JPS5944818A - 加熱基台 - Google Patents
加熱基台Info
- Publication number
- JPS5944818A JPS5944818A JP15550982A JP15550982A JPS5944818A JP S5944818 A JPS5944818 A JP S5944818A JP 15550982 A JP15550982 A JP 15550982A JP 15550982 A JP15550982 A JP 15550982A JP S5944818 A JPS5944818 A JP S5944818A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- processed
- diameter
- processed material
- approximately circular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、加熱基台に関する。
従来、シリコンウエノ・等の被処理体に気相成長処理を
施す場合、例えば、第１図に示す女！１くシリコン等か
らなる基体１に球面状の四部２を形成し、この四部２に
半導体ウエノ・笠の被処理体３を載置し、これを所定の
炉内に設置することにより行っている。しかしながら、
このような加熱基台４を用いるものでは、被処理体３の
径が大きくなるとこれに合わせ゛Ｃ凹１１１〜２の径を
大きくするど、気相成長処理の際のスリツノの発生率が
高くなる欠点がある。−また、第２図に示す如く、四部
２の開口？Ｖ１５に彼処ＪＩＰ体、７０周縁部を支持す
る平坦力、支持縁部２ａを形成した加熱基台互も開発さ
れている。この加熱基台互は、第１図に示す加ｉτノ５
基台ｆに比べてスリツノ°のづ１へ生を抑えることかで
チ〜るが、依然被処理体３の径が大きくなると、十分に
スリツノの発生を抑えることができなかった。
施す場合、例えば、第１図に示す女！１くシリコン等か
らなる基体１に球面状の四部２を形成し、この四部２に
半導体ウエノ・笠の被処理体３を載置し、これを所定の
炉内に設置することにより行っている。しかしながら、
このような加熱基台４を用いるものでは、被処理体３の
径が大きくなるとこれに合わせ゛Ｃ凹１１１〜２の径を
大きくするど、気相成長処理の際のスリツノの発生率が
高くなる欠点がある。−また、第２図に示す如く、四部
２の開口？Ｖ１５に彼処ＪＩＰ体、７０周縁部を支持す
る平坦力、支持縁部２ａを形成した加熱基台互も開発さ
れている。この加熱基台互は、第１図に示す加ｉτノ５
基台ｆに比べてスリツノ°のづ１へ生を抑えることかで
チ〜るが、依然被処理体３の径が大きくなると、十分に
スリツノの発生を抑えることができなかった。
本発明は、：ｌｌｊ処理体（ｔ？ニスリツノパか冗生ず
るのを阻１にして、所望の気相成長処理を容易に施すこ
とができる力ＩＩ熱基台を提供することをその目的とす
るイ）のである。
るのを阻１にして、所望の気相成長処理を容易に施すこ
とができる力ＩＩ熱基台を提供することをその目的とす
るイ）のである。
甲、下、本発明の実施例について図面をム照して酸、明
する。
する。
この加熱基台見は、基体１ノの所定領域に半導体ウェハ
等からなる被処理体１２の径よりも僅に大きい径２の開
口部１３を有し一〇いる。
等からなる被処理体１２の径よりも僅に大きい径２の開
口部１３を有し一〇いる。
開口部１３の内壁には、被処理体Ｉ２の下面を支持する
略環状の支持面Ｚ４を治してｌｊｉ’ｌ ０部１．７内
に突出した段部１５が形成されでいる。段γ、１（１５
で囲まれた開１」部１３の床面１６を」１、略３１′坦
面に形成されている。基体Ｉ）としては、カー１ノ？ン
Ｕ料等からなる素＋（の表面にＣ，Ｖ、Ｄ、 （（’ｌ
’ｈｅｍｉｅａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）法静によυ炭化タイ素を１００ ｔｉｍ程度形成し
たものを使用するのが望ましい。炭化り”イ素を表面に
形成するのな」１、後述する気相成長処理の際の温度が
１．００ （１〜誹２５０ ”Ｃと高γ品に達した場合
にカーボン月利からなる素材から、不純物が放出される
のを１すＪ止するだめである。開口部１．９の径ｚｆｃ
被処理体１２の径よりも僅に太きくり、７′Ｌ：、のは
、開［］ド１；１３内への被処理体１２の出入ｆ’／ｒ
作を容易にするためと、気相成長処理の際の渦電によっ
て咋張１−だ被処理体１２と基体１ノとが接触して、被
処理体１２に熱歪が生じるのを防１１−．するためｉｉ
／を径の約５チの幅の縁部が支持面１４で支持されるよ
うに設定するのが望ましい。基体１ノの表面から支持面
１４寸での距離Ｘ、ｉ、Ｉ１、ネカ処理体１２の肉１７
に（・１は笠しく設定°するのが望ましい。支」；′１
面Ｉ４からＵ）；向１６゛ｆでの距肉ｔＣＸ ２は、を
皮処理体１２の大きさに応じて適宜設定するのが畢まし
い。５＋１．えｔ」：、＋皮θ屋里ｆ奎１２であるウェ
ハの径が１０１）門φの；１，４．を合にＣ・、［，５
０〜１００μｍνｔＫ設定するのが望！ｌ：１〜い。こ
の床面１６までの距酢Ｘ２を深くシ゛すぎると、基体ｚ
ｔ７’）・らｉ４ Ａ；＋Ｈ，Ｊ！Ｊ！体１２処伝導・
Ｊｏる熱屋が小十分になり、被処理体１２の温度を所定
温度に設定できろい７、まだ、この床面Ｊ６ｉ：での距
ｒｌｉ ｘ 、が浅すぎると、加熱された彼処ｊ里体１
２全体の温度４均−に稈持てきす、熱歪を発生したり或
番ｊ、欠陥を発生ずる原因と１４ンる。また、この床面
１６−Ｆでの距ｊ〜Ｈｔ ｘ 、は、気相成長処理の際
の加熱温１３’ｔ３が、処理ガスとしＣ５ＩＨＣｌ＊を
使用した場合ｔよｌ ｌ ５０ｃ 、 ５ｓｔ５ｃｚ、
を使用した場合は１．１００℃、Ｓ目Ｉ４を使用した場
合は１．００ ｔ） Ｃと）′ｆ１なるので、処理ガス
の種類に応じても適宜設定するのが９Ｊ咬しい。オた、
床面１６の平坦ル： ＆：Ｌ 、加熱されプζ床面１６
の熱が被処理体１２の下１０１全域に「１．つて均一に
伝わるように、被処理体１２の−Ｆ面とＦ！（１平行に
設定するのが望−ＬＬい。１１：、而１６に多少の凹凸
が形ｈ）こされでいたり、或は、（ｆｌ １１１１部が
ＪＦ″−成されでいても、床面１６から彼処、７１１体
１２の下面に均一に熱を伝達できれば１・１い、′また
、１：ｖ゛Ｑ７１Ｓ ７５は、開ＬＴｊ ｊ’ｔｌ（１
３〕内’Ｅ＋・カラｌｉｉ ｒｌ ｆ（ｌｊ １ 、？
内に向って突出し′ξ、１１υ処理１．１．、 ｘ
２を高い重ｓ（′、 Ｂｔで支持できるものであれば良
い１１段部１５が連ＷＡ］的に環状に連っていることを
特に安しない。
略環状の支持面Ｚ４を治してｌｊｉ’ｌ ０部１．７内
に突出した段部１５が形成されでいる。段γ、１（１５
で囲まれた開１」部１３の床面１６を」１、略３１′坦
面に形成されている。基体Ｉ）としては、カー１ノ？ン
Ｕ料等からなる素＋（の表面にＣ，Ｖ、Ｄ、 （（’ｌ
’ｈｅｍｉｅａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）法静によυ炭化タイ素を１００ ｔｉｍ程度形成し
たものを使用するのが望ましい。炭化り”イ素を表面に
形成するのな」１、後述する気相成長処理の際の温度が
１．００ （１〜誹２５０ ”Ｃと高γ品に達した場合
にカーボン月利からなる素材から、不純物が放出される
のを１すＪ止するだめである。開口部１．９の径ｚｆｃ
被処理体１２の径よりも僅に太きくり、７′Ｌ：、のは
、開［］ド１；１３内への被処理体１２の出入ｆ’／ｒ
作を容易にするためと、気相成長処理の際の渦電によっ
て咋張１−だ被処理体１２と基体１ノとが接触して、被
処理体１２に熱歪が生じるのを防１１−．するためｉｉ
／を径の約５チの幅の縁部が支持面１４で支持されるよ
うに設定するのが望ましい。基体１ノの表面から支持面
１４寸での距離Ｘ、ｉ、Ｉ１、ネカ処理体１２の肉１７
に（・１は笠しく設定°するのが望ましい。支」；′１
面Ｉ４からＵ）；向１６゛ｆでの距肉ｔＣＸ ２は、を
皮処理体１２の大きさに応じて適宜設定するのが畢まし
い。５＋１．えｔ」：、＋皮θ屋里ｆ奎１２であるウェ
ハの径が１０１）門φの；１，４．を合にＣ・、［，５
０〜１００μｍνｔＫ設定するのが望！ｌ：１〜い。こ
の床面１６までの距酢Ｘ２を深くシ゛すぎると、基体ｚ
ｔ７’）・らｉ４ Ａ；＋Ｈ，Ｊ！Ｊ！体１２処伝導・
Ｊｏる熱屋が小十分になり、被処理体１２の温度を所定
温度に設定できろい７、まだ、この床面Ｊ６ｉ：での距
ｒｌｉ ｘ 、が浅すぎると、加熱された彼処ｊ里体１
２全体の温度４均−に稈持てきす、熱歪を発生したり或
番ｊ、欠陥を発生ずる原因と１４ンる。また、この床面
１６−Ｆでの距ｊ〜Ｈｔ ｘ 、は、気相成長処理の際
の加熱温１３’ｔ３が、処理ガスとしＣ５ＩＨＣｌ＊を
使用した場合ｔよｌ ｌ ５０ｃ 、 ５ｓｔ５ｃｚ、
を使用した場合は１．１００℃、Ｓ目Ｉ４を使用した場
合は１．００ ｔ） Ｃと）′ｆ１なるので、処理ガス
の種類に応じても適宜設定するのが９Ｊ咬しい。オた、
床面１６の平坦ル： ＆：Ｌ 、加熱されプζ床面１６
の熱が被処理体１２の下１０１全域に「１．つて均一に
伝わるように、被処理体１２の−Ｆ面とＦ！（１平行に
設定するのが望−ＬＬい。１１：、而１６に多少の凹凸
が形ｈ）こされでいたり、或は、（ｆｌ １１１１部が
ＪＦ″−成されでいても、床面１６から彼処、７１１体
１２の下面に均一に熱を伝達できれば１・１い、′また
、１：ｖ゛Ｑ７１Ｓ ７５は、開ＬＴｊ ｊ’ｔｌ（１
３〕内’Ｅ＋・カラｌｉｉ ｒｌ ｆ（ｌｊ １ 、？
内に向って突出し′ξ、１１υ処理１．１．、 ｘ
２を高い重ｓ（′、 Ｂｔで支持できるものであれば良
い１１段部１５が連ＷＡ］的に環状に連っていることを
特に安しない。
、１′／こ、床面１６から立設し７４段部１５の前面１
７は、床面１６から被処理体１２への均一な熱伝達作用
を助長するように、床面１６に対ｌ〜で約９００の急峻
な角１）（で立設してい／）ことか９液（２い１、 而して、このように構成された加熱−）・１・台、７４
１によ！しば、開［」部１３内に彼処、Ｌ！＋！体１２
であ８ウエハを゛、−ｔの下面の縁部が支持面１４にて
支持されるようにして’Ｉ” ！ｌ’ｉ ｔ、／、これ
をｒ、１１定のを）〜理ガスが満されプＬ気相成長処理
炉内に設置ｉ’ｉシて気相成長処理を施す。炉内の加熱
処理によって、咬ず、基体１１全体の温度が急」−Ｈす
／）。この熱を１１．４ノ・体１１０段１１（；から支
持面１４を介し７°〔被処理体１２の縁部に伝達される
。を皮処理体１２の周縁ｔｉｎでは、１悶部１５が床面
１６に夕・Ｊしで急峻な角度で立設し、支持面１４に密
、）イしでいるので、膚、激にｒ＋ａ度上昇が起き、被
処理体１２４体金加熱する熱が貯えられる。貯えられた
一、ｌｊ、は、７Ｊυ処、１．ｊｌ （１：１２の周縁
部からその肉厚・全体の領域に亘って被処理体１２の中
心に向って拡散する。
７は、床面１６から被処理体１２への均一な熱伝達作用
を助長するように、床面１６に対ｌ〜で約９００の急峻
な角１）（で立設してい／）ことか９液（２い１、 而して、このように構成された加熱−）・１・台、７４
１によ！しば、開［」部１３内に彼処、Ｌ！＋！体１２
であ８ウエハを゛、−ｔの下面の縁部が支持面１４にて
支持されるようにして’Ｉ” ！ｌ’ｉ ｔ、／、これ
をｒ、１１定のを）〜理ガスが満されプＬ気相成長処理
炉内に設置ｉ’ｉシて気相成長処理を施す。炉内の加熱
処理によって、咬ず、基体１１全体の温度が急」−Ｈす
／）。この熱を１１．４ノ・体１１０段１１（；から支
持面１４を介し７°〔被処理体１２の縁部に伝達される
。を皮処理体１２の周縁ｔｉｎでは、１悶部１５が床面
１６に夕・Ｊしで急峻な角度で立設し、支持面１４に密
、）イしでいるので、膚、激にｒ＋ａ度上昇が起き、被
処理体１２４体金加熱する熱が貯えられる。貯えられた
一、ｌｊ、は、７Ｊυ処、１．ｊｌ （１：１２の周縁
部からその肉厚・全体の領域に亘って被処理体１２の中
心に向って拡散する。
こσル被）６Ｌ理ｆ＋１２内での熱拡散の際に、被処理
ｒ＋１２の表面は、炉内雰囲気に接した状態でちり、裏
面は、開［１部）３のＦ部の中空１１１−に１ｉεしノ
！状態になっているので、基体１１夕１からの熱の伝達
ｔよほとんど無ｉ１Ｆされ、彼処１．！＋！ （ト１２
全体の温度が極Ｍ１で均一な状ｐＩＩで上昇する１、千
の結果、被処理体１２の縁部にあえて集中的にスリツノ
を発生させ、縁部を除い７’ｊ Ｉ！＋’ｌ域にスリソ
ゲが発生するのを阻止することができる。しかも、被処
理体１２の温度上昇に伴って発生した熱否は、被処理体
１２の周縁７５１；の領域に吸収されるので、更に、被
処理体１２の中心部でのスリツノ°の発生を１−１１止
する作用を高めること７′１１できる。
ｒ＋１２の表面は、炉内雰囲気に接した状態でちり、裏
面は、開［１部）３のＦ部の中空１１１−に１ｉεしノ
！状態になっているので、基体１１夕１からの熱の伝達
ｔよほとんど無ｉ１Ｆされ、彼処１．！＋！ （ト１２
全体の温度が極Ｍ１で均一な状ｐＩＩで上昇する１、千
の結果、被処理体１２の縁部にあえて集中的にスリツノ
を発生させ、縁部を除い７’ｊ Ｉ！＋’ｌ域にスリソ
ゲが発生するのを阻止することができる。しかも、被処
理体１２の温度上昇に伴って発生した熱否は、被処理体
１２の周縁７５１；の領域に吸収されるので、更に、被
処理体１２の中心部でのスリツノ°の発生を１−１１止
する作用を高めること７′１１できる。
因に、第３図に示す如く、基体１１の表面から支持面１
４までの深さＸ、を６５０μＩｌｌ、支持面Ｉ４から床
面１６までの距ｆＪ Ｘ２ 全８１）ｚ＋ｍ、床面１６
の大きさを９０順φ、開口部１３の径Ｚ １０２＋ｍφ
に設定した加熱基ｆｉｉｏを用いで、この開口部１３内
に被処理体１２でちる直径ｌＯ〇−φのウェハを収容し
、気相成長処理を施したところ支持面１４に接触しなか
った領域（Ｆ皮処理体１２の周縁部を除いた領域）では
、ノルトルエツチング検査により、欠陥のイ１坤を８１
Ｊ１べたところ、スリツノの発生な」、はとんど見られ
なかった。この場合のスリソゲの発イｔ−数１ ｉ’！
；処理体１２の直径方向に沿って５１１べたところ、ナ
１）４図（Ａ）に示すがｌりであり、被り−し理体１２
の１ｉｉ１１＝！、部に集中していることがｔ’ｌｌる
。これに比べて球面状の開Ｎｊ；（ｔを１ｊ′４るｊｌ
ｆ来の加り′シ基台でＣよ、［ｂ４は巨用に２ドす如く
、被処理体の４１１は全１代にげ。
４までの深さＸ、を６５０μＩｌｌ、支持面Ｉ４から床
面１６までの距ｆＪ Ｘ２ 全８１）ｚ＋ｍ、床面１６
の大きさを９０順φ、開口部１３の径Ｚ １０２＋ｍφ
に設定した加熱基ｆｉｉｏを用いで、この開口部１３内
に被処理体１２でちる直径ｌＯ〇−φのウェハを収容し
、気相成長処理を施したところ支持面１４に接触しなか
った領域（Ｆ皮処理体１２の周縁部を除いた領域）では
、ノルトルエツチング検査により、欠陥のイ１坤を８１
Ｊ１べたところ、スリツノの発生な」、はとんど見られ
なかった。この場合のスリソゲの発イｔ−数１ ｉ’！
；処理体１２の直径方向に沿って５１１べたところ、ナ
１）４図（Ａ）に示すがｌりであり、被り−し理体１２
の１ｉｉ１１＝！、部に集中していることがｔ’ｌｌる
。これに比べて球面状の開Ｎｊ；（ｔを１ｊ′４るｊｌ
ｆ来の加り′シ基台でＣよ、［ｂ４は巨用に２ドす如く
、被処理体の４１１は全１代にげ。
って多？５＜のスリップ゛７′＜ 発生してし）ること
７５；団る。
７５；団る。
曵に、実ｈ１（１例の加？Ａシ’、Ａて曲りに比べて１
４（訃１ 、Ｉｉの突出風をぐ’ ＜ Ｌ −ｔ 被処
理体１２の中心から直径にして約６０門φの領域が支持
面と接触しないようにしだ力旧嗅基台を使用すると、ス
リソゲの発生数は、′Ｉ！、４図（Ｃ）に示す如く、被
処理イ４・１２の中心から直径約６０口φの（ｉＱ 、
１成を除いた周縁ｆｉｌ（全域で多数のスリソゲが発生
していることが判る。Ｚ）まり、実施例の加熱基台ヨで
ｔｉｔ、、床面１６ｆｌ’ｌ、は平坦にし、床面・１６
に対して急１１１変に立ち土かった段部１４りの支持面
１４で被処理Ｉｓ ｚ ２を支持ずイ）仁どにより、支
１Ｎ？ｉｉ１．ｒに接触した被処理体１２の領域にのみ
スリソゲを集中的に発生、＼０−１支持而１４に括触し
ない仙！戒に歓Ｌ１スリツ７゛を！Ｊ＋実」二発生さ＋
！−ない」：うにすることができるξと７５＜団る。
４（訃１ 、Ｉｉの突出風をぐ’ ＜ Ｌ −ｔ 被処
理体１２の中心から直径にして約６０門φの領域が支持
面と接触しないようにしだ力旧嗅基台を使用すると、ス
リソゲの発生数は、′Ｉ！、４図（Ｃ）に示す如く、被
処理イ４・１２の中心から直径約６０口φの（ｉＱ 、
１成を除いた周縁ｆｉｌ（全域で多数のスリソゲが発生
していることが判る。Ｚ）まり、実施例の加熱基台ヨで
ｔｉｔ、、床面１６ｆｌ’ｌ、は平坦にし、床面・１６
に対して急１１１変に立ち土かった段部１４りの支持面
１４で被処理Ｉｓ ｚ ２を支持ずイ）仁どにより、支
１Ｎ？ｉｉ１．ｒに接触した被処理体１２の領域にのみ
スリソゲを集中的に発生、＼０−１支持而１４に括触し
ない仙！戒に歓Ｌ１スリツ７゛を！Ｊ＋実」二発生さ＋
！−ない」：うにすることができるξと７５＜団る。
〔発り１ｊの効果〕
以上説明した如く、本発明に係る加熱基台によれば、被
処理体内にスリソゲが発生するのを阻して、所望の気相
成長処理を容易に施すことができる等顕著な効果を奏す
るものである１、
処理体内にスリソゲが発生するのを阻して、所望の気相
成長処理を容易に施すことができる等顕著な効果を奏す
るものである１、
第１図及び第２図は、従来の加熱基台のＩｔフグ１而
４図（Ａ）乃至同図（Ｃ）は、スリツノの発生数と被処
理体の位（１りとの関係を示す説明図である。 す・・・加熱基台、１）・・・基体、１２・・・被処理
体、１３・・・開口部、１４・・・成長ｎ’＋ｉ、１，
５・・・段部、１６・・・床面、１７・・・前面。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦＝７９ 第４図 （Ａ）（Ｂ） −（資）− （Ｃ）
理体の位（１りとの関係を示す説明図である。 す・・・加熱基台、１）・・・基体、１２・・・被処理
体、１３・・・開口部、１４・・・成長ｎ’＋ｉ、１，
５・・・段部、１６・・・床面、１７・・・前面。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦＝７９ 第４図 （Ａ）（Ｂ） −（資）− （Ｃ）
Claims (1)
- 基体の所定領域に被処理体の径よシも僅かに大きい径の
開口部を有し、該開口部の内壁に略煩状に前記被処理体
の支持面を形成して突出しだ段部を有し、かつ、該開口
部内に略平坦面からなる床面を有してなることを特徴と
する加熱基台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15550982A JPS5944818A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 加熱基台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15550982A JPS5944818A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 加熱基台 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944818A true JPS5944818A (ja) | 1984-03-13 |
Family
ID=15607600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15550982A Pending JPS5944818A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 加熱基台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944818A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1720200A1 (en) * | 2004-02-25 | 2006-11-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Epitaxially growing equipment |
-
1982
- 1982-09-07 JP JP15550982A patent/JPS5944818A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1720200A1 (en) * | 2004-02-25 | 2006-11-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Epitaxially growing equipment |
| EP1720200A4 (en) * | 2004-02-25 | 2007-01-31 | Nippon Mining Co | PITAXIAL CULTURE EQUIPMENT |
| US7670434B2 (en) | 2004-02-25 | 2010-03-02 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Vapor phase growth apparatus |
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