JPS594178A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS594178A JPS594178A JP11452582A JP11452582A JPS594178A JP S594178 A JPS594178 A JP S594178A JP 11452582 A JP11452582 A JP 11452582A JP 11452582 A JP11452582 A JP 11452582A JP S594178 A JPS594178 A JP S594178A
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- pin diode
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/868—PIN diodes
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(al 発明の技術分野
本発明は半導体装置に係り、特に化合物半導体を用いて
作成したPINダイオードの構造に関する。
作成したPINダイオードの構造に関する。
fbl 従来技術と問題点
従来のPINダイオードは、第1図に示すようにGaA
s基板l上に、例えば厚さ凡そ2 〔μm〕のn◆型G
aAs層(ハソファ層)2.厚さ凡そ4 〔μm〕のn
−型GaASJt’l 3 +厚さ凡そ2(μm〕のn
−型へ1GaAs層4とを、1シ)1えば分子線エピタ
キシアル成長(MBE)法により連続的に成長させてn
−型GaAs層とn−型^lGaAs層とからなるシン
グルへテロ接合を形成し2、次いで上記n−型AlGa
As層4表面から亜鉛(Zn)を拡散する等の方法によ
りP型AlGaAs領域5を形成した構造とされている
。
s基板l上に、例えば厚さ凡そ2 〔μm〕のn◆型G
aAs層(ハソファ層)2.厚さ凡そ4 〔μm〕のn
−型GaASJt’l 3 +厚さ凡そ2(μm〕のn
−型へ1GaAs層4とを、1シ)1えば分子線エピタ
キシアル成長(MBE)法により連続的に成長させてn
−型GaAs層とn−型^lGaAs層とからなるシン
グルへテロ接合を形成し2、次いで上記n−型AlGa
As層4表面から亜鉛(Zn)を拡散する等の方法によ
りP型AlGaAs領域5を形成した構造とされている
。
上記1) I Nダイオードを実際に使用するに際して
は、P型へlGaAs領域5とn−型へlGaAs層4
とのp−n接合に逆バイアスを印加して、n−型GaA
s13側に空乏層〔iを広げることを要する。
は、P型へlGaAs領域5とn−型へlGaAs層4
とのp−n接合に逆バイアスを印加して、n−型GaA
s13側に空乏層〔iを広げることを要する。
しかしこの構造では第2図に示すように、n−型GaA
s層3とロー型へ1GaAslii 4とのへテロ接合
界面A点において、実効的なキャリア濃度分布がスパイ
ク状プロファイルを呈し、当該部分で印加された逆バイ
アス電圧の相当部分が食われてしまい、n−型GaAs
層3内へ1−分空乏層6を伸ばすことが出来ない。その
ため従来のPINダイオードを使用するに際しては、動
作電圧を高くせざるを得ながった。
s層3とロー型へ1GaAslii 4とのへテロ接合
界面A点において、実効的なキャリア濃度分布がスパイ
ク状プロファイルを呈し、当該部分で印加された逆バイ
アス電圧の相当部分が食われてしまい、n−型GaAs
層3内へ1−分空乏層6を伸ばすことが出来ない。その
ため従来のPINダイオードを使用するに際しては、動
作電圧を高くせざるを得ながった。
((ン)発明の目的
本発明のL1的は、n−型GaAs層とn−型AlGa
As層とのへテロ接合界面近傍の実効的キャリア濃度分
布を平坦化して、低電圧動作可能なPINダイオードを
提供することにある。
As層とのへテロ接合界面近傍の実効的キャリア濃度分
布を平坦化して、低電圧動作可能なPINダイオードを
提供することにある。
+d+ 発明の構成
本発明の特徴は、n型半導体基体トに、該4144体基
体よりも不純物濃度が低いn型ガリウム・砒素層、ノン
ド−プのアルミニウJトガリウム・砒素層、前記”li
導体基体よりも不純物濃度が低いn型アルミニウJ、・
ガリウム・砒素層が順次形成され、該n型アルミニウム
・ガリウム・砒素層にp型頭域が形成されてなることに
ある。
体よりも不純物濃度が低いn型ガリウム・砒素層、ノン
ド−プのアルミニウJトガリウム・砒素層、前記”li
導体基体よりも不純物濃度が低いn型アルミニウJ、・
ガリウム・砒素層が順次形成され、該n型アルミニウム
・ガリウム・砒素層にp型頭域が形成されてなることに
ある。
(el 発明の実施例
本発明の発明者らは上記へテロ接合界面に、おける実効
的キャリア濃度分布について種々検削の結果、ノンl、
−プ乃至は低濃度GaAs1WとノンドープAlGaA
s層とのへテロ接合界面には、上述の如きスパイクが現
れないことを見出した。
的キャリア濃度分布について種々検削の結果、ノンl、
−プ乃至は低濃度GaAs1WとノンドープAlGaA
s層とのへテロ接合界面には、上述の如きスパイクが現
れないことを見出した。
本発明はこの事実に基づいてなされたもので、以1・−
実Jll!i例により説明する。
実Jll!i例により説明する。
9A3図し、1本発明の一実施例を示す要部断面図であ
って、7番、1ノン1−ブの八IX Ga1−x As
1it ’で、他の第1図と同一部分は同一符号で示し
である。
って、7番、1ノン1−ブの八IX Ga1−x As
1it ’で、他の第1図と同一部分は同一符号で示し
である。
本実施例のI)INダイオードは、n−型GaAs層3
とn−型AlXGa、−XAs (x = 0〜0.’
3 ) lit 4との間に厚さ凡そ (1,ICμm
〕のノン1゛−ブの八IX Gal−、へS層7を設B
Jた点が従来のPINダイオードと異なる。このAIx
G辱。As屓7ば、他の層と同様に例えばM+31E法
により連続的に成長させることにより形成しi(ンる。
とn−型AlXGa、−XAs (x = 0〜0.’
3 ) lit 4との間に厚さ凡そ (1,ICμm
〕のノン1゛−ブの八IX Gal−、へS層7を設B
Jた点が従来のPINダイオードと異なる。このAIx
G辱。As屓7ば、他の層と同様に例えばM+31E法
により連続的に成長させることにより形成しi(ンる。
かかる構造としたごとにより、本実施例のPINダイオ
ードのへテロ接合界面におLJる実効的なキャリア濃度
分布は、第4図に示す如く著しく平坦化された。そのた
め当該部分にかかる電圧は低下し、動作電圧を約10(
V)下げることが出来た。
ードのへテロ接合界面におLJる実効的なキャリア濃度
分布は、第4図に示す如く著しく平坦化された。そのた
め当該部分にかかる電圧は低下し、動作電圧を約10(
V)下げることが出来た。
なお第3図において、8は例えば金・亜鉛(AuZll
)よりなるp側電極、9は例えば金・ゲルマニュウム(
AuGe)合金層の上にニッケル(旧)Nを積層したn
側電極、10は化学気相成長法(C’l)法)により形
成した二酸化シリコン(Sin、 )膜のような絶縁1
1Qである。
)よりなるp側電極、9は例えば金・ゲルマニュウム(
AuGe)合金層の上にニッケル(旧)Nを積層したn
側電極、10は化学気相成長法(C’l)法)により形
成した二酸化シリコン(Sin、 )膜のような絶縁1
1Qである。
上記一実施例ではM、BE法により各層2,3゜4.7
を形成した例を掲げて説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなり、」1記各層し;1:他の製造方法
により形成しても良いことはいうまでもない。
を形成した例を掲げて説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなり、」1記各層し;1:他の製造方法
により形成しても良いことはいうまでもない。
(f) 発明の効果
以」−説明した如く本発明によれば、PINダイオード
のへテロ接合界面の実効的なキャリア濃度分布が平坦化
され、従って低電圧動作が可能となる。
のへテロ接合界面の実効的なキャリア濃度分布が平坦化
され、従って低電圧動作が可能となる。
第1図及び第2図は従来のPINダイオードの説明に供
するための図で、第1図は要部断面図、第2図は曲線図
、第3図及び第4図は本発明の一実施例を示す図で、第
3図は本発明の一実施例を示す要部断面図、第4図はそ
のヘテロ接合界面における実効的キャリア濃度分布を示
す曲線図であ図におい−で、1は化合物半導体よりなる
半導体基板、2ばハソファ層、3はn−型GaAs層、
4はn−型へIxGal−yへs1M、5ばp型へIX
Ga、−、^S領域、6は空乏19.7はノンドープ
の八LX Ga1−yAs層を示す。 1之 ノ 第4図 9 +;デさ
するための図で、第1図は要部断面図、第2図は曲線図
、第3図及び第4図は本発明の一実施例を示す図で、第
3図は本発明の一実施例を示す要部断面図、第4図はそ
のヘテロ接合界面における実効的キャリア濃度分布を示
す曲線図であ図におい−で、1は化合物半導体よりなる
半導体基板、2ばハソファ層、3はn−型GaAs層、
4はn−型へIxGal−yへs1M、5ばp型へIX
Ga、−、^S領域、6は空乏19.7はノンドープ
の八LX Ga1−yAs層を示す。 1之 ノ 第4図 9 +;デさ
Claims (1)
- n型半導体基体上に、該半導体基体よりも不純物濃度が
低いn型ガリウム・砒素層、ノンドープのアルミニウム
・ガリウム・砒素層、前記半導体基体よりも不純物1度
が低いn型アルミニウム・ガリウム・砒素層が順次形成
され、該n型アルミニウム・ガリウム・砒素層にp型領
域が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11452582A JPS594178A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11452582A JPS594178A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS594178A true JPS594178A (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=14639930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11452582A Pending JPS594178A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS594178A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5148267A (en) * | 1989-09-08 | 1992-09-15 | Hewlett-Packard Company | Double heterostructure step recovery diode with internal drift field |
CN105449004A (zh) * | 2015-12-17 | 2016-03-30 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种AlGaAs梁式引线PIN二极管及其制备方法 |
CN105470312A (zh) * | 2016-02-19 | 2016-04-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11452582A patent/JPS594178A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5148267A (en) * | 1989-09-08 | 1992-09-15 | Hewlett-Packard Company | Double heterostructure step recovery diode with internal drift field |
CN105449004A (zh) * | 2015-12-17 | 2016-03-30 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种AlGaAs梁式引线PIN二极管及其制备方法 |
CN105470312A (zh) * | 2016-02-19 | 2016-04-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 |
US10062771B2 (en) | 2016-02-19 | 2018-08-28 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Low temperature poly-silicon thin film transistor and method of manufacturing the same |
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