされるベルジヤ２２
、二酸化チタンよりなる蒸着源２３、上記蒸着源２３を
加熱する電子銃２６、蒸着されるガラス基板２５を取付
ける基板数句は部２４及び監視装置部２７から構成され
ている。ベルジヤ２２内部は図示しない排気ポンプによ
って脱気され１６５ｍｍ Ｈｇ以下の真空度となってい
る。上記ベルジヤ・２２内の下端部には二酸化チタンで
ある蒸着源２３が置かれ、さらに隣接して電子銃２６が
図中上向に設けられている。この電子銃２６から出射さ
れる電子ビームは図示しないマグネソ゛ トにより方
向を規制され、上記蒸着源２３に照射されて、該蒸着源
２３を加熱し蒸発せしめる。また、ベルジャ２２の上方
には基板取付は部２４が設けられ、該取付は部２４の一
側面２４Ａにガラス基板２５が取付けられている。この
取付は部２４は取付けられるガラス基板２５が蒸着入射
角７ヂになるように固定されるとともに、ガラス基板２
５側からの光に対して鏡面として作用するようになされ
ている。さらに、上記ガラス基板２５の垂直法線と対向
する位置のベルジャ２２周壁に透孔２８が開設されると
ともに、該透孔２８の外側に上記ガラス基板２５の垂直
法線を光軸として監視装置部２７が取付けられている。
上記監視装置部２７は、光源２９、コリメートレンズ３
０、バンドパス干渉フィルタ３１、偏光ビームスブリッ
ク３２及び可変位相板３３からなっている。
０、バンドパス干渉フィルタ３１、偏光ビームスブリッ
ク３２及び可変位相板３３からなっている。
以下、上述した第２の蒸着装置２１を用いて例えば５６
００Ａの波長の光に対して１／８波長板として作用する
複屈折板の製造方法について説明する。ここで、上記１
７８波長板を製造する場合には、監視装置部２７のバン
ドパス干渉フィルタ３１の透過波長を５６０ＯＡとし、
可変位相板３３を−１／８波長板、すなわち上記１／８
波長板のＸ方向（第４図中紙面に対して垂直方向）の屈
折率ｎＸとＹ方向の屈折率ｎｙが敗〉ｎＹとなるのに対
して、可変位相板３３のＸ方向、Ｙ方向の屈折率ｎＸ
ｒ ｎＹがｎｘ＜ｎｙとなってリターデーションｒ−−
７０ＯＡとなるように設定しておく。これは、上記し８
波長板を光軸に対して９０°回転したものに相当するも
のである。
００Ａの波長の光に対して１／８波長板として作用する
複屈折板の製造方法について説明する。ここで、上記１
７８波長板を製造する場合には、監視装置部２７のバン
ドパス干渉フィルタ３１の透過波長を５６０ＯＡとし、
可変位相板３３を−１／８波長板、すなわち上記１／８
波長板のＸ方向（第４図中紙面に対して垂直方向）の屈
折率ｎＸとＹ方向の屈折率ｎｙが敗〉ｎＹとなるのに対
して、可変位相板３３のＸ方向、Ｙ方向の屈折率ｎＸ
ｒ ｎＹがｎｘ＜ｎｙとなってリターデーションｒ−−
７０ＯＡとなるように設定しておく。これは、上記し８
波長板を光軸に対して９０°回転したものに相当するも
のである。
そして、先ず、上記ガラス基板２５上に蒸着膜３４が形
成されていない状態では、上記監視装置部２７の光源２
９から出射される光はコリノー１−レンズ３０により平
行光に制御され、バンドパス干渉フィルタ３１により５
６００Ａの波長の光のみ透過される。さらに、偏光ビー
ムスプリッタ３２により特定方向の偏向面を有する偏光
ａとさ、れる。この偏光ａは可変位相板３３１こより先
ず一１／８波長変調され、さらに取付は部２４で反射さ
れて、再び可変位相板３３により一１／８波長変調され
偏光すとなる。したがって、上記偏光ａに対して偏光す
は一１／４波長変調されている。このため反射光である
偏光すは偏光ヒームスプリツタ３２で直角方向に反射さ
れ、図中入方向から目視し観察すると視野は明るく見え
る。
成されていない状態では、上記監視装置部２７の光源２
９から出射される光はコリノー１−レンズ３０により平
行光に制御され、バンドパス干渉フィルタ３１により５
６００Ａの波長の光のみ透過される。さらに、偏光ビー
ムスプリッタ３２により特定方向の偏向面を有する偏光
ａとさ、れる。この偏光ａは可変位相板３３１こより先
ず一１／８波長変調され、さらに取付は部２４で反射さ
れて、再び可変位相板３３により一１／８波長変調され
偏光すとなる。したがって、上記偏光ａに対して偏光す
は一１／４波長変調されている。このため反射光である
偏光すは偏光ヒームスプリツタ３２で直角方向に反射さ
れ、図中入方向から目視し観察すると視野は明るく見え
る。
一方、蒸着が進行しガラス基板２５上に形成される蒸着
膜３４のリターデーションがｊ＝７０ＯＡとなると上記
偏光ａは、先ず可変位相板３３によって一１／８波長変
調される。さらに蒸着膜３４を透過すると＋１／８波長
変調され偏光ａに戻る。この偏光ａが取付は部２４によ
り反射され再び蒸着、膜３４を透過して＋１／８波長変
調される。そして、さらに再び可変位相板３３を透過し
一１／８波長変゛調され再び偏光ａに戻る。したがって
、反射光の偏向面が偏光ａの偏光面と一致して該反射光
は偏光ビームスプリッタを透過してしまうために図中入
方向から目視し観察すると視野は暗く見える。
膜３４のリターデーションがｊ＝７０ＯＡとなると上記
偏光ａは、先ず可変位相板３３によって一１／８波長変
調される。さらに蒸着膜３４を透過すると＋１／８波長
変調され偏光ａに戻る。この偏光ａが取付は部２４によ
り反射され再び蒸着、膜３４を透過して＋１／８波長変
調される。そして、さらに再び可変位相板３３を透過し
一１／８波長変゛調され再び偏光ａに戻る。したがって
、反射光の偏向面が偏光ａの偏光面と一致して該反射光
は偏光ビームスプリッタを透過してしまうために図中入
方向から目視し観察すると視野は暗く見える。
視装置部２７により観察しながら蒸着を行ない、視野が
最も暗くなったところで上記蒸着を終了することにより
精度の高い１／８波長板として作用する蒸着膜３４を得
ることができる。
最も暗くなったところで上記蒸着を終了することにより
精度の高い１／８波長板として作用する蒸着膜３４を得
ることができる。
さらに上記実施例５においては、可変位相板３３のリタ
ーデーションｒを任意に変えることにより各種波長板、
すなわち任意のりクーテーンヨンＦを有する複屈折板を
得ることが可能である。
ーデーションｒを任意に変えることにより各種波長板、
すなわち任意のりクーテーンヨンＦを有する複屈折板を
得ることが可能である。
上述した各実施例より考察すると、本発明の蒸着源の誘
電体材料としては、金属の酸化物、硫化物、窒化物、ハ
ロケン化物あるいは高分子材料等の光に対して透明な材
料を用いることによりある程度の複屈折を有する蒸着膜
を得ることができるものと考えられる。そして、特に、
チタンＴＩ。
電体材料としては、金属の酸化物、硫化物、窒化物、ハ
ロケン化物あるいは高分子材料等の光に対して透明な材
料を用いることによりある程度の複屈折を有する蒸着膜
を得ることができるものと考えられる。そして、特に、
チタンＴＩ。
ジルコニウムＺｒ 、セリウムＣｅ 、ガリウムＧａ。
アルミニウムＡｌ、珪素ＳＩの酸化物及びこれらの複合
体を蒸着源として用いることによりリターデーション「
の大きな複屈折板か得られる。さらに、二酸化チタンＴ
ｉ０ｚを用いることにより特（５すできる。
体を蒸着源として用いることによりリターデーション「
の大きな複屈折板か得られる。さらに、二酸化チタンＴ
ｉ０ｚを用いることにより特（５すできる。
また、蒸着入射角θは３０°以上とすることで効果を得
ることができるが、リターデーション「の大きな複屈折
板を得るためには４ヂ以上とすることが好ましく、特に
７ヂで最もリターデーションＦの大きな複屈折板を得る
ことができた。
ることができるが、リターデーション「の大きな複屈折
板を得るためには４ヂ以上とすることが好ましく、特に
７ヂで最もリターデーションＦの大きな複屈折板を得る
ことができた。
上述した実施例からも明らかなように、本発明は、誘電
体材料を基板に対して斜め方向から入射させて蒸着する
ことを特徴とするものであるため、安価で大きさに制限
がなく任意のりクーデ−ジョンを有する新規な複屈折板
を非常に容易に、且つ良好な精度で製造することが可能
となる。
体材料を基板に対して斜め方向から入射させて蒸着する
ことを特徴とするものであるため、安価で大きさに制限
がなく任意のりクーデ−ジョンを有する新規な複屈折板
を非常に容易に、且つ良好な精度で製造することが可能
となる。
第１図は本発明により得られる複屈折板を示す模式図、
第２図Ａ、Ｂはリターデーションを説明するグラフ、第
３図は本発明の実施例に用いられる第１の蒸着装置を示
す側面図、第４図は同じく第２の蒸着装置を示す側面図
である。 １３．２３・・・・・・・・・蒸着源 １５．２５・・・・・・・・・基 板 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 １） 村 榮 − 第２図 （Ａ） 第２図 （９） 第３図 才作九ボンア八 手続補正書一式） 昭和５８年２月５ｎ 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許願第１５８８０８号 ２、発明の名称 複屈折板の製造方法 ３、補正をする者 事１′１との関係 特１’Ｆ出願人住 所 東京
部品用区北品用６丁目７番３５号氏名（２１８）ソニー
株式会社 銘 称） 代表者 大 賀 典 雄４、代理
人 〒１０５ 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 （７−１） 明細書第１０ページの第１表を次の通
り補正する。 第１表 （７−２） 明細書第１１ページの第２表を次の通
り第２表 （７−３） 明細書第１２ページの第３表を次の通
り補正する。 第３表 （７−４） 明細書第１３ページの第４表を次のう
ｍり補正する。 第４表 （以上）
第２図Ａ、Ｂはリターデーションを説明するグラフ、第
３図は本発明の実施例に用いられる第１の蒸着装置を示
す側面図、第４図は同じく第２の蒸着装置を示す側面図
である。 １３．２３・・・・・・・・・蒸着源 １５．２５・・・・・・・・・基 板 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 １） 村 榮 − 第２図 （Ａ） 第２図 （９） 第３図 才作九ボンア八 手続補正書一式） 昭和５８年２月５ｎ 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許願第１５８８０８号 ２、発明の名称 複屈折板の製造方法 ３、補正をする者 事１′１との関係 特１’Ｆ出願人住 所 東京
部品用区北品用６丁目７番３５号氏名（２１８）ソニー
株式会社 銘 称） 代表者 大 賀 典 雄４、代理
人 〒１０５ 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 （７−１） 明細書第１０ページの第１表を次の通
り補正する。 第１表 （７−２） 明細書第１１ページの第２表を次の通
り第２表 （７−３） 明細書第１２ページの第３表を次の通
り補正する。 第３表 （７−４） 明細書第１３ページの第４表を次のう
ｍり補正する。 第４表 （以上）
Claims (1)
- 誘電体材料を基板に対して斜め方向から入射させて蒸着
することを特徴とする複屈折板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158808A JPS5949508A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 複屈折板の製造方法 |
| DE8383305352T DE3374788D1 (en) | 1982-09-14 | 1983-09-13 | Processes for manufacturing double refraction plates and double refraction plates made by such processes |
| EP83305352A EP0103485B1 (en) | 1982-09-14 | 1983-09-13 | Processes for manufacturing double refraction plates and double refraction plates made by such processes |
| US06/830,242 US4657350A (en) | 1982-09-14 | 1986-02-18 | Process for manufacturing a double refraction plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158808A JPS5949508A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 複屈折板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5949508A true JPS5949508A (ja) | 1984-03-22 |
Family
ID=15679806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57158808A Pending JPS5949508A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 複屈折板の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4657350A (ja) |
| EP (1) | EP0103485B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5949508A (ja) |
| DE (1) | DE3374788D1 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS63205610A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-25 | Toyota Motor Corp | 複屈折板の製造方法 |
| US4813768A (en) * | 1986-11-04 | 1989-03-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having an oblique evaporation film which is protected by a protective layer |
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| US4874664A (en) * | 1986-11-21 | 1989-10-17 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Birefringent plate and manufacturing method for the same |
| JP2006235543A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Sony Corp | 反射偏光子およびその製造方法、反射偏光子の製造装置ならびに液晶表示装置 |
| JP2007139814A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 位相差素子 |
| JP2007188060A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-07-26 | Jds Uniphase Corp | 薄膜光学リターダ |
| JP2010230856A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Fujifilm Corp | 偏光変換素子及び偏光照明光学素子並びに液晶プロジェクタ |
| US9376744B2 (en) | 2011-05-16 | 2016-06-28 | Dexerials Corporation | Phase-difference element having birefringent film containing TiO2 and Ta2O5 |
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| US5245471A (en) * | 1991-06-14 | 1993-09-14 | Tdk Corporation | Polarizers, polarizer-equipped optical elements, and method of manufacturing the same |
| US6072629A (en) * | 1997-02-26 | 2000-06-06 | Reveo, Inc. | Polarizer devices and methods for making the same |
| JPH11211914A (ja) * | 1998-01-21 | 1999-08-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | 位相差フィルム |
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| JP2004526331A (ja) * | 2001-05-15 | 2004-08-26 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | フッ化物結晶レンズを含む対物レンズ |
| DE10123725A1 (de) | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie, Optisches System und Herstellverfahren |
| US7292388B2 (en) | 2002-05-08 | 2007-11-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Lens made of a crystalline material |
| US20080151245A1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | method and a device for processing birefringent and/or optically active materials and phase plate |
| CN102089684B (zh) * | 2008-05-15 | 2014-08-13 | 巴斯夫公司 | 薄膜结构的制造方法及其组合物 |
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| US8610986B2 (en) * | 2009-04-06 | 2013-12-17 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Mirror arrays for maskless photolithography and image display |
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| CH571068A5 (ja) * | 1973-05-21 | 1975-12-31 | Balzers Patent Beteilig Ag | |
| DE2412729C3 (de) * | 1974-03-16 | 1982-04-29 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren und Anordnung zur Regelung der Verdampfungsrate und des Schichtaufbaus bei der Erzeugung optisch wirksamer Dünnschichten |
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| US4024291A (en) * | 1975-06-17 | 1977-05-17 | Leybold-Heraeus Gmbh & Co. Kg | Control of vapor deposition |
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| US4281030A (en) * | 1980-05-12 | 1981-07-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Implantation of vaporized material on melted substrates |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP57158808A patent/JPS5949508A/ja active Pending
-
1983
- 1983-09-13 DE DE8383305352T patent/DE3374788D1/de not_active Expired
- 1983-09-13 EP EP83305352A patent/EP0103485B1/en not_active Expired
-
1986
- 1986-02-18 US US06/830,242 patent/US4657350A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3374788D1 (en) | 1988-01-14 |
| EP0103485A1 (en) | 1984-03-21 |
| EP0103485B1 (en) | 1987-12-02 |
| US4657350A (en) | 1987-04-14 |
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