JPS5943519A - プラズマｃｖｄ装置における排気系装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置における排気系装置Info
- Publication number
- JPS5943519A JPS5943519A JP15254882A JP15254882A JPS5943519A JP S5943519 A JPS5943519 A JP S5943519A JP 15254882 A JP15254882 A JP 15254882A JP 15254882 A JP15254882 A JP 15254882A JP S5943519 A JPS5943519 A JP S5943519A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust system
- gas
- reaction chamber
- air
- exhaust
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は主として５ＩＨ４，ＮＨ，等の可燃性ガスを反
応ガスとして使用する式のプラズマＯＶＤ装置における
排気系装置に関する。
応ガスとして使用する式のプラズマＯＶＤ装置における
排気系装置に関する。
従来この種装置として、例えば第１図示のように反１＋
ｉ’、；ガスの導入ＩＴＩ ＆と、大気の導入口すとを
イｆするプラズマ（ＩＶＤ処理用のＪヴ応室Ｃに、該室
Ｃ内を排気すべく、例えば前段のメカニカルブースタポ
ンプｄ１と、後段の油回転式ポンプｄ２とかｒ：ｊ成る
排気系ｄを備える式のものは知られるが、この場合排気
系ｄは例λば仝図示のように少くともその一部で荒引排
気系とガス樗気系とにＡｆｃ用される型式を一般とする
もので、かかるものでは該排気系ｄ内で該ガスと空気と
が互に接触して該系ｄ内或はそのお１気量日に発火を生
じ易い不都合を伴う。更に説明すれば、この種ガスは減
圧下では問題ないが、空気との接触によれば発火する危
険があるもので、この押装置において反応処理後、該反
応室Ｃ内を一旦大気圧に戻し、次で再び真空排気する場
合を考えるに、先に該ガスを［’ｌ気した該排気系ｄ内
には配管内或は該油回転ポンプｄ２の油中等に該ガスが
残留し、これに該真空お１気に際Ｌ；ｊ１かれる空気が
接触する状態と１．Ｃす、かくて前記し２だ発火の危険
がある。尚これは仝図示のようなバッチ式の場合に限る
ことなく、例えば第２図示のように反応室Ｃに前段の予
（ｉｔｉｌ 抽気式Ｃ８を備えるインライン式の場合に
おいても略同様である。
ｉ’、；ガスの導入ＩＴＩ ＆と、大気の導入口すとを
イｆするプラズマ（ＩＶＤ処理用のＪヴ応室Ｃに、該室
Ｃ内を排気すべく、例えば前段のメカニカルブースタポ
ンプｄ１と、後段の油回転式ポンプｄ２とかｒ：ｊ成る
排気系ｄを備える式のものは知られるが、この場合排気
系ｄは例λば仝図示のように少くともその一部で荒引排
気系とガス樗気系とにＡｆｃ用される型式を一般とする
もので、かかるものでは該排気系ｄ内で該ガスと空気と
が互に接触して該系ｄ内或はそのお１気量日に発火を生
じ易い不都合を伴う。更に説明すれば、この種ガスは減
圧下では問題ないが、空気との接触によれば発火する危
険があるもので、この押装置において反応処理後、該反
応室Ｃ内を一旦大気圧に戻し、次で再び真空排気する場
合を考えるに、先に該ガスを［’ｌ気した該排気系ｄ内
には配管内或は該油回転ポンプｄ２の油中等に該ガスが
残留し、これに該真空お１気に際Ｌ；ｊ１かれる空気が
接触する状態と１．Ｃす、かくて前記し２だ発火の危険
がある。尚これは仝図示のようなバッチ式の場合に限る
ことなく、例えば第２図示のように反応室Ｃに前段の予
（ｉｔｉｌ 抽気式Ｃ８を備えるインライン式の場合に
おいても略同様である。
本発明はか＼る不都合のない装置を得ることをその目的
としたもので、反応ガスの導入１］と、大気の導入［二
１とをイ１するプラズマＣＶＤ処理用の反応室に、該室
内をＰ１″気するす１気系を備える式のもの心こおいて
、該排気系を互に分離される荒引排気系と、ガス排気系
とで構成させることを特徴とする。
としたもので、反応ガスの導入１］と、大気の導入［二
１とをイ１するプラズマＣＶＤ処理用の反応室に、該室
内をＰ１″気するす１気系を備える式のもの心こおいて
、該排気系を互に分離される荒引排気系と、ガス排気系
とで構成させることを特徴とする。
本発明の実施例を別に図面に伺説明する。第３図はバッ
チ式の場合の１例を示すもので、（１１はプラズマＣＶ
Ｄ処理用の反応室を示し、該室（１）は反応ガスの導入
ｒｌ ｆ２１と、大気の導入口（３）とを備えると共に
該室（１）内を排気すべくこれに連る排気系（／Ｉ）を
備える。該抽気系（４）は例えば図示のように前段のメ
カニカルブースタポンプ（４ａ）と、後段の油回転ポン
プ（４ｂ）とから成るもので、この点は従来のものと特
に異らない。
チ式の場合の１例を示すもので、（１１はプラズマＣＶ
Ｄ処理用の反応室を示し、該室（１）は反応ガスの導入
ｒｌ ｆ２１と、大気の導入口（３）とを備えると共に
該室（１）内を排気すべくこれに連る排気系（／Ｉ）を
備える。該抽気系（４）は例えば図示のように前段のメ
カニカルブースタポンプ（４ａ）と、後段の油回転ポン
プ（４ｂ）とから成るもので、この点は従来のものと特
に異らない。
本発明によれば、該反応室（１）に、該室（１）内を排
気ｔべく、該用゛気系（４）とは分離される別個の第２
のｆｔｌ＋気系（５）を用意するもので、かくて該排気
系（４）をガス排気専用とすると共に該第２の排気系（
５）を荒引排気専用とするようにしブて。該排気１系（
５）は例えば図示のように前段のメカニカルブースタポ
ンプ（５ａ）と、後段の７１１１ 回転ポンプ（５ｂ）
とから成り、ｔ〜１は油回転ポンプ（５ｂ）σ）、、７
＋から成る等任意である。
気ｔべく、該用゛気系（４）とは分離される別個の第２
のｆｔｌ＋気系（５）を用意するもので、かくて該排気
系（４）をガス排気専用とすると共に該第２の排気系（
５）を荒引排気専用とするようにしブて。該排気１系（
５）は例えば図示のように前段のメカニカルブースタポ
ンプ（５ａ）と、後段の７１１１ 回転ポンプ（５ｂ）
とから成り、ｔ〜１は油回転ポンプ（５ｂ）σ）、、７
＋から成る等任意である。
その作動を説、明するに、反Ｒ，ｒ ＩＪ）Ｌ Ｊｌ！
ｌ後該反１＋ｉｊ；室（１）内を一＝ ）ｊ、人気圧に
戻Ｌ２、次で＋Ｔ（’ （Ｊ・これを（“ｆ空餌気する
場合を者えるに、先づ該、ｔ５２のＰＪＩ気系（５）を
作動さ１すて該室（１）内を・人気１十から例え（１１
′数トール或は数１０トールに減圧（７、次で該排気系
（４）を作ル１１さくｑるもので、先の１１１気Ｇこ際
し、該刊気系（４）内に多少とも該ガスが’ｊ’＋ ？
’Ｗするも、これに空気が導かれるようηにとが４「＜
、これを換言すｉｌは該ガスと該空気との接触による発
火の危険がない。
ｌ後該反１＋ｉｊ；室（１）内を一＝ ）ｊ、人気圧に
戻Ｌ２、次で＋Ｔ（’ （Ｊ・これを（“ｆ空餌気する
場合を者えるに、先づ該、ｔ５２のＰＪＩ気系（５）を
作動さ１すて該室（１）内を・人気１十から例え（１１
′数トール或は数１０トールに減圧（７、次で該排気系
（４）を作ル１１さくｑるもので、先の１１１気Ｇこ際
し、該刊気系（４）内に多少とも該ガスが’ｊ’＋ ？
’Ｗするも、これに空気が導かれるようηにとが４「＜
、これを換言すｉｌは該ガスと該空気との接触による発
火の危険がない。
第４図はインライン式のＪＪ！合の１ ｊ（１１を示す
もので、この場合該反応室（１）はその１）１［段に千
ｆｌｔｉｌ排気室（６）を備えると共に該室（６）にこ
れをｆｌｌ気するυ１気系（７）、例えばｉ［１段のメ
カニカルブースタポンプ（７Ｑ）と後段の油回転ポンプ
（７ｂ）とから成る排気系（７）を備える。この点は従
来のものと！Ｉ’、”ｒに異らないが、本発明によれば
該排′Ａ系（７）をそのト流側の分岐導貿（８）におい
て該反応室（１）内に連通させ、かくて該分岐導管（８
）を介して該排気系（′ｌ）によりり、１；引わ１気（
ソ用の２１）２０拮気系（５）を構成さ一１ジるように
し７た。
もので、この場合該反応室（１）はその１）１［段に千
ｆｌｔｉｌ排気室（６）を備えると共に該室（６）にこ
れをｆｌｌ気するυ１気系（７）、例えばｉ［１段のメ
カニカルブースタポンプ（７Ｑ）と後段の油回転ポンプ
（７ｂ）とから成る排気系（７）を備える。この点は従
来のものと！Ｉ’、”ｒに異らないが、本発明によれば
該排′Ａ系（７）をそのト流側の分岐導貿（８）におい
て該反応室（１）内に連通させ、かくて該分岐導管（８
）を介して該排気系（′ｌ）によりり、１；引わ１気（
ソ用の２１）２０拮気系（５）を構成さ一１ジるように
し７た。
該第２の排気系（５）はこれに限ること４ｃ＜、例
／えは第５図示のように、該抽気系（７）とは別個に独
立して設けることも可能である。この場合該ゼ１気糸（
！″ｉ）は例えｉｔ： ｉＮｄ示のように前段のメカニ
カルブースタポンプ（５ａ）と後段の油回転ポンプ（５
ｈ）とから構成される。
／えは第５図示のように、該抽気系（７）とは別個に独
立して設けることも可能である。この場合該ゼ１気糸（
！″ｉ）は例えｉｔ： ｉＮｄ示のように前段のメカニ
カルブースタポンプ（５ａ）と後段の油回転ポンプ（５
ｈ）とから構成される。
尚前記したガス排気専用の排気系（４）は、例えば第４
図或は第５図示のようにその上流端に連るＮ、その他の
バージライン（９）を備えることが出来る。即ち該バー
ジライン（９）はこれを介してＮ２その（ｌ−（の不活
性ガスを導入自在とするもので、かくて該排気系（４）
を介して反応ガスを排気した後、次で該ライン（９）を
介して不活性ガスを導か１４て該系（４）内に多少とも
残留する該反応ガスをこれにより排出自在とする。
図或は第５図示のようにその上流端に連るＮ、その他の
バージライン（９）を備えることが出来る。即ち該バー
ジライン（９）はこれを介してＮ２その（ｌ−（の不活
性ガスを導入自在とするもので、かくて該排気系（４）
を介して反応ガスを排気した後、次で該ライン（９）を
介して不活性ガスを導か１４て該系（４）内に多少とも
残留する該反応ガスをこれにより排出自在とする。
この北うに本発明によるときは、反応室内を排気すべく
几１意される排気系を、荒引ＦＪＩ気専用と、ガス排気
専用とのｒ７に独立した別系統に借ｆｌ、スルモので、
これを兼用する従来のものにお番ツる発火の危険を無く
し行ら′ｉする効果をイイする。
几１意される排気系を、荒引ＦＪＩ気専用と、ガス排気
専用とのｒ７に独立した別系統に借ｆｌ、スルモので、
これを兼用する従来のものにお番ツる発火の危険を無く
し行ら′ｉする効果をイイする。
第１図及び第２図は従来例のｌｊ’ｌｊ明線図、第５図
は本発明装置の１例の説明！”；住＜ｌ、＄”＋；４図
は他の１例の説明線図、第５図はその変形例の１ｆｉａ
Ｉ＋ｌｌ線図である。 （１）・・・・・・反 応 宰 （２）・・・・・・反Ｉ心ガス導入１Ｉ（３）・・・・
・・大気導入ＩＩ＋ （４）・・・・・・排 気 系 （５）・・・・・・第２の胡°気系 特許出願人 日本真空技律１株式会ｒに１代 理
人 北 杓 戦 −（：外２名
′ 粥１凶 ？ ７３−
は本発明装置の１例の説明！”；住＜ｌ、＄”＋；４図
は他の１例の説明線図、第５図はその変形例の１ｆｉａ
Ｉ＋ｌｌ線図である。 （１）・・・・・・反 応 宰 （２）・・・・・・反Ｉ心ガス導入１Ｉ（３）・・・・
・・大気導入ＩＩ＋ （４）・・・・・・排 気 系 （５）・・・・・・第２の胡°気系 特許出願人 日本真空技律１株式会ｒに１代 理
人 北 杓 戦 −（：外２名
′ 粥１凶 ？ ７３−
Claims (1)
- 反応ガスの導入口と、大気のう〃入口とを有するプラズ
マＯＶＤ処理用の反応室に、該室内を排気する排気系を
備える式のものにおいて、該排気系を互に分離される荒
引排気系と、ガス排気系とで描成さゼることを特徴とす
るプラズマＯＶＤ装置■における排気系装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15254882A JPS5943519A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | プラズマｃｖｄ装置における排気系装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15254882A JPS5943519A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | プラズマｃｖｄ装置における排気系装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943519A true JPS5943519A (ja) | 1984-03-10 |
| JPH0415612B2 JPH0415612B2 (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=15542864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15254882A Granted JPS5943519A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | プラズマｃｖｄ装置における排気系装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943519A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61100926A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | Tokuda Seisakusho Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534158A (en) * | 1978-09-01 | 1980-03-10 | Sony Corp | Vacuum reaction apparatus |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP15254882A patent/JPS5943519A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534158A (en) * | 1978-09-01 | 1980-03-10 | Sony Corp | Vacuum reaction apparatus |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61100926A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | Tokuda Seisakusho Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0415612B2 (ja) | 1992-03-18 |
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