JPS593696B2 - 共鳴吸収現象を利用した温度計 - Google Patents
共鳴吸収現象を利用した温度計Info
- Publication number
- JPS593696B2 JPS593696B2 JP14641177A JP14641177A JPS593696B2 JP S593696 B2 JPS593696 B2 JP S593696B2 JP 14641177 A JP14641177 A JP 14641177A JP 14641177 A JP14641177 A JP 14641177A JP S593696 B2 JPS593696 B2 JP S593696B2
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- JP
- Japan
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- frequency
- signal
- absorption
- sensor oscillator
- oscillation frequency
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、核四重極共鳴や核磁気共鳴等の共鳴吸収現象
を利用した温度計に関するものである。
を利用した温度計に関するものである。
一般に、ＫＣｔ０３、ＮａＣｔ３等の中のｃｔ３５の極
四重極共鳴吸収周波数あるいは、ＣｒＢｒ３中のＣｒ５
３の核磁気共鳴吸収周波数（以下吸収周波数と呼ぶ）は
温度によつて一義的に定まるので、この吸収周波数から
温度を知ることができる。しかしながら、吸収周波数に
おける吸収信号は非常に小さく、またその幅も狭いため
、従来、ノイズに弱くまた、吸収周波数を検出するに多
くの時間と高度の技術を必要としていた。本発明の目的
は、混入するノイズに強く、しかも高精度で吸収周波数
を検出し、これに応じた温度信号を出力するような温度
計を実現しようとするものである。
四重極共鳴吸収周波数あるいは、ＣｒＢｒ３中のＣｒ５
３の核磁気共鳴吸収周波数（以下吸収周波数と呼ぶ）は
温度によつて一義的に定まるので、この吸収周波数から
温度を知ることができる。しかしながら、吸収周波数に
おける吸収信号は非常に小さく、またその幅も狭いため
、従来、ノイズに弱くまた、吸収周波数を検出するに多
くの時間と高度の技術を必要としていた。本発明の目的
は、混入するノイズに強く、しかも高精度で吸収周波数
を検出し、これに応じた温度信号を出力するような温度
計を実現しようとするものである。
第１図は本発明の一実施例を示す構成ブロック図である
。
。
図において、１は温度検出器で、その先端の接温部には
例えばＫＣｔ０３、ＮａＣｔ０３等の共鳴吸収周波数が
温度依存性をもつ材料１１と、高周波コイル１２とが封
入されたセル１３が設けられている。２は、材料１１の
吸収周波数を検出するための例えばマージナル発振器の
ような可変周波数のセンサーオシレータである。
例えばＫＣｔ０３、ＮａＣｔ０３等の共鳴吸収周波数が
温度依存性をもつ材料１１と、高周波コイル１２とが封
入されたセル１３が設けられている。２は、材料１１の
吸収周波数を検出するための例えばマージナル発振器の
ような可変周波数のセンサーオシレータである。
このセンサーオシレータ２は、可変容量ダイオード２１
、２２、コンデンサ２３、２４、２５をもち、これらは
コイル１２とともに発振器のタンク回路を形成している
。また、低周波増幅器ＬＦａｍｐと、高周波増幅器ＲＦ
ａｍｐを含んでおり、ＬＦａｍｐからは吸収信号εｏを
、ＲＦａｍｐからは発振周波数信号Ｆ８をそれぞれ出力
する。３はセンサーオシレータの発振周波数を変調する
例えば７０Ｈｚの低周波信号ｆ［ｎを出力する低周波発
振器で、その出力端は可変容量ダイオード２２の一端に
接続されており、この可変容量ダイオードの容量が変わ
ることによつて、発振周波数が周波数変調される。
、２２、コンデンサ２３、２４、２５をもち、これらは
コイル１２とともに発振器のタンク回路を形成している
。また、低周波増幅器ＬＦａｍｐと、高周波増幅器ＲＦ
ａｍｐを含んでおり、ＬＦａｍｐからは吸収信号εｏを
、ＲＦａｍｐからは発振周波数信号Ｆ８をそれぞれ出力
する。３はセンサーオシレータの発振周波数を変調する
例えば７０Ｈｚの低周波信号ｆ［ｎを出力する低周波発
振器で、その出力端は可変容量ダイオード２２の一端に
接続されており、この可変容量ダイオードの容量が変わ
ることによつて、発振周波数が周波数変調される。
３１は低周波発振器３の出力周波数を２倍にする２倍周
波回路、３２は低周波発振器３の出力周波数を３倍にす
る３倍周波数回路である。
波回路、３２は低周波発振器３の出力周波数を３倍にす
る３倍周波数回路である。
４１，４２はいずれもセンサーオシレータ２のＬＦａｍ
ｐからの吸収信号ε。
ｐからの吸収信号ε。
を入力とするロツクインアンプ又は位相検出手段で、検
出手段４１は３倍周波回路３２からの出力信号３ｆｒｎ
を参照波信号とし、また、検出手段４２は２倍周波回路
３１からの出力信号２ｆ［ｎを参照波信号としている。
４３は例えばランプ関数状に変化する電圧信号を発生す
る関数発生器で、その出力端は可変容量ダイオード２１
の−端に接続されている。
出手段４１は３倍周波回路３２からの出力信号３ｆｒｎ
を参照波信号とし、また、検出手段４２は２倍周波回路
３１からの出力信号２ｆ［ｎを参照波信号としている。
４３は例えばランプ関数状に変化する電圧信号を発生す
る関数発生器で、その出力端は可変容量ダイオード２１
の−端に接続されている。
４４は検出手段４１からの出力信号Ｅ，を入力とする例
えばＰＩ調節器で、その出力端はスイツチＳ１を介して
可変容量ダイオード２１の一端に接続されている。
えばＰＩ調節器で、その出力端はスイツチＳ１を介して
可変容量ダイオード２１の一端に接続されている。
５１，５２，５３はいずれも比較器で、比較器５１は検
出手段４１から得られる時定数の小さい（例えば０．０
１ｓｅｃ）出力信号Ｅｆを入力とし、比較器５２は検出
手段４２から時定数の大きい（例えば４７ｓｅｃ）出力
信号Ｅ２ｆを人力とし、また比較器５３は検出手段４１
から時定数の大きい（例えば４．７ｓｅｃ）出力信号Ｅ
ｆを入力としている。
出手段４１から得られる時定数の小さい（例えば０．０
１ｓｅｃ）出力信号Ｅｆを入力とし、比較器５２は検出
手段４２から時定数の大きい（例えば４７ｓｅｃ）出力
信号Ｅ２ｆを人力とし、また比較器５３は検出手段４１
から時定数の大きい（例えば４．７ｓｅｃ）出力信号Ｅ
ｆを入力としている。
６は制御回路で、各比較器５１，５２，５３からの出力
信号およびクロツク信号を入力とし、関数発生器４３卦
よびスイツチＳ１を制御する。
信号およびクロツク信号を入力とし、関数発生器４３卦
よびスイツチＳ１を制御する。
１はカウンタを含む計数回路部で、キンサーオシレータ
２のＲＦａｍｐから出力される発振周波数信号Ｆｓを入
力としている。
２のＲＦａｍｐから出力される発振周波数信号Ｆｓを入
力としている。
このように構成した装置の動作を次に第２図の各波形図
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
第２図各図において、横軸はセンサーオシレータ２の発
振周波数を示すもので、ａ−ｅの各図ともｅ図の横軸を
共通にして使用するものとする。ここで、センサーオシ
レータ２の発振周波数は、コイル１２のインダクタンス
Ｌとコンデンサ２３〜２５および可変容量ダイオード２
１，２２の合成容量Ｃ。で定まる周波数ド２７Ｃβアτ
で発振する。そして、可変容量ダイオード２２には、低
周波発振器３からの低周波信号Ｆｎ）が与えられている
ので、発振周波数νはＦ。ｌで周波数変調されたものと
なる。また、可変容量ダイオード２１には、関数発生器
４３からの信号が与えられ、発振周波数νが掃引される
。発振周波数νの可変範囲（掃引範囲）は、被測定温度
に対応する吸収周波数の範囲より広く定められている。
第２図ａは、センサーオシレータ２の発振周波数νとそ
の発振振幅との関係を表すものである。
振周波数を示すもので、ａ−ｅの各図ともｅ図の横軸を
共通にして使用するものとする。ここで、センサーオシ
レータ２の発振周波数は、コイル１２のインダクタンス
Ｌとコンデンサ２３〜２５および可変容量ダイオード２
１，２２の合成容量Ｃ。で定まる周波数ド２７Ｃβアτ
で発振する。そして、可変容量ダイオード２２には、低
周波発振器３からの低周波信号Ｆｎ）が与えられている
ので、発振周波数νはＦ。ｌで周波数変調されたものと
なる。また、可変容量ダイオード２１には、関数発生器
４３からの信号が与えられ、発振周波数νが掃引される
。発振周波数νの可変範囲（掃引範囲）は、被測定温度
に対応する吸収周波数の範囲より広く定められている。
第２図ａは、センサーオシレータ２の発振周波数νとそ
の発振振幅との関係を表すものである。
発振周波数νが掃引され、その発振周波数が材料１１の
吸収周波数ν，に一致すると、材料１１による電磁波の
吸収が行なわれ、４に示すように発振振幅が低下する。
これはコイル１２内の電磁波のエネルギーの一部が核ス
ピン系で消費され、同調回路内の損失が大きくなつてＱ
値が低下するためである。ここでε。は低周波増幅器Ｌ
Ｆａｍｐからの吸収信号を示す。検出手段４１は、第２
図ａのε。
吸収周波数ν，に一致すると、材料１１による電磁波の
吸収が行なわれ、４に示すように発振振幅が低下する。
これはコイル１２内の電磁波のエネルギーの一部が核ス
ピン系で消費され、同調回路内の損失が大きくなつてＱ
値が低下するためである。ここでε。は低周波増幅器Ｌ
Ｆａｍｐからの吸収信号を示す。検出手段４１は、第２
図ａのε。
に示されるようなＲＦａｍｐからの吸収信号ε。を入力
とし、これを低周波信号Ｆｎ］の３倍調波３ｆｎ１を参
照波信号として例えば同期整流するもので、発振周波数
νの高速掃引時に｝いて、時定数の小さい出力信号Ｅｆ
゛は、第２図ｂに示すような信号となる。なお、この高
速掃引時には、検出手段４１．４２からの時定数の大き
い信号Ｅｆ，Ｅ２ｆはほとんど零となつている。一方発
振周波数削除を低速掃引する場合あるいは掃引停止時に
訃いては、検出手段４１の時定数の大きい信号Ｅｆは第
２図ｃに示すような信号となる。この信号は、低周波信
号ｆ！ｎの３倍調波成分を示して卦り、ベースラインＴ
Ｂは零であり、しかも吸収周波数ν，の点でその値が丁
度零となるという特徴をもつている。また、検出手段４
２は、センサーオシレータの２のＬＦａｍｐからの吸収
信号ε。を入力とし、これを低周波信号Ｆ．の２倍調波
２ｆＩｎを参照波信号として同期整流するもので、低速
掃引あるいは掃引停止時において、その出力信号Ｅ２ｆ
は第２図ｄに示すような信号となる。この信号は、低周
波信号ＦＯの２倍調波成分を示しており、ベースライン
ＴＢは零で、吸収周波数νｔにおいて最大値をもつてい
る。これら検出手段４１，４２から得られる信号Ｅｆ，
Ｅ２ｆは、その時定数を大きくしたことから信号Ｅｆに
比べてＳ／Ｎが良好となる。次に制御回路６を含む装置
全体の動作を説明す ！る。
とし、これを低周波信号Ｆｎ］の３倍調波３ｆｎ１を参
照波信号として例えば同期整流するもので、発振周波数
νの高速掃引時に｝いて、時定数の小さい出力信号Ｅｆ
゛は、第２図ｂに示すような信号となる。なお、この高
速掃引時には、検出手段４１．４２からの時定数の大き
い信号Ｅｆ，Ｅ２ｆはほとんど零となつている。一方発
振周波数削除を低速掃引する場合あるいは掃引停止時に
訃いては、検出手段４１の時定数の大きい信号Ｅｆは第
２図ｃに示すような信号となる。この信号は、低周波信
号ｆ！ｎの３倍調波成分を示して卦り、ベースラインＴ
Ｂは零であり、しかも吸収周波数ν，の点でその値が丁
度零となるという特徴をもつている。また、検出手段４
２は、センサーオシレータの２のＬＦａｍｐからの吸収
信号ε。を入力とし、これを低周波信号Ｆ．の２倍調波
２ｆＩｎを参照波信号として同期整流するもので、低速
掃引あるいは掃引停止時において、その出力信号Ｅ２ｆ
は第２図ｄに示すような信号となる。この信号は、低周
波信号ＦＯの２倍調波成分を示しており、ベースライン
ＴＢは零で、吸収周波数νｔにおいて最大値をもつてい
る。これら検出手段４１，４２から得られる信号Ｅｆ，
Ｅ２ｆは、その時定数を大きくしたことから信号Ｅｆに
比べてＳ／Ｎが良好となる。次に制御回路６を含む装置
全体の動作を説明す ！る。
まず、測定開始と同時に制御回路６は、関数発生器４３
に高速掃引開始の信号を送る。関数発生器４３は、この
信号を受．けると、可変容量ダイオード２１にランプ関
数状に増加する電圧信号を与える。これによつて、セン
サーオシレータ２の １発振周波数νは第２図ｅに示さ
れるように高速掃引される。この高速掃引時に卦いて、
検出手段４１からの時定数の小さい出力信号Ｅｆ゛が一
定レベルＥｃ（第２図ｂ参照）に等しくなると、制御回
路６は比較器５１を介してこれを検出し、関数発生 ，
器４３に高速掃引停止の信号を送り、関数発生器４３の
出力を掃引停止時に｝ける値に維持させる。これによつ
て、センサーオシレータ２の発振周波数は掃引停止時に
卦ける周波数νｃ（第２図ｅ参照）に保持される。この
状態に｝いて、制御回路６は、比較器５２を介して検出
手段４２の出力信号Ｅ２ｆの値が一定レベルＥＳ（第２
図ｄ参照）を越えているかどうかを判断する。ここでＥ
２ｆ〉ＥＳであれば、信号Ｅｆ゛の振幅変化は材料１１
の吸収現象によるもの、すなわち、発振周波数ν。は吸
収周波数ν，の近傍にあることが確認され、またＥ２ｆ
＜ＥＳであれば、信号Ｅｆ゛にノイズが混入したことに
よるものとし、再び高速掃引が続行される。制御回路６
は、このように低周波信号の２倍調波信号Ｅ２ｆの値に
よつて吸収周波数信号の存在を確認することによつて、
ノイズ混入による誤動作を防いでいる。制御回路６は、
Ｅ２ｆ＞ＥＳで吸収周波数ν，の存在を確認すると、関
数発生器４３の出力を掃引停止時における値に引続き維
持した状態で、スイツチＳ１を導通させる。
に高速掃引開始の信号を送る。関数発生器４３は、この
信号を受．けると、可変容量ダイオード２１にランプ関
数状に増加する電圧信号を与える。これによつて、セン
サーオシレータ２の １発振周波数νは第２図ｅに示さ
れるように高速掃引される。この高速掃引時に卦いて、
検出手段４１からの時定数の小さい出力信号Ｅｆ゛が一
定レベルＥｃ（第２図ｂ参照）に等しくなると、制御回
路６は比較器５１を介してこれを検出し、関数発生 ，
器４３に高速掃引停止の信号を送り、関数発生器４３の
出力を掃引停止時に｝ける値に維持させる。これによつ
て、センサーオシレータ２の発振周波数は掃引停止時に
卦ける周波数νｃ（第２図ｅ参照）に保持される。この
状態に｝いて、制御回路６は、比較器５２を介して検出
手段４２の出力信号Ｅ２ｆの値が一定レベルＥＳ（第２
図ｄ参照）を越えているかどうかを判断する。ここでＥ
２ｆ〉ＥＳであれば、信号Ｅｆ゛の振幅変化は材料１１
の吸収現象によるもの、すなわち、発振周波数ν。は吸
収周波数ν，の近傍にあることが確認され、またＥ２ｆ
＜ＥＳであれば、信号Ｅｆ゛にノイズが混入したことに
よるものとし、再び高速掃引が続行される。制御回路６
は、このように低周波信号の２倍調波信号Ｅ２ｆの値に
よつて吸収周波数信号の存在を確認することによつて、
ノイズ混入による誤動作を防いでいる。制御回路６は、
Ｅ２ｆ＞ＥＳで吸収周波数ν，の存在を確認すると、関
数発生器４３の出力を掃引停止時における値に引続き維
持した状態で、スイツチＳ１を導通させる。
これによつて、検出手段４１の出力信号Ｅｆを入力とす
るＰＩ調節器４４の出力信号が関数発生器４３の出力信
号に加算され、可変容量ダイオード２１に与えられる。
そして、ＰＩ調節器４４、スイツチＳ１、センサーオシ
レータ２、検出手段４１で構成されるルーブは、検出手
段４１の出力信号Ｅｆ（低周波信号ＦＩｎの３倍調波成
分）が零となるようにセスサーオシレ］ータ２の発振周
波数を制御する。
るＰＩ調節器４４の出力信号が関数発生器４３の出力信
号に加算され、可変容量ダイオード２１に与えられる。
そして、ＰＩ調節器４４、スイツチＳ１、センサーオシ
レータ２、検出手段４１で構成されるルーブは、検出手
段４１の出力信号Ｅｆ（低周波信号ＦＩｎの３倍調波成
分）が零となるようにセスサーオシレ］ータ２の発振周
波数を制御する。
よつて、センサーオシレータ２の発振周波数は第２図ｅ
に示すように最終的に吸収周波数ν，に等しくなる。本
発明装置においては、検出手段４１から低周波信号Ｆｍ
の３倍調波成分を得ており〜この信号Ｅｆは吸収周波数
ν，の点ｐでその値が零となり、しかもこの点の前後の
周波数ではその値の極性が異なるという特徴をもつてい
るので、この信号Ｅｆが零となるように制御することに
よつて、センサーオシレータ２の発振周波数を高精度で
吸収周波数ν，に容易に追従させることができるもので
ある。センサーオシレータ２の発振周波数が吸収周波数
ν，に等しくなると、この発振周波数はＲＦａｍｐを介
して計数回路部７で計数され、この計数値を演算するこ
とによつて被測定温度を知ることができる。
に示すように最終的に吸収周波数ν，に等しくなる。本
発明装置においては、検出手段４１から低周波信号Ｆｍ
の３倍調波成分を得ており〜この信号Ｅｆは吸収周波数
ν，の点ｐでその値が零となり、しかもこの点の前後の
周波数ではその値の極性が異なるという特徴をもつてい
るので、この信号Ｅｆが零となるように制御することに
よつて、センサーオシレータ２の発振周波数を高精度で
吸収周波数ν，に容易に追従させることができるもので
ある。センサーオシレータ２の発振周波数が吸収周波数
ν，に等しくなると、この発振周波数はＲＦａｍｐを介
して計数回路部７で計数され、この計数値を演算するこ
とによつて被測定温度を知ることができる。
な卦、上記の実施例においては検出手段４１から高速掃
引に適した時定数の小さい信号Ｅ，″ を用いて掃引停
止点を検出するようにしたものであるが、高速掃引を希
望しない場合には、検出手段４１あるいは検出手段４２
からの時定数の大きい信号ＥｆあるいはＥ２ｆを用いて
掃引停止点を検出してもよい。
引に適した時定数の小さい信号Ｅ，″ を用いて掃引停
止点を検出するようにしたものであるが、高速掃引を希
望しない場合には、検出手段４１あるいは検出手段４２
からの時定数の大きい信号ＥｆあるいはＥ２ｆを用いて
掃引停止点を検出してもよい。
また、検出手段４２，４１から得られる第２倍調波成分
Ｅ２ｆｌ第３倍調波成分Ｅｆ，Ｅｉ′はその基本波成分
に比べて次第に小さくなるという欠点があるが、これは
、低周波信号Ｆ．の振幅を、センサーオシレータの発振
振幅が変化する吸収領域Ｗ（第２図ａ参照）と同程度以
上に周波数シフト（例えば＋５ｋＨｚ）するようにその
値を選定することによつて解決できる。以上説明したよ
うに、本発明によればノイズに強く、高精度の温度測定
が行なえる温度計が実現できる。
Ｅ２ｆｌ第３倍調波成分Ｅｆ，Ｅｉ′はその基本波成分
に比べて次第に小さくなるという欠点があるが、これは
、低周波信号Ｆ．の振幅を、センサーオシレータの発振
振幅が変化する吸収領域Ｗ（第２図ａ参照）と同程度以
上に周波数シフト（例えば＋５ｋＨｚ）するようにその
値を選定することによつて解決できる。以上説明したよ
うに、本発明によればノイズに強く、高精度の温度測定
が行なえる温度計が実現できる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成プロツク図、第２
図は第１図装置の動作を説明するための動作波形図であ
る。 １・・・・・・温度検出端、２・・・・・・センサーオ
シレータ、３・・・・・・低周波発振器、４１，４２・
・・・・・検出手段、４３・・・・・・関数発生器、４
４・・・・・・調節器、５１〜５３・・・・・・比較器
、６・・・・・・制御回路、７・・・・・・計数回路部
。
図は第１図装置の動作を説明するための動作波形図であ
る。 １・・・・・・温度検出端、２・・・・・・センサーオ
シレータ、３・・・・・・低周波発振器、４１，４２・
・・・・・検出手段、４３・・・・・・関数発生器、４
４・・・・・・調節器、５１〜５３・・・・・・比較器
、６・・・・・・制御回路、７・・・・・・計数回路部
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 共鳴吸収周波数が温度依存性をもつ共鳴材料と、低
周波増幅器と高周波増幅器を含み前記共鳴材料の共鳴吸
収周波数を検出するとともに低周波増幅器を介して吸収
信号を、高周波増幅器を介して発振周波数信号をそれぞ
れ出力するセンサーオシレータと、このセンサーオシレ
ータの発振周波数を低周波信号で周波数変調する変調手
段と、前記センサーオシレータから得られる吸収信号か
ら前記低周波信号の２倍調波成分および３倍調波成分を
それぞれ検出する検出手段と、前記２倍調波成分を入力
して共鳴吸収周波数信号の存在を確認するとともに前記
３倍調波成分を入力して前記センサーオシレータの発振
周波数を共鳴吸収周波数に一致するように制御する制御
手段とを具備し、前記センサーオシレータの発振周波数
から被測定温度を知るようにした共鳴吸収現象を利用し
た温度計。 ２ 変調手段において、センサーオシレータの発振周波
数を変調する低周波信号の振幅値を、前記センサーオシ
レータの発振周波数が吸収信号の吸収領域幅と同程度以
上に周波数シフトするように選定した特許請求の範囲第
１項記載の共鳴吸収現象を利用した温度計。 ３ 制御手段は第３調波成分を入力とする調節器を含ん
でおり、この調節器の出力信号によつてセンサーオシレ
ータの発振周波数を共鳴吸収周波数に一致させるように
制御するようにした特許請求の範囲第１項記載の共鳴吸
収現象を利用した温度計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14641177A JPS593696B2 (ja) | 1977-12-05 | 1977-12-05 | 共鳴吸収現象を利用した温度計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14641177A JPS593696B2 (ja) | 1977-12-05 | 1977-12-05 | 共鳴吸収現象を利用した温度計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5479088A JPS5479088A (en) | 1979-06-23 |
| JPS593696B2 true JPS593696B2 (ja) | 1984-01-25 |
Family
ID=15407077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14641177A Expired JPS593696B2 (ja) | 1977-12-05 | 1977-12-05 | 共鳴吸収現象を利用した温度計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593696B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61137498A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スピ−カ |
-
1977
- 1977-12-05 JP JP14641177A patent/JPS593696B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61137498A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スピ−カ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5479088A (en) | 1979-06-23 |
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