JPS5946292A - 2−置換セフエム誘導体の製造法 - Google Patents
2−置換セフエム誘導体の製造法Info
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- JPS5946292A JPS5946292A JP57157581A JP15758182A JPS5946292A JP S5946292 A JPS5946292 A JP S5946292A JP 57157581 A JP57157581 A JP 57157581A JP 15758182 A JP15758182 A JP 15758182A JP S5946292 A JPS5946292 A JP S5946292A
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- Japan
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- substituted
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- general formula
- hydrogen atom
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D501/00—Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
- C07D501/14—Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7
- C07D501/16—Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7 with a double bond between positions 2 and 3
- C07D501/20—7-Acylaminocephalosporanic or substituted 7-acylaminocephalosporanic acids in which the acyl radicals are derived from carboxylic acids
- C07D501/22—7-Acylaminocephalosporanic or substituted 7-acylaminocephalosporanic acids in which the acyl radicals are derived from carboxylic acids with radicals containing only hydrogen and carbon atoms, attached in position 3
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61P—SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
- A61P31/00—Antiinfectives, i.e. antibiotics, antiseptics, chemotherapeutics
- A61P31/04—Antibacterial agents
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本り′6明は、新規2−1i:Ll久ヒフエ1.a)り
尋fν及びその製造法に関する。史に曲しくは、本発明
は、一般式 〔式中、R1は1?l侠若しくはジIf Iit換のフ
ェニル基、11!換もしくは非till央のフエニIl
ツメチル基又はIti換もしく目非jiff JAのフ
ェノ十ジメチル基を示す。R2は水素原子又は)]ルボ
シ岐保設基を示ず。Yは・アルコ+シ基、アリルオ十シ
基、ベシジルオ十シ基、アル+ルチオ、!I!i−カル
ボ+シアル+ルチA基、−A蜜式 ゛(゛表わされる基を示す。It” は、水素原子又
は11(6級アル+ル基を示し、Xは一〇−,、−S−
又は;n−clI3を示す。R5は、水素III(子、
低級アル十ル基又はフェニル基を示ず。R6は、水素原
子又は低級アル+ル基を示す。) −(゛表わされる2−1a換tフ工ムM専体及びその製
iX1法を提供するものである。
尋fν及びその製造法に関する。史に曲しくは、本発明
は、一般式 〔式中、R1は1?l侠若しくはジIf Iit換のフ
ェニル基、11!換もしくは非till央のフエニIl
ツメチル基又はIti換もしく目非jiff JAのフ
ェノ十ジメチル基を示す。R2は水素原子又は)]ルボ
シ岐保設基を示ず。Yは・アルコ+シ基、アリルオ十シ
基、ベシジルオ十シ基、アル+ルチオ、!I!i−カル
ボ+シアル+ルチA基、−A蜜式 ゛(゛表わされる基を示す。It” は、水素原子又
は11(6級アル+ル基を示し、Xは一〇−,、−S−
又は;n−clI3を示す。R5は、水素III(子、
低級アル十ル基又はフェニル基を示ず。R6は、水素原
子又は低級アル+ル基を示す。) −(゛表わされる2−1a換tフ工ムM専体及びその製
iX1法を提供するものである。
手記一般式(11)の2−1a換13フ工ム訪辱体は、
ハルポン酸1呆護基のケン化或は7位アミ1;位のアシ
ル交換等ににす、イf用な抗1す7活E1:を有する物
質に+1’5 尋し得るilj安な合成中間体として・
fj川である。
ハルポン酸1呆護基のケン化或は7位アミ1;位のアシ
ル交換等ににす、イf用な抗1す7活E1:を有する物
質に+1’5 尋し得るilj安な合成中間体として・
fj川である。
CIlえば、」−記一般式(If)の化合物は、下記反
応行程式に従い、抗し’iV剤として有用な−gQ式(
X)で表わされ6f1;合物に変換し得る。
応行程式に従い、抗し’iV剤として有用な−gQ式(
X)で表わされ6f1;合物に変換し得る。
OOM
〔式中、Iイ1.)(2及びY H,++il記に同じ
であり、AIは水素jjc子又は))ル力す金1す1を
示し、Rは上記一般式(it)に」jいて、taX
で表わされ装置1美もしくは:l1jIiRJ*のフェ
ニル基としては、フェニルノ+”r、1ri侠基として
低級アル+ルノlIi%低級アル]十シ基)ハDゲシJ
yt子、二1・0基六11をベン1!ツ核上に有するフ
ェニルノ、!;i+すえば戸−メト+ジフェニル基、t
−りl’1 [1フェニルノLi、m−りrl [1)
T。
であり、AIは水素jjc子又は))ル力す金1す1を
示し、Rは上記一般式(it)に」jいて、taX
で表わされ装置1美もしくは:l1jIiRJ*のフェ
ニル基としては、フェニルノ+”r、1ri侠基として
低級アル+ルノlIi%低級アル]十シ基)ハDゲシJ
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−りl’1 [1フェニルノLi、m−りrl [1)
T。
ニル試、O−り0日フェニル五(、l−メチルフエニル
基、戸−二1・0フエニル基得を例示て゛きる。
基、戸−二1・0フエニル基得を例示て゛きる。
fitlmもしくは非1a換のフェニルメチル基として
は、フェニルメチル基(,1d換基として低級アル+ル
基、イ1(1元1にアルコ十シ乱、ハロゲン几(子、二
I−o 2f;等をl\ン1!ン核」−にイfするフェ
ニルメチル基、例えば、戸−りDルフェニルメチル人仁
、t−二1・[1フエニルメチルノlξ、戸−メチルフ
ェニルメチルノI!、等が例示できる。1a換もしくは
非1a換のフェニルメチル基、むとしては、フェノ士ジ
メチル基、ial央基とし°(低級アル+ルノL1低級
アルコ+ジノ1L1ハ0ゲン11、(子、二1・0基等
をペンセン核」−に;ffするフェノ十ジメチル基、例
えば1戸−90ルフ■]士ジメチル基等が例示できる。
は、フェニルメチル基(,1d換基として低級アル+ル
基、イ1(1元1にアルコ十シ乱、ハロゲン几(子、二
I−o 2f;等をl\ン1!ン核」−にイfするフェ
ニルメチル基、例えば、戸−りDルフェニルメチル人仁
、t−二1・[1フエニルメチルノlξ、戸−メチルフ
ェニルメチルノI!、等が例示できる。1a換もしくは
非1a換のフェニルメチル基、むとしては、フェノ士ジ
メチル基、ial央基とし°(低級アル+ルノL1低級
アルコ+ジノ1L1ハ0ゲン11、(子、二1・0基等
をペンセン核」−に;ffするフェノ十ジメチル基、例
えば1戸−90ルフ■]士ジメチル基等が例示できる。
また、R2で示されるカルポジ削保頑基としては、アル
+ル、括、ハロゲン「Lアル+ル基、It7J*乱を有
していてもJ、いフ:rニルl1t1匁メチルノlの1
llj常のIM iiU基がおCげられる0上記アル+
ル基としては、炭素数1〜414+を度の低級アル+ル
基、例えばグン原子が少くとも1叫1a換したハロゲン
比低級アル+ル基、例えばS2.2.2− トリク目ル
エ子ルノ、(得が好ましい。まlこ、1(tl央〕んを
ゴ白゛してい°Cもよい゛フェニル11・t(匁メチル
ノ、(とじては、ベンジル基、p−二l−nフェニルメ
チル基1ジフエニルメチル乱等が好ましい。
+ル、括、ハロゲン「Lアル+ル基、It7J*乱を有
していてもJ、いフ:rニルl1t1匁メチルノlの1
llj常のIM iiU基がおCげられる0上記アル+
ル基としては、炭素数1〜414+を度の低級アル+ル
基、例えばグン原子が少くとも1叫1a換したハロゲン
比低級アル+ル基、例えばS2.2.2− トリク目ル
エ子ルノ、(得が好ましい。まlこ、1(tl央〕んを
ゴ白゛してい°Cもよい゛フェニル11・t(匁メチル
ノ、(とじては、ベンジル基、p−二l−nフェニルメ
チル基1ジフエニルメチル乱等が好ましい。
Yで表ゎされるアル]+シ基とし°(は、炭素数1〜4
の低級アル]+ジノ1シ、例えばメト+シJ山、工1・
十ジノ1(暗;を例示できる。アル+ルナ′、A基とし
ては、炭素数1〜4の低級アル+ルテオ基、例えばメチ
ルチオ基、エナルチ:、1基、プチルチ′、A、!l!
、、イソプチルチA基等が例示できる。カル小生シアル
+ルチオ基どしては、炭素数2〜4払(皮の〕1ルポ+
シ11j1級アル+ルチオノ山、例えば−5CII、C
00II 。
の低級アル]+ジノ1シ、例えばメト+シJ山、工1・
十ジノ1(暗;を例示できる。アル+ルナ′、A基とし
ては、炭素数1〜4の低級アル+ルテオ基、例えばメチ
ルチオ基、エナルチ:、1基、プチルチ′、A、!l!
、、イソプチルチA基等が例示できる。カル小生シアル
+ルチオ基どしては、炭素数2〜4払(皮の〕1ルポ+
シ11j1級アル+ルチオノ山、例えば−5CII、C
00II 。
JCII2CH2C0011−、5CII2CII2C
II2COOII NF @5 例示テキーメチルフ
ラニル、チオフェン−2−イル、2−ノZ5 1.2.3.4−テトラリール−5−チオ基11−フェ
ニル−1,2,3,4−テトラリール−5−チオノ、(
7,1−メチル−1,2,3,4−テトラリール−5−
チオ基−チアジアソール−5−チオ基、2−メチル−1
,3,4−ナアジア・ノール−5−チオ基旬ンを例示子
゛きる。
II2COOII NF @5 例示テキーメチルフ
ラニル、チオフェン−2−イル、2−ノZ5 1.2.3.4−テトラリール−5−チオ基11−フェ
ニル−1,2,3,4−テトラリール−5−チオノ、(
7,1−メチル−1,2,3,4−テトラリール−5−
チオ基−チアジアソール−5−チオ基、2−メチル−1
,3,4−ナアジア・ノール−5−チオ基旬ンを例示子
゛きる。
」二11(5−・A(2式(II)の(Is合物は、一
般式02R2 〔式中、R1及び!?2目前目前間じであり、R31f
fit; Nuアル+ル乱又は低級アル+ルカルボニ
ル基を示す。〕で表わされるセフェL KQ R3体を
、敵又はヨウ素の存在下で、一般式 C式中、Yは前記に同じ。〕で表わされる求核剤と反応
さゼることに、PすiJ−、Jノ造できる。(1uシ、
一般式(I)の化合物であって、ノー3 がアル+Il
+ J、!iであるものを原料とするS合一、上記求核
剤中、Yがアルコ+ジノ山であるものは1余<。)−h
記出発物質である一般式(りの七フエム誘専体のうち、
R3が低級アル+ルノkを示ずものは、例えば、一般式 〔式中、R1及びR2は前記に同じ〕で表わされるセフ
ァ0スポリンLす導体を原料としC11’ttraht
drθn Ltltzrs 、 l 9−/ 8 、4
09及び1972゜3717記載の方法に従い、又は該
方法に準じて製造できる。また、一般式(1)の原料セ
フェl、訴2!1 It;は1.に記一般式(J)の化
合物を、納1級もしくは第2級アルコール又は低級カル
ボン酸及び支D ift、I’l’l”Blの存在下で
]ルIIJ¥υ化反応させることによってもイUられる
(特111’l 1lr(56−133774号)。
般式02R2 〔式中、R1及び!?2目前目前間じであり、R31f
fit; Nuアル+ル乱又は低級アル+ルカルボニ
ル基を示す。〕で表わされるセフェL KQ R3体を
、敵又はヨウ素の存在下で、一般式 C式中、Yは前記に同じ。〕で表わされる求核剤と反応
さゼることに、PすiJ−、Jノ造できる。(1uシ、
一般式(I)の化合物であって、ノー3 がアル+Il
+ J、!iであるものを原料とするS合一、上記求核
剤中、Yがアルコ+ジノ山であるものは1余<。)−h
記出発物質である一般式(りの七フエム誘専体のうち、
R3が低級アル+ルノkを示ずものは、例えば、一般式 〔式中、R1及びR2は前記に同じ〕で表わされるセフ
ァ0スポリンLす導体を原料としC11’ttraht
drθn Ltltzrs 、 l 9−/ 8 、4
09及び1972゜3717記載の方法に従い、又は該
方法に準じて製造できる。また、一般式(1)の原料セ
フェl、訴2!1 It;は1.に記一般式(J)の化
合物を、納1級もしくは第2級アルコール又は低級カル
ボン酸及び支D ift、I’l’l”Blの存在下で
]ルIIJ¥υ化反応させることによってもイUられる
(特111’l 1lr(56−133774号)。
より置体的に述べると、上記第1級もしくはゐ\2級P
ル]−ルとしては1メタノール1エタノール、H−づO
パノール、tl−ブタノール、イソづ0パノール、−(
ソ′、5メノール等の低級のものが使用でき、低級ハル
ボン酸としては=F削・+ll・j)k・づ0じ]ン酸
等が使用できる。これらの使用ILiは、1G(料σ)
上記一般式(A)の1に合物に対して5〜100倍払1
1σどするのがよい。また、支持1江解質としては、通
・l’+iの′屯9JN nシ(l;に用いられる各1
!It jiA力゛lを適宜使用できる。例えば、蛎酸
アン七ニウム、を咋j貿アン七二つΔ、+Jkr冑テト
う■チルアン七ニウム、fiトmテトう丁チルアン七ニ
ウΔ・酎; =テトラーj n Ijルアシ七ニウム、
C11・r貿テ1゛ラブチルアン七二1)ム、テトラブ
チルアン七ニウムトシレート ルアンtニウ/. l・シレート、aノ+J索1“ルテ
トラブチルアシ七二I)ム、1゛リエナルベンジルアン
七ニウl。
ル]−ルとしては1メタノール1エタノール、H−づO
パノール、tl−ブタノール、イソづ0パノール、−(
ソ′、5メノール等の低級のものが使用でき、低級ハル
ボン酸としては=F削・+ll・j)k・づ0じ]ン酸
等が使用できる。これらの使用ILiは、1G(料σ)
上記一般式(A)の1に合物に対して5〜100倍払1
1σどするのがよい。また、支持1江解質としては、通
・l’+iの′屯9JN nシ(l;に用いられる各1
!It jiA力゛lを適宜使用できる。例えば、蛎酸
アン七ニウム、を咋j貿アン七二つΔ、+Jkr冑テト
う■チルアン七ニウム、fiトmテトう丁チルアン七ニ
ウΔ・酎; =テトラーj n Ijルアシ七ニウム、
C11・r貿テ1゛ラブチルアン七二1)ム、テトラブ
チルアン七ニウムトシレート ルアンtニウ/. l・シレート、aノ+J索1“ルテ
トラブチルアシ七二I)ム、1゛リエナルベンジルアン
七ニウl。
りOす1;等のア:J+eニウムJM、dv* (”d
、rilr rlTh、づ[]じオン「・1シ等の低級
1111肪醇のアルカリ金にノ4もしくはアルカリ土類
金属 リウム、カリウム、マジネシウム、カルシウム、バリウ
ム々j.のJA.I )又は過1ス1[索吊祐の過ハ0
ゲンl′夜のアルカリ金t+4 UAが2」(げら11
,<、。該′]『解酸化用の溶41(として低級力ルボ
シを偵を用いた場合には、使用する低級カルボン酸の金
{」6塩を用いるのが好ましい。またこの場合には、反
応系内に水Cコシ化ノ゜1・リウム、氷1ーシ化カリウ
ム・酸化バリウl,、r貿f1,ノ」ルシウム、酸化マ
クネシウム等を添加して、上記カルボン酸の塩を形成ざ
せてもよい。支持電解質の添加1+d i:J: 、
11[極、′IIL解41”/の〃1ツ状92Fにより
ル゜4なり一概にcJ百えl「いか、辿’iir 4j
はぽ11la和jコ1を用いるのがJ:い。1ば極とし
ては、通’71このタ)りI?で用いられる各4−1(
の′重接が使用できるが、白金または炭素’tift萌
を使用するのが好ましい。′『『解は定電位あるいは定
ILL圧の条件のいずれでも行なえるが、例えば゛I+
l流¥R度を1〜5 0 0 nt A / cJ
の範囲、好ましくは3〜50Pノr A / cd
の範囲で一定に保って1u解することができる。必要な
電気bfは、溶媒、支持lft I!F’r’t!I
等i.: J: !J C4 1l 、6 カ、一般1
t:− Ar 式(’) (/) ]t;自物1上物
1七ル2〜50F1好ましくは2〜1 5 F (/)
′Iu4t.(、 l,lを通11lIス1’L G
f J: イo ’If 屏7ijA I”l i:j
、=10“(ン〜6 0 ”(;の範囲で適宜選択ざれ
る。
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金属 リウム、カリウム、マジネシウム、カルシウム、バリウ
ム々j.のJA.I )又は過1ス1[索吊祐の過ハ0
ゲンl′夜のアルカリ金t+4 UAが2」(げら11
,<、。該′]『解酸化用の溶41(として低級力ルボ
シを偵を用いた場合には、使用する低級カルボン酸の金
{」6塩を用いるのが好ましい。またこの場合には、反
応系内に水Cコシ化ノ゜1・リウム、氷1ーシ化カリウ
ム・酸化バリウl,、r貿f1,ノ」ルシウム、酸化マ
クネシウム等を添加して、上記カルボン酸の塩を形成ざ
せてもよい。支持電解質の添加1+d i:J: 、
11[極、′IIL解41”/の〃1ツ状92Fにより
ル゜4なり一概にcJ百えl「いか、辿’iir 4j
はぽ11la和jコ1を用いるのがJ:い。1ば極とし
ては、通’71このタ)りI?で用いられる各4−1(
の′重接が使用できるが、白金または炭素’tift萌
を使用するのが好ましい。′『『解は定電位あるいは定
ILL圧の条件のいずれでも行なえるが、例えば゛I+
l流¥R度を1〜5 0 0 nt A / cJ
の範囲、好ましくは3〜50Pノr A / cd
の範囲で一定に保って1u解することができる。必要な
電気bfは、溶媒、支持lft I!F’r’t!I
等i.: J: !J C4 1l 、6 カ、一般1
t:− Ar 式(’) (/) ]t;自物1上物
1七ル2〜50F1好ましくは2〜1 5 F (/)
′Iu4t.(、 l,lを通11lIス1’L G
f J: イo ’If 屏7ijA I”l i:j
、=10“(ン〜6 0 ”(;の範囲で適宜選択ざれ
る。
また、一般式
〔式中Y目1111記に同じ〕で表わされる求核剤とし
て口、メチルアルコール、エチルアルコール久1〉の低
級アルコール1アリルアルコール、ベンジルアルコール
クト蟇メタンチオール、エタンチ才−ル、゛)タンチ1
一ル、′rソプメンチオール琲のfハ1級アル+ルチオ
ール;フラン12一低級アル+ルーフラン、ナスフェン
、2一低L’<アル+ルチオフエン、N − メチLじ
n − ル’J i 5−メル力−5 1− − 1.
2.3。
て口、メチルアルコール、エチルアルコール久1〉の低
級アルコール1アリルアルコール、ベンジルアルコール
クト蟇メタンチオール、エタンチ才−ル、゛)タンチ1
一ル、′rソプメンチオール琲のfハ1級アル+ルチオ
ール;フラン12一低級アル+ルーフラン、ナスフェン
、2一低L’<アル+ルチオフエン、N − メチLじ
n − ル’J i 5−メル力−5 1− − 1.
2.3。
4−テ1・ラ9−ル、1一低にノにアル中ルー5ーメル
力づl− − 1.2.3.4−テl・ラリール、!ー
フエニルー5ーメルカーj l・−1.2.3.4−テ
l・ラ〜ノール等纂5ーメルフ}′り1・−1.3.−
1−チアジア・ノール、2−低級アル中ルー5ーメルカ
プl・−1,’3.4ーナアジアソール等が例示できる
。
力づl− − 1.2.3.4−テl・ラリール、!ー
フエニルー5ーメルカーj l・−1.2.3.4−テ
l・ラ〜ノール等纂5ーメルフ}′り1・−1.3.−
1−チアジア・ノール、2−低級アル中ルー5ーメルカ
プl・−1,’3.4ーナアジアソール等が例示できる
。
前記求核剤は、jX A・・1たる一般゛式(1)のt
フエl。
フエl。
、1/5々I体に対して、通′)it’ l〜IO倍七
ル捏モルいられる。求核剤が、低L1にアルコール、フ
ラン、メチルフラン等の如く1!(粘度の71に体であ
る場合は、求核剤自体を7d媒として用いることもでき
る。その他の>J<核剤を用いる場合は、反応に不活1
・トな有機溶り1.(を川いて反応を行/「う。かかる
有{2J溶媒と17でけ為J!.< 『I;ノチレン、
クI1[]ホシルl1四116 (ヒ伏索、1、2−ジ
ク0ルTタシ、クロルベ:7ピン等の塩素化炭比/l<
索i <’11’ IM 工f IIIM!r’に!
I チル、・r酸メチル寸のfLL級j井7肋敏エス
テル;二1・0エタン、=1・]」]メタン等σ〕二1
−0比合物;二硫比炭素アヒト二:・ジル・ブチ[]ニ
トリル等のニトリル用得が例ij<−C’き、これらは
111独でもまた2柚以上を組a「−C用いることもで
きる。これら有機溶媒の使用はけ、特に1クシ定f」y
、rいが、通常原料物質に対して、10車hk11凍〜
l OOOifよhl Itη桿度とずればJ:い。
ル捏モルいられる。求核剤が、低L1にアルコール、フ
ラン、メチルフラン等の如く1!(粘度の71に体であ
る場合は、求核剤自体を7d媒として用いることもでき
る。その他の>J<核剤を用いる場合は、反応に不活1
・トな有機溶り1.(を川いて反応を行/「う。かかる
有{2J溶媒と17でけ為J!.< 『I;ノチレン、
クI1[]ホシルl1四116 (ヒ伏索、1、2−ジ
ク0ルTタシ、クロルベ:7ピン等の塩素化炭比/l<
索i <’11’ IM 工f IIIM!r’に!
I チル、・r酸メチル寸のfLL級j井7肋敏エス
テル;二1・0エタン、=1・]」]メタン等σ〕二1
−0比合物;二硫比炭素アヒト二:・ジル・ブチ[]ニ
トリル等のニトリル用得が例ij<−C’き、これらは
111独でもまた2柚以上を組a「−C用いることもで
きる。これら有機溶媒の使用はけ、特に1クシ定f」y
、rいが、通常原料物質に対して、10車hk11凍〜
l OOOifよhl Itη桿度とずればJ:い。
−1−、す6明におい°Cは、−F記一般式(1)のセ
フェl。
フェl。
Js Jj fkと求核剤との反tノiλを、h々又は
ヨウ素の存在下で行なう。該1翼としては、/−トルエ
ンスル小ン酸、メタンスルホン酸1トリフル;t o
61・両得のイ西蟲「快;硫I・戊、8五1貿得の(+
+c 4幾酸;Jムfしアルミニ1)1、iM化スズ、
jAAfヒチタニウム、トリフルオロホウ素等のルイス
m等が1史用できる。これらj強媒の(山川h(は、用
いるM(41^の油類、Jく核剤のa+川等に」、り一
定しないが、一般にIe?科の一般式(1)の化自物に
対して0.1〜10七ル%程度の割合で1!、l!用さ
れる。反応?I、11度は、通常−60℃〜+5 (1
゛a根度で行なわれる。好ましく +、t −40’O
〜寧温で、「tなう。反応は、反応部j0、M媒や求核
剤のfI+t Jxfによりh’4なるが、通常10う
)〜10時間で完結する。
ヨウ素の存在下で行なう。該1翼としては、/−トルエ
ンスル小ン酸、メタンスルホン酸1トリフル;t o
61・両得のイ西蟲「快;硫I・戊、8五1貿得の(+
+c 4幾酸;Jムfしアルミニ1)1、iM化スズ、
jAAfヒチタニウム、トリフルオロホウ素等のルイス
m等が1史用できる。これらj強媒の(山川h(は、用
いるM(41^の油類、Jく核剤のa+川等に」、り一
定しないが、一般にIe?科の一般式(1)の化自物に
対して0.1〜10七ル%程度の割合で1!、l!用さ
れる。反応?I、11度は、通常−60℃〜+5 (1
゛a根度で行なわれる。好ましく +、t −40’O
〜寧温で、「tなう。反応は、反応部j0、M媒や求核
剤のfI+t Jxfによりh’4なるが、通常10う
)〜10時間で完結する。
こうして得られる一般式(11)の2− li、/ 4
央tフ工l、誘導体は、通常の4)1;it手段“、例
えばカラムク[]マドシラフィー、丙結晶法等に、1:
す+1を離槓製できる。
央tフ工l、誘導体は、通常の4)1;it手段“、例
えばカラムク[]マドシラフィー、丙結晶法等に、1:
す+1を離槓製できる。
以下実hlu例を掲げて、本発明をより具体的にii、
!明する。各実施例中、PAはフェニル基を、Atはア
ヒチル基を、”’ i、1エチル乱を示す。また、r、
tは室111′Aを示す。
!明する。各実施例中、PAはフェニル基を、Atはア
ヒチル基を、”’ i、1エチル乱を示す。また、r、
tは室111′Aを示す。
実施例 l
cノ
I
C(ノーCl1Plr
と2
C“0こ′)ti’tr
2
′2−アヒト+シー7−フェノ+シア七l・アミド−3
′−デスアセト+シ1ニファOスポリンを四ベンジu、
エステル(13(li、Q 、26 tmira /
)を乾燥IAI fl:ノナレ−7(2htt )に溶
かし、−25°Cに冷却する。
′−デスアセト+シ1ニファOスポリンを四ベンジu、
エステル(13(li、Q 、26 tmira /
)を乾燥IAI fl:ノナレ−7(2htt )に溶
かし、−25°Cに冷却する。
これに、アリルアルコール(2htl 、 29.42
/I)tlol )つづいて四1.AA比チタン(15
μm、O,+41=)mol )を1111え、反応
温度を一25°Cから3°Cに徐々にあげて4.3時間
かき8I:ぜる。反応混合物に飽和止ソウ氷を加えて反
応を停市したのち、塩flメチ1ノシで抽出する。塩化
メチ【ノン溶液を、飽和良塩水で洗’rj+ L、、1
11(氷tj:t l+文Jl・す’、t L 」二で
乾燥したのら淵縮する。r(声らねブこン見lICを、
シリカゲー、ルカラム(ベンピン−1゛11・「イ々エ
チル−20:I)にてづ〕陥オ+’j製することにより
、2−アリル〕+シー7−フェノ十シーアtトアミ1ニ
ー3−デス’P i二1・」−シヒファDスポリガ・1
にべうジルエステルI O8AI/ (収串83シロ)
を得る。
/I)tlol )つづいて四1.AA比チタン(15
μm、O,+41=)mol )を1111え、反応
温度を一25°Cから3°Cに徐々にあげて4.3時間
かき8I:ぜる。反応混合物に飽和止ソウ氷を加えて反
応を停市したのち、塩flメチ1ノシで抽出する。塩化
メチ【ノン溶液を、飽和良塩水で洗’rj+ L、、1
11(氷tj:t l+文Jl・す’、t L 」二で
乾燥したのら淵縮する。r(声らねブこン見lICを、
シリカゲー、ルカラム(ベンピン−1゛11・「イ々エ
チル−20:I)にてづ〕陥オ+’j製することにより
、2−アリル〕+シー7−フェノ十シーアtトアミ1ニ
ー3−デス’P i二1・」−シヒファDスポリガ・1
にべうジルエステルI O8AI/ (収串83シロ)
を得る。
7R(C” CJ3 ): 1782. 1772
、1690+ ノl+ −”111NAI R(CIン
Ce3) δ 2.15(j、3#) 、 イ、
l 5 (m、 2//)、4.54(j、2//)、
4.’、12(j、I//)、5.10(d、+//、
4.4#j)、5 、28 (S+ 2” )、5.0
〜5.5(1/+ 、 311 )、5.94(・/d
、l//、=1.4//z、13.8#j)、6.8〜
7 、5(ツノl、11//)実bilj例 2 2−アIz +・+シー7−−、Jエノ+シアドア五l
;□−イーデスアヒト+シヒ゛ノア[1スポリンn&ベ
ンジルエステル(130’八〇、 ’)f、 t;un
o / )にS’tS W!下〕ンリルアルー1−ル(
2htl S 29.4 tツノI)tol )を加え
均−溶1αとしたのら、これにヨウ素(2〜)を加えて
4.7詩間かき;トぜる。反応〆M合物な塩化メチレン
(30h、t )に−C:?4j釈し、これを5%チA
’ (bti nl j’ I・リウム上で洗い、つづ
いて飽和食塩水で洗ったのら、無水硫L1* −t t
・リウム上で乾燥する。減圧下溶媒を留去したのぢ、残
/&をシリカゲルカラム(ベンピン−酢酸エチル=20
: I )にてづjfすi[1シ製し、2−アリル」
+シー7−フェノ+シアヒl゛アミド−3−デスアヒト
+シセファDスポリン酸ベシジル1ステルl 05 Q
(収率80%)を得る。この生成物のJR及び II
NAIRは実施例!で得た結果と完全に一致した。
、1690+ ノl+ −”111NAI R(CIン
Ce3) δ 2.15(j、3#) 、 イ、
l 5 (m、 2//)、4.54(j、2//)、
4.’、12(j、I//)、5.10(d、+//、
4.4#j)、5 、28 (S+ 2” )、5.0
〜5.5(1/+ 、 311 )、5.94(・/d
、l//、=1.4//z、13.8#j)、6.8〜
7 、5(ツノl、11//)実bilj例 2 2−アIz +・+シー7−−、Jエノ+シアドア五l
;□−イーデスアヒト+シヒ゛ノア[1スポリンn&ベ
ンジルエステル(130’八〇、 ’)f、 t;un
o / )にS’tS W!下〕ンリルアルー1−ル(
2htl S 29.4 tツノI)tol )を加え
均−溶1αとしたのら、これにヨウ素(2〜)を加えて
4.7詩間かき;トぜる。反応〆M合物な塩化メチレン
(30h、t )に−C:?4j釈し、これを5%チA
’ (bti nl j’ I・リウム上で洗い、つづ
いて飽和食塩水で洗ったのら、無水硫L1* −t t
・リウム上で乾燥する。減圧下溶媒を留去したのぢ、残
/&をシリカゲルカラム(ベンピン−酢酸エチル=20
: I )にてづjfすi[1シ製し、2−アリル」
+シー7−フェノ+シアヒl゛アミド−3−デスアヒト
+シセファDスポリン酸ベシジル1ステルl 05 Q
(収率80%)を得る。この生成物のJR及び II
NAIRは実施例!で得た結果と完全に一致した。
実施例3〜20
2−アセト十シー3′−テスアヒト+シ七ファロスボリ
ン11ジエステル、求核剤、酸触媒を2Cえて行二)だ
結果を表■に示ず。表1に示4゛条件以外は実L+’l
jし1]1の方法と同様に行った。イけられた生Jあ物
の1 /< 、 llNAl1? スペクトルデー
タは表■にまとめて示す。
ン11ジエステル、求核剤、酸触媒を2Cえて行二)だ
結果を表■に示ず。表1に示4゛条件以外は実L+’l
jし1]1の方法と同様に行った。イけられた生Jあ物
の1 /< 、 llNAl1? スペクトルデー
タは表■にまとめて示す。
実施例21
Cノ
2−メト+シー7−゛ノエノ+シアtドアミド−3′−
デスアセト士シ七ファ日スポリンrtセベシジルエステ
ル(203k?、 0.43)III・ノol )と2
−メチルフラン(0,1屑11約1?ノーr)tol
)をJM比メチレン(5舗l)と溶かし7、これに室
温上塩化アルミニウム(74q、0.56)・lノ/J
θl)を加えて40分間かきまぜる。反応混合物にdi
ソウ水を加え、塩化メチレジで抽出する。抽出液は、飽
和食塩水で洗い、k((水硫岐すトリウム上で乾燥した
のち嫡縮する。
デスアセト士シ七ファ日スポリンrtセベシジルエステ
ル(203k?、 0.43)III・ノol )と2
−メチルフラン(0,1屑11約1?ノーr)tol
)をJM比メチレン(5舗l)と溶かし7、これに室
温上塩化アルミニウム(74q、0.56)・lノ/J
θl)を加えて40分間かきまぜる。反応混合物にdi
ソウ水を加え、塩化メチレジで抽出する。抽出液は、飽
和食塩水で洗い、k((水硫岐すトリウム上で乾燥した
のち嫡縮する。
31Mをシリカゲルカラム(ベンセン−自ト酸エチル=
IO:I)を用いて分tJIN #i’l製し、2−(
2−メチル−5−フリル)−7−フJノ+シ5アセトア
ミド−3−−i!スアセト+シtファ0スポリン酸ベン
ジルエステル149す(収率82%)を得る。この生J
あ物のIR及び IINMRは実施例6で得た結果と完
全に一致した。
IO:I)を用いて分tJIN #i’l製し、2−(
2−メチル−5−フリル)−7−フJノ+シ5アセトア
ミド−3−−i!スアセト+シtファ0スポリン酸ベン
ジルエステル149す(収率82%)を得る。この生J
あ物のIR及び IINMRは実施例6で得た結果と完
全に一致した。
実施例22〜26
(1) (’II)2−メト
+シー3−デスアtト士シセファ0スボリυ噛エステル
、求偵剤を変えて行った結果4表止に示す。表IIIに
示す条件以外は実施例21と同様にして行った。生成物
のJ R、Il、VAIRスペクトルの結果は表■に示
す。
+シー3−デスアtト士シセファ0スボリυ噛エステル
、求偵剤を変えて行った結果4表止に示す。表IIIに
示す条件以外は実施例21と同様にして行った。生成物
のJ R、Il、VAIRスペクトルの結果は表■に示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (り一般式 〔式中、l髪1 はIt7換若しくは非1a換のフェ
ニルJl(、置換もしくは非1a侠のフェニルメチル基
又は1a侠もしくは非1a挟のフェノ+ジメチル基を示
す。R2は水素原子又はカルボンn&仙」盪基を示ず。 Yは、アリルオ十シ基、ベンジルオ+シ基、アル十ルチ
オ基1カルボ+シアル+ルチオ基、一般式 で表わされる基を示す。R” IJ、 、水素II(
子又は低級アル+ル基を示し、Xは一〇、−、、、、S
−又はンN、−C113を示ず。]C5は、水素原子、
低級アル+ル基又はフェニルジ、(を示ず。R6は、水
素原子又は低級アル十ルノ1Lを示す。〕で表わされる
2 −R,’(侠ヒフエlr ii4 尊体。 (刀 一般式 (2 〔式中、lC1は、1ilHiもしくは非1iJ挟のフ
ェニルi!に 、l?tJMもしく +J非1rz 4
央のフェニルメチル基又は+a Ij!もしく it非
i’+−を侠のフェノ+ジメチル基を示す。R2け、水
素原子又番Jカルボ//3 ン酸保diy基を示す。 は、Oに級アル+ル基ヌは
アシル基を示す。〕 で表わされるセフェ1.訴i1月1にな、酸又はヨウ素
の件在下で、一般式 Y−11 〔式中、Yは、アル]+シ基、アリルオ十シバ、ベンジ
ルオ+シ基、アル+ルチ:4基・フ」ルポ+シアル+ル
チオM、−4鎗式 で表わされるLを示すOR4は、水素原子又は低級アル
+ル基を示し、Xは−O−、−S−X1>U−CU、を
示ず。R5は、水素原子、低級アル+ルノ山又はフェニ
ル基を示す。R6は、水素16(子又は(!(級アル+
ル基を示す。)で表わされる求核剤と反応させることを
特徴とする一般式 %式% 〔式中、R1、l髪2及びY G1rift記に同じ。 〕で表わされる2−1jflQtフ工ム誘導体の製造法
。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57157581A JPS5946292A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 2−置換セフエム誘導体の製造法 |
US06/614,162 US4604457A (en) | 1982-09-09 | 1983-09-06 | 2-substituted cephem derivatives and process for preparing the same |
PCT/JP1983/000299 WO1984000965A1 (en) | 1982-09-09 | 1983-09-06 | 2-substituted cephem derivatives and process for their preparation |
DE3382740T DE3382740T2 (de) | 1982-09-09 | 1983-09-06 | Herstellungsverfahren fuer 2-substituierte cephemabkoemmlinge. |
EP83902901A EP0118567B1 (en) | 1982-09-09 | 1983-09-06 | Process for the preparationof 2-substituted cephem derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57157581A JPS5946292A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 2−置換セフエム誘導体の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5946292A true JPS5946292A (ja) | 1984-03-15 |
JPH0357910B2 JPH0357910B2 (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=15652819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57157581A Granted JPS5946292A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 2−置換セフエム誘導体の製造法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4604457A (ja) |
EP (1) | EP0118567B1 (ja) |
JP (1) | JPS5946292A (ja) |
DE (1) | DE3382740T2 (ja) |
WO (1) | WO1984000965A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03115533A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-16 | Kawasaki Steel Corp | 連続焼鈍炉用気体噴流加熱または冷却装置 |
CN106449843A (zh) * | 2016-09-21 | 2017-02-22 | 广西南宁荣威德新能源科技有限公司 | 一种高性能宽光谱太阳能电池材料 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3485860T2 (de) * | 1983-12-29 | 1993-01-14 | Mochida Pharm Co Ltd | Cephalosporinverbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und pharmazeutishe praeparate. |
JPS60142987A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Mochida Pharmaceut Co Ltd | セフアロスポリン誘導体 |
US4840945A (en) * | 1985-04-01 | 1989-06-20 | Mochida Pharmaceutical Co., Ltd. | Cephalosporin derivatives |
USRE35862E (en) * | 1986-08-18 | 1998-07-28 | Emisphere Technologies, Inc. | Delivery systems for pharmacological agents encapsulated with proteinoids |
US4880798A (en) * | 1986-11-25 | 1989-11-14 | Mochida Pharmaceutical Co., Ltd. | Cephalosporin derivatives |
JPS63132893A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-04 | Mochida Pharmaceut Co Ltd | 新規セフアロスポリン誘導体、その製法およびそれらを有効成分とする抗菌剤 |
GB8928373D0 (en) * | 1989-12-15 | 1990-02-21 | Erba Carlo Spa | Beta-lactam derivatives |
WO1994007900A1 (en) * | 1992-09-25 | 1994-04-14 | The Board Of Regents Acting For And On Behalf Of The University Of Michigan | Synthesis of n-glycosylated compounds with the use of a mild, iodine-catalyzed reaction |
US5401516A (en) * | 1992-12-21 | 1995-03-28 | Emisphere Technologies, Inc. | Modified hydrolyzed vegetable protein microspheres and methods for preparation and use thereof |
US6310052B1 (en) | 1996-06-04 | 2001-10-30 | Queen's University At Kingston | Nitrate esters and their use for neurological conditions |
CN106450000A (zh) * | 2016-09-21 | 2017-02-22 | 广西南宁荣威德新能源科技有限公司 | 一种环保高性能宽光谱太阳能电池材料 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4948690A (ja) * | 1972-09-14 | 1974-05-11 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH507983A (de) * | 1967-07-05 | 1971-05-31 | Ciba Geigy Ag | Verfahren zur Herstellung von Cephalosporansäurederivaten |
US3852282A (en) * | 1969-04-01 | 1974-12-03 | Squibb & Sons Inc | Certain 2-substituted cephalosporins |
US4098999A (en) * | 1972-10-16 | 1978-07-04 | E. R. Squibb & Sons, Inc. | Certain 2-substituted cephalosporins |
US3941779A (en) * | 1973-11-12 | 1976-03-02 | E. R. Squibb & Sons, Inc. | Method for producing 2-(substituted thio)-3-cephem derivatives |
US3968109A (en) * | 1973-11-23 | 1976-07-06 | E. R. Squibb & Sons, Inc. | Production of 2-(thio substituted)cephalosporin sulfoxides and 2-(thio substituted)cephalosporins |
US4482551A (en) * | 1980-06-26 | 1984-11-13 | Hoffmann-La Roche Inc. | Cephalosporin derivatives |
US4416879A (en) * | 1980-09-08 | 1983-11-22 | Fujisawa Pharmaceutical Co., Ltd. | Cephem compounds |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP57157581A patent/JPS5946292A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-06 DE DE3382740T patent/DE3382740T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1983-09-06 US US06/614,162 patent/US4604457A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-09-06 WO PCT/JP1983/000299 patent/WO1984000965A1/ja active IP Right Grant
- 1983-09-06 EP EP83902901A patent/EP0118567B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4948690A (ja) * | 1972-09-14 | 1974-05-11 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03115533A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-16 | Kawasaki Steel Corp | 連続焼鈍炉用気体噴流加熱または冷却装置 |
CN106449843A (zh) * | 2016-09-21 | 2017-02-22 | 广西南宁荣威德新能源科技有限公司 | 一种高性能宽光谱太阳能电池材料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0118567B1 (en) | 1994-03-30 |
EP0118567A1 (en) | 1984-09-19 |
WO1984000965A1 (en) | 1984-03-15 |
US4604457A (en) | 1986-08-05 |
EP0118567A4 (en) | 1985-07-30 |
JPH0357910B2 (ja) | 1991-09-03 |
DE3382740T2 (de) | 1994-07-14 |
DE3382740D1 (de) | 1994-05-05 |
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