JPS5936766B2 - メモリ電源切換回路 - Google Patents

メモリ電源切換回路

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JPS5936766B2
JPS5936766B2 JP53143713A JP14371378A JPS5936766B2 JP S5936766 B2 JPS5936766 B2 JP S5936766B2 JP 53143713 A JP53143713 A JP 53143713A JP 14371378 A JP14371378 A JP 14371378A JP S5936766 B2 JPS5936766 B2 JP S5936766B2
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JP
Japan
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circuit
power supply
terminal
transistor
voltage
Prior art date
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Expired
Application number
JP53143713A
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English (en)
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JPS5570999A (en
Inventor
友明 入路
周一 二宮
弼一 三木
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Stand-By Power Supply Arrangements (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
  • Power Sources (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は全体として主回路とメモリ回路を備える回路手
段のうちのメモリ回路には他の主回路への印加電源とは
別異なメモリ電源からの電力をバックアップし、そのメ
モリ回路の状態を保持し続けるようにしたメモリ電源切
換回路に関するものである。
従来例の構成とその問題点 一般に、全体として主回路とメモリ回路を備える回路手
段に対して電源供給を行なう場合には、第1図に示すよ
うに主電源1からの電力をトランジスタ8とツエナーダ
イオード9及び抵抗10でなる電圧安定化回路3を介し
て主回路5とメモリ回路4を備える回路手段11のそれ
ぞれの電源入力端子SS,VDD間に加え、一方、上記
メモリ回路4の電源入力端子VMMには上記回路手段1
0の夫々の電源入力端子V8S,VDDに接続したダイ
オード6,7およびメモリ電源2の直列回路の上記ダイ
オード6,7の接続点電位を加えるように構成していた
この場合、電源スイツチ12がオフの状態にあつて上記
主電源1からの電力が上記回路手段11中の主回路5へ
供給されず、上記メモリ回路4のみがメモリ電源2から
電力供給されることにより、上記メモリ回路4の情報を
保持し続けるときには上記メモリ回路4の電源電圧は両
回路の動作中のものに比べて低くてもよい。そして、上
記回路4,5がともに動作中の場合には供給される電源
の電圧値はほぼ等しくないと互いの回路のデータのやり
とりがうまくゆかないのが普通である。その為にダイオ
ード7としては順方向電圧降下のより大きいシリコン型
でなく、ゲルマニウム型を使用していた。し力化、この
場合にはダイオード7の逆方向のリーク電流が大きくな
り、メモリ電源2の電力消費が大きいという問題点があ
つた。一方、上述のゲルマニウムダイオード7に代え第
2図に示すようにトランジスタ13を使用し、そのトラ
ンジスタ13のベースを抵抗14を介して電圧安定化回
路3の出力点に接続することによりバイアスすると、上
記回路手段11の両回路4,5の動作中はトランジスタ
13のコレクターエミツタ間の電位が下がるので回路4
と5の印加電圧の差はほとんどなく、両回路4,5は満
足に動作する。しかし、メモリ回路4のみにメモリ電源
2から電圧が印加されている場合、トランジスタ13の
ベースからコレクタに電圧が順方向に印加されてトラン
ジスタ13のエミツタからコレクタの方向にリーク電流
が流れ、メモリ電源2の電力消費が大きいという問題点
があつた。発明の目的本発明はこのような従来の欠点を
解消するものであり、リーク電流に起因するメモリ電源
の電力消費を少なくすることができるメモリ電源切換回
路を提供することを目的とする。
発明の構成 上記の目的を達成するため、本発明のメモリ電源切換回
路は、回路手段を構成する主回路の負の電源端子とメモ
リ回路の負の電源端子との間に接続したNPNトランジ
スタのベースに抵抗を介して電圧安定化回路の電圧安定
化点を接続することにより、上記電圧安定化回路を構成
するトランジスタおよびダイオードのPN接合の逆方向
特性を利用して上記NPNトランジスタのベース抵抗を
高めるように構成したことを特長とするものである。
かかる構成によれば、トランジスタ13のベースからコ
レクタの方向に電流が流れ、その結果トランジスタ13
のエミツタからコレクタにり−ク電流が流れるのを防止
することができ、メモリ電源の電力消費を少なくするこ
とができるものである。実施例の説明 以下、本発明について実施例の図面と共に説明する。
第3図は本発明の一実施例を示し、図中、21は第1の
回路例えばメモリ回路、22は第2の回路、23はDC
主電源、24はDC副電源、25は電源スイツチ、26
はPNPトランジスタ、27〜28はNPNトランジス
タ、29〜32は抵抗、33はツエナーダイオード、3
4と35はシリコンダイオード、36は第1の回路21
と第2の回路22の正の共通電源端子、37は第1の回
路21の負の電源端子、38は第2の回路22の負の電
源端子である。ここで、電源23の電圧は電源24より
も大きく設定してあるので、電源スイツチ25が閉じら
れている時、ダイオード35は逆方向にバイアスされ、
トランジスタ28のコレクターエミツタ間はほぼO近く
の電圧にさがる。
従つて第1の回路21と第2の回路22はほぼ等しい電
源電圧を印加されるので、正常に動作することになる。
次にスイツチ25を開くと、第1の回路21にはDC副
電源24よりダイオード35の順方向電圧低下分をさし
引いた電圧が印加され、その結果第1の回路21の情報
を保持し続ける。そして、この時トランジスタ28のベ
ースからコレクタには電流が流れなく、その結果、トラ
ンジスタ28のエミツタからコレクタにリーク電流がほ
とんど流れない。なぜならば、トランジスタ27、ダイ
オード34、トランジスタ26に含まれるいずれも逆方
向のPN接合が抵抗32を通してトランジスタ28のベ
ースに接続されており、且つ電源スイツチ25が開かれ
て電源23が切り放されているからである。すなわち、
第1の回路21の情報を保持するために電源24から電
力を供給する時、不要な電流を減らすことができ、電源
24が電池の場合その電池の寿命を伸ばすことができる
という効果がある。また、第2の効果として電源23,
24がともに電池であつて、電池23の電圧が電池24
よりも減つた場合に電源スイツチ25を投入したまま放
置した場合にもトランジスタ28のエミツタからコレタ
タに流れる電流をほとんどなくすことが出来る。なぜな
らば、電池23の電圧が下がるとトランジスタ26のエ
ミツターベース間が遮断状態になり、その結果抵抗32
に電流が流れる為の条件が消失するからである。しかも
、第3の効果として、電源23の代りに抵抗がつながり
且つ電源スイツチ25が投入された場合にも同様にトラ
ンジスタ28のエミツタからコレクタに流れる電流をほ
とんどなくすことができる。なぜならぱ、トランジスタ
26のエミツタからベースに電流が流れず従つてトラン
ジスタ26のエミツタからコレクタに電流が流れないか
らである。この第3の効果に対応する場合とはトランス
とダイオードおよび静電容量から成る簡単な交流一直流
変換器を電源23の代りにつなぎ且つ交流電源がこの交
流一直流変換器に印加されていない場合などが考えられ
る。発明の効果 以上のように本発明によれば、メモリ回路を電池で常に
バツクアツプしたとき、その電池の電力消費を少なくす
ることができ、その電池の寿命を長く保つ上で非常に効
果的である。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来のメモリ電源切換回路を示す
回路結線図、第3図は本発明のメモリ電源切換回路の一
実施例を示す回路結線図である。 26,27,28・・・・・・トランジスタ、34,3
5・・・・・・ダイオード、29〜32・・・・・・抵
抗、33・・・・・・ツエナーダイオード、23,24
・・・・・・DC電源。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1の回路と第2の回路を有する回路手段の共通の
    正の電源端子に正極が接続されたメモリ用直流電源と、
    上記回路手段を構成する第1の回路の負の電源端子にコ
    レクタが接続されると共に上記回路手段を構成する第2
    の回路の負の電源端子にエミッタが接続されたNPNト
    ランジスタと、上記メモリ用直流電源の負極にカソード
    が接続されると共に上記NPNトランジスタのコレクタ
    にアノードが接続されたダイオードと、上記回路手段を
    構成する第1および第2の回路の共通の正の電源端子と
    上記回路手段を構成する第2の回路の負の電源端子との
    間に接続され、スイッチにて断続されるメイン用直流電
    源からの電圧を安定化して上記回路手段を構成する第1
    および第2の回路に供給する電圧安定化回路を備えてな
    り、上記NPNトランジスタのベース抵抗を上記電圧安
    定化回路を構成するトランジスタおよびダイオードのP
    N接合の逆方向特性を利用して高めるように上記電圧安
    定化回路の安定化電位点を抵抗を介して上記NPNトラ
    ンジスタのベースに接続したことを特徴とするメモリ電
    源切換回路。 2 電圧安定化回路は第1回路および第2回路を備える
    回路手段の共通の正の電源端子にエミッタが接続される
    と共にメイン用直流電源の正極にコレクタが接続される
    NPNトランジスタと、上記NPNトランジスタのコレ
    クタにエミッタが接続されると共にベースが上記メイン
    用直流電源の正負極間に接続される第1および第2の抵
    抗の分圧点に接続され、コレクタが第3の抵抗を介して
    上記NPNトランジスタのベースに接続されたPNPト
    ランジスタと、上記NPNトランジスタのベースにカソ
    ードが接続されたツェナーダイオードと、そのツェナー
    ダイオードのアノードにアノードが接続されると共にカ
    ソードが上記メイン用直流電源の負極に接続されたダイ
    オードを備えてなり上記ツェナーダイオードのカソード
    と上記第3の抵抗および上記NPNトランジスタのベー
    スとの接続点に上記回路手段を構成する第1回路の負の
    電源端子と上記第2回路の負の電源端子間に設けたNP
    Nトランジスタのベースを第4の抵抗を介して接続した
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のメモリ電
    源切換回路。
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JPS59148649U (ja) * 1983-03-26 1984-10-04 矢野 利人 椅子

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