JPS5936026Y2 - 電子同調チュ_ナのバイアス回路 - Google Patents

電子同調チュ_ナのバイアス回路

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JPS5936026Y2
JPS5936026Y2 JP10631978U JP10631978U JPS5936026Y2 JP S5936026 Y2 JPS5936026 Y2 JP S5936026Y2 JP 10631978 U JP10631978 U JP 10631978U JP 10631978 U JP10631978 U JP 10631978U JP S5936026 Y2 JPS5936026 Y2 JP S5936026Y2
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JP
Japan
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diodes
circuit
terminal
current
tuner
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JP10631978U
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JPS5524835U (ja
Inventor
英司 西沢
Original Assignee
アルプス電気株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、スイッチングダイオードを用いて同調コイル
の切換えを行なう電子同調チューナのバイアス回路に関
するものである。
従来の電子同調チューナは、例えば第1図に示す構造を
有するものであり、SD1〜SD4はスイッチングダイ
オード、D1〜D3は可変容量ダイオード、C1〜C1
oはコンテ゛ンサ、L1〜L8は同調コイル、R1−R
9は抵抗、1はVHF入力端子、2はUHF入力端子、
3は出力端子、BU、 BL、 BH。
MBは電源端子、FILはフィルタ、RFAMPは高周
波増幅回路、MIXは混合回路、O20は局部発振回路
、UHFTUはUTFチューナである。
電源端子MB、BLに例えば+15Vの電圧を印加する
と、高周波増幅回路RFAMP、局部発振回路O5C及
び混合回路MIXに動作電流が供給され、且つダイオー
ドSD1〜SD4には逆バイアスが加えられるので、ダ
イオードSD1〜SD4はオフ状態となりVHF帯のロ
ーチャンネル受信状態となる。
又電源端子MB、BHに例えば+15Vの電圧を印加す
るとダイオードSD1〜SD4には順バイアスが加えら
れてオン状態となり、且つダイオードSD4を介して高
周波増幅回路RFAMPと局部発振回路O5Cとに動作
電流が供給され、電源端子MBから混合回路MIXに動
作電流が供給されてVHF帯のハイチャンネル受信状態
となる。
又電源端子MB、BUに例えば+15Vの電圧を印加す
ると混合回路MIX、 UHFチューナUHFTUに動
作電流が供給されてUHF帯受信状態になる。
このようなVHF帯のハイチャンネルとローチャンネル
との切換えに於いて、ハイチャンネル受信時にはダイオ
ードSD1〜SD3に成る値以上の電流を流して完全な
オン状態にする必要がある。
その場合、ローチャンネル受信時にダイオードSD1〜
SD3に逆バイアスを加える為に接続しである抵抗R7
,R8に電流を流れるので点Aの電位は高くなる。
従ってダイオードSD1〜SD3に成る値以上の電流を
流すには抵抗R1〜R6の抵抗値を小さくしなければな
らず、このように抵抗R1〜R6の抵抗値を少なくする
と信号が漏れたり混入したりするので受信時の特性が劣
化する。
又ローチャンネル受信時の特性の劣化を避ける為、抵抗
R1〜R6に抵抗値の大きなものを使用した場合は、ダ
イオードSD1〜SD3に流れる電流が減少し、ダイオ
ードSD1〜SD3の抵抗が増加するので同調コイルL
2.L6.L8の影響が現われハイチャンネル受信時、
特性の劣化を示す。
又VHF帯のハイチャンネル受信時及びローチヤンネル
受信時に消費される消費電流は次のように示すことがで
きる。
It=Iosc+IRFAMp+IR7,R8”−−”
(1)IH=IO5C+IRFAMP+IR7、R6+
ISW ・・・・・−・(2)但しILはローチャンネ
ル受信時の消費電流、■□はハイチャンネル受信時の消
費電流、l05Cは局部発振回路O3Cでの消費電流、
IRFAMPは高周波増幅回路での消費電流、■R7,
R8は抵抗R7,R8での消費電流、I5はスイッチン
グ回路での消費電流である。
式(1)、 (2)を見てわかるように、ハイチャンネ
ル受信時には必要のない抵抗R8により電流が消費され
、チャンネルの切換えによって消費電流が変化し、各部
分にかかる電圧が変化する。
本考案は前述の如き欠点を解消したもので、電子同調チ
ューナのVHF帯のローチャンネルとハイチャンネルと
の切換えを効率良く且つ特性の劣化がないように行なわ
せることを目的とするものであり、以下実施例について
詳細に説明する。
第2図は、本考案の一実施例の回路図であって、SD5
はダイオードであり、第1図と同一符号は同一部分をあ
られしている。
ダイオードSD4.SD5は電源端子BL、BH間に逆
極性で直列に接続され、ダイオードSD4.SD5の接
続点から高周波増幅回路AMP及び局部発振回路O3C
に電流が供給されるように接続されている。
電源端子MB、BLに例えば+15Vの電圧を印加する
と、混合回路MIXに動作電流が供給され、又ダイオー
ドSD5がオン状態となるので高周波増幅回路RFAM
P及び局部発振回路O3Cにも動作電流が供給され、且
つダイオードSD1〜SD3には逆バイアスが加えられ
るのでダイオードSD1〜SD3はオフ状態となり、■
HF帯のローチャンネル受信状態となる。
又電源端子MB、BHに例えば+15Vの電圧を印加す
ると、混合回路MIXに動作電流が供給され、又ダイオ
ードSD4がオンとなるので高周波増幅回路RFAMP
及び局部発振回路O3Cにも動作電流が供給され、且つ
ダイオードSD1〜SD3に順バイアスが加えられるの
でダイオードSD1〜SD3はオン状態となり、VHF
帯のハイチャンネルの受信状態となる。
又電源端子MB。BUに例えば+15Vの電圧を印加す
ると混合回路MIX及びUHFチューナUHFTUに動
作電流を供給してUHF帯の受信状態となる。
電源端子BH,MBに電圧を印加して、VHF帯のハイ
チャンネルの受信状態とした場合、ダイオードSD5は
オフ状態にあるので、抵抗R8には電流が流れず、従っ
て点Aの電位は第1図に示す従来例に比較して低くなる
それによって抵抗R1〜R6の抵抗値を大きくして信号
の漏れ、混入を防止しても、ダイオードSD1〜SD3
にスイッチング電流を十分流すことができるものとなり
、ダイオードSD1〜SD3を完全なオン状態とするこ
とができ、VHF帯のハイチャンネル受信時の特性を劣
化させることな(VHF帯のローチャンネル受信時の利
得及び雑音指数を改善することができる。
又、ダイオードSD5が接続されている為、VHF帯の
ハイチャンネル受信時に抵抗R8で不必要な電流が消費
されないのでダイオードSD1〜SD3に効率良くバイ
アスをかけることができる。
VHF帯のローチャンネル受信時及びハイチャンネル受
信時に消費される電流はそれぞれ次のように示すことが
できる。
It=Iosc+IRFAMp+IR7,R8”・・”
”・・”(+3)IH=IO5C+IRFAMP+IS
W ・・・”−”−(4)従って抵抗R7,R8の抵抗
値を適当に選ぶことによりチャンネル切換えの際発生す
る消費電流の変化を減少することができ、各部分にかか
る電圧の変動を減少させることができる。
尚、抵抗R7の代わりにツェナーダイオードを用いるこ
ともでき、ツェナー電圧の低い(2V〜4■)ツェナー
ダイオードを用いれは゛、ツェナーダイオードを流れる
電流は5mA程度であるのでVHF帯のローチャンネル
受信時の消費電流を減少させることができ、又VHF帯
のハイチャンネル受信時に点Aの電位はツェナー電圧に
より定まるのでスイッチング回路の定数設定が容易にな
る。
以上説明したように、本考案は、スイッチングダイオー
ドにより、VHF帯のハイチャンネル及びローチャンネ
ルの切換え行なう電子同調チューナのバイアス回路に於
いて、VHF帯のハイチャンネル受信時にブリーダ抵抗
に電流が流れないようにダイオードを接続することによ
り、■HF帯のハイチャンネルとローチャンネルとの切
換えによる消費電流の変動を減少させることかでき、且
つスイッチングダイオードに加わる電圧を増加させるこ
とができるので、スイッチングダイオードに接続されて
いる抵抗値を大きくし、それによって信号の漏れや混入
を防ぎVHF帯のローチャンネル受信時の雑音指数及び
利得を改善することができると共に、スイッチングダイ
オードを完全なオン状態として動作させる為に十分な電
圧をスイッチングダイオードに加えることができるので
、VHF帯のハイチャンネル受信時の特性を劣化させる
ことはない。
従ってVHF帯のローチャンネルとハイチャンネルとの
切換えによる特性の劣化を示さない電子同調チューナを
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の電子同調チューナの回路図、第2図は本
考案の実施例の電子同調チューナの回路図である。 SD1〜SD5はダイオード、D1〜D3は可変容量ダ
イオード、C1〜C1oはコンデ゛ンサ、L1〜L8は
同調コイル、R1−R9は抵抗、1はVHF入力端子、
2はUHF入力端子、3は出力端子、BU、 BL、
BH。 MBは電源端子、FILはフィルタ、RFAMPは高周
波増幅回路、MIXは混合回路、O3Cは局部発振回路
、UHFTUはUHFチューナである。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. スイッチングダイオードにより、■HF帯のローチャン
    ネル及びハイチャンネルを切換える電子同調チューナの
    バイアス回路に於いて、ハイチャンネル受信時に前記ス
    イッチングダイオードに順バイアス電圧を加える端子と
    、ローチャンネル受信時に逆バイアス電圧を加える端子
    との間に2個のダイオードを互に逆極性となるように接
    続し、該2個のダイオードの接続点から電流を供給し得
    るように高周波増幅回路及び局部発振回路を接続したこ
    とを特徴とする電子同調チューナのバイアス回路。
JP10631978U 1978-08-02 1978-08-02 電子同調チュ_ナのバイアス回路 Expired JPS5936026Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP10631978U JPS5936026Y2 (ja) 1978-08-02 1978-08-02 電子同調チュ_ナのバイアス回路

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JP10631978U JPS5936026Y2 (ja) 1978-08-02 1978-08-02 電子同調チュ_ナのバイアス回路

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Publication Number Publication Date
JPS5524835U JPS5524835U (ja) 1980-02-18
JPS5936026Y2 true JPS5936026Y2 (ja) 1984-10-04

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ID=29049388

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JP10631978U Expired JPS5936026Y2 (ja) 1978-08-02 1978-08-02 電子同調チュ_ナのバイアス回路

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JPS60178675A (ja) * 1984-02-24 1985-09-12 Agency Of Ind Science & Technol 超伝導変成器

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JPS5524835U (ja) 1980-02-18

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