JPS593587Y2 - 光半導体素子パツケ−ジ - Google Patents

光半導体素子パツケ−ジ

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Publication number
JPS593587Y2
JPS593587Y2 JP14830578U JP14830578U JPS593587Y2 JP S593587 Y2 JPS593587 Y2 JP S593587Y2 JP 14830578 U JP14830578 U JP 14830578U JP 14830578 U JP14830578 U JP 14830578U JP S593587 Y2 JPS593587 Y2 JP S593587Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cap
optical fiber
optical
core
optical semiconductor
Prior art date
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Expired
Application number
JP14830578U
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English (en)
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JPS5565876U (ja
Inventor
捷樹 田中
稔 前田
一郎 生島
祥治 山田
聰 青木
博 梶岡
「ひさし」 佐藤
勝昭 千葉
Original Assignee
株式会社日立製作所
日立電線株式会社
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Publication date
Application filed by 株式会社日立製作所, 日立電線株式会社 filed Critical 株式会社日立製作所
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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  • Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は光半導体素子パッケージの構造に係る。
光通信システムにおいて用いられる半導体光源(発光ダ
イオード、半導体レーザなと)および半導体受光素子(
PINフォトダイオード、アバランシェフォトダイオー
ドなど)においては、素子の信頼性を確保するうえで、
不活性ガス雰囲気中に気密封止することが不可欠である
一方、これら光半導体素子では、伝送路である光ファイ
バとの効率の良い結合を確保しなければならない。
しかし、光ファイバはガラスの細線であることから、両
者を共に満足させることはかなり困難であり、従来、高
効率結合を実現するために、第1図のように封止を接着
剤4で行って気密封止の信頼度を犠牲にしたり、第2図
のようにガラス窓6を設けたパッケージ内に素子を気密
封止して信頼度を確保するがわりに結合効率を犠牲にす
るなどの方法がとられていた。
さらに、これら半導体素子との結合に用いられた光ファ
イバは、最終的には主伝送路用光ファイバに光コネクタ
により接続される。
従来、第3図のように、結合用光ファイバを適当な長さ
だけパッケージ7より取り出し、端部に光コネクタ8を
取り付けたビッグ・テイル方式のものが多く用いられて
いるが、取り扱い易さや汎用性、占有体積からも、光コ
ネクタと一体化された構造が望ましい。
本考案は上記の問題点を解決する光半導体素子パッケー
ジを提供するもので、高効率結合と信頼度の高い気密封
止を確保し、かつ、光コネクタと一体化された構造を有
するものである。
実施例により本考案の内容を説明する。
第4図は本考案による光半導体パッケージの断面図であ
る。
光半導体素子1は発光あるいは受光面の中心がほは゛ス
テム2の中心にくるようにポンチ゛イングされる。
キャップは図に示されるように、中心部に光ファイバを
通すための直径が光フアイバ径よりわずかに大きい細孔
を有している。
まず、素子に対向する端面を処理し、かつ、外周部表面
をメタライズした適当な長さの結合用光ファイバ5を挿
入しステム2にキャップ3を被せる。
キャップ内径は素子ボンディング部外径より必要寸法だ
け大きくしてあり、キャップ3は水平面内(x−y面内
)で動かせるようになっている。
光半導体素子1と光ファイバ5の結合状態をモニタしな
がら、キャップ位置を調整し、最適位置でキャップ3と
ステム2を溶接により固着する。
ついで、光ファイバ5を垂直方向(Z方向)で調整した
後、光ファイバ5とキャップ細孔部をハンダ10により
固着封止する。
以上の過程により、高効率結合と気密封止が同時に確保
される。
一方、光コネクタは中心に精度良く光ファイバを配置し
た中子を精密スリーブ内で突き合わせる方式のものが多
いが、その場合は、第4図のように、光コネクタ中子9
の中心孔に光ファイバ5を挿入し、かつ中子自体をキャ
ップの中央の円柱状凸部に被せる。
この状態で、中子の側面に設けられた孔より接着剤4を
注入し、光ファイバ5と中子9、およびキャップ3を固
着強化する。
ついで、中子端面より突き出た光ファイバを中子端面位
置で切断あるいはさらに研磨することにより、光コネク
タ中子9と一体化したものを得る。
実際に使用する場合にはこれを第5図のように精密スリ
ーブ12より成る光コネクタレセプタクル11内に挿入
しレセプタクルを筐体13に取り付ければ良い。
筐体13を金属にしておけば、素子が発光素子の場合の
ヒートシンクをかねることもできる。
なお、第5図において、12は取付ネジ、13は光半導
体素子パッケージである。
上記の実施例における製造方法の他に、パッケージング
の順序を入れ変えたもの、中子の方を先に作り、最終工
程で結合(x−y)調整しながらキャップとステムを溶
着するもの、などで製造でき、これらは組立中のファイ
バの断線による歩留低下をさけるとともに、別工程で半
或品を作れるので量産効果が上がる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来の光半導体素子パッケージの側
断面図、第3図は光半導体とファイバと光コネクタを一
体化した構造を示す図、第4図及び第5図は本考案によ
る光半導体素子パッケージの実施例の側断面図。 1・・・・・・光半導体素子、2・・・・・・ステム、
3・・・・・・キャップ、4・・・・・・接着剤、5・
・・・・・光ファイバ、6・・・・・・ガラス窓、7・
・・・・・光半導体素子パッケージ、8・・・・・・光
コネクタ、9・・・・・・光コネクタ中子、10・・・
・・・ハンダ、11・・・・・・コネクタレセプタタル
、12・・・・・・精密スリーブ、13・・・・・・筐
体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. その発光あるいは受光面が略中心にくるように光半導体
    素子をボンディングしたステムと、端面が上記発光ある
    いは受光面に近接した光ファイバと、中心部に上記光フ
    ァイバを貫通する穴を有し、上記ステム径より大きい内
    径を有し中心合せ自在に上記ステムに溶接されたキャッ
    プと、上記光ファイバと上記キャップの間を気密封止す
    る封止材と、中心部に光ファイバを貫通する穴を有し上
    記キャップに被せられ上記キャップとの間に接着材を充
    填された中子とから構成されることを特徴とする光半導
    体素子パッケージ。
JP14830578U 1978-10-30 1978-10-30 光半導体素子パツケ−ジ Expired JPS593587Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14830578U JPS593587Y2 (ja) 1978-10-30 1978-10-30 光半導体素子パツケ−ジ

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14830578U JPS593587Y2 (ja) 1978-10-30 1978-10-30 光半導体素子パツケ−ジ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5565876U JPS5565876U (ja) 1980-05-07
JPS593587Y2 true JPS593587Y2 (ja) 1984-01-31

Family

ID=29130576

Family Applications (1)

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JP14830578U Expired JPS593587Y2 (ja) 1978-10-30 1978-10-30 光半導体素子パツケ−ジ

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JPS5565876U (ja) 1980-05-07

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