JPS593921A - 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 - Google Patents

半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法

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JPS593921A
JPS593921A JP57111498A JP11149882A JPS593921A JP S593921 A JPS593921 A JP S593921A JP 57111498 A JP57111498 A JP 57111498A JP 11149882 A JP11149882 A JP 11149882A JP S593921 A JPS593921 A JP S593921A
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洋 清水
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Ushio Denki KK
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5155337A (en) * 1989-12-21 1992-10-13 North Carolina State University Method and apparatus for controlling rapid thermal processing systems
JP2002520808A (ja) * 1998-05-11 2002-07-09 シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 基板を熱処理するための方法および装置
JP2003513442A (ja) * 1999-10-28 2003-04-08 シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング サブストレートを熱処理する方法及び装置

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JPS58175826A (ja) * 1981-12-04 1983-10-15 Ushio Inc 半導体を光照射で加熱する方法

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