JPS5947205A - 多座配位子をペンダント型に含むキレ−ト樹脂の製造方法 - Google Patents
多座配位子をペンダント型に含むキレ−ト樹脂の製造方法Info
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- JPS5947205A JPS5947205A JP15843882A JP15843882A JPS5947205A JP S5947205 A JPS5947205 A JP S5947205A JP 15843882 A JP15843882 A JP 15843882A JP 15843882 A JP15843882 A JP 15843882A JP S5947205 A JPS5947205 A JP S5947205A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多座配位子をペンダント型に含むキレート樹脂
の製造方法に関し、さらに詳しくは、ジエチレントリア
ミン、又はジエチレントリアミン−Ｎ、Ｎ’−ジサリチ
リデンイミナト、ジエチレントリアミン−Ｎ、Ｎ、Ｎ’
、Ｎ’−四酢酸、ジエチレントリアミン−Ｎ、Ｎ’−ジ
チオカルバメートなどのジエチレントリアミン誘導体か
ら成る多座配位子をペンダント型に含む、優れた金属捕
捉性能を有するキレート樹脂の製造方法に関するもので
ある。
の製造方法に関し、さらに詳しくは、ジエチレントリア
ミン、又はジエチレントリアミン−Ｎ、Ｎ’−ジサリチ
リデンイミナト、ジエチレントリアミン−Ｎ、Ｎ、Ｎ’
、Ｎ’−四酢酸、ジエチレントリアミン−Ｎ、Ｎ’−ジ
チオカルバメートなどのジエチレントリアミン誘導体か
ら成る多座配位子をペンダント型に含む、優れた金属捕
捉性能を有するキレート樹脂の製造方法に関するもので
ある。
キレート性多座配位子は、単座配位子に比べて金属イオ
ンとよシ安定な錯体を形成することによつて、この多座
配位子を導入したキレート樹脂は良好な金属イオン捕捉
材料となる。
ンとよシ安定な錯体を形成することによつて、この多座
配位子を導入したキレート樹脂は良好な金属イオン捕捉
材料となる。
キレート性多座配位子の中で特にポリアルキルポリアミ
ンは、多くの金属イオンと安定な錯体を形成する優れた
多座配位子であり、まだアミノポリカルボン酸、シッフ
塩基、ジチオカルバメートなどの多座配位子合成の出発
物質としても重要である。
ンは、多くの金属イオンと安定な錯体を形成する優れた
多座配位子であり、まだアミノポリカルボン酸、シッフ
塩基、ジチオカルバメートなどの多座配位子合成の出発
物質としても重要である。
従来、ジエチレントリアミンやトリエチレンテトラミン
などのポリアルキルポリアミンとクロルメチル化ポリス
チレンビーズとの反応によってこれらの配位子を導入し
たポリスチレン樹脂が知られている（ Ｅ、 Ｂｌａｓ
ｉｕｓ、 ａｎｄ １． Ｂｏｃｋ； Ｊ。
などのポリアルキルポリアミンとクロルメチル化ポリス
チレンビーズとの反応によってこれらの配位子を導入し
たポリスチレン樹脂が知られている（ Ｅ、 Ｂｌａｓ
ｉｕｓ、 ａｎｄ １． Ｂｏｃｋ； Ｊ。
ＣｈｒｏｍａｌＯｇｒ、−、１４巻、２４４頁、１９６
４年）。
４年）。
しかしながら、この方法によると複数個のアミン基が高
分子鎖内や高分子鎖間のクロルメチル基と反応して多く
の架橋が起ることは避けられない。
分子鎖内や高分子鎖間のクロルメチル基と反応して多く
の架橋が起ることは避けられない。
このような架橋反応は高分子母体の有効なりロルメチル
基の数を減らして配位子の導入率の低下をもたらすのみ
ならず、金属イオンとの錯体形成に際し、立体障害の原
因となって金属捕捉能を阻害する。したがって、このよ
うな望ましくない架橋反応を避けて多座配位子を導入す
る方法が種々提案されている（例えばｒＪ、 Ａｍ、
Ｏｈｅｍ、Ｓｏｃ、Ｊ 。
基の数を減らして配位子の導入率の低下をもたらすのみ
ならず、金属イオンとの錯体形成に際し、立体障害の原
因となって金属捕捉能を阻害する。したがって、このよ
うな望ましくない架橋反応を避けて多座配位子を導入す
る方法が種々提案されている（例えばｒＪ、 Ａｍ、
Ｏｈｅｍ、Ｓｏｃ、Ｊ 。
１０２巻 １０３３頁 １９８０年、 「ｕａｃｒｏｍ
ｏｌ。
ｏｌ。
ｃｈｅｍ、Ｊ 、 ｌｓｏ巻 ２４９９頁 １９７９年
、 ［Ａｎａｌ、。
、 ［Ａｎａｌ、。
Ｃｈｅｍ、Ｊ 、 ４９巻 ４１８頁 １９７７年など
）。
）。
しかしながら、これらの方法はいずれも反応経路が複雑
であるとか、あるいは低収率であるなどの欠点を有し、
必ずしも満足しうるものでは々い。
であるとか、あるいは低収率であるなどの欠点を有し、
必ずしも満足しうるものでは々い。
本発明者らは、このような事情に鑑み、ジエチレン）
ＩＪアミン又はその誘導体から成る多座配位子を容易に
かつ高収率で、架橋を起こすことなく樹脂母体に導入す
る方法を提供すべく鋭意研究を重ねた結果、まずジエチ
レントリアミンにアルデヒドやケトン類を反応させてシ
ッフ塩基型縮合物を形成させ、その第一級アミノ基を保
護したのち、このシッフ塩基型縮合物と樹脂とを反応さ
せ、次いで加水分解すれば、ジエチレントリアミンを高
架 収率で勢橋反応を伴うことなくペンダント型に樹脂母体
中に導入することができ、さらにこのペンダント型に導
入されたジエチレントリアミンの第一級アミン基に対応
する薬剤を反応させれば、目的とするジエチレントリア
ミン誘導体をペンダント型に導入しうろことを見出し、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
ＩＪアミン又はその誘導体から成る多座配位子を容易に
かつ高収率で、架橋を起こすことなく樹脂母体に導入す
る方法を提供すべく鋭意研究を重ねた結果、まずジエチ
レントリアミンにアルデヒドやケトン類を反応させてシ
ッフ塩基型縮合物を形成させ、その第一級アミノ基を保
護したのち、このシッフ塩基型縮合物と樹脂とを反応さ
せ、次いで加水分解すれば、ジエチレントリアミンを高
架 収率で勢橋反応を伴うことなくペンダント型に樹脂母体
中に導入することができ、さらにこのペンダント型に導
入されたジエチレントリアミンの第一級アミン基に対応
する薬剤を反応させれば、目的とするジエチレントリア
ミン誘導体をペンダント型に導入しうろことを見出し、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、ジエチレントリアミン又はその誘
導体から成る多座配位子を含むキレート樹脂を製造する
に当り、まずジエチレントリアミンの第一級アミン基に
係るシッフ塩基型縮合物と対応する樹脂とを反応させ、
該シッフ塩基型縮合物をその中の第二級アミン基を介し
て樹脂母体中にペンダント型に導入したのち、加水分解
してジエチレントリアミンをペンダント型に含むキレー
ト樹脂を得、さらに該キレート樹脂中のジエチレントリ
アミン残基の第一級アミン基に他の置換基を導入するこ
とを特徴とするジエチレントリアミン又はその誘導体か
ら成る多座配位子をペンダント型に含むキレート樹脂の
製造方法を提供するものである。
導体から成る多座配位子を含むキレート樹脂を製造する
に当り、まずジエチレントリアミンの第一級アミン基に
係るシッフ塩基型縮合物と対応する樹脂とを反応させ、
該シッフ塩基型縮合物をその中の第二級アミン基を介し
て樹脂母体中にペンダント型に導入したのち、加水分解
してジエチレントリアミンをペンダント型に含むキレー
ト樹脂を得、さらに該キレート樹脂中のジエチレントリ
アミン残基の第一級アミン基に他の置換基を導入するこ
とを特徴とするジエチレントリアミン又はその誘導体か
ら成る多座配位子をペンダント型に含むキレート樹脂の
製造方法を提供するものである。
５一
本発明方法においては、まずジエチレントリアミンの第
一級アミン基にアルデヒドやケトン類を反応させること
によってシッフ塩基型縮合物を形成させ、該第−級アミ
ン基を保護したのち、このシッフ塩基型縮合物と対応す
る樹脂とを反応させて該シッフ塩基型縮合物をその中の
第二級アミン基を介して樹脂母体中にペンダント型に導
入する。
一級アミン基にアルデヒドやケトン類を反応させること
によってシッフ塩基型縮合物を形成させ、該第−級アミ
ン基を保護したのち、このシッフ塩基型縮合物と対応す
る樹脂とを反応させて該シッフ塩基型縮合物をその中の
第二級アミン基を介して樹脂母体中にペンダント型に導
入する。
前記のシッフ塩基型縮合物の形成に用いられるアルデヒ
ドやケトン類としては、例えばサリチルアルデヒド、ベ
ンツアルデヒド、アセチルアセトンなどが好ましく用い
られ、これらのアルデヒドやケトン類とジエチレントリ
アミンとを公知の方法に従って縮合させると、シッフ塩
基型縮合物がほぼ定量的に得られる。このシッフ塩基型
縮合物の中で、次の反応式によって得られるジエチレン
トリアミンとサリチルアルデヒドとの縮合物であるジエ
チレントリアミン−Ｎ 、 Ｎ’−ジサリチリデンイミ
ナ） （Ｎ）が特に好適である。
ドやケトン類としては、例えばサリチルアルデヒド、ベ
ンツアルデヒド、アセチルアセトンなどが好ましく用い
られ、これらのアルデヒドやケトン類とジエチレントリ
アミンとを公知の方法に従って縮合させると、シッフ塩
基型縮合物がほぼ定量的に得られる。このシッフ塩基型
縮合物の中で、次の反応式によって得られるジエチレン
トリアミンとサリチルアルデヒドとの縮合物であるジエ
チレントリアミン−Ｎ 、 Ｎ’−ジサリチリデンイミ
ナ） （Ｎ）が特に好適である。
６−
（１） （１）
（１１０本発明方法において用いられる樹脂母体につ
いては、アミン基と反応する活性官能基を有するもので
あれば特に制限はないが、クロルメチル化したポリスチ
レンが最適である。この樹脂母体に対する前記のシッフ
塩基型縮合物の導入は、例えばジオキサン、ベンゼン、
トルエンなどの溶媒中において、樹脂とシッフ塩基型縮
合物とをかきまぜながら加熱還流することにより行われ
る。との反応の具体例としてクロルメチル化ポリスチレ
ン（５）とジエチレントリアミン−Ｎ 、 Ｎ’−ジサ
リチリデンイミナ） （Ｉｎ）との反応を次の式によっ
て示す。
（１１０本発明方法において用いられる樹脂母体につ
いては、アミン基と反応する活性官能基を有するもので
あれば特に制限はないが、クロルメチル化したポリスチ
レンが最適である。この樹脂母体に対する前記のシッフ
塩基型縮合物の導入は、例えばジオキサン、ベンゼン、
トルエンなどの溶媒中において、樹脂とシッフ塩基型縮
合物とをかきまぜながら加熱還流することにより行われ
る。との反応の具体例としてクロルメチル化ポリスチレ
ン（５）とジエチレントリアミン−Ｎ 、 Ｎ’−ジサ
リチリデンイミナ） （Ｉｎ）との反応を次の式によっ
て示す。
■ （ＩＩＩ） （Ｖ）この
ようにシッフ塩基型縮合物の第二級アミノ基とクロルメ
チル化ポリスチレンのクロルメチル基が反応することに
よって、シッフ塩基型縮合物は該第二級アミン基を介し
て樹脂母体中にペンダント型に導入される（ト）。
ようにシッフ塩基型縮合物の第二級アミノ基とクロルメ
チル化ポリスチレンのクロルメチル基が反応することに
よって、シッフ塩基型縮合物は該第二級アミン基を介し
て樹脂母体中にペンダント型に導入される（ト）。
この反応において、ジエチレントリアミン−Ｎ 、 Ｎ
’−ジサリチリデンイミナト中のヒドロキシル基とクロ
ルメチル基との反応はほとんど起らない。
’−ジサリチリデンイミナト中のヒドロキシル基とクロ
ルメチル基との反応はほとんど起らない。
このことは、エチレンジアミン−Ｎ、Ｎ’−ジサリチリ
デンイミナトとクロルメチル化ポリスチレンとを反応さ
せた場合、エチレンジアミン−Ｎ 、 Ｎ／−ジザリチ
リデンイミナトが樹脂中にほとんど導入されないことに
よって確かめられた。
デンイミナトとクロルメチル化ポリスチレンとを反応さ
せた場合、エチレンジアミン−Ｎ 、 Ｎ／−ジザリチ
リデンイミナトが樹脂中にほとんど導入されないことに
よって確かめられた。
このようにして得られたキレート樹脂は、配位子部分に
おいて架橋構造をとらず、シッフ塩基型縮合物（はペン
ダント型に導入されており、鉱酸などによって処理する
と次式のようにシッフ塩基部分が容易に加水分解されて
、定量的にジエチレントリアミンをペンダント型に含む
キレート樹脂（７）に転化する。
おいて架橋構造をとらず、シッフ塩基型縮合物（はペン
ダント型に導入されており、鉱酸などによって処理する
と次式のようにシッフ塩基部分が容易に加水分解されて
、定量的にジエチレントリアミンをペンダント型に含む
キレート樹脂（７）に転化する。
（ＶＤ
このジエチレントリアミンをペンダント型に含むキレー
ト樹脂（ＶＤは、多くの多座配位子誘導体の合成におけ
る基本化合物であって、例えば次の反応式によって示さ
れるようにモノクロル酢酸ナトリウムと反応してアミノ
ポリカルボン酸型キレート樹脂■を、二硫化炭素と反応
してジチオヵルバメ−１・型キレート樹脂（ＶｌＧに誘
導される。
ト樹脂（ＶＤは、多くの多座配位子誘導体の合成におけ
る基本化合物であって、例えば次の反応式によって示さ
れるようにモノクロル酢酸ナトリウムと反応してアミノ
ポリカルボン酸型キレート樹脂■を、二硫化炭素と反応
してジチオヵルバメ−１・型キレート樹脂（ＶｌＧに誘
導される。
これらのキレート樹脂（ｖｌＩ及び６１Φは、前記のキ
レート樹脂（至）及び（ＶＤと同様に配位子部分は架橋
構造をとることなくペンダント型に導入されていて、各
樹脂はいずれも優れた金属イオン捕捉性能を有している
。
レート樹脂（至）及び（ＶＤと同様に配位子部分は架橋
構造をとることなくペンダント型に導入されていて、各
樹脂はいずれも優れた金属イオン捕捉性能を有している
。
本発明方法によると、ジエチレントリアミン又はその誘
導体から成る多座配位子を架橋反応を伴わずに容易にか
つ高収率で、樹脂母体中にペンダント型に導入すること
ができ、捷だ得られたキレート樹脂＋１金属イオン捕捉
用材料として優れたものである。
導体から成る多座配位子を架橋反応を伴わずに容易にか
つ高収率で、樹脂母体中にペンダント型に導入すること
ができ、捷だ得られたキレート樹脂＋１金属イオン捕捉
用材料として優れたものである。
次に実施例及び応用例によって本発明をさらに詳細に説
明する。
明する。
実施例１
公知の方法によって２００〜４００メツシユの粒度を有
するビーズ状のゲル型のスチレン−（２％）−ジビニル
ベンゼン共重合体を得、これを公知の方法によってクロ
ルメチル化した。ゲル型クロルメチル化ポリスチレン樹
脂の塩素含有率は２０．８２％であり、このものを樹脂
母体として用いた。
するビーズ状のゲル型のスチレン−（２％）−ジビニル
ベンゼン共重合体を得、これを公知の方法によってクロ
ルメチル化した。ゲル型クロルメチル化ポリスチレン樹
脂の塩素含有率は２０．８２％であり、このものを樹脂
母体として用いた。
またジエチレントリアミンに、サリチルアルデヒド、ベ
ンズアルデヒド及びアセチルアセトンを公知の方法によ
ってそれぞれ反応させたものをシッフ塩基型縮合物とし
て用いた。
ンズアルデヒド及びアセチルアセトンを公知の方法によ
ってそれぞれ反応させたものをシッフ塩基型縮合物とし
て用いた。
次に、クロルメチル化ポリスチレンに対するシップ塩基
型縮合物の導入を以下のようにして行った。
型縮合物の導入を以下のようにして行った。
すなわち、４００ｍ１のジオキサン中にクロルメチル化
ポリスチレン（ＩＶ）２６．０５’及びジエチレントリ
アミン−Ｎ、Ｎ’−ジサリチリデンイミナト（Ｉｌｌ）
９３．３７を加え、かきまぜながら１００℃で４８時間
加熱□ した。得られた反応生成物をろ過、水洗しさら
にジオキサンで十分に洗浄したのち、真空乾燥したとこ
ろ、 ５０．４ ｆの黄色樹脂（９）が得られた。こ
のものの元素分析値はＣ１：１．０９％、Ｎ ： ８．
８１％であり、配位子容量（乾燥樹脂１２当りに導入さ
れた配位子のモル数）は２ 、１０ ｍ ｍｏｌｅ／
！樹脂であった。
ポリスチレン（ＩＶ）２６．０５’及びジエチレントリ
アミン−Ｎ、Ｎ’−ジサリチリデンイミナト（Ｉｌｌ）
９３．３７を加え、かきまぜながら１００℃で４８時間
加熱□ した。得られた反応生成物をろ過、水洗しさら
にジオキサンで十分に洗浄したのち、真空乾燥したとこ
ろ、 ５０．４ ｆの黄色樹脂（９）が得られた。こ
のものの元素分析値はＣ１：１．０９％、Ｎ ： ８．
８１％であり、配位子容量（乾燥樹脂１２当りに導入さ
れた配位子のモル数）は２ 、１０ ｍ ｍｏｌｅ／
！樹脂であった。
同様にして、ベンズアルデヒド又はアセチルアセトンと
ジエチレントリアミンとのシッフ塩基型縮合物を、クロ
ルメチル化ポリスチレンと反応させ、当該シッフ塩基型
縮合物を導入した樹脂を得た。
ジエチレントリアミンとのシッフ塩基型縮合物を、クロ
ルメチル化ポリスチレンと反応させ、当該シッフ塩基型
縮合物を導入した樹脂を得た。
１１−
各樹脂の元素分析値及び配位子容量を第】表に示す。
第 １ 表
実施例２
実施例１において得られだジエチレントリアミン−Ｎ
、 Ｎ’−ジサリチリデンイミナトをペンダント型に含
むキレート樹脂（Ｖ）４９．１ ？を、６規定塩酸水
溶液６００ｍ７！とともに６０℃で２４時間かきまぜな
がら加熱した。得られた反応生成物をろ過し、１３− １２− ２規定のアンモニア水を加えてアルカリ性にしたのち、
中性になるまで十分に水で洗浄し、乾燥したところ、ジ
エチレントリアミンが導入された樹脂（Ｖｌ１３０．５
Ｓ’が得られた。この樹脂の元素分析値はＮ ： １１
．３１％であり、配位子含有量は２．６９ｍｍｏｌｅ／
′？樹脂であった。
、 Ｎ’−ジサリチリデンイミナトをペンダント型に含
むキレート樹脂（Ｖ）４９．１ ？を、６規定塩酸水
溶液６００ｍ７！とともに６０℃で２４時間かきまぜな
がら加熱した。得られた反応生成物をろ過し、１３− １２− ２規定のアンモニア水を加えてアルカリ性にしたのち、
中性になるまで十分に水で洗浄し、乾燥したところ、ジ
エチレントリアミンが導入された樹脂（Ｖｌ１３０．５
Ｓ’が得られた。この樹脂の元素分析値はＮ ： １１
．３１％であり、配位子含有量は２．６９ｍｍｏｌｅ／
′？樹脂であった。
まだ同様にして、実施例１０篇２及び扁３の樹脂からも
ジエチレントリアミンが導入された樹脂が得られた。
ジエチレントリアミンが導入された樹脂が得られた。
実施例３
炭酸ナトリウム５３グを含む水溶液１００ ｍｌに、酢
水冷下モノクロル儂酸９４．５？を含む水溶液１０〇−
を滴下し、この溶液に実施例３で得られたジエチレント
リアミンが導入された樹脂（ＶＩＨｏｑを加えた。反応
液のｐＨを９〜１０に保持し、かきまぜながら７０℃で
１２時間加熱した。得られた反応物をろ過し、２規定の
塩酸で洗浄したのち、水洗し乾燥したところ、ＫＤＴＡ
型樹脂（ロ）４９．９２が得られた。このものの元素分
析値はＮ ： ７．９４％であり、配位子含有量は１．
８４ ｍ ｍｏｌｅ／７樹脂であ１４− つた。
を滴下し、この溶液に実施例３で得られたジエチレント
リアミンが導入された樹脂（ＶＩＨｏｑを加えた。反応
液のｐＨを９〜１０に保持し、かきまぜながら７０℃で
１２時間加熱した。得られた反応物をろ過し、２規定の
塩酸で洗浄したのち、水洗し乾燥したところ、ＫＤＴＡ
型樹脂（ロ）４９．９２が得られた。このものの元素分
析値はＮ ： ７．９４％であり、配位子含有量は１．
８４ ｍ ｍｏｌｅ／７樹脂であ１４− つた。
実施例４
二硫化炭素１５．２ ？を含むエタノール溶液１００−
にナトリウムエチラート］、３．４ ｆを加え、さらに
実施例２で得られだジエチレントリアミンが導入された
樹脂（ＶＤ５．Ｏｒを加え、かきまぜながら５０℃で２
４時間加熱した。得られた反応生成物をろ過、水洗した
のち乾燥したところ、ジチオカルバメート型樹脂（至）
７．８９ ｒが得られた。このものの元素分析値はＮ
： ７．１６％であり、配位子含有量は１．７０ ｍ
ｍｏｌｅ／７樹脂であった。
にナトリウムエチラート］、３．４ ｆを加え、さらに
実施例２で得られだジエチレントリアミンが導入された
樹脂（ＶＤ５．Ｏｒを加え、かきまぜながら５０℃で２
４時間加熱した。得られた反応生成物をろ過、水洗した
のち乾燥したところ、ジチオカルバメート型樹脂（至）
７．８９ ｒが得られた。このものの元素分析値はＮ
： ７．１６％であり、配位子含有量は１．７０ ｍ
ｍｏｌｅ／７樹脂であった。
応用例】
実施例１で得られたシッフ塩基型樹脂（Ｖ）５００■を
、２０ ｍ ｍｏ１ｅ／ｌの銅（ＩＩ）イオンを含む１
００−の水溶液に加え、所定のｐ）Ｔに調整し、室温で
３時間かきまぜたのち、溶液を分離し、樹脂中に吸着さ
れた銅（ＩＩ）イオンを２規定の塩酸により溶出した。
、２０ ｍ ｍｏ１ｅ／ｌの銅（ＩＩ）イオンを含む１
００−の水溶液に加え、所定のｐ）Ｔに調整し、室温で
３時間かきまぜたのち、溶液を分離し、樹脂中に吸着さ
れた銅（ＩＩ）イオンを２規定の塩酸により溶出した。
この溶出液を定量して銅（１１）イオンの吸着容量を求
めた。ｐＨ≧３．０で樹脂１２当り１．８ ｍ ｍｏｌ
ｅの銅（１）イオンが吸着された。
めた。ｐＨ≧３．０で樹脂１２当り１．８ ｍ ｍｏｌ
ｅの銅（１）イオンが吸着された。
応用例２
実施例２で得られたジエチレントリアミンが導入された
樹脂（Ｖ）ｓｏｏ■を用い、応用例１と同様の方法で、
銅（■）、亜鉛（ＩＩ）及びニッケル（ＩＴ）イオンの
吸着容量と溶液のｐＨとの関係を求めた。その結果を第
１図にグラフで示す。第１図において横軸は溶液のｐＨ
を、縦軸は樹脂の金属イオン吸着容量（乾燥樹脂１７当
シ吸着される金属イオンのミリモル数）を表わし、実線
は銅イオン、破線は亜鉛イオン、点線はニッケルイオン
である。
樹脂（Ｖ）ｓｏｏ■を用い、応用例１と同様の方法で、
銅（■）、亜鉛（ＩＩ）及びニッケル（ＩＴ）イオンの
吸着容量と溶液のｐＨとの関係を求めた。その結果を第
１図にグラフで示す。第１図において横軸は溶液のｐＨ
を、縦軸は樹脂の金属イオン吸着容量（乾燥樹脂１７当
シ吸着される金属イオンのミリモル数）を表わし、実線
は銅イオン、破線は亜鉛イオン、点線はニッケルイオン
である。
応用例３
実施例３で得られたＥＤＴＡ型樹脂（イ）５００■を用
い、応用例１と同様の方法で、銅（■）、亜鉛（ＩＩ）
及びニッケル（ＴＩ） 、コバルト（■）イオンの吸着
容！ ＋！ｌ： ｐＨの関係を求めた。その結果を第２
図にグラフで示Φ す。第２図における横軸と縦軸と関係は第１図と同様で
あシ、実線は銅イオン、破線は亜鉛イオン、点線はニッ
ケルイオン、一点鎖線はコバルトイオンである。
い、応用例１と同様の方法で、銅（■）、亜鉛（ＩＩ）
及びニッケル（ＴＩ） 、コバルト（■）イオンの吸着
容！ ＋！ｌ： ｐＨの関係を求めた。その結果を第２
図にグラフで示Φ す。第２図における横軸と縦軸と関係は第１図と同様で
あシ、実線は銅イオン、破線は亜鉛イオン、点線はニッ
ケルイオン、一点鎖線はコバルトイオンである。
応用例４
１５一
実施例３で得られたＥＤＴＡ型樹脂（ロ）５０■を種々
のｐＨに調整した］ Ｏｐｐｍ のカドミウム（ＩＩ）
溶液に加え、室温で３時間かきまぜ、カドミウム（ＩＴ
）イオンの吸着率と溶液のｐＨとの関係を求めた。その
結果を第３図にグラフで示す。第３図において横軸（ｄ
溶液のｐＨを、縦軸はカドミウム（ＩＴ）イオンの吸着
率を表わし、また実線はＫＤＴＡ型樹脂（Ｖｌ）による
結果、破線は市販のイミノジ酢酸を含む樹脂による結果
である。
のｐＨに調整した］ Ｏｐｐｍ のカドミウム（ＩＩ）
溶液に加え、室温で３時間かきまぜ、カドミウム（ＩＴ
）イオンの吸着率と溶液のｐＨとの関係を求めた。その
結果を第３図にグラフで示す。第３図において横軸（ｄ
溶液のｐＨを、縦軸はカドミウム（ＩＴ）イオンの吸着
率を表わし、また実線はＫＤＴＡ型樹脂（Ｖｌ）による
結果、破線は市販のイミノジ酢酸を含む樹脂による結果
である。
このグラフから明らかなように、 ＢＤＴＡ型樹脂α■
はｐＨ）３でほぼ定量的にカドミウム（ＩＩ）イオンを
吸着し、また吸着の経時変化を検討したところ、３０分
以内に吸着平衡て達し、９９％以上のカドミウム（Ｉｆ
）イオンが樹脂に吸着された。
はｐＨ）３でほぼ定量的にカドミウム（ＩＩ）イオンを
吸着し、また吸着の経時変化を検討したところ、３０分
以内に吸着平衡て達し、９９％以上のカドミウム（Ｉｆ
）イオンが樹脂に吸着された。
応用例５
実施例４で得られたジチオカルバメート型樹脂（Ｖｌｌ
）１００７ｎｇを、１０００ ｐｐｂ （７）水銀（■
）イオンを含む水溶液５０ｍ／に加え、所定のｐＨに調
整し、室温で３時間かきまぜたのち、溶液を分離し、溶
液中に残留する水銀（ＩＩ）イオンを定量したところ、
ｐＨ０，５１７− １６− 〜５の範囲で吸着率はほぼ１００％であった。まだいず
れも３０分以内で吸着平衡に達した。
）１００７ｎｇを、１０００ ｐｐｂ （７）水銀（■
）イオンを含む水溶液５０ｍ／に加え、所定のｐＨに調
整し、室温で３時間かきまぜたのち、溶液を分離し、溶
液中に残留する水銀（ＩＩ）イオンを定量したところ、
ｐＨ０，５１７− １６− 〜５の範囲で吸着率はほぼ１００％であった。まだいず
れも３０分以内で吸着平衡に達した。
なお、前記樹脂Ａ（Ｖ）〜■において、金属イオンの吸
着と脱離は、水銀イオンの場合を除き、はぼ再現性があ
シ、数１０回の繰シ返し使用に耐えることが分った。
着と脱離は、水銀イオンの場合を除き、はぼ再現性があ
シ、数１０回の繰シ返し使用に耐えることが分った。
第１図及び第２図はそれぞれ応用例２及び３における金
属イオン吸着容量と溶液のｐＨとの関係を、第３図は応
用例４におけるカドミウム（ＩＩ）イオンの吸着率と溶
液のｐＨとの関係を示すグラフである。 特許出願人 工業技術院長 石 坂 誠 −１８− 第 １ 図 瀉）良のｐＨ 第２図
属イオン吸着容量と溶液のｐＨとの関係を、第３図は応
用例４におけるカドミウム（ＩＩ）イオンの吸着率と溶
液のｐＨとの関係を示すグラフである。 特許出願人 工業技術院長 石 坂 誠 −１８− 第 １ 図 瀉）良のｐＨ 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ジエチレントリアミン又はその誘導体から成る多座
配位子を含むキレート樹脂を製造するに当り、まずジエ
チレントリアミンの第一級アミノ基に係るシッフ塩基型
縮合物と対応する樹脂とを反応させ、該シッフ塩基型縮
合物をその中の第二級アミン基を介して樹脂母体中にペ
ンダント型に導入したのち、加水分解してジエチレント
リアミンをペンダント型に含むキレート樹脂を得、さら
に該キレート樹脂中のジエチレントリアミン残基の第一
級アミン基に他の置換基を導入することを特徴とするジ
エチレントリアミン又はその誘導体から成る多座配位子
をペンダント型に含むキレート樹脂の製造方法。 ２ ジエチレントリアミンのシッフ塩基型縮合 １− 物がジエチレントリアミン−Ｎ、Ｎ’−ジサリチリデン
イミナ＝ｆ−）である特許請求の範囲第１項記載の方法
。 ３ ジエチレントリアミン誘導体がジエチレントリアミ
ン−ＮＩＮＩＮ’、Ｎ’−四酢酸及びジエチレントリア
ミン−Ｎ 、 Ｎ’−ジチオカルバメートである特許請
求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15843882A JPS604205B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 多座配位子をペンダント型に含むキレ−ト樹脂の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15843882A JPS604205B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 多座配位子をペンダント型に含むキレ−ト樹脂の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5947205A true JPS5947205A (ja) | 1984-03-16 |
| JPS604205B2 JPS604205B2 (ja) | 1985-02-02 |
Family
ID=15671765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15843882A Expired JPS604205B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 多座配位子をペンダント型に含むキレ−ト樹脂の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604205B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010193655A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Hitachi Ltd | スイッチギヤの接地装置 |
| JP2012163547A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-08-30 | Electric Power Research Inst Inc | 水溶液中の放射性種の捕捉、除去および廃棄 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6111304U (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-23 | 月星化成株式会社 | 帯電防止発泡ポリウレタン靴底 |
| JPH0421441Y2 (ja) * | 1984-11-20 | 1992-05-15 | ||
| JPS61136909U (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-26 | ||
| JPS6227006U (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-19 | ||
| JPS62201101A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-04 | 丸栄日産株式会社 | 導電性履物底 |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP15843882A patent/JPS604205B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010193655A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Hitachi Ltd | スイッチギヤの接地装置 |
| JP2012163547A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-08-30 | Electric Power Research Inst Inc | 水溶液中の放射性種の捕捉、除去および廃棄 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS604205B2 (ja) | 1985-02-02 |
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