JPS5936249B2 - 光スイツチ - Google Patents
光スイツチInfo
- Publication number
- JPS5936249B2 JPS5936249B2 JP2978078A JP2978078A JPS5936249B2 JP S5936249 B2 JPS5936249 B2 JP S5936249B2 JP 2978078 A JP2978078 A JP 2978078A JP 2978078 A JP2978078 A JP 2978078A JP S5936249 B2 JPS5936249 B2 JP S5936249B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- waveguide
- region
- coupling
- waveguides
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光集積回路において導波された光波の強度、
および導波される光路の選択を、電気的に制御する光ス
イッチに関するものである。
および導波される光路の選択を、電気的に制御する光ス
イッチに関するものである。
従来この種の代表的な素子としては、バランス・ブリツ
ヂ形の光スイッチがある。この基本構造を第１図に示す
。電気光学効果を有する基板１の表面に、２本の同一の
線路状光導波路２、３が作成されている。光導波路２、
３が平行近接する領域が２ケ所あり、この部分は３ｄＢ
結合部４、５となっている。またその中間には光変調部
６が存在し、電気光学効果により光導波路２、３の間に
位相差φを与えるための電極１、８、９が設けられてい
る。なお基板１の分極軸１０は基板内にあり、各電極の
間隙に集中する印加電界の方向と平行となる場合を示し
ている。このような構造の素子に、光導波路２の入躬端
１１から単位強度の光が入射されると、３ｄＢ結合部４
において５０％の光波は光導波路３へ移行する。
ヂ形の光スイッチがある。この基本構造を第１図に示す
。電気光学効果を有する基板１の表面に、２本の同一の
線路状光導波路２、３が作成されている。光導波路２、
３が平行近接する領域が２ケ所あり、この部分は３ｄＢ
結合部４、５となっている。またその中間には光変調部
６が存在し、電気光学効果により光導波路２、３の間に
位相差φを与えるための電極１、８、９が設けられてい
る。なお基板１の分極軸１０は基板内にあり、各電極の
間隙に集中する印加電界の方向と平行となる場合を示し
ている。このような構造の素子に、光導波路２の入躬端
１１から単位強度の光が入射されると、３ｄＢ結合部４
において５０％の光波は光導波路３へ移行する。
光変調部６において電圧が印加されていない状態、すな
わち位相差φ■０の場合においては、次の３ｄＢ結合部
５において、さらに光結合が生じ、１００％の光が導波
路３へ移行する。すなわち出射端１２の光強度は０、出
射端１３の光強度は１となる。一方、光変調部６におい
て、位相差φ＝πとなるように電圧が印加された状態で
は、３ｄＢ結合部４で導波路３へ移つた５０％の光波は
、３ｄＢ結合部５において導波路２にもどり、出射端１
２の光強度は１、出射端１３の光強度は０となる。
わち位相差φ■０の場合においては、次の３ｄＢ結合部
５において、さらに光結合が生じ、１００％の光が導波
路３へ移行する。すなわち出射端１２の光強度は０、出
射端１３の光強度は１となる。一方、光変調部６におい
て、位相差φ＝πとなるように電圧が印加された状態で
は、３ｄＢ結合部４で導波路３へ移つた５０％の光波は
、３ｄＢ結合部５において導波路２にもどり、出射端１
２の光強度は１、出射端１３の光強度は０となる。
したがつて電気光学効果を利用することにより、光スイ
ッチングが可能となる。しかしながら第１図に示す構造
においては、光変調部６で導波路間の光結合が生じず、
位相差のみが与えられることが不可欠であり、このため
に両光導波路間の間隔を大きくする必要がある。
ッチングが可能となる。しかしながら第１図に示す構造
においては、光変調部６で導波路間の光結合が生じず、
位相差のみが与えられることが不可欠であり、このため
に両光導波路間の間隔を大きくする必要がある。
この目的のために、二つの３ｄＢ結合部４、５と光変調
部６を接続するのに曲がりまたは折れ線状導波路を用い
ることになるが、例えばＬｉＮｂＯ３単結晶を基板とし
て、不純物拡散等により作成された光導波路では、屈折
率差が小さいので曲がりによる光損失が大きかつた。ま
たこの曲がり部または折れ線部は、３ｄＢ結合部と光変
調部とを接続する作用のみで、光スイッチングの作用に
は寄与しないうえ、光伝搬損失の原因、あるいは素子の
全長が大きくなる原因となつた。さらに３ｄＢ結合部を
作成する際、設計通り３ｄＢ結合とすることは極めて困
難であつた。本発明は前述の問題点を解決するため、直
線部からのみ成る１組の光導波路に、２ケ所の３ｄＢ結
合部および光変調部を一体として構成したものである。
部６を接続するのに曲がりまたは折れ線状導波路を用い
ることになるが、例えばＬｉＮｂＯ３単結晶を基板とし
て、不純物拡散等により作成された光導波路では、屈折
率差が小さいので曲がりによる光損失が大きかつた。ま
たこの曲がり部または折れ線部は、３ｄＢ結合部と光変
調部とを接続する作用のみで、光スイッチングの作用に
は寄与しないうえ、光伝搬損失の原因、あるいは素子の
全長が大きくなる原因となつた。さらに３ｄＢ結合部を
作成する際、設計通り３ｄＢ結合とすることは極めて困
難であつた。本発明は前述の問題点を解決するため、直
線部からのみ成る１組の光導波路に、２ケ所の３ｄＢ結
合部および光変調部を一体として構成したものである。
以下図面により本発明を詳細に説明する。本発明の基本
構成を第２図に示す。第３図は第２図のＡ−Ａ７におけ
る断面図である。第２図、第３図において、１は電気光
学効果を有する物質から成る基板、２および３は基板１
の表面近傍に作成された２本の同一の直線光導波路であ
る。例えば基板としてＬｉＮｂＯ３単結晶を用いた場合
には、Ｔｉ金属を５００人程度パターン化して蒸着し、
大気中で１０００℃、１０時間熱拡散すれば、８μｍ幅
のとき波長１μｍのレーザ光に対して単一モードのみを
伝搬できる光導波路が作成できる。この光導波路間の間
隙を数μｍに設定することにより、両光導波路間に光結
合が生じ、一方の導波路を伝搬してきた光波は、次第に
他方の導波路へ移行していく。間隙を５μｍに設定した
場合、１００（Ｆｔ）の光波を移行するのに必要な結合
長Ｌ。は５〜１０ｍｍとなる。この場合の結合係数はＫ
＝π／２Ｌ０で定義される。第２図において４および５
は２本の導波路が平行近接した形合領域（本発明の素子
構造においては素子の全長）を３分割した第１領域およ
び第３領域であり、この領域の長さＴｌ，ｔ３はともに
１００％結合長の半分、すなわちＬ。
構成を第２図に示す。第３図は第２図のＡ−Ａ７におけ
る断面図である。第２図、第３図において、１は電気光
学効果を有する物質から成る基板、２および３は基板１
の表面近傍に作成された２本の同一の直線光導波路であ
る。例えば基板としてＬｉＮｂＯ３単結晶を用いた場合
には、Ｔｉ金属を５００人程度パターン化して蒸着し、
大気中で１０００℃、１０時間熱拡散すれば、８μｍ幅
のとき波長１μｍのレーザ光に対して単一モードのみを
伝搬できる光導波路が作成できる。この光導波路間の間
隙を数μｍに設定することにより、両光導波路間に光結
合が生じ、一方の導波路を伝搬してきた光波は、次第に
他方の導波路へ移行していく。間隙を５μｍに設定した
場合、１００（Ｆｔ）の光波を移行するのに必要な結合
長Ｌ。は５〜１０ｍｍとなる。この場合の結合係数はＫ
＝π／２Ｌ０で定義される。第２図において４および５
は２本の導波路が平行近接した形合領域（本発明の素子
構造においては素子の全長）を３分割した第１領域およ
び第３領域であり、この領域の長さＴｌ，ｔ３はともに
１００％結合長の半分、すなわちＬ。
／２に設定する。この結果、領域４，５はともに３ｄＢ
結合部となる。６は残りの第２領域（光変調部として作
用する領域）であり、これについては詳しく後述する。
結合部となる。６は残りの第２領域（光変調部として作
用する領域）であり、これについては詳しく後述する。
１４は位相不整合用薄膜であり、導波路３のみに選択的
に装荷されている。
に装荷されている。
位相不整合用薄膜としては、これを装荷することにより
、導波路の伝搬定数が比較的大きく変化し、かつ光伝搬
損失が小さいものであればよい。例えば導波路より高い
屑折率を有するものとして、Ｔｉ拡散ＬｉＮｂＯ３導波
路の場合には、Ｓｅ−Ｓをベースとしたカルコゲナイド
ガラス薄膜が利用できる。また低屈折率膜としては、Ｓ
ｉＯ２やＡ．／．２０３などが利用できる。なお低屈折
率膜を利用する場合には、第５図、第６図に示す素子構
造が適しており、これについては後述する。第３図には
、高屈折率膜の場合の光スイツチの く断面を示してあ
る。
、導波路の伝搬定数が比較的大きく変化し、かつ光伝搬
損失が小さいものであればよい。例えば導波路より高い
屑折率を有するものとして、Ｔｉ拡散ＬｉＮｂＯ３導波
路の場合には、Ｓｅ−Ｓをベースとしたカルコゲナイド
ガラス薄膜が利用できる。また低屈折率膜としては、Ｓ
ｉＯ２やＡ．／．２０３などが利用できる。なお低屈折
率膜を利用する場合には、第５図、第６図に示す素子構
造が適しており、これについては後述する。第３図には
、高屈折率膜の場合の光スイツチの く断面を示してあ
る。
この場合の薄膜の厚みは、位相不整合用薄膜１４中に導
波モードが成立しない、いわゆるカツトオフ厚以下に設
定する必要がある。１５は位相不整合用薄膜１４の局所
的な装荷の後に、基板表面全体に作成されたバツフア層
である。
波モードが成立しない、いわゆるカツトオフ厚以下に設
定する必要がある。１５は位相不整合用薄膜１４の局所
的な装荷の後に、基板表面全体に作成されたバツフア層
である。
屈折率が導波路より小さい屈折率をもつ薄膜、例えばＳ
ｉＯ２やＡｔ２Ｏ３膜が利用される。バツフア層１５は
金属電極７，８による光吸収を防ぐことが目的なので、
少なくとも光変調部６のみに装荷されていればよい。電
極７，８は２本の導波路の真上に作成された１組のプレ
ーナ電極であり、その間隔は光導波路の間隙とほぼ等し
く、その長さは光変調部６の長さＴ２と一致する。なお
この場合矢印で示した電気光学結晶の分極軸１０は基板
に垂直である。電極７，８に電圧を印加すると、深さ方
向の電界が電極下に集中して生じ、かつその符号が異な
る。この電界が集中する領域に導波路２，３が存在する
ので、導波路間に位相差ΔβＥが生じる。基板をＬｌＮ
ｂＯ３とし、ＴＭモードの光に対しては、位相差はで与
えられる。
ｉＯ２やＡｔ２Ｏ３膜が利用される。バツフア層１５は
金属電極７，８による光吸収を防ぐことが目的なので、
少なくとも光変調部６のみに装荷されていればよい。電
極７，８は２本の導波路の真上に作成された１組のプレ
ーナ電極であり、その間隔は光導波路の間隙とほぼ等し
く、その長さは光変調部６の長さＴ２と一致する。なお
この場合矢印で示した電気光学結晶の分極軸１０は基板
に垂直である。電極７，８に電圧を印加すると、深さ方
向の電界が電極下に集中して生じ、かつその符号が異な
る。この電界が集中する領域に導波路２，３が存在する
ので、導波路間に位相差ΔβＥが生じる。基板をＬｌＮ
ｂＯ３とし、ＴＭモードの光に対しては、位相差はで与
えられる。
ここでλは真空中におけるレーザ光波長、Ｎｅは導波路
の屈折率、Ｒ３３は電気光学係数、ｒは補正係数、Ｖは
印加電圧、ｇは電極間隔である。一方、光変調部６にお
いては、前述したように位相不整合用薄膜１４が一方の
導波路３のみに装荷されている。
の屈折率、Ｒ３３は電気光学係数、ｒは補正係数、Ｖは
印加電圧、ｇは電極間隔である。一方、光変調部６にお
いては、前述したように位相不整合用薄膜１４が一方の
導波路３のみに装荷されている。
従つて導波路３の伝搬定数は、導波路２に比べて大きく
変化している。その位相差をΔβＬとする。位相差Δβ
Ｌは２本の導波路間の本来の結合係数Ｋに比べて十分大
きくすることができる。この結果、本来ならば両導波路
間に光結合を生じるはずの光変調部６において位相不整
合となり、光波の移行は生じなくなる。例れば１００％
結合長Ｌ。を５ｍｍとすれば、Ｋ＝３×１０−４μｍ−
１となり、一方、Ｔｉ拡散ＬｉＮｂＯ３導波路にＡ８４
ＯＳｅｌＯ−Ｓ４Ｏ−ＧｅｌＯカルコゲナイドガラス薄
膜を３０００Ａ程度装荷することにより、その変化した
位相差ΔβＬは約３×１０−３μ［１１′１となり、１
桁大きい。従つてこの領域における光結合は無視できる
程度に小さい。以上の結果、電気光学効果および位相不
整合用薄膜の装荷に伴う合計の位相差ΔβＴはとなる。
変化している。その位相差をΔβＬとする。位相差Δβ
Ｌは２本の導波路間の本来の結合係数Ｋに比べて十分大
きくすることができる。この結果、本来ならば両導波路
間に光結合を生じるはずの光変調部６において位相不整
合となり、光波の移行は生じなくなる。例れば１００％
結合長Ｌ。を５ｍｍとすれば、Ｋ＝３×１０−４μｍ−
１となり、一方、Ｔｉ拡散ＬｉＮｂＯ３導波路にＡ８４
ＯＳｅｌＯ−Ｓ４Ｏ−ＧｅｌＯカルコゲナイドガラス薄
膜を３０００Ａ程度装荷することにより、その変化した
位相差ΔβＬは約３×１０−３μ［１１′１となり、１
桁大きい。従つてこの領域における光結合は無視できる
程度に小さい。以上の結果、電気光学効果および位相不
整合用薄膜の装荷に伴う合計の位相差ΔβＴはとなる。
一方、導波路２へ単位強度の光を入射した場合導波路２
，３の出射端面における強度Ｐ，Ｑは、結合理論よりで
与えられることが導かれる。
，３の出射端面における強度Ｐ，Ｑは、結合理論よりで
与えられることが導かれる。
Ｐ，Ｑの変化の様子を第４図に示す。したがつてΔβＬ
が薄膜１４の装荷により一定の値となつた後、ΔβＥを
１ΔβＥ１くπの範囲変化するのみで、Ｐ，ＱをＯから
１まで変えることができ、光スイツチングが可能となる
。
が薄膜１４の装荷により一定の値となつた後、ΔβＥを
１ΔβＥ１くπの範囲変化するのみで、Ｐ，ＱをＯから
１まで変えることができ、光スイツチングが可能となる
。
例えばΔβＥ＝πとしたとき必要とされる印加電圧Ｖ。
は、で与えられる。ここでＴ２は光変調部６の長さであ
る。例えばｇ＝５μＭ，．ｔ２−１０ｍｕ１λ＝１．１
５μＭ．ｎｅ−＝２．２、Ｒ３３＝３０．８×１０−６
μｍ／、ｒ＝０．５とした場合には、ｏ−１．８Ｖで動
作することができる。この実施例においては、分極軸が
基板に垂直で、かつ高屈折率膜を利用した場合を示した
が、分極軸が基板内にあり、かつ低屈折率膜を利用する
ことも可能である。
は、で与えられる。ここでＴ２は光変調部６の長さであ
る。例えばｇ＝５μＭ，．ｔ２−１０ｍｕ１λ＝１．１
５μＭ．ｎｅ−＝２．２、Ｒ３３＝３０．８×１０−６
μｍ／、ｒ＝０．５とした場合には、ｏ−１．８Ｖで動
作することができる。この実施例においては、分極軸が
基板に垂直で、かつ高屈折率膜を利用した場合を示した
が、分極軸が基板内にあり、かつ低屈折率膜を利用する
ことも可能である。
この場合の基本構造を第５図に、また第５図のＢ−Ｂ′
における断面を第６図に示す。第２図、第３図と同一の
ものは同一符号で示してある。第２図、第３図に示す実
施例と大きく異なる点は、電極が一方の導波路をはさむ
ように設けられていること、およびバツフア層が必要と
されないことである。なぜならば位相不整合用薄膜の屈
折率が導波路より小さいので、同程度の屈折率をもつバ
ツフア層を装荷すると両導波路２，３の間に十分な位相
不整合を生じない恐れがあるためである。動作原理は前
述の場合と同じである。以上主としてＬｌＮｂＯ３単結
晶を基板として利用した場合について説明したが、Ｇａ
Ａｓ等の半導体を基板とした光導波路においても同様の
ことが成立するので、ＧａＡｓ等の半導体を本発明の素
子構造に適用することが可能である。以上説明したよう
に、本発明の光スイツチは、２本の直線導波路で構成さ
れているので、次の利点がある。
における断面を第６図に示す。第２図、第３図と同一の
ものは同一符号で示してある。第２図、第３図に示す実
施例と大きく異なる点は、電極が一方の導波路をはさむ
ように設けられていること、およびバツフア層が必要と
されないことである。なぜならば位相不整合用薄膜の屈
折率が導波路より小さいので、同程度の屈折率をもつバ
ツフア層を装荷すると両導波路２，３の間に十分な位相
不整合を生じない恐れがあるためである。動作原理は前
述の場合と同じである。以上主としてＬｌＮｂＯ３単結
晶を基板として利用した場合について説明したが、Ｇａ
Ａｓ等の半導体を基板とした光導波路においても同様の
ことが成立するので、ＧａＡｓ等の半導体を本発明の素
子構造に適用することが可能である。以上説明したよう
に、本発明の光スイツチは、２本の直線導波路で構成さ
れているので、次の利点がある。
（１）導波路の曲がり、折れ線部で生じる光損失がない
。
。
（２）光スイツチの動作に不要な曲がり部がないので、
素子の全長を短くでき、光挿入損の低下をはかることが
できる。
素子の全長を短くでき、光挿入損の低下をはかることが
できる。
（３）あるいは変調部Ｔ２の長さを相対的に大きくする
ことにより、変調電圧を低下することができる。
ことにより、変調電圧を低下することができる。
（４）薄膜装荷前の光結合度から１００％結合長Ｌ。
が求められ、これより位相不整合用薄膜の装荷範囲Ｔ２
を決定すればよいので、３ｄＢ結合部が容易に作成でき
る。（５）薄膜装荷は光導波路自体を傷つけないので、
たとえ装荷領域をまちがつても、やり直しができる。
を決定すればよいので、３ｄＢ結合部が容易に作成でき
る。（５）薄膜装荷は光導波路自体を傷つけないので、
たとえ装荷領域をまちがつても、やり直しができる。
本発明はこれ等の極めて重大な特長をもつているので、
将来、光伝送システムにおける光変調器等の応用に有効
である。
将来、光伝送システムにおける光変調器等の応用に有効
である。
第１図は従来のバランス・ブリツヂ形スイツチの基本構
成図、第２図は本発明の一実施例の基本構成図、第３図
は第２図のＡ−Ａ′における断面図、第４図は本発明の
動作特性の説明図、第５図は本発明の他の実施例の基本
構成図、第６図は第５図のＢ−Ｂ７における断面図であ
る。 １・・・・・・基板、２，３・・・・・・光導波路、４
・・・・・・３ｄＢ結合部（第１領域）、５・・・・・
・３ｄＢ結合部（第３領域）、６・・・・・・光変調部
（第２領域）、７，８，９・・・・・・電極、１０・・
・・・・分極軸、１１・・・・・・導波路の入射端、１
２，１３・・・・・・導波路の出射端、１４・・・・・
・位相不整合用薄膜、１５・・・・・・バツフア層。
成図、第２図は本発明の一実施例の基本構成図、第３図
は第２図のＡ−Ａ′における断面図、第４図は本発明の
動作特性の説明図、第５図は本発明の他の実施例の基本
構成図、第６図は第５図のＢ−Ｂ７における断面図であ
る。 １・・・・・・基板、２，３・・・・・・光導波路、４
・・・・・・３ｄＢ結合部（第１領域）、５・・・・・
・３ｄＢ結合部（第３領域）、６・・・・・・光変調部
（第２領域）、７，８，９・・・・・・電極、１０・・
・・・・分極軸、１１・・・・・・導波路の入射端、１
２，１３・・・・・・導波路の出射端、１４・・・・・
・位相不整合用薄膜、１５・・・・・・バツフア層。
Claims (1)
- １ 電気光学効果を有する物質から成る基板の表面近傍
に作成された２本の平行近接した同一の直線光導波路の
結合領域を３分割し、その第１領域および第３領域にお
ける該光導波路間の光結合度が３ｄＢとなるようにし、
第２領域における該光導波路のいずれか１本の光導波路
のみに位相不整合用薄膜を装荷し、かつ第２領域におけ
る該光導波路間の位相差に電気的な変化を与えるため、
第２領域に１組の電極を設けたことを特徴とする光スイ
ッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2978078A JPS5936249B2 (ja) | 1978-03-17 | 1978-03-17 | 光スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2978078A JPS5936249B2 (ja) | 1978-03-17 | 1978-03-17 | 光スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54123049A JPS54123049A (en) | 1979-09-25 |
| JPS5936249B2 true JPS5936249B2 (ja) | 1984-09-03 |
Family
ID=12285522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2978078A Expired JPS5936249B2 (ja) | 1978-03-17 | 1978-03-17 | 光スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936249B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124255A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Hitachi Ltd | 半導体パツケ−ジ構造 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5735826A (en) * | 1980-08-13 | 1982-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical switching device |
| JPS57173814A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical waveguide branching device |
-
1978
- 1978-03-17 JP JP2978078A patent/JPS5936249B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124255A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Hitachi Ltd | 半導体パツケ−ジ構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54123049A (en) | 1979-09-25 |
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