JPS5946744A - 多重極電極構造体 - Google Patents
多重極電極構造体Info
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- JPS5946744A JPS5946744A JP15639782A JP15639782A JPS5946744A JP S5946744 A JPS5946744 A JP S5946744A JP 15639782 A JP15639782 A JP 15639782A JP 15639782 A JP15639782 A JP 15639782A JP S5946744 A JPS5946744 A JP S5946744A
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- JP
- Japan
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- electrode
- electrode pieces
- pieces
- circumferential connection
- connection piece
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- Granted
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
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- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/12—Lenses electrostatic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
する多重極電極構造体に関する。多重極電極は電子ビー
ム露光装置、電子顕微鏡、ブラウン管，撮像管等におい
てビームを精確に偏向したり、又はビームの断面形状を
整形するため用いられている。
ム露光装置、電子顕微鏡、ブラウン管，撮像管等におい
てビームを精確に偏向したり、又はビームの断面形状を
整形するため用いられている。
多重極電極１１ｍ一虜燭には多数の電極片を電極の中心
軸に対して対称に環状に配置し，それらの電極片ｑｉｍ
＃ｉ１ｌを絶縁材料の支持体で包囲してこの支持体に電
極片を固定した構造のものがある、、シかしこのような
構成では作動時に絶縁材料の支持体は帯電し、この帯電
による望ましくない電界がイｌ向電界中にしみ出して偏
向電界を乱し、荷電粒子ビームの偏向稍ノ１（を低下さ
ぜ，結局このような多重極電極を装備した′電子ビーム
露光装置，電子顕微鏡等の作動−１一の精度を低下させ
てしまうこと＼偏向電界の正常分布を保証するよう構成
した各月１電極構造体を提供することにある。
軸に対して対称に環状に配置し，それらの電極片ｑｉｍ
＃ｉ１ｌを絶縁材料の支持体で包囲してこの支持体に電
極片を固定した構造のものがある、、シかしこのような
構成では作動時に絶縁材料の支持体は帯電し、この帯電
による望ましくない電界がイｌ向電界中にしみ出して偏
向電界を乱し、荷電粒子ビームの偏向稍ノ１（を低下さ
ぜ，結局このような多重極電極を装備した′電子ビーム
露光装置，電子顕微鏡等の作動−１一の精度を低下させ
てしまうこと＼偏向電界の正常分布を保証するよう構成
した各月１電極構造体を提供することにある。
この目的は本発明に従って、一つの軸に対称に配置した
電極片のうち同一電位な印加する電極片を前記の軸の異
なるレベルで複数の金属の夕１周接続片で一体に結合し
、そして電極片の背後において偏向空間に露出しないよ
う外周接続片上Ｖ−配装した絶縁支持体により前記の外
周接続片を結合して成る多重極電極構造体により達成さ
れる。
電極片のうち同一電位な印加する電極片を前記の軸の異
なるレベルで複数の金属の夕１周接続片で一体に結合し
、そして電極片の背後において偏向空間に露出しないよ
う外周接続片上Ｖ−配装した絶縁支持体により前記の外
周接続片を結合して成る多重極電極構造体により達成さ
れる。
添付図を参照して以下に本発明の詳細な説明する。
４７図を参照する。７つの軸に対称に配置された電極片
のうち同一電位が印加される′電極片１タリえば１５，
１７．Ｉｇ を金属の外周接続片２Ａ２で一体に結合し
、そして別の同一電位が印加される電極片１．、ｌ、、
１．□、を外周接続片２Ａ、 で一体に結合し、前記
の軸に沿って低くなっているレベルで同一電位が印加さ
れる電極片１６ 、１−１１１゜を外周接続片２Ｂ、
で一体に結合し、そして別の同一電位が印加される電
極片１８，１．。。
のうち同一電位が印加される′電極片１タリえば１５，
１７．Ｉｇ を金属の外周接続片２Ａ２で一体に結合し
、そして別の同一電位が印加される電極片１．、ｌ、、
１．□、を外周接続片２Ａ、 で一体に結合し、前記
の軸に沿って低くなっているレベルで同一電位が印加さ
れる電極片１６ 、１−１１１゜を外周接続片２Ｂ、
で一体に結合し、そして別の同一電位が印加される電
極片１８，１．。。
１１゜を外周接続片２Ｂ２ で一体に結合している。
高い方のレベルにおいて外周接続片２Ａ、と２Ａ２の両
端は電極片１４ と１１０の背後で間隔をおいて対向
しており、同様に低い方のレベルにおいて外周接続片２
Ｂ＋ と２Ｂ２の両端は電極片１７と１．１の背後で
間隔をおいて対向している。絶縁支持体８はと、れらの
外周接続列上に配置され７［１７，；・〆片を全体とし
て一体に固定している。絶縁支持体：３ば１ｆｔ極片が
包囲している偏向空間に露出している部分はなく、その
ため帯′醒 しに＜＜、 又帯電してもその電界が偏
向空間内にしみ出していくということはきわめて少ない
。
端は電極片１４ と１１０の背後で間隔をおいて対向
しており、同様に低い方のレベルにおいて外周接続片２
Ｂ＋ と２Ｂ２の両端は電極片１７と１．１の背後で
間隔をおいて対向している。絶縁支持体８はと、れらの
外周接続列上に配置され７［１７，；・〆片を全体とし
て一体に固定している。絶縁支持体：３ば１ｆｔ極片が
包囲している偏向空間に露出している部分はなく、その
ため帯′醒 しに＜＜、 又帯電してもその電界が偏
向空間内にしみ出していくということはきわめて少ない
。
底部に近いし４ルにおける外周接続片２ Ａ１． ’
＋２Ａ’２； ２Ｂ’、、２Ｂ’２と電極片との関係も
既に述べた頂部に近いレベルにおける外周接続片２Ａ、
。
＋２Ａ’２； ２Ｂ’、、２Ｂ’２と電極片との関係も
既に述べた頂部に近いレベルにおける外周接続片２Ａ、
。
２Ａ２ ；２Ｂ、、２８２ と電極片との関係と同じで
ある。外周接続片２” ｌ ＋ ２ Ａ’ ２ ；２
Ｂｒ 、 。
ある。外周接続片２” ｌ ＋ ２ Ａ’ ２ ；２
Ｂｒ 、 。
２Ｂ′２に固定すべき絶縁支持体は図面の四路のため示
していない。なお、４は外側）・ウノングを示す。
していない。なお、４は外側）・ウノングを示す。
第２図を参照する。第１図の庄／の実施例との相違は絶
縁支持体３の形状のみである。平板状の絶縁支持体３は
電極の背後で、外周接続片の間隔をおいて離した対向端
を橋絡するようにして異なるレベルの外周接続片に固定
され、′Ｐｔ極片組立体を一体に構成している。
縁支持体３の形状のみである。平板状の絶縁支持体３は
電極の背後で、外周接続片の間隔をおいて離した対向端
を橋絡するようにして異なるレベルの外周接続片に固定
され、′Ｐｔ極片組立体を一体に構成している。
第３図を参照する。この実施例と第２図の実施例との相
違は絶縁支持体３の形状のみである。ブロック状の絶縁
支持体３は電極の背後で、外周接続片の間隔をおいて離
した対向端を橋絡するようにして異なるレベルの外周接
続片間に配置され、外周接続片に固定されて電極片組立
体を一体に構成している。
違は絶縁支持体３の形状のみである。ブロック状の絶縁
支持体３は電極の背後で、外周接続片の間隔をおいて離
した対向端を橋絡するようにして異なるレベルの外周接
続片間に配置され、外周接続片に固定されて電極片組立
体を一体に構成している。
第７図を参照する。８ｇ１図の第１の実施例とのでいる
以外は第１の実施例の構成と同じである。
以外は第１の実施例の構成と同じである。
いずれの実施・例も同電位が印加される讐（）禅片は金
；・、４の外周接続片で接続されており、異なる１し荀
。
；・、４の外周接続片で接続されており、異なる１し荀
。
が印加されるこれらの外周接続片を相互に結合して電極
片を一体に構成する絶縁支持体は阿接屯極ハ間の間隙を
外して電極片の背後に配置され、絶縁相が偏向空間に露
出することを回避してＡｔｅ ｘａ ＩＩσ）帯電によ
る電界が偏向梁間にしみ出してくることを防止している
。
片を一体に構成する絶縁支持体は阿接屯極ハ間の間隙を
外して電極片の背後に配置され、絶縁相が偏向空間に露
出することを回避してＡｔｅ ｘａ ＩＩσ）帯電によ
る電界が偏向梁間にしみ出してくることを防止している
。
第１図は本発明の第１の実施例を部分的に破壊して示す
刷視図である。 第１図は本発明の第λの実施例を示すｉル／１ネｊと同
様の斜視図である。 第３図は・・ウノングを取除いた多ν１【電極組Ｑ ４
にの第３．の実施例を示ずポ１視図である・第７図は木
発Ｏ月の第ｑの実施例の多重型１・＠ ＆Ｉｌ立体の一
部を示す斜視図である。 図 中 ： １・・・・・・・・・′電極片 ２・・・・・・・・・金属外周接続片 ３・・・・・・・・・絶縁支持体 ４Ｉ・・・・・・・・ハウノング
刷視図である。 第１図は本発明の第λの実施例を示すｉル／１ネｊと同
様の斜視図である。 第３図は・・ウノングを取除いた多ν１【電極組Ｑ ４
にの第３．の実施例を示ずポ１視図である・第７図は木
発Ｏ月の第ｑの実施例の多重型１・＠ ＆Ｉｌ立体の一
部を示す斜視図である。 図 中 ： １・・・・・・・・・′電極片 ２・・・・・・・・・金属外周接続片 ３・・・・・・・・・絶縁支持体 ４Ｉ・・・・・・・・ハウノング
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／）一つの軸に対称に配置された電極片、前記の軸の異
なるレベルで前記の電極片のうちの選択された電極片と
一体に接続された金属の外周接続片および 隣り合う電極片の間隙に露出することなく前記の外周接
続片を相互に固定している絶縁支持体を備えることを特
徴とする各車極電極構造体。 、２）前記の電極片の各々に、前記の軸と平行に又は１
）（ｊ記の軸に対して同一レベルにおいて同じ角度とか
るよう傾斜している特許請求の範囲第１項に記載の多重
極ｍ極構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15639782A JPS5946744A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 多重極電極構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15639782A JPS5946744A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 多重極電極構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946744A true JPS5946744A (ja) | 1984-03-16 |
| JPS6355745B2 JPS6355745B2 (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=15626840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15639782A Granted JPS5946744A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 多重極電極構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946744A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT393333B (de) * | 1986-11-27 | 1991-09-25 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Ionenprojektionseinrichtung fuer schattenprojektion |
-
1982
- 1982-09-08 JP JP15639782A patent/JPS5946744A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT393333B (de) * | 1986-11-27 | 1991-09-25 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Ionenprojektionseinrichtung fuer schattenprojektion |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6355745B2 (ja) | 1988-11-04 |
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