JPS5936026Y2 - 電子同調チュ_ナのバイアス回路 - Google Patents
電子同調チュ_ナのバイアス回路Info
- Publication number
- JPS5936026Y2 JPS5936026Y2 JP10631978U JP10631978U JPS5936026Y2 JP S5936026 Y2 JPS5936026 Y2 JP S5936026Y2 JP 10631978 U JP10631978 U JP 10631978U JP 10631978 U JP10631978 U JP 10631978U JP S5936026 Y2 JPS5936026 Y2 JP S5936026Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diodes
- circuit
- terminal
- current
- tuner
- Prior art date
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- Expired
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- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、スイッチングダイオードを用いて同調コイル
の切換えを行なう電子同調チューナのバイアス回路に関
するものである。
の切換えを行なう電子同調チューナのバイアス回路に関
するものである。
従来の電子同調チューナは、例えば第1図に示す構造を
有するものであり、SD1〜SD4はスイッチングダイ
オード、D1〜D3は可変容量ダイオード、C1〜C1
oはコンテ゛ンサ、L1〜L8は同調コイル、R1−R
9は抵抗、1はVHF入力端子、2はUHF入力端子、
3は出力端子、BU、 BL、 BH。
有するものであり、SD1〜SD4はスイッチングダイ
オード、D1〜D3は可変容量ダイオード、C1〜C1
oはコンテ゛ンサ、L1〜L8は同調コイル、R1−R
9は抵抗、1はVHF入力端子、2はUHF入力端子、
3は出力端子、BU、 BL、 BH。
MBは電源端子、FILはフィルタ、RFAMPは高周
波増幅回路、MIXは混合回路、O20は局部発振回路
、UHFTUはUTFチューナである。
波増幅回路、MIXは混合回路、O20は局部発振回路
、UHFTUはUTFチューナである。
電源端子MB、BLに例えば+15Vの電圧を印加する
と、高周波増幅回路RFAMP、局部発振回路O5C及
び混合回路MIXに動作電流が供給され、且つダイオー
ドSD1〜SD4には逆バイアスが加えられるので、ダ
イオードSD1〜SD4はオフ状態となりVHF帯のロ
ーチャンネル受信状態となる。
と、高周波増幅回路RFAMP、局部発振回路O5C及
び混合回路MIXに動作電流が供給され、且つダイオー
ドSD1〜SD4には逆バイアスが加えられるので、ダ
イオードSD1〜SD4はオフ状態となりVHF帯のロ
ーチャンネル受信状態となる。
又電源端子MB、BHに例えば+15Vの電圧を印加す
るとダイオードSD1〜SD4には順バイアスが加えら
れてオン状態となり、且つダイオードSD4を介して高
周波増幅回路RFAMPと局部発振回路O5Cとに動作
電流が供給され、電源端子MBから混合回路MIXに動
作電流が供給されてVHF帯のハイチャンネル受信状態
となる。
るとダイオードSD1〜SD4には順バイアスが加えら
れてオン状態となり、且つダイオードSD4を介して高
周波増幅回路RFAMPと局部発振回路O5Cとに動作
電流が供給され、電源端子MBから混合回路MIXに動
作電流が供給されてVHF帯のハイチャンネル受信状態
となる。
又電源端子MB、BUに例えば+15Vの電圧を印加す
ると混合回路MIX、 UHFチューナUHFTUに動
作電流が供給されてUHF帯受信状態になる。
ると混合回路MIX、 UHFチューナUHFTUに動
作電流が供給されてUHF帯受信状態になる。
このようなVHF帯のハイチャンネルとローチャンネル
との切換えに於いて、ハイチャンネル受信時にはダイオ
ードSD1〜SD3に成る値以上の電流を流して完全な
オン状態にする必要がある。
との切換えに於いて、ハイチャンネル受信時にはダイオ
ードSD1〜SD3に成る値以上の電流を流して完全な
オン状態にする必要がある。
その場合、ローチャンネル受信時にダイオードSD1〜
SD3に逆バイアスを加える為に接続しである抵抗R7
,R8に電流を流れるので点Aの電位は高くなる。
SD3に逆バイアスを加える為に接続しである抵抗R7
,R8に電流を流れるので点Aの電位は高くなる。
従ってダイオードSD1〜SD3に成る値以上の電流を
流すには抵抗R1〜R6の抵抗値を小さくしなければな
らず、このように抵抗R1〜R6の抵抗値を少なくする
と信号が漏れたり混入したりするので受信時の特性が劣
化する。
流すには抵抗R1〜R6の抵抗値を小さくしなければな
らず、このように抵抗R1〜R6の抵抗値を少なくする
と信号が漏れたり混入したりするので受信時の特性が劣
化する。
又ローチャンネル受信時の特性の劣化を避ける為、抵抗
R1〜R6に抵抗値の大きなものを使用した場合は、ダ
イオードSD1〜SD3に流れる電流が減少し、ダイオ
ードSD1〜SD3の抵抗が増加するので同調コイルL
2.L6.L8の影響が現われハイチャンネル受信時、
特性の劣化を示す。
R1〜R6に抵抗値の大きなものを使用した場合は、ダ
イオードSD1〜SD3に流れる電流が減少し、ダイオ
ードSD1〜SD3の抵抗が増加するので同調コイルL
2.L6.L8の影響が現われハイチャンネル受信時、
特性の劣化を示す。
又VHF帯のハイチャンネル受信時及びローチヤンネル
受信時に消費される消費電流は次のように示すことがで
きる。
受信時に消費される消費電流は次のように示すことがで
きる。
It=Iosc+IRFAMp+IR7,R8”−−”
(1)IH=IO5C+IRFAMP+IR7、R6+
ISW ・・・・・−・(2)但しILはローチャンネ
ル受信時の消費電流、■□はハイチャンネル受信時の消
費電流、l05Cは局部発振回路O3Cでの消費電流、
IRFAMPは高周波増幅回路での消費電流、■R7,
R8は抵抗R7,R8での消費電流、I5はスイッチン
グ回路での消費電流である。
(1)IH=IO5C+IRFAMP+IR7、R6+
ISW ・・・・・−・(2)但しILはローチャンネ
ル受信時の消費電流、■□はハイチャンネル受信時の消
費電流、l05Cは局部発振回路O3Cでの消費電流、
IRFAMPは高周波増幅回路での消費電流、■R7,
R8は抵抗R7,R8での消費電流、I5はスイッチン
グ回路での消費電流である。
式(1)、 (2)を見てわかるように、ハイチャンネ
ル受信時には必要のない抵抗R8により電流が消費され
、チャンネルの切換えによって消費電流が変化し、各部
分にかかる電圧が変化する。
ル受信時には必要のない抵抗R8により電流が消費され
、チャンネルの切換えによって消費電流が変化し、各部
分にかかる電圧が変化する。
本考案は前述の如き欠点を解消したもので、電子同調チ
ューナのVHF帯のローチャンネルとハイチャンネルと
の切換えを効率良く且つ特性の劣化がないように行なわ
せることを目的とするものであり、以下実施例について
詳細に説明する。
ューナのVHF帯のローチャンネルとハイチャンネルと
の切換えを効率良く且つ特性の劣化がないように行なわ
せることを目的とするものであり、以下実施例について
詳細に説明する。
第2図は、本考案の一実施例の回路図であって、SD5
はダイオードであり、第1図と同一符号は同一部分をあ
られしている。
はダイオードであり、第1図と同一符号は同一部分をあ
られしている。
ダイオードSD4.SD5は電源端子BL、BH間に逆
極性で直列に接続され、ダイオードSD4.SD5の接
続点から高周波増幅回路AMP及び局部発振回路O3C
に電流が供給されるように接続されている。
極性で直列に接続され、ダイオードSD4.SD5の接
続点から高周波増幅回路AMP及び局部発振回路O3C
に電流が供給されるように接続されている。
電源端子MB、BLに例えば+15Vの電圧を印加する
と、混合回路MIXに動作電流が供給され、又ダイオー
ドSD5がオン状態となるので高周波増幅回路RFAM
P及び局部発振回路O3Cにも動作電流が供給され、且
つダイオードSD1〜SD3には逆バイアスが加えられ
るのでダイオードSD1〜SD3はオフ状態となり、■
HF帯のローチャンネル受信状態となる。
と、混合回路MIXに動作電流が供給され、又ダイオー
ドSD5がオン状態となるので高周波増幅回路RFAM
P及び局部発振回路O3Cにも動作電流が供給され、且
つダイオードSD1〜SD3には逆バイアスが加えられ
るのでダイオードSD1〜SD3はオフ状態となり、■
HF帯のローチャンネル受信状態となる。
又電源端子MB、BHに例えば+15Vの電圧を印加す
ると、混合回路MIXに動作電流が供給され、又ダイオ
ードSD4がオンとなるので高周波増幅回路RFAMP
及び局部発振回路O3Cにも動作電流が供給され、且つ
ダイオードSD1〜SD3に順バイアスが加えられるの
でダイオードSD1〜SD3はオン状態となり、VHF
帯のハイチャンネルの受信状態となる。
ると、混合回路MIXに動作電流が供給され、又ダイオ
ードSD4がオンとなるので高周波増幅回路RFAMP
及び局部発振回路O3Cにも動作電流が供給され、且つ
ダイオードSD1〜SD3に順バイアスが加えられるの
でダイオードSD1〜SD3はオン状態となり、VHF
帯のハイチャンネルの受信状態となる。
又電源端子MB。BUに例えば+15Vの電圧を印加す
ると混合回路MIX及びUHFチューナUHFTUに動
作電流を供給してUHF帯の受信状態となる。
ると混合回路MIX及びUHFチューナUHFTUに動
作電流を供給してUHF帯の受信状態となる。
電源端子BH,MBに電圧を印加して、VHF帯のハイ
チャンネルの受信状態とした場合、ダイオードSD5は
オフ状態にあるので、抵抗R8には電流が流れず、従っ
て点Aの電位は第1図に示す従来例に比較して低くなる
。
チャンネルの受信状態とした場合、ダイオードSD5は
オフ状態にあるので、抵抗R8には電流が流れず、従っ
て点Aの電位は第1図に示す従来例に比較して低くなる
。
それによって抵抗R1〜R6の抵抗値を大きくして信号
の漏れ、混入を防止しても、ダイオードSD1〜SD3
にスイッチング電流を十分流すことができるものとなり
、ダイオードSD1〜SD3を完全なオン状態とするこ
とができ、VHF帯のハイチャンネル受信時の特性を劣
化させることな(VHF帯のローチャンネル受信時の利
得及び雑音指数を改善することができる。
の漏れ、混入を防止しても、ダイオードSD1〜SD3
にスイッチング電流を十分流すことができるものとなり
、ダイオードSD1〜SD3を完全なオン状態とするこ
とができ、VHF帯のハイチャンネル受信時の特性を劣
化させることな(VHF帯のローチャンネル受信時の利
得及び雑音指数を改善することができる。
又、ダイオードSD5が接続されている為、VHF帯の
ハイチャンネル受信時に抵抗R8で不必要な電流が消費
されないのでダイオードSD1〜SD3に効率良くバイ
アスをかけることができる。
ハイチャンネル受信時に抵抗R8で不必要な電流が消費
されないのでダイオードSD1〜SD3に効率良くバイ
アスをかけることができる。
VHF帯のローチャンネル受信時及びハイチャンネル受
信時に消費される電流はそれぞれ次のように示すことが
できる。
信時に消費される電流はそれぞれ次のように示すことが
できる。
It=Iosc+IRFAMp+IR7,R8”・・”
”・・”(+3)IH=IO5C+IRFAMP+IS
W ・・・”−”−(4)従って抵抗R7,R8の抵抗
値を適当に選ぶことによりチャンネル切換えの際発生す
る消費電流の変化を減少することができ、各部分にかか
る電圧の変動を減少させることができる。
”・・”(+3)IH=IO5C+IRFAMP+IS
W ・・・”−”−(4)従って抵抗R7,R8の抵抗
値を適当に選ぶことによりチャンネル切換えの際発生す
る消費電流の変化を減少することができ、各部分にかか
る電圧の変動を減少させることができる。
尚、抵抗R7の代わりにツェナーダイオードを用いるこ
ともでき、ツェナー電圧の低い(2V〜4■)ツェナー
ダイオードを用いれは゛、ツェナーダイオードを流れる
電流は5mA程度であるのでVHF帯のローチャンネル
受信時の消費電流を減少させることができ、又VHF帯
のハイチャンネル受信時に点Aの電位はツェナー電圧に
より定まるのでスイッチング回路の定数設定が容易にな
る。
ともでき、ツェナー電圧の低い(2V〜4■)ツェナー
ダイオードを用いれは゛、ツェナーダイオードを流れる
電流は5mA程度であるのでVHF帯のローチャンネル
受信時の消費電流を減少させることができ、又VHF帯
のハイチャンネル受信時に点Aの電位はツェナー電圧に
より定まるのでスイッチング回路の定数設定が容易にな
る。
以上説明したように、本考案は、スイッチングダイオー
ドにより、VHF帯のハイチャンネル及びローチャンネ
ルの切換え行なう電子同調チューナのバイアス回路に於
いて、VHF帯のハイチャンネル受信時にブリーダ抵抗
に電流が流れないようにダイオードを接続することによ
り、■HF帯のハイチャンネルとローチャンネルとの切
換えによる消費電流の変動を減少させることかでき、且
つスイッチングダイオードに加わる電圧を増加させるこ
とができるので、スイッチングダイオードに接続されて
いる抵抗値を大きくし、それによって信号の漏れや混入
を防ぎVHF帯のローチャンネル受信時の雑音指数及び
利得を改善することができると共に、スイッチングダイ
オードを完全なオン状態として動作させる為に十分な電
圧をスイッチングダイオードに加えることができるので
、VHF帯のハイチャンネル受信時の特性を劣化させる
ことはない。
ドにより、VHF帯のハイチャンネル及びローチャンネ
ルの切換え行なう電子同調チューナのバイアス回路に於
いて、VHF帯のハイチャンネル受信時にブリーダ抵抗
に電流が流れないようにダイオードを接続することによ
り、■HF帯のハイチャンネルとローチャンネルとの切
換えによる消費電流の変動を減少させることかでき、且
つスイッチングダイオードに加わる電圧を増加させるこ
とができるので、スイッチングダイオードに接続されて
いる抵抗値を大きくし、それによって信号の漏れや混入
を防ぎVHF帯のローチャンネル受信時の雑音指数及び
利得を改善することができると共に、スイッチングダイ
オードを完全なオン状態として動作させる為に十分な電
圧をスイッチングダイオードに加えることができるので
、VHF帯のハイチャンネル受信時の特性を劣化させる
ことはない。
従ってVHF帯のローチャンネルとハイチャンネルとの
切換えによる特性の劣化を示さない電子同調チューナを
提供することができる。
切換えによる特性の劣化を示さない電子同調チューナを
提供することができる。
第1図は従来の電子同調チューナの回路図、第2図は本
考案の実施例の電子同調チューナの回路図である。 SD1〜SD5はダイオード、D1〜D3は可変容量ダ
イオード、C1〜C1oはコンデ゛ンサ、L1〜L8は
同調コイル、R1−R9は抵抗、1はVHF入力端子、
2はUHF入力端子、3は出力端子、BU、 BL、
BH。 MBは電源端子、FILはフィルタ、RFAMPは高周
波増幅回路、MIXは混合回路、O3Cは局部発振回路
、UHFTUはUHFチューナである。
考案の実施例の電子同調チューナの回路図である。 SD1〜SD5はダイオード、D1〜D3は可変容量ダ
イオード、C1〜C1oはコンデ゛ンサ、L1〜L8は
同調コイル、R1−R9は抵抗、1はVHF入力端子、
2はUHF入力端子、3は出力端子、BU、 BL、
BH。 MBは電源端子、FILはフィルタ、RFAMPは高周
波増幅回路、MIXは混合回路、O3Cは局部発振回路
、UHFTUはUHFチューナである。
Claims (1)
- スイッチングダイオードにより、■HF帯のローチャン
ネル及びハイチャンネルを切換える電子同調チューナの
バイアス回路に於いて、ハイチャンネル受信時に前記ス
イッチングダイオードに順バイアス電圧を加える端子と
、ローチャンネル受信時に逆バイアス電圧を加える端子
との間に2個のダイオードを互に逆極性となるように接
続し、該2個のダイオードの接続点から電流を供給し得
るように高周波増幅回路及び局部発振回路を接続したこ
とを特徴とする電子同調チューナのバイアス回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10631978U JPS5936026Y2 (ja) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | 電子同調チュ_ナのバイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10631978U JPS5936026Y2 (ja) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | 電子同調チュ_ナのバイアス回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5524835U JPS5524835U (ja) | 1980-02-18 |
JPS5936026Y2 true JPS5936026Y2 (ja) | 1984-10-04 |
Family
ID=29049388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10631978U Expired JPS5936026Y2 (ja) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | 電子同調チュ_ナのバイアス回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5936026Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60178675A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 超伝導変成器 |
-
1978
- 1978-08-02 JP JP10631978U patent/JPS5936026Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5524835U (ja) | 1980-02-18 |
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